JP2008004665A - 半導体発光装置およびそれを用いた点灯システム - Google Patents
半導体発光装置およびそれを用いた点灯システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008004665A JP2008004665A JP2006171052A JP2006171052A JP2008004665A JP 2008004665 A JP2008004665 A JP 2008004665A JP 2006171052 A JP2006171052 A JP 2006171052A JP 2006171052 A JP2006171052 A JP 2006171052A JP 2008004665 A JP2008004665 A JP 2008004665A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- diode element
- temperature
- semiconductor
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】LEDデバイス内部の温度を正確に測定することを可能にする。
【解決手段】チップ上面に2つの電極が形成されて底面が導通しない発光ダイオード素子11の上記底面と、チップ上下面に電極が形成されて底面が導通する温度検知ダイオード素子13の上記底面とを、同一の金属フレーム12上に銀ペーストで接続して、温度検知ダイオード素子13の上記底面の電極のみを電気的に接続する。また、発光ダイオード素子11の上記上面の両電極を金線17,18で金属フレーム14,15に電気的に接続し、温度検知ダイオード素子13の上記上面の電極を金線19で金属フレーム16に電気的に接続する。こうして、本LEDデバイス内部の発光ダイオード素子11近傍の温度を直接的に測定して、動作限界となる温度をより正確に測定する。さらに、本LEDデバイスを動作させながら、容易に本LEDデバイスの内部温度を測定することができる。
【選択図】図1
【解決手段】チップ上面に2つの電極が形成されて底面が導通しない発光ダイオード素子11の上記底面と、チップ上下面に電極が形成されて底面が導通する温度検知ダイオード素子13の上記底面とを、同一の金属フレーム12上に銀ペーストで接続して、温度検知ダイオード素子13の上記底面の電極のみを電気的に接続する。また、発光ダイオード素子11の上記上面の両電極を金線17,18で金属フレーム14,15に電気的に接続し、温度検知ダイオード素子13の上記上面の電極を金線19で金属フレーム16に電気的に接続する。こうして、本LEDデバイス内部の発光ダイオード素子11近傍の温度を直接的に測定して、動作限界となる温度をより正確に測定する。さらに、本LEDデバイスを動作させながら、容易に本LEDデバイスの内部温度を測定することができる。
【選択図】図1
Description
この発明は、発光ダイオード素子を搭載した半導体発光装置およびそれを用いた点灯システムに関する。
LED(発光ダイオード)デバイスは、従来から照明やLCD(液晶ディスプレイ)バックライト等に使われている電球や蛍光管に置き換わる発光デバイスとして注目されている。中でも、青色発光ダイオードと蛍光体との組合せによる擬似白色発光デバイスや、赤色,緑色,青色発光ダイオードの組合せによって混色光を作り出すデバイスの開発が盛んであり、このようなLEDデバイスを使用した照明やLCDバックライトの開発も多くなってきている。
図7は、代表的な表面実装型LEDデバイスの実装例を示す。図7に示すLEDデバイスにおいて、発光ダイオード素子1は、金属フレーム3上に搭載され、銀ペースト4によって機械的および電気的に接続されている。さらに、金属フレーム2と、金線5によって電気的に接続されている。そして、発光ダイオード素子1の周囲を取り囲むようにリフレクター6が形成されており、リフレクター6の内部には発光ダイオード素子1を保護するために透明あるいは乳白色のエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂が充填されて、発光ダイオード素子1が封止されている。
このような表面実装型LEDデバイスの用途としては、インジケーター,LCDバックライトおよび照明等があり、1個あるいは複数個のLEDデバイスが半田実装された回路基板が製品筐体内にセットされる。そして、各LEDデバイスを外部定電圧源に接続して点灯させる場合には、事前に発光ダイオード素子1と直列に抵抗体を接続して電流値を設定しておく。その際に、LEDデバイスの動作温度を測定しておくことが、LEDデバイスの信頼性を十分に確保し且つ性能を十分に発揮させるのに最適な電流条件を決めるのに必要となる。
上述のようなLEDデバイスによく使用される窒化ガリウム系青色・緑色発光ダイオードは、従来のAlGaInP系発光ダイオード素子に比べると発光時の内部電圧が大きいために素子の自己発熱も大きい。そのために、窒化ガリウム系青色・緑色発光ダイオードを用いたLEDデバイスを多数個並べた場合や、上記LEDデバイスを覆う外装ケースを取り付けた場合には、上記LEDデバイスの自己発熱と周囲にある発熱体の熱との影響によってLEDデバイス自体の温度が上昇してしまう。
その場合、上記LEDデバイス自体の温度は許容温度範囲内であっても、高温環境下に長時間置かれると窒化ガリウム系青色・緑色発光ダイオード素子自体の劣化や樹脂の劣化が生じて、製品としての寿命は縮まってしまう。また、許容温度範囲外で使用された場合には、封止樹脂の過度の熱膨張によって上記発光ダイオード素子のダイボンド剥がれや金線切れ等が引き起こされて、不灯に至る恐れもある。
