JP2007535002A - 光伝送ライン及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

スプライス損失が少ない光ファイバ伝送ラインが開示されている。この伝送ラインは第１光ファイバ部と第２光ファイバ部を有している。第１光ファイバ部と第２光ファイバ部は異なるモードフィールド直径を有する。光ファイバ伝送ラインの損失は平坦化されている。光ファイバ伝送ラインの製造方法も開示されている。この製造方法によれば、スプライス接続部により生ずる損失は光伝送ライン製造中に低減される。

Description

本発明はモードフィールドが異なる複数の光ファイバで構成された光伝送ラインに関する。より詳しくは、本発明はスプライス損失が低減された光伝送ラインに関する。

スプライス損失またはコネクタ損失を低減する光ファイバのモードフィールド（コア）の熱膨張は公知である。例えばHanafusa, H.及びHoriguchi, M.の「Thermally-Diffused Expanded Core Fibers for Low-Loss and Inexpensive Photonic Components」（Electronics Letters, Vol.27, No.21（10th October 1991））、Shiraishi, K.その他の「Beam Expanding Fiber using Thermal Diffusion of the Dopant」（Journal of Lightwave Technology, Vol.8, No.8, pp.1151-1161, 1990）、Knudsen, S.その他の「New Dispersion Slope Managed Fiber Paris for Undersea Fiber Optic Transmission Systems」（2001 SubOptics 2001 Conference T4:2.2）、「欧州特許出願第１０９４３４６号」及び「米国特許出願公開第２００２／０１５９７２３号」を参照されたい。

従来、分散補償あるいは分散対処・制御法を用いて、光ファイバで構成される光伝送ラインの波長分散及び／または分散スロープを制御したり補償している。高性能の光ネットワークは、分散補償（制御）された光ファイバの間に多数のスプライス（接続部）を必要とする。よって、光ファイバのスプライスに起因して生ずる損失が認められるようになる（大きくなる）。異なるモードフィールドを有する光ファイバのスプライス損失を低減することは特に困難であった。

光通信システムの機能・性能が拡張するのに伴い、スプライス損失の低減は、１つの波長において必要となるだけでなく、所定の波長範囲全域でも必要になる。例えば複数のアンプ（例えばエルビウムドープ（erbium doped）ファイバアンプ）を備える長距離伝送ラインの場合、波長と共に変化する損失は一連のアンプにより増幅されてしまう。

融着接続により２つの光ファイバを接続する場合、通常、各光ファイバのコーティングをそれぞれの近傍端で除去し、２つの光ファイバの近傍端面同士を当接させ、アーク放電等により端面を加熱して軟化させ融着接続する。

本明細書に開示されているのは、スプライス領域（接続部領域）で第２光ファイバ部に融着された第１光ファイバ部を有する光ファイバ伝送ラインである。第１光ファイバ部は第１ＭＦＤを１５５０ｎｍで有し、第２光ファイバ部は第２ＭＦＤを１５５０ｎｍで有する。第１ＭＦＤは第２ＭＦＤとは異なる。スプライス領域の接続損失（スプライス損失）は、１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの全ての波長で０．１５ｄＢ未満である。よって、光ファイバ伝送ラインの損失は平坦化されている。好適実施例では１５５０ｎｍにおいて第１ＭＦＤは第２ＭＦＤと比べて２μｍより大きな相違を有する。好適実施例では第１光ファイバ部は１５５０ｎｍで正の分散を有し、第２光ファイバ部は１５５０ｎｍで負の分散を有する。他の好適実施例では第１光ファイバ部は１５３０−１５７０ｎｍで正の分散を有し、第２光ファイバ部は１５３０−１５７０ｎｍで負の分散を有する。

本明細書には、光ファイバ伝送ラインの製造方法も開示されている。この製造方法によれば、スプライス接続による損失は光伝送ライン製造中に低減される。１つの好適実施例では、上記製造方法は次のステップ（工程）ａ、ｂ及びｃからなる。ステップａは、第１光ファイバを第２光ファイバに融着して光ファイバ伝送ラインを形成するステップである。上記伝送ラインの第１及び第２光ファイバ部は融着スプライス（接続）部で接続される。ステップｂは、上記ステップａの後、上記光ファイバ伝送ラインを、上記融着スプライス部に与えられる火炎により加熱するステップである。上記火炎（加熱）は第２光ファイバ部及び第１光ファイバ部のモードフィールドを融着スプライス部（またはその近傍）で成長（生成）させるのに十分なものである。第１及び第２光ファイバ部は融着スプライス部に対しほぼ対称的に加熱される。ステップｃは、上記ステップｂの後に、上記光ファイバ伝送ラインを、上記融着スプライス部に対して非対称的に与えられる火炎によりオフセット加熱するステップである。オフセット加熱は１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの間の全ての波長において０．１５ｄＢ未満のスプライス損失を生じさせるのに十分な加熱である。

次に、本発明の好適実施例を詳細に説明する。例示的なものが添付図面に示されている。

好適実施例の詳細な説明

上記した以外の本発明の特徴及び効果は下記の詳細な説明に記載されており、かかる特徴及び効果は当業者であれば下記の詳細な説明から理解できるか、あるいは、特許請求の範囲及び添付図面を参照しながら下記の詳細な説明に記載されたように発明を実施することにより理解できるであろう。