このような劣化や故障を防ぐためには、上記LEDデバイスを実用途と略同じ環境条件下で点灯させて、上記LEDデバイスや他の発熱体から発生した熱を考慮して駆動電流を決定する必要がある。LEDデバイス温度を測定する方法としては、赤外線CCD(電荷結合素子)カメラによる熱画像温度計測や、上記LEDデバイスの端子または樹脂表面に熱電対を取り付けた温度測定がある。これらの温度測定方法は、上記LEDデバイス内部の温度を直接的に測定するのではなく、上記LEDデバイスの端子温度や樹脂表面の温度で間接的に測定するものである。
以上のごとく、上記LEDデバイスの発光時における自己発熱および周囲の発熱体の熱に依存したデバイス寿命の短縮あるいは不灯などの故障を無くすためには、上記LEDデバイスの端子や樹脂表面の温度ではなく、デバイス内部の温度を測定して電流条件を設定する必要がある。
しかしながら、上記従来のLEDデバイスの温度測定方法では、LEDデバイスの端子温度や樹脂表面の温度を測定することしかできなく、デバイス内部の温度を容易に且つ正確に測定することはできないという問題がある。
また、実際にLEDデバイスを筺体内にセットして点灯させて使用している間の温度をモニターする場合には、赤外線CCDカメラによる熱画像温度測定やLEDデバイスの端子あるいは樹脂表面に熱電対を取り付けた温度測定による方法では難しいという問題がある。
また、特開平8‐335747号公報(特許文献1)に開示されているように、LD(レーザダイオード)の近傍に小型温度センサー(サーミスタ薄膜)を取り付けた「発光素子モジュール及びその製造方法」がある。しかしながら、上記特許文献1においては回路基板の部品数や部品実装面積が増えてしまい、発光素子モジュールの高密度実装の際に制限があるという問題がある。
特開平8‐335747号公報
そこで、この発明の課題は、LEDデバイス内部の温度を正確に測定することが可能な半導体発光装置およびそれを用いた点灯システムを提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の半導体発光装置は、
1個以上の発光ダイオード素子と、
1個以上の温度検知用の温度検知半導体素子と
を備え、
上記発光ダイオード素子および上記温度検知半導体素子は、互いに独立して動作可能になっている
ことを特徴としている。
1個以上の発光ダイオード素子と、
1個以上の温度検知用の温度検知半導体素子と
を備え、
上記発光ダイオード素子および上記温度検知半導体素子は、互いに独立して動作可能になっている
ことを特徴としている。
上記構成によれば、発光ダイオード素子と温度検知半導体素子とを互いに独立して動作させることにより、赤外線CCDカメラや熱電対を用いることなく、上記温度検知半導体素子によって、当該半導体発光装置の内部温度を容易に且つより正確に測定することができる。さらに、当該半導体発光装置を動作させながら、容易に当該半導体発光装置の内部温度を測定することができる。したがって、当該半導体発光装置の信頼性を十分確保しつつ、性能を最大限に発揮させることが可能になる。
また、1実施の形態の半導体発光装置では、
上記各温度検知半導体素子は、トランジスタあるいはダイオードで構成されている。
上記各温度検知半導体素子は、トランジスタあるいはダイオードで構成されている。
この実施の形態によれば、上記各温度検知半導体素子はトランジスタあるいはダイオードで構成されているので、ダイオード構造が有する温度特性を利用して容易に温度測定を行うことができる。
また、1実施の形態の半導体発光装置では、
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、電気的に絶縁されていない同一の基板あるいは金属フレーム上に搭載されている。
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、電気的に絶縁されていない同一の基板あるいは金属フレーム上に搭載されている。
この実施の形態によれば、上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とを、同一の基板あるいは金属フレームに搭載している。したがって、上記両素子の実装面積を小さくすることができる。
また、1実施の形態の半導体発光装置では、
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、電気的に絶縁された基板あるいは金属フレーム上に搭載されている。
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、電気的に絶縁された基板あるいは金属フレーム上に搭載されている。
この実施の形態によれば、上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とを、電気的に絶縁された互いに異なる基板あるいは金属フレームに搭載している。そのために、上記温度検知半導体素子は上記発光ダイオード素子から離れた位置に配置することができる。したがって、上記温度検知半導体素子を、熱ストレスによる樹脂劣化や樹脂クラック等が発生し易い位置に搭載することが可能になる。
また、1実施の形態の半導体発光装置では、
上記発光ダイオード素子は、上記温度検知半導体素子上に搭載されている。
上記発光ダイオード素子は、上記温度検知半導体素子上に搭載されている。
この実施の形態によれば、上記発光ダイオード素子の実装面積をより小さくすることができる。そのために、上記発光ダイオード素子が複数在る場合であって、ダイボンド部の面積に対する上記発光ダイオード素子の実装面積の比率が大きく、且つ、上記ダイボンド部の面積に制限があるような半導体発光装置の場合に有利である。
また、1実施の形態の半導体発光装置では、
上記温度検知半導体素子は、光の透過率が1%以下である着色されたエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂で封止されている。
上記温度検知半導体素子は、光の透過率が1%以下である着色されたエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂で封止されている。
この実施の形態によれば、上記温度検知半導体素子が、光の透過率が1%以下のエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂で封止されているので、上記温度検知半導体素子は、上記発光ダイオード素子からの光の影響を受けることが無く安定して動作することができる。
また、1実施の形態の半導体発光装置では、
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、同一のリフレクターによって取り囲まれている。
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、同一のリフレクターによって取り囲まれている。
この実施の形態によれば、上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とを同一のリフレクターで取り囲むことによって、当該半導体発光装置を小型に構成することが可能になる。
また、1実施の形態の半導体発光装置では、
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、互いに異なるリフレクターによって取り囲まれている。
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、互いに異なるリフレクターによって取り囲まれている。
この実施の形態によれば、上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは夫々独立してリフレクターによって取り囲まれているので、上記温度検知半導体素子は、上記発光ダイオード素子からの光の影響を受けることが無く安定して動作することができる。
また、この発明の点灯システムは、
1個以上の上記半導体発光装置と、
上記半導体発光装置における上記発光ダイオード素子の電流を制御する発光素子電流制御回路と、
上記半導体発光装置における上記温度検知半導体素子の動作を制御して温度測定を行う温度測定回路と
を備えたことを特徴としている。
1個以上の上記半導体発光装置と、
上記半導体発光装置における上記発光ダイオード素子の電流を制御する発光素子電流制御回路と、
上記半導体発光装置における上記温度検知半導体素子の動作を制御して温度測定を行う温度測定回路と
を備えたことを特徴としている。
上記構成によれば、発光素子電流制御回路および温度測定回路によって、発光ダイオード素子および温度検知半導体素子を互いに独立して動作させることによって、赤外線CCDカメラや熱電対を用いることなく、上記温度検知半導体素子によって、半導体発光装置の内部温度を容易に且つより正確に測定して、上記発光ダイオード素子の最適電流値を設定することができる。さらに、上記半導体発光装置を動作させながら、容易に上記半導体発光装置の内部温度を測定して、上記発光ダイオード素子の最適電流値を設定することができる。したがって、当該点灯システムの寿命の短縮を最小限に抑えつつ、動作性能を最大限に発揮させることが可能になる。
以上より明らかなように、この発明の半導体発光装置は、発光ダイオード素子と温度検知半導体素子とを互いに独立して動作させることができるので、赤外線CCDカメラによる熱画像温度測定や当該半導体発光装置の端子または樹脂表面に接触させて取り付けた熱電対による温度測定を行うことなく、上記温度検知半導体素子によって、当該半導体発光装置の内部温度を容易に且つより正確に測定することができる。さらに、当該半導体発光装置を動作させながら、容易に当該半導体発光装置の内部温度を測定することができる。したがって、当該半導体発光装置の信頼性を十分確保しつつ、性能を最大限に発揮させることが可能になる。
また、この発明の点灯システムは、発光素子電流制御回路と温度測定回路とによって、1個以上の半導体発光装置における発光ダイオード素子と温度検知半導体素子とを互いに独立して動作させることができるので、赤外線CCDカメラや熱電対を用いることなく、上記温度検知半導体素子によって、半導体発光装置の内部温度を容易に且つより正確に測定して、上記発光ダイオード素子の最適電流値を設定することができる。さらに、上記半導体発光装置を動作させながら、容易に上記半導体発光装置の内部温度を測定して、上記発光ダイオード素子の最適電流値を設定することができる。したがって、当該点灯システムの信頼性を十分確保しつつ、動作性能を最大限に発揮させることが可能になる。
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
・第1実施の形態
図1は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
図1は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
本LEDデバイスは、図7に示す従来のLEDデバイスの場合と基本的には同じ構成を有している。但し、発光ダイオード素子11が搭載されている基板または金属フレーム12(以下、金属フレーム12で代表する)上における発光ダイオード素子11の近傍には、温度検知用の温度検知ダイオード素子13が搭載されている。そして、温度検知ダイオード素子13は、発光ダイオード素子11とは電気的に独立して駆動することができるように、発光ダイオード素子11が金線17,18によって電気的に接続されている金属フレーム14,15とは異なる金属フレーム16に、金線19によって電気的に接続されている。