「屈折率分布」という用語は屈折率（または相対的屈折率）と導波路ファイバ半径の関係を意味する。

「相対屈折率パーセント」はΔ％＝１００ｘ（ｎ_i ²−ｎ_c ²）／２ｎ_i ²で表される。ｎ_iは、特に断りがないかぎり、領域ｉにおける最大屈折率である。ｎ_cはクラッド領域の平均屈折率である。本明細書において、相対屈折率は特に断りがない限り、Δで表され、その単位は％である。ある領域の屈折率がクラッド領域の平均屈折率より低い場合、相対屈折率％は負となり、窪み（凹み）領域を有していると表現されたり、低下（depressed）屈折率領域を有していると表現される。また、相対屈折率％は、特に断りがない限り、相対屈折率が最も低い負の値の点で計算される。ある領域の屈折率がクラッド領域の平均屈折率より高い場合、相対屈折率％は正となり、その領域は正の屈折率に引き上げられたと表現されたり、正の値を有するようになったと表現される。「アップドーパント（updopant）」という言葉は本明細書では、純粋なアンドープＳiＯ₂に対して屈折率を上昇させる性質を有するドーパントを意味する。「ダウンドーパント（downdopant）」という言葉は本明細書では、純粋なアンドープＳiＯ₂に対して屈折率を下降させる性質を有するドーパントを意味する。アップドーパントは、例えば、アップドーパントではない１つまたは複数の他のドーパントとともに存在する場合、負の相対屈折率を有する光ファイバの領域に存在する。同様に、アップドーパントではない１つまたは複数の他のドーパントは、例えば、正の相対屈折率を有する光ファイバの領域に存在する。ダウンドーパントは、例えば、ダウンドーパントではない１つまたは複数の他のドーパントとともに存在する場合、正の相対屈折率を有する光ファイバの領域に存在する。同様に、ダウンドーパントではない１つまたは複数の他のドーパントは、例えば、負の相対屈折率を有する光ファイバの領域に存在する。

本明細書では、導波路ファイバの「波長分散（chromatic dispersion）」は、特に断りがない限り、「分散」と称され、材料分散と導波路分散とモード間分散の合計を意味する。シングルモード導波路ファイバの場合、モード間分散はゼロである。ゼロ分散波長は、分散の値がゼロとなる波長のことである。分散スロープは波長に対する分散の変化速度（変化率・勾配）を意味する。

「有効断面積」は下記の式で表される。

Ａeff＝２π（∫ｆ²ｒdr）²／（∫ｆ⁴ｒdr）
ここで積分範囲は０から無限大（∞）までであり、ｆは導波路内で伝搬する光に付随する電界の横方向成分である。本明細書で「有効断面積」は「Ａeff」と表され、特に断りがない限り、１５５０ｎｍの波長での光学的有効（実効）面積を意味する。

モードフィールド直径（ＭＦＤ）はＰｅｔｅｒｍａｎＩＩメソードを用いて計測する。その際、２ｗ＝ＭＦＤであり、ｗ²＝（２∫ｆ²ｒdr／∫（df／dr）²ｒdr）であり、積分範囲は０から無限大までである。

導波路ファイバの曲げ抵抗（耐折曲げ性）は所定の試験条件下での誘発損失により計測される。

曲げ試験の１つのタイプは、ラテラル荷重マイクロベンドテストである。この所謂「ラテラル荷重」テストでは、所定長の導波路ファイバが２つのフラットなプレートの間に置かれる。＃７０ワイヤメッシュが上記プレートの１つに取り付けられる。所定長の導波路ファイバが上記プレート間に挟まれ、基準損失が計測される。このとき、上記プレート同士は３０ニュートンの力で押し付けられる。その後、７０ニュートンの力が上記プレートに加えられ、損失の増加がｄＢ／ｍ単位で計測される。この損失の増加が導波路のラテラル荷重損失である。

「ピンアレイ（pin array）」曲げ試験は曲げに対する導波路ファイバの相対抵抗を比較するために使用される。この試験を行うために、実質的に誘発曲げ損失が無い導波路ファイバについて減衰損失を計測する。その後、導波路ファイバはピンアレイに巻かれ（織り込まれ）、損失が再度計測される。曲げにより誘発された損失は２つの計測された減衰値（損失値）の差である。ピンアレイは１列に並べられた１０個の円筒状のピンである。これらピンは平らな面の上に垂直方向に固定される。ピン同士の間隔（中心間距離）は５ｍｍである。ピンの直径は０．６７ｍｍである。試験の間、十分な張力が付与されて、導波路ファイバがピン表面の一部に一致するようにする。

本明細書においては特に断らない限り、光学特性（例えば、分散や分散スロープ）はＬＰ０１モードにおけるものである。

導波路ファイバ遠隔通信リンク（単にリンクと呼ぶこともある）は、光信号の送信機、光信号の受信機及び所定長の導波路ファイバからなる。導波路ファイバの両端は、送信機と受信機に光学的に接続され、送信機と受信機の間で光信号を伝搬する。上記所定長の導波路ファイバは複数の短いファイバから構成されてもよい。複数の短いファイバは端部同士でスプライス接続されるか繋ぎ合わされ、直線状にされる。前記リンクは別の光学部品（例えば、光学アンプ、光減衰器、光アイソレータ、光学スイッチ、光学フィルタ、マルチプレクサ、ディマルチプレクサ）を有してもよい。相互接続されたリンク群は、遠隔通信システムと呼ばれることもある。

光ファイバラインは、本明細書では、所定長の光ファイバまたは直線状に融着された複数の光ファイバを含む。この光ファイバラインは光学装置同士の間に延びる（例えば、２つの光学アンプの間をつないだり、マルチプレクサと光学アンプをつなぐ）。所定長の光ファイバは、例えば、１つまたは複数の本発明の光ファイバ部（片）からなる。所定長の光ファイバは、１つまたは複数の他の光ファイバ部（例えば、所望のシステム機能・性能や特性（例えば、所定長の光ファイバの端部での残余分散）を達成するために選択された光ファイバ部）をさらに有してもよい。

種々の波長帯域（または動作波長範囲、または波長ウインドウ）は次のように定義することができる。「１３１０ｎｍバンド」は１２６０−１３６０ｎｍであり、「Ｅバンド」は１３６０−１４６０ｎｍであり、「Ｓバンド」は１４６０−１５３０ｎｍであり、「Ｃバンド」は１５３０−１５６５ｎｍであり、「Ｌバンド」は１５６５−１６２５ｎｍであり、「Ｕバンド」は１６２５−１６７５ｎｍである。

本明細書に開示された光ファイバはコアとクラッド層（またはクラッド）からなる。クラッドはコアを囲み、コアに直接隣接する。クラッドの屈折率分布はΔ_CLAD（ｒ）である。好ましくはクラッドの全域においてΔ_CLAD（ｒ）＝０である。コアの屈折率分布はΔ_CORE（ｒ）である。

図１は第１光ファイバ１０と第２光ファイバ１２を概略的に示している。第１光ファイバ１０の端部１４と第２光ファイバ１２の端部１６は軸心が一致するように（同軸上に）位置される。第１光ファイバ１０はクラッド層２０に直接隣接するコア１８からなる。コア１８はクラッド層２０により囲まれる。クラッド層２０は１つまたは複数のコーティング層２２に隣接しており、コーティング層２２により囲まれる。第２光ファイバ１２はクラッド層２６に直接隣接するコア２４からなる。コア２４はクラッド層２６により囲まれる。クラッド層２６は１つまたは複数のコーティング層２８に隣接しており、コーティング層２８により囲まれる。好ましくは第１光ファイバ１０と第２光ファイバ１２はそれぞれ最も外側に位置するクラッド２０と２６を有し、ほぼ同じ最外直径Ｄ１とＤ２を有する。第１光ファイバ１０は第１ＭＦＤ（コア直径Ｄ１に一致することもあり、しないこともある）を有し、第２光ファイバ１２は第２ＭＦＤ（コア直径Ｄ２に一致することもあり、しないこともある）を有する。第１ＭＦＤは第２ＭＦＤより大きい。第１及び第２光ファイバ１０と１２のそれぞれの端部１４と１６は、直接当接し、融着接続される。

好ましくはクラッド２０と２６はゲルマニウムまたはフッ素ドーパントを含まない。より好ましくは、クラッドは純粋な（あるいはほぼ純粋な）シリカである。しかし、クラッド層は１つまたは複数のドーパントを含んでもよい。クラッド層は例えば蒸着プロセス中に形成されるクラッド材料により構成（積層）される。あるいは、クラッド層はジャッケトとして設けられる（例えばロッドインチューブ（rod-in-tube）の光学プリフォームのチューブのように）か、蒸着（積層）材料とジャケットの組み合わせにより形成される。好ましくはクラッド層は１次コーティングＰと２次コーティングＳにより囲まれる。１次コーティングＰと２次コーティングＳはコーティング２２にもコーティング２８にも含まれる。クラッドの屈折率は、本明細書において説明されているように相対屈折率％を計算する場合に使用される。好ましくはクラッド層は屈折率ｎ_cを有し、コア（Δ（ｒ）＝０％）を囲んでいる。これを使用して光ファイバの色々な部分や領域の屈折率％を計算する。図１ではコーティング層２２と２８がファイバ１０と１２の端部１４と１６から剥がされている（除去されている）。

図２は出来あがった１つの（一体化された）ファイバ（即ち、第１及び第２光ファイバ１０と１２の端部１４と１６を融着して得られる光ファイバ伝送ライン１００）の概略を示している。光ファイバ伝送ライン１００は、第１光ファイバ部１０'（第１光ファイバ１０から形成される）と、第２光ファイバ部１２'（第２光ファイバ１２から形成される）からなる。ライン１００は、第１及び第２光ファイバ部１０'と１２'の端部１４'と１６'の間の接合部に融着スプライス（接続）部３０を有する。好ましくは、第１光ファイバ部１０'、第２光ファイバ部１２'及びスプライス領域３１はほぼ同じ最外直径を有する。

図３は光ファイバ伝送ラインをバーナー３６からの火炎３２で加熱する様子を概略的に示している。火炎３２は融着スプライス（接続）部３０に供給され（向けられ）、その中心は第１中心位置Ｃ１である。好ましくは、火炎３２の少なくとも一部は融着スプライス部３０において光ファイバ伝送ライン１００に接触する（到達する）。好適実施例では、可視火炎３２のエッジ（前縁）３４は光ファイバ伝送ライン１００の接線のように位置する。好ましくは火炎３２は、融着スプライス接合部３０に対してほぼ対称的に形成され、より好ましくは完全に対称的に形成される。好ましくは火炎３２は垂直下方に（重力方向に）向けられることにより、火炎により誘発されるか熱により誘発される電流や力が光ファイバライン１００に作用しないようにする（最小にする）と共に、火炎３２の先端をより均一に形成して融着スプライス領域３１をより均一に形成（分布）された加熱温度（熱）に晒す。第１及び第２光ファイバ部１０'と１２'はともに、所定時間、所定温度で火炎により加熱される。この所定時間と所定温度は、融着スプライス部３０において（またはその近傍で）第１及び第２光ファイバ部のモードフィールドを生長（成長）させるのに十分なものである。

図４は融着スプライス領域３１を有する光ファイバ伝送ライン１００を概略的に描いている。この光ファイバ伝送ラインは生長（成長）した第１ＭＦＤと生長（成長）した第２ＭＦＤを有している。バーナー３６と火炎３２は光ファイバ伝送ライン１００の第１中央位置Ｃ１から第２中央位置Ｃ２へ長手方向にオフセットされており、火炎３２は初期融着スプライス部３０からオフセット距離δだけ長手方向に移動している。光ファイバ伝送ライン１００は融着スプライス部３０に対して非対称な火炎３２によりオフセット加熱される。好ましくは融着スプライス部を対称的に加熱するのに使用される火炎３２は、融着スプライス部に対して光ファイバ伝送ライン１００を非対称に加熱する火炎と同じ火炎である。火炎と上記ラインの相対位置は、互いに対して調節される。好ましくは、スプライス領域３１付近で光ファイバ伝送ライン１００を移動したりライン１００に接触することは最小限にする。従って、好ましくは、同じ火炎を用いて対称的に加熱を行うと共に非対称的に加熱を行う。この火炎はファイバに対して移動されるか、あるいは、２つの火炎が用いられる。こうすることによりファイバを移動する必要がなくなる。その結果、ファイバが望まれない力や汚染に晒される可能性を減ずることができる。好ましくは第１及び第２光ファイバ部１０'と１２'の双方が加熱されるが、いかなる場合においても第２光ファイバ部１２'が優先的に加熱される。好ましくは火炎３２は第２光ファイバ部１２'に接触する。幾つかの好適実施例では、火炎３２は第１光ファイバ部１０'と第２光ファイバ部１２'に接触する。オフセットした火炎による加熱は、所定時間所定温度で行われる。所定時間所定温度とは、１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの全波長範囲でスプライス損失が０．１５ｄＢ（好ましくは０．１０ｄＢ、より好ましくは０．０７ｄＢ、さらに好ましくは０．０５ｄＢ、さらに好ましくは０．０３ｄＢ）未満となるような時間と温度である。