上記温度検知ダイオード素子13は、本LEDデバイスの内部における発熱源としての発光ダイオード素子11が搭載されている金属フレーム12と同一の金属フレーム12上であって、且つ、発光ダイオード素子11からの出射光が本LEDデバイスの外部に出る際に出射光の性能に影響を与えない位置に、搭載されている。また、本LEDデバイスにおける樹脂の熱ストレスによる不具合発生を抑制する必要がある場合には、熱ストレスによって樹脂劣化や樹脂クラック等が発生し易い位置に搭載される。
上記温度検知ダイオード素子13は、ダイオード構造が有する温度特性を利用して温度測定を行うことが可能になっている。そして、上述したように、本LEDデバイス内部に搭載することによって、本LEDデバイス内部の温度を正確に測定することができる。
したがって、赤外線CCDカメラによる熱画像温度測定や本LEDデバイスの端子または樹脂表面に接触させて取り付けた熱電対による温度測定を行う必要がなく、然も本LEDデバイスの端子や樹脂表面ではなく、本LEDデバイス内部の発光ダイオード素子11近傍の温度を直接的に測定することができる。すなわち、動作限界となる温度を、より正確に測定することができるのである。
また、実用途に合わせて本LEDデバイスを筺体内にセットした状態で本LEDデバイスの温度測定を行う場合にも、外部から熱電対等を取り付ける煩わしさがなく、容易に本LEDデバイスの温度を測定することができるのである。
以下、本LEDデバイスの構成について、さらに具体的に説明する。
本LEDデバイスにおける発光ダイオード素子11は、チップ上面に電極が2つ形成されて、底面側が導通しない構造を有している。そして、金属フレーム12上に銀ペーストあるいは接着剤で機械的に接着・固定されており、上記上面の2つの電極が金線17,18によって金属フレーム14,15に電気的に接続されている。これに対して、温度検知ダイオード素子13は、チップの上下両面に電極が形成されて、底面側が導通する構造を有している。そして、温度検知ダイオード素子13は、発光ダイオード素子11が搭載されている金属フレーム12に、上記底面の電極が銀ペースト(図示せず)によって機械的および電気的に接続されており、上記上面の電極が金線19によって金属フレーム16に電気的に接続されている。
そして、上記発光ダイオード素子11および温度検知ダイオード素子13の周囲を囲むようにリフレクター20が形成されており、その内部は発光ダイオード素子11を保護するために、透明あるいは乳白のエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂で封止されている。
上述のように、上記発光ダイオード素子11と温度検知ダイオード素子13とは、電気的に独立して動作可能なように接続されている。そのために、本LEDデバイスを動作させながら温度検知ダイオード素子13によって発光ダイオード素子11近傍の温度を測定することが可能なのである。
以上のごとく、本実施の形態においては、チップ上面に電極が2つ形成されて底面が導通しない構造を有する発光ダイオード素子11の上記底面と、チップ上下面に電極が形成されて底面が導通する構造を有する温度検知ダイオード素子13の上記底面とを、同一の金属フレーム12上に銀ペーストによって搭載して、温度検知ダイオード素子13の上記底面の電極のみを金属フレーム12に電気的に接続している。そして、発光ダイオード素子11における上記上面の両電極を、金線17,18によって金属フレーム14,15に電気的に接続し、温度検知ダイオード素子13における上記上面の電極を、金線19によって金属フレーム16に電気的に接続している。
したがって、赤外線CCDカメラによる熱画像温度測定や本LEDデバイスの端子または樹脂表面に接触させて取り付けた熱電対による温度測定を行う必要がなく、本LEDデバイス内部の発光ダイオード素子11近傍の温度を直接的に測定することができ、動作限界となる温度をより正確に測定することができる。さらに、外部から熱電対等を取り付けることなく、本LEDデバイスを筺体内にセットした状態で、且つ、本LEDデバイスを動作させながら、容易に本LEDデバイスの内部温度を測定することができるのである。
また、上記発光ダイオード素子11と温度検知ダイオード素子13とは、電気的に絶縁されていない同一の金属フレーム12に搭載されている。したがって、発光ダイオード素子11と温度検知ダイオード素子13との実装面積を小さくして、本LEDデバイスの小型化を図ることができる。
尚、上記実施の形態においては、上記温度検知ダイオード素子13の如く、温度検知半導体素子としてダイオードを用いているが、トランジスタを用いることも可能である。このことは、以下の各実施の形態においても同様である。
・第2実施の形態
図2は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
図2は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
本LEDデバイスは、図7に示す従来のLEDデバイスの場合と基本的には同じ構成を有している。但し、発光ダイオード素子21が搭載されている金属フレーム22上における発光ダイオード素子21の近傍には、温度検知用の温度検知ダイオード素子23が搭載されている。そして、温度検知ダイオード素子23は、発光ダイオード素子21とは電気的に独立して駆動することができるように、発光ダイオード素子21が金線27によって電気的に接続されている金属フレーム24とは異なる金属フレーム25,26に金線28,29によって電気的に接続されている。