図５は全ての火炎加熱の後に得られた光ファイバ伝送ライン１００を概略的に示している。光ファイバ伝送ラインは、スプライス領域３１において第２光ファイバ部１２'に融着された第１光ファイバ部１０'を備えている。その後、好ましくは１つまたは複数のコーティングがコーティング２２と２８の端部の間に露出されたシリカに設けられ、剥がされた部分（被覆が除去されている部分）を覆う。

本明細書に開示された光ファイバ伝送ライン１００は、スプライス領域３１において第２光ファイバ部１２'に融着された第１光ファイバ部１０'を備えている。第１光ファイバ部１０'は１５５０ｎｍにおいて第１ＭＦＤを有し、第２光ファイバ部１２'は１５５０ｎｍにおいて第２ＭＦＤを有しており、第１ＭＦＤは第２ＭＦＤとは異なっている。スプライス領域３１のスプライス損失は１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの全波長範囲で０．１５ｄＢ（好ましくは０．１０ｄＢ、より好ましくは０．０７ｄＢ、さらに好ましくは０．０５ｄＢ、さらに好ましくは０．０３ｄＢ）未満である。第１光ファイバ部１０'の端部１４は第２光ファイバ部１２'の端部１６に直接融着されている。好ましくはスプライス損失は１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの間においては０．０５ｄＢ（好ましくは０．０２ｄＢ）未満の幅で変化する（異なる）。幾つかの好適実施例では、スプライス損失は１５２０ｎｍから１５９０ｎｍの範囲の全波長においては０．０５ｄＢ（好ましくは０．０２ｄＢ）未満の幅で変化する（異なる）。その他の好適実施例では、スプライス損失は１４７０ｎｍから１６２０ｎｍの範囲の全波長においては０．０５ｄＢ（好ましくは０．０２ｄＢ）未満の幅で変化する（異なる）。従って、光ファイバ伝送ラインの損失は平坦化されている。

好適実施例では、スプライス損失は１５２０ｎｍから１５９０ｎｍの範囲の全波長においては０．１５ｄＢ（好ましくは０．１０ｄＢ、より好ましくは０．０７ｄＢ）未満である。

他の好適実施例では、スプライス損失は１４７０ｎｍから１６２０ｎｍの範囲の全波長においては０．１５ｄＢ（好ましくは０．１０ｄＢ、より好ましくは０．０７ｄＢ、さらに好ましくは０．０５ｄＢ、さらに好ましくは０．０３ｄＢ）未満である。

好適実施例では、第１ＭＦＤは１５５０ｎｍにおいて８μｍより大きい。他の好適実施例では、第１ＭＦＤは１５５０ｎｍにおいて９μｍより大きい。別の好適実施例では第１ＭＦＤは１５５０ｎｍにおいて１０μｍより大きい。

好適実施例では、第２ＭＦＤは１５５０ｎｍにおいて８μｍ未満である。他の好適実施例では、第２ＭＦＤは１５５０ｎｍにおいて７μｍ未満である。別の好適実施例では、第２ＭＦＤは１５５０ｎｍにおいて６μｍ未満である。

好適実施例では、第１ＭＦＤは第２ＭＦＤと比較すると、１５５０ｎｍにおいて２μｍより大きな値で異なる。他の好適実施例では、第１ＭＦＤは第２ＭＦＤと比較すると、１５５０ｎｍにおいて３μｍより大きな値で異なる。別の好適実施例では、第１ＭＦＤは第２ＭＦＤと比較すると、１５５０ｎｍにおいて４μｍより大きな値で異なる。

好適実施例では、第１光ファイバ部１０'の第１光学有効断面積は１５５０ｎｍにおいて８０μｍ²より大きい。他の好適実施例では、第１光ファイバ部１０'の第１光学有効断面積は１５５０ｎｍにおいて８５μｍ²より大きい。別の好適実施例では、第１光ファイバ部１０'の第１光学有効断面積は１５５０ｎｍにおいて９０μｍ²より大きい。さらに別の好適実施例では、第１光ファイバ部１０'の第１光学有効断面積は１５５０ｎｍにおいて９５μｍ²より大きい。

好適実施例では、第２光ファイバ部１２'の第２光学有効断面積は１５５０ｎｍにおいて４０μｍ²未満である。他の好適実施例では、第２光ファイバ部１２'の第２光学有効断面積は１５５０ｎｍにおいて４０μｍ²未満で且つ１５５０ｎｍにおいて２５μｍ²より大きい。別の好適実施例では、第２光ファイバ部１２'の第２光学有効断面積は１５５０ｎｍにおいて４０μｍ²未満で且つ１５５０ｎｍにおいて３０μｍ²より大きい。さらに別の好適実施例では、第２光ファイバ部１２'の第２光学有効断面積は１５５０ｎｍにおいて約３５μｍ²から約４０μｍ²の間である。

好適実施例では、第１光ファイバ部１０'は１５５０ｎｍにおいて正の分散を有し、第２光ファイバ部１２'は１５５０ｎｍにおいて負の分散を有する。他の好適実施例では、第１光ファイバ部１０'は１５５０ｎｍにおいて正の分散と正の分散スロープを有し、第２光ファイバ部１２'は１５５０ｎｍにおいて負の分散と負の分散スロープを有する。別の好適実施例では、第１光ファイバ部１０'は１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの間で正の分散を有し、第２光ファイバ部１２'は１５３０ｎｍと１５７０ｎｍの間で負の分散を有する。さらに別の好適実施例では、第１光ファイバ部１０'は１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの間で正の分散と正の分散スロープを有し、第２光ファイバ部１２'は１５３０ｎｍと１５７０ｎｍの間で負の分散と負の分散スロープを有する。

好適実施例では、第２光ファイバ部１２'は少なくとも３つのセグメントからなるコア２４を有する。好ましくはコア２４は中央コアセグメントを有する。中央コアセグメントは第１環状セグメントに囲まれ、第１環状セグメントに直接接触している。第１環状セグメントは第２環状セグメントに囲まれ、第２環状セグメントに直接接触している。中央セグメントは最大相対屈折率Δ₁を有し、第１環状セグメントは最小相対屈折率Δ₂を有し、第２環状セグメントは最大相対屈折率Δ₃を有し、Δ₁＞Δ₃＞Δ₂が成立する。好ましくは、Δ₁＞Δ₃＞０が成立する。好ましくはコアはクラッド２６に囲まれ、クラッドの相対屈折率Δ_CLAD（ｒ）はクラッド全域で０である。好適実施例ではクラッド２６はコア２４から外側直径Ｄ２（約１２５μｍ）まで延びる。

好適実施例では第１光ファイバ部１０'はゲルマニウムを含み、第２光ファイバ部１２'はゲルマニウムとフッ素を含む。

好ましくは、スプライス及び加熱処理のためにコーティングが除去された光ファイバ部（露出されている部分）の長さは長手方向に３０ｍｍ（好ましくは２０ｍｍ、さらに好ましくは１５ｍｍ）未満である。

好ましくは、第１光ファイバ部１０'と第２光ファイバ部１２'の最も外側のクラッド２０と２６（つまり、最も外側のシリカ系部分：コーティングは含まない）はほぼ同じ最外直径を有する。スプライス接続されるクラッド２０、２６の端部同士は特に同じような値を有する。より好ましくは、第１光ファイバ部１０'と第２光ファイバ部１２'とスプライス部３１の最外直径はほぼ等しい。好ましくは第１光ファイバ部１０'と第２光ファイバ部１２'とスプライス部３１の最外直径は１２０μｍから１３０μｍの間であり、より好ましくは約１２５μｍである。

本明細書には光ファイバ伝送ライン１００の製造方法も開示されている。スプライス接続により生ずる損失は、光伝送ラインの製造中に低減される。この方法は以下のステップ（ａ）−（ｃ）からなる。（ａ）第１光ファイバ１０を第２光ファイバ１２に融着して光ファイバ伝送ライン１００を形成するステップ。光ファイバ伝送ライン１００は融着スプライス部３０で接続された第１及び第２光ファイバ部１０'と１２'からなる。（ｂ）ステップａの後で、融着部３０に供給される火炎３２により光ファイバ伝送ライン１００を加熱するステップ。この火炎は融着スプライス部３０において第１光ファイバ部１０'と第２光ファイバ部１２'のモードフィールドを生長（成長）させるのに十分な火炎である。第１及び第２光ファイバ部１０'と１２'は融着スプライス部３０に対してほぼ対称的に加熱される。（ｃ）ステップｂの後で、融着部３０に対し非対称で（に）供給（形成）される火炎３２により光ファイバ伝送ライン１００をオフセット加熱するステップ。オフセット加熱は１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの間の全ての波長について０．１５ｄＢ未満のスプライス損失を生じさせるのに十分な加熱である。

好ましくはステップｃの火炎３２の中心は、第２光ファイバ部１２'上のオフセット位置Ｃ２に位置される（向けられる）。オフセット位置Ｃ２は融着スプライス部３０から長手方向にずれた所にある。好ましくは第２光ファイバ部はステップｃで加熱される。より好ましくは火炎はステップｃで加熱される第２光ファイバ部に接触する（到達する）。

好適実施例では、第１光ファイバ部１０'と第２光ファイバ部１２'はステップｃで加熱され、第２光ファイバ部はステップｃにおいて第１光ファイバ部に優先して加熱される。好ましくは火炎３２はステップｃにおいて第２光ファイバ部に接触し、より好ましくは火炎はステップｃにおいて第１光ファイバ部と第２光ファイバ部の双方に接触する。

好ましくは上記方法において、ステップａの前に、第１光ファイバ１０の端部１４を第２光ファイバ１２の端部１６に直接当接させる。第１及び第２光ファイバの端部同士は融着され、融着スプライス部が第１及び第２光ファイバ部の端部の接続部に形成される。

本明細書には光ファイバ伝送ラインの他の製造方法も開示されている。この製造方法は以下のステップ（ａ）−（ｃ）からなる。（ａ）第１光ファイバ部の端部を第２光ファイバ部の端部に直接当接させ、端部同士を融着することにより、第１及び第２光ファイバ部の端部同士の接続部に融着スプライス部を有する光伝送ラインを形成するステップ。（ｂ）光ファイバ伝送ラインの第１中央位置に向けて供給される火炎により光ファイバ伝送ラインを加熱するステップ。この火炎の少なくとも一部は融着スプライス部に接触する。（ｃ）光ファイバ伝送ラインの第２中央位置に向けて供給される火炎により光ファイバ伝送ラインを加熱するステップ。第２中央位置は第１中央位置から長手方向にオフセットされている。

本明細書には光ファイバ伝送ラインの別の製造方法も開示されている。この製造方法は以下のステップ（ａ）−（ｃ）からなる。（ａ）第１光ファイバ部の端部を第２光ファイバ部の端部に直接当接させ、端部同士を融着することにより、第１及び第２光ファイバ部の端部同士の接続部に融着スプライス部を有する光伝送ラインを形成するステップ。（ｂ）光ファイバ伝送ラインの第１中央位置に向けて供給される火炎により光ファイバ伝送ラインを加熱するステップ。（ｃ）光ファイバ伝送ラインの第２中央位置に向けて供給される火炎により光ファイバ伝送ラインを加熱するステップ。第２中央位置は第１中央位置から長手方向にオフセットされている。好ましくは上記ラインは１５５０ｎｍにおいてスプライス損失が０．１５ｄＢ未満になるまで加熱される。