本LEDデバイスにおける発光ダイオード素子21は、チップの上下両面に電極が形成されて、底面側が導通する構造を有している。そして、発光ダイオード素子21は、金属フレーム22上に、上記底面の電極が銀ペースト(図示せず)によって機械的および電気的に接続されており、上記上面の電極が金線27によって金属フレーム24に電気的に接続されている。これに対して、温度検知ダイオード素子23は、チップ上面に電極が2つ形成されて、底面側が導通しない構造を有している。そして、温度検知ダイオード素子23は、発光ダイオード素子21が搭載されている金属フレーム22上に銀ペーストあるいは接着剤で機械的に接着・固定されており、上記上面の2つの電極が金線28,29によって金属フレーム25,26に電気的に接続されている。
そして、上記発光ダイオード素子21および温度検知ダイオード素子23の周囲を囲むようにリフレクター30が形成されており、その内部は発光ダイオード素子21を保護するために、透明あるいは乳白のエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂で封止されている。
したがって、赤外線CCDカメラによる熱画像温度測定や本LEDデバイスの端子または樹脂表面に接触させて取り付けた熱電対による温度測定を行う必要がなく、本LEDデバイス内部の発光ダイオード素子21近傍の温度を直接的に測定することができ、動作限界となる温度をより正確に測定することができる。
さらに、上記発光ダイオード素子21と温度検知ダイオード素子23とは、電気的に互いに独立して動作可能なように接続されている。したがって、外部から熱電対等を取り付けることなく、本LEDデバイスを筺体内にセットした状態で、且つ、本LEDデバイスを動作させながら、温度検知ダイオード素子23によって発光ダイオード素子21の近傍温度を測定することができるのである。
また、上記発光ダイオード素子21と温度検知ダイオード素子23とは、電気的に絶縁されていない同一の金属フレーム22に搭載されている。したがって、発光ダイオード素子21と温度検知ダイオード素子23との実装面積を小さくして、本LEDデバイスの小型化を図ることができる。
・第3実施の形態
図3は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
図3は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
本LEDデバイスにおける発光ダイオード素子31は、チップの上下両面に電極が形成されて、底面側が導通する構造を有している。そして、発光ダイオード素子31は、金属フレーム32上に、上記底面の電極が銀ペースト(図示せず)によって機械的および電気的に接続されており、上記上面の電極が金線37によって金属フレーム35に電気的に接続されている。同様に、温度検知ダイオード素子33は、チップの上下両面に電極が形成されて、底面側が導通する構造を有している。そして、温度検知ダイオード素子33は、発光ダイオード素子31が搭載されている金属フレーム32とは異なる金属フレーム34上に、上記底面の電極が銀ペースト(図示せず)によって機械的および電気的に接続されており、上記上面の電極が金線38によって金属フレーム36に電気的に接続されている。
そして、上記発光ダイオード素子31および温度検知ダイオード素子33の周囲を囲むようにリフレクター39が形成されており、その内部は発光ダイオード素子31を保護するために、透明あるいは乳白のエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂で封止されている。
本実施の形態の場合には、上記温度検知ダイオード素子33は、発熱源となる発光ダイオード素子31が搭載されている金属フレーム32とは異なる金属フレーム34に搭載されている。そのために、発光ダイオード素子31近傍の温度を測定するというよりも、寧ろ発光ダイオード素子31の位置とは関係なく熱ストレスによる樹脂劣化や樹脂クラック等が発生し易い箇所に搭載することができ、樹脂の熱ストレスを抑制するために本LEDデバイス内部の温度測定を行う場合に適している。
以上のごとく、本実施の形態によれば、赤外線CCDカメラによる熱画像温度測定や本LEDデバイスの端子または樹脂表面に接触させて取り付けた熱電対による温度測定を行う必要がなく、本LEDデバイス内部の温度を直接的に測定することができ、動作限界となる温度をより正確に測定することができる。
さらに、上記発光ダイオード素子31と温度検知ダイオード素子33とは、電気的に互いに独立して動作可能なように接続されている。したがって、外部から熱電対等を取り付けることなく、本LEDデバイスを筺体内にセットした状態で、且つ、本LEDデバイスを動作させながら、温度検知ダイオード素子23によって本LEDデバイス内部の温度を測定することができるのである。
・第4実施の形態
図4は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
図4は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
本LEDデバイスにおける発光ダイオード素子41は、チップの上下両面に電極が形成されて、底面側が導通する構造を有している。これに対して、温度検知ダイオード素子42は、チップ上面に電極が2つ形成されて、底面側が導通しない構造を有している。そして、温度検知ダイオード素子42は、金属フレーム43上に銀ペーストあるいは接着剤で機械的に接着・固定されており、上記上面の2つの電極が金線47,48によって金属フレーム44,45に電気的に接続されている。さらに、温度検知ダイオード素子42は、チップ上面に第3の電極49が形成されており、この電極49は金線50によって金属フレーム43に電気的に接続されている。