好適実施例では第１中央位置は融着スプライス部に位置し、よって、火炎の中心は融着スプライス部に向けられる。

好ましくは第２中央位置は第１中央位置から長手方向に１ｍｍより大きく（より好ましくは１．５ｍｍ以上、さらに好ましくは２ｍｍ以上、さらに好ましくは２ｍｍから３ｍｍの間の値で）オフセットされている。好適実施例では、第２中央位置は第１中央位置から長手方向に約２．５ｍｍオフセットされている。

好ましくはステップｃで使用される火炎はステップｂで使用される火炎と同じであり、火炎または上記ラインの少なくとも一方の位置は他方に対して移動される。ステップｂとｃにおいて異なる火炎を使用してもよい。

好ましくは火炎の少なくとも一部はステップｃにおいて融着スプライス部に接触する。

本明細書には光ファイバの製造方法も開示されている。この製造方法は、第１ＭＦＤを有する端部を持つ第１光ファイバを用意するステップと、第２ＭＦＤを有する端部を持つ第２光ファイバを用意するステップとを有する。第２ＭＦＤは第１ＭＦＤより小さい。この光ファイバ製造方法はさらに、融着スプライス部において第１光ファイバと第２光ファイバの端部同士を融着スプライス接続し１つの（一体化された）光ファイバを形成するステップを有する。この一体化された光ファイバは、第１光ファイバから形成される第１光ファイバ部と、第２光ファイバから形成される第２光ファイバ部とからなる。上記製造方法はさらに、融着スプライス接続後に、上記一体化された光ファイバのスプライス接続部を火炎により加熱するステップを有する。火炎は融着スプライス部に対して対称的に供給（形成）される。上記製造方法はさらにその後、上記一体化された光ファイバを火炎で加熱するステップを有する。この火炎は上記融着スプライス部に対して非対称に供給され且つ第２光ファイバ部に向けて供給される。

１つの好適実施例では、第１光ファイバはさらに、第１ＭＦＤとは異なるＭＦＤを有する部分を少なくとも１つ有する。

１つの好適実施例では、第２光ファイバはさらに、第２ＭＦＤとは異なるＭＦＤを有する部分を少なくとも１つ有する。

本明細書には光ファイバ伝送ラインの別の製造方法も開示されている。この製造方法は以下のステップ（ａ）−（ｃ）からなる。（ａ）第１光ファイバ部の端部を第２光ファイバ部の端部に直接当接させ、端部同士を融着することにより、第１及び第２光ファイバ部の端部同士の接続部に融着スプライス部を有する光伝送ラインを形成するステップ。（ｂ）火炎により融着スプライス部を加熱するステップ。（ｃ）スプライス接続部から長手方向に所定距離（オフセット距離）隔てられた位置で第１または第２光ファイバ部を火炎で加熱するステップ。

好ましくは融着スプライス部はステップｂにおいて１５分未満加熱される。より好ましくは融着スプライス部はステップｂにおいて５分から１５分の間で加熱される。

好ましくは融着スプライス部はステップｃにおいて１０分未満加熱される。より好ましくは融着スプライス部はステップｃにおいて５分未満加熱される。

好適実施例では、第１光ファイバまたは第２光ファイバは、第１ドーパントと第２ドーパントを含む。融着スプライス部はステップｂ及びｃにおいて所定温度に加熱される。所定温度とは、同じような拡散（分散）速度で第１及び第２ドーパントを拡散させるのに十分な温度である。

好ましくは光伝送ライン上の２点は固定される（不動とされる）。これら２点は融着スプライス部をまたぐ（スプライス部の両側にある）。光伝送ラインは上記２点の間に張られ、ステップｂとｃの間、ほぼ直線状に保持される。好適実施例では第１光ファイバ部の１点が固定され、第２光ファイバ部の１点が固定され、ステップｂとｃの間、融着スプライス部を含む光伝送ラインの一部が直線状に保持される。

好ましくはステップｂとｃにおける火炎加熱は周囲空気の酸素と反応する可燃性ガスを供給して火炎を作ることにより行われる。好ましくは可燃性ガスは水素である。可燃性ガスはバーナーに供給される。バーナーの出口の有効直径は好ましくは５ｍｍから１３ｍｍの間（より好ましくは８ｍｍから１２ｍｍの間、さらに好ましくは９ｍｍから１１ｍｍの間）である。火炎はバーナーの出口から出る。好ましくはバーナーはほぼ円形の出口開口部を有する。好ましくはステップｂ及びｃにおける火炎は光伝送ラインに向けて、下方に供給される。好ましくは可燃性ガスは０．１５ｓｌｐｍ（standard liters per minute）から０．３５ｓｌｐｍ（より好ましくは０．２ｓｌｐｍから０．３ｓｌｐｍ、さらに好ましくは０．２５ｓｌｐｍから０．３ｓｌｍｐ）の流量でバーナーに供給される。好ましくはバーナーの出口開口部は光伝送ラインから約３ｍｍ−５ｍｍの距離だけ隔てられる。
第２光ファイバ部は好ましくは第１ドーパントと第２ドーパントを含む。ステップｂ及びｃにおける加熱は、第２光ファイバ部において第１及び第２ドーパントを拡散させるのに十分な加熱であるが、ステップｂとｃの間に融着スプライス部近傍で光伝送ラインを撓ませるには不十分な加熱である。

好適実施例では第１光ファイバ部はゲルマニウムでドープされ、第２光ファイバ部はゲルマニウムとフッ素でドープされ、ステップｂとｃにおける加熱は、第２光ファイバ部中のゲルマニウムとフッ素をほぼ同じ拡散速度で拡散させるのに十分な加熱であるが、融着スプライス部近傍で光伝送ラインを撓ませるには不十分な加熱である。

好ましくは光伝送ラインはステップｂとｃにおいて２２００度Ｃ（℃）未満（より好ましくは１６００度Ｃから２２００度Ｃの間、さらに好ましくは１７００度Ｃから２０００度Ｃの間）の温度に加熱される。

好ましくは光伝送ラインがステップｂにおいて加熱される際、第２光ファイバ部の少なくとも２つのドーパントはほぼ等速に分散・拡散する。

好ましくは本明細書に記載された光ファイバ伝送ラインは約１２６０ｎｍから約１６５０ｎｍの間における複数の動作波長ウインドウで適切な性能を示す。より好ましくは本明細書に記載された光ファイバは約１２６０ｎｍから約１６５０ｎｍの間の複数の波長で適切な性能を示す。

好ましくは第１光ファイバ部のコアは、ゲルマニウムでドープされたシリカ（即ち、ゲルマニウムドープシリカ）からなる。

好適実施例では、第１光ファイバ部の屈折率分布は中心線からコアの外径ｒ_COREまで負ではない。好適実施例では光ファイバはコアにおいて屈折率を上昇させるドーパントを含まない。

好適実施例では第２光ファイバ部の屈折率分布は少なくとも１つの負ではないセグメントと、少なくとも１つの負のセグメントからなる。好適実施例では第２光ファイバ部の屈折率分布は、正の中央セグメントと、当該中央セグメントを囲む負の環状セグメントと、当該負の環状セグメントを囲む正の環状セグメントからなる。

好ましくは、本明細書に開示された高純度シリカ系ファイバは蒸着法により形成される。より好ましくは本明細書に開示されたファイバはＯＶＤ法（outside vapor deposition process：外付け蒸着法）により形成される。従って、例えば、公知のＯＶＤ法による層形成（laydown）、硬化、線引き技術を利用して本発明の光導波路ファイバを製造することができる。その他の方法（例えば、ＭＣＶＤ（modified chemical vapor deposition：内付け化学気相堆積）法、ＶＡＤ（vapor axial deposition：気相軸付）法、ＰＣＶＤ（plasma chemical vapor deposition：プラズマ活性型化学的気相堆積）法）も使用することができる。よって、本明細書に開示された光導波路ファイバの屈折率及び断面形状は、当業者に知られている製造技術（例えばＯＶＤ法、ＶＡＤ法、ＭＣＶＤ法。但し、これら方法に限定はされない）により得ることができる。

例
図６に概略的に示された相対屈折率分布を有する第１光ファイバと、図７に概略的に示された相対屈折率分布を有する第２光ファイバを、従来のコアアライメント（コアを合わせる）スプライサ（core alignment splicer）と所定の方法・技術により接合した。第１光ファイバ１０のコア１８はクラッド２０に囲まれた正の相対屈折率分布２００を有する。第２光ファイバ１２のコア２４は正の相対屈折率分布を有する中央コアセグメント２１０を有する。中央コアセグメント２１０は、負の相対屈折率分布を有する環状セグメント（モート（moat）とも称する）２１２に囲まれている。環状セグメント（モート）２１２は、正の相対屈折率分布を有する第２環状セグメント（リングとも称する）２１４に囲まれている。第２環状セグメント（リング）はクラッド２６に囲まれている。第１光ファイバは波長１５５０ｎｍにおいてモードフィールド直径が１０μｍであり、有効断面積が８３μｍ²であった。第２光ファイバは波長１５５０ｎｍにおいてモードフィールド直径が５μｍであり、有効断面積が１８μｍ²であった。第１及び第２ファイバはそれぞれ端部からコーティングを１６ｍｍ除去した。スプライス接続は、７００ｍｓｅｃ、４０ビットアークパワーで（株）フジクラ社の３０Ｓスプライサを用いて行われた。スプライサはコアアライメントモードで使用した。スプライス接続部はその後実施される熱処理のステーション（熱処理ステーション）に移動された。この熱処理ステーションは水素バーナーとＸＹＺステージからなり、ファイバクリップホルダを備えているので、スプライス接続されたファイバを水素火炎に対して位置づけ（位置合わせ）することができる。水素バーナーは直径１０ｍｍのクオーツチューブ（石英管）であった。石英管バーナーはセラミックバーナーの代わりに使用された。理由はファイバの粒子汚染を抑制してファイバの引っ張り強度（張力）を向上するためである。ロータメータ（rotameter）と石英管バーナーの間に設けられた質量流量コントローラにより水素の流れをモニターした。水素流量は０．２７５ｓｌｐｍ（standard liters per minute）だった。火炎に対するファイバの正確な位置決めはＸＹＺファイバホルダステージのマイクロメータ調節により行なった。このステージはスライド装置に取り付けられ、ファイバを火炎から離すことができるようになっている。これは室温でのパワー測定やファイバの取り付け・取り外しを可能にするためである。流量と先端速度は、バーナーに晒されたスプライス接続ファイバの動きを防止するように選択された。

バーナーは７分間融着スプライス部を加熱するために使用した。その後、火炎をファイバに対して２．５ｍｍ移動し、３分間スプライス部の第２光ファイバ部側を優先的に加熱した。バーナー先端のエッジはファイバから約３．５ｍｍの距離に保持された。火炎の可視エッジ（曲線）は、ファイバが接線になるようにファイバに接触した。火炎の長さは約３．５ｍｍであった。ＭＦＤ測定により求められたのは、第２光ファイバ部側のスプライス接続部に沿ってより緩やかな傾斜が形成されたということであった。１５５０ｎｍにおけるスプライス損失は０．０５ｄＢとなった。