一方、上記発光ダイオード素子41は、温度検知ダイオード素子42の電極49上に載置されている。そして、発光ダイオード素子41は、上記底面の電極が銀ペーストまたはAuSn共晶材(図示せず)によって電極49に機械的および電気的に接続されており、上記上面の電極が金線51によって金属フレーム46に電気的に接続されている。
そして、上記発光ダイオード素子41および温度検知ダイオード素子42の周囲を囲むようにリフレクター52が形成されており、その内部は発光ダイオード素子41を保護するために、透明あるいは乳白のエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂で封止されている。
本実施の形態の場合には、上記発光ダイオード素子41と温度検知ダイオード素子42とは積層構造を有している。したがって、発光ダイオード素子41が、例えばRGB3色の発光ダイオード素子のごとく複数の発光ダイオード素子で成る場合であって、ダイボンド部の面積に対する発光ダイオード素子41の実装面積の比率が大きく、ダイボンド部の面積に制限があるLEDデバイスの場合に有利である。
さらに、上記発光ダイオード素子41と温度検知ダイオード素子42とは、電気的に互いに独立して動作可能なように接続されている。したがって、外部から熱電対等を取り付けることなく、本LEDデバイスを筺体内にセットした状態で、且つ、本LEDデバイスを動作させながら、温度検知ダイオード素子42によって本LEDデバイス内部の温度を測定することができるのである。
また、上記温度検知ダイオード素子42の材料としてシリコンを用いれば、温度検知ダイオード素子42自身がヒートシンクの役割を兼ねるため放熱効果が上がり、本LEDデバイスの動作温度を下げることができる。
・第5実施の形態
図5は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
図5は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
本LEDデバイスにおける発光ダイオード素子61は、チップ上面に電極が2つ形成されて、底面側が導通しない構造を有している。そして、発光ダイオード素子61は、金属フレーム62上に、銀ペーストあるいは接着剤で機械的に接着・固定されており、金線67,68によって上記上面の2つの電極と金属フレーム64,65とが電気的に接続されている。これに対して、温度検知ダイオード素子63は、チップの上下両面に電極が形成されて、底面側が導通する構造を有している。そして、温度検知ダイオード素子63は、発光ダイオード素子61が搭載されている金属フレーム62上に、上記底面の電極が銀ペースト(図示せず)によって機械的および電気的に接続されており、上記上面の電極が金線69によって金属フレーム66に電気的に接続されている。
さらに、上記温度検知ダイオード素子63のみが、光の透過率が1%以下になるように着色されたエポキシ樹脂またはシリコン樹脂等の封止樹脂70によって封止されている。こうすることによって、温度検知ダイオード素子63は発光ダイオード素子61からの光の影響を受けることが無く、安定に動作することが可能になる。
そして、上記発光ダイオード素子61および温度検知ダイオード素子63の周囲を囲むようにリフレクター71が形成されており、その内部は発光ダイオード素子61を保護するために、透明あるいは乳白のエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂で封止されている。
したがって、赤外線CCDカメラによる熱画像温度測定や本LEDデバイスの端子または樹脂表面に接触させて取り付けた熱電対による温度測定を行う必要がなく、本LEDデバイス内部の温度を直接的に測定することができ、動作限界となる温度をより正確に測定することができる。
さらに、上記発光ダイオード素子61と温度検知ダイオード素子63とは、電気的に互いに独立して動作可能なように接続されている。したがって、外部から熱電対等を取り付けることなく、本LEDデバイスを筺体内にセットした状態で、且つ、本LEDデバイスを動作させながら、温度検知ダイオード素子63によって本LEDデバイス内部の温度を測定することができるのである。
・第6実施の形態
図6は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
図6は、本実施の形態の半導体発光装置における平面図である。本半導体発光装置は、面実装型LEDデバイスである。
本LEDデバイスにおける発光ダイオード素子81は、チップの上下両面に電極が形成されて、底面側が導通する構造を有している。そして、発光ダイオード素子81は、金属フレーム82上に、上記底面の電極が銀ペースト(図示せず)によって機械的および電気的に接続されており、上記上面の電極が金線88によって金属フレーム84に電気的に接続されている。これに対して、温度検知ダイオード素子83は、チップ上面に電極が2つ形成されて、底面側が導通しない構造を有している。そして、温度検知ダイオード素子83は、発光ダイオード素子81が搭載されている金属フレーム82とは異なる金属フレーム87上に銀ペーストあるいは接着剤で機械的に接着・固定されており、上記上面の2つの電極が金線89,90によって金属フレーム85,86に電気的に接続されている。
そして、上記発光ダイオード素子81と温度検知ダイオード素子83との周囲を夫々独立して囲むようにリフレクター91が形成されており、その内部は発光ダイオード素子81および温度検知ダイオード素子83を保護するために、透明あるいは乳白のエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂で封止されている。その結果、温度検知ダイオード素子83は発光ダイオード素子81からの光の影響を受けることなく、安定して動作することができるのである。
・第7実施の形態
図7に示すような従来の表面実装型LEDデバイスを複数個並べてLEDバックライトや照明等に用いた場合には、発熱の影響によるLEDデバイスの寿命短縮が問題となる。
図7に示すような従来の表面実装型LEDデバイスを複数個並べてLEDバックライトや照明等に用いた場合には、発熱の影響によるLEDデバイスの寿命短縮が問題となる。
本実施の形態においては、上記第1実施の形態〜上記第6実施の形態の何れか一つに開示された半導体発光装置に、当該半導体発光装置における発光ダイオード素子の電流を制御する発光素子電流制御回路と、当該半導体発光装置における温度検知ダイオード素子の動作を制御して温度測定を行う温度測定回路とを外部接続して、点灯システムを構成している。したがって、常時上記LEDデバイスの温度をモニターしながら、動作温度限界を超えないようにDC駆動時の電流の大きさやパルス駆動時におけるデューティー比等を制御することができる。したがって、寿命の短縮を最小限に抑えて動作性能を最大限に発揮させることができるのである。
11,21,31,41,61,81…発光ダイオード素子、
12,14〜16,22,24〜26,32,34〜36,43〜46,62,64〜66,82,84〜87…金属フレーム、
13,23,33,42,63,83…温度検知ダイオード素子、
17〜19,27〜29,37,38,47,48,50,51,67〜69,88〜90
…金線、
20,30,39,52,71,91…リフレクター、
49…電極、
70…封止樹脂。
12,14〜16,22,24〜26,32,34〜36,43〜46,62,64〜66,82,84〜87…金属フレーム、
13,23,33,42,63,83…温度検知ダイオード素子、
17〜19,27〜29,37,38,47,48,50,51,67〜69,88〜90
…金線、
20,30,39,52,71,91…リフレクター、
49…電極、
70…封止樹脂。
Claims (9)
- 1個以上の発光ダイオード素子と、
1個以上の温度検知用の温度検知半導体素子と
を備え、
上記発光ダイオード素子および上記温度検知半導体素子は、互いに独立して動作可能になっている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置において、
上記各温度検知半導体素子は、トランジスタあるいはダイオードで構成されている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置において、
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、電気的に絶縁されていない同一の基板あるいは金属フレーム上に搭載されている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置において、
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、電気的に絶縁された基板あるいは金属フレーム上に搭載されている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置において、
上記発光ダイオード素子は、上記温度検知半導体素子上に搭載されている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置において、
上記温度検知半導体素子は、光の透過率が1%以下である着色されたエポキシ樹脂あるいはシリコン樹脂で封止されている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置において、
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、同一のリフレクターによって取り囲まれている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置において、
上記発光ダイオード素子と上記温度検知半導体素子とは、互いに異なるリフレクターによって取り囲まれている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 1個以上の請求項1乃至請求項8の何れか一つに記載の半導体発光装置と、
上記半導体発光装置における上記発光ダイオード素子の電流を制御する発光素子電流制御回路と、
上記半導体発光装置における上記温度検知半導体素子の動作を制御して温度測定を行う温度測定回路と
を備えたことを特徴とする点灯システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006171052A JP2008004665A (ja) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | 半導体発光装置およびそれを用いた点灯システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006171052A JP2008004665A (ja) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | 半導体発光装置およびそれを用いた点灯システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008004665A true JP2008004665A (ja) | 2008-01-10 |
Family
ID=39008827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006171052A Pending JP2008004665A (ja) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | 半導体発光装置およびそれを用いた点灯システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008004665A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012503332A (ja) * | 2008-09-16 | 2012-02-02 | オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド | 照明モジュール |
KR101483485B1 (ko) | 2012-12-21 | 2015-01-19 | 주식회사 포스코 | Cob 용 인쇄 회로 기판 및 cob 형태의 led 모듈 |
JP2018060806A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-12 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 発光装置及び受発光装置 |
-
2006
- 2006-06-21 JP JP2006171052A patent/JP2008004665A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012503332A (ja) * | 2008-09-16 | 2012-02-02 | オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド | 照明モジュール |
KR101483485B1 (ko) | 2012-12-21 | 2015-01-19 | 주식회사 포스코 | Cob 용 인쇄 회로 기판 및 cob 형태의 led 모듈 |
JP2018060806A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-12 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 発光装置及び受発光装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5379465B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101134752B1 (ko) | Led 패키지 | |
US6480389B1 (en) | Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package | |
TWI356486B (en) | Led light source module and manufacturing method t | |
JP4935514B2 (ja) | 発光装置 | |
KR100851183B1 (ko) | 반도체 발광소자 패키지 | |
KR20080027355A (ko) | 발광 장치 | |
JP2007214524A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2006005290A (ja) | 発光ダイオード | |
JP2016092288A (ja) | 光源装置及びこれを用いた照明装置 | |
US20070246726A1 (en) | Package structure of light emitting device | |
KR101221492B1 (ko) | 온도 조절용 써어미스터를 내장하는 led 및 led 조명 및 그 제조방법 | |
US20100044727A1 (en) | Led package structure | |
JP5125060B2 (ja) | 発光装置 | |
US20080303050A1 (en) | Light emitting module | |
JP2008004665A (ja) | 半導体発光装置およびそれを用いた点灯システム | |
US7982317B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor device module, and method for manufacturing the semiconductor device module | |
JP4552798B2 (ja) | Led照明装置 | |
KR101202168B1 (ko) | 고전압 발광 다이오드 패키지 | |
JP2005045079A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3941826B2 (ja) | Led照明器具の製造方法 | |
JP4984621B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2023032709A (ja) | 発光モジュール | |
JP5422906B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20120069290A (ko) | 발광다이오드 패키지 |