同じようなファイバが本明細書に記載された方法により接合された。その結果、スプライス損失は１５５０ｎｍにおいて０．０５ｄＢ未満であり、０．０３ｄＢ未満のものもあった。本明細書に記載された方法により製造された光ファイバ伝送ラインは、１５５０ｎｍにおけるスプライス損失が０．０５ｄＢ未満であり、且つ、Ｃバンド全域で０．０２ｄＢ未満のほぼフラットな波長依存損失を有していた。

図８に示されるように、本明細書に開示された光ファイバ伝送ライン１００は光ファイバ通信システム３００において採用することができる。このシステム３００は送信機３４０と受信機３６０を有する。光ファイバ伝送ライン１００は光学的に送信機３４０と受信機３６０を接続し、送信機（器）と受信機（器）の間で光信号の伝送を可能にする。システム３００は好ましくは２方向（双方向）通信が可能であり、送信機３４０と受信機３６０は例示に過ぎない。システム３００は１つまたは複数の光学装置・部品（例えば、１つまたは複数の再生機、アンプ（ラマンアンプ等）、分散補償モジュール）をさらに有してもよい。これら光学装置等は１つまたは複数の本発明の光ファイバに光学的に接続される。少なくとも１つの実施例では、本発明の光ファイバ通信システムは、光ファイバ伝送ラインにより接続された送信機と受信機を含み、送信機と受信機の間には再生機は設けられない。他の実施例では、本発明の光ファイバ通信システムは、光ファイバ伝送ラインにより接続された送信機と受信機を含み、送信機と受信機の間にアンプは設けられない。別の実施例では、本発明の光ファイバ通信システムは、光ファイバにより接続された送信機と受信機を含み、送信機と受信機の間にはアンプも再生機もリピータも設けられない。

このシステムは好ましくはさらに、光伝送ラインに光信号を移送できる複数のチャネルを相互接続するためのマルチプレクサを有する。少なくとも１つ（より好ましくは少なくとも３つ、最も好ましくは少なくとも１０個）の光信号が約１２６０ｎｍから約１６２５ｎｍの波長において伝搬する。好ましくは少なくとも１つの信号が下記の波長領域（バンド）の１つまたは複数で伝搬する。即ち、１３１０ｎｍバンド、Ｅバンド、Ｓバンド、Ｃバンド、及びＬバンドのうちの１つまたは複数のバンドで伝搬する。幾つかの好適実施例では、このシステムはCバンド及びLバンドで信号を伝送する。

幾つかの好適実施例では、このシステムは低密度波長分割多重モードで作動できる。つまり、１つまたは複数の信号が下記の波長領域の少なくとも１つ（より好ましくは少なくとも２つ）において伝搬する。即ち、１３１０ｎｍバンド、Ｅバンド、Ｓバンド、Ｃバンド、及びＬバンドのうちの少なくとも１つ（または少なくとも２つ）のバンドで伝搬する。

１つの好適実施例では、このシステムは約１Gbit／ｓ以下で作動する。別の好適実施例では、このシステムは約２Gbit／ｓ以下で作動する。さらに別の好適実施例では、このシステムは約１０Gbit／ｓ以下で作動する。さらに別の好適実施例では、このシステムは約４０Gbit／ｓ以下で作動する。さらに別の好適実施例では、このシステムは約４０Gbit／ｓ以上で作動する。

１つの好適実施例では、このシステムは、光学系ソース（optical source）と、この光学系ソースに光学的に接続された本発明の光ファイバ伝送ラインと、光ファイバに光学的に接続された受信機をする。受信機は光ファイバ伝送ラインで伝送される光信号を受信する。光学系ソースは、３つの機能（光学系ソースにより生成された光信号をディザ処理する機能、位相変調する機能及び振幅変調する機能）の１つ、２つまたは3つ（全て）を有する。この光信号が受信機により受信される。

上記の記載は本発明を例示的に説明しているだけである。上記の記載はクレームによって定義される本発明の性質や特徴を理解するための概要を提示しているにすぎない。添付図面は本発明の理解をより深めるために添付されている。図面の内容は本明細書の一部をなす。図面は本発明の幾つかの特徴と実施例を示しており、発明の詳細な説明と共に見ることにより、本発明の原理や作動の理解に供することができる。当業者であれば、特許請求の範囲により定義される本発明の精神及び範囲から離れることなく、本明細書に記載された本発明の好適実施例に色々な変更や変形をなすことができるであろう。

図１は第１光ファイバと第２光ファイバの概略図であり、光ファイバ端部のコーティングが除去され、光ファイバ同士が軸方向にアライメントされ（整列され）ている様子を示している。 図２は図１の第１光ファイバと第２光ファイバが融着されて１つのファイバ（即ち、光ファイバ伝送ライン）になった状態の概略を示している。 図３は図２の光ファイバ伝送ラインの火炎処理を概略的に示している。 図４は図３の光ファイバ伝送ラインのオフセット火炎処理を概略的に示している。 図５は全ての火炎加熱が終わった後の図４の光ファイバ伝送ラインの概略図である。 図６は典型的な第１光ファイバの相対屈折率分布を概略的に示している。 図７は典型的な第２光ファイバの相対屈折率分布を概略的に示している。 図８は本明細書に開示された光ファイバ通信システムを概略的に示している。

Claims (19)

1. 光ファイバ伝送ラインであって、
   スプライス領域で第２光ファイバ部に直接融着された第１光ファイバ部を有し、前記第１光ファイバ部は１５５０ｎｍで第１ＭＦＤを有し、前記第２光ファイバ部は１５５０ｎｍで第２ＭＦＤを有し、前記第１ＭＦＤは第２ＭＦＤとは異なり、前記スプライス領域のスプライス損失は、１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの全ての波長で０．１５ｄＢ未満であることを特徴とする光ファイバ伝送ライン。
2. 前記スプライス損失は１５２０ｎｍから１５９０ｎｍの全ての波長で０．１５ｄＢ未満である請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
3. 前記スプライス損失は１４７０ｎｍから１６２０ｎｍの全ての波長で０．１５ｄＢ未満である請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
4. 前記スプライス損失の変化は１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの全ての波長で０．０５ｄＢ未満である請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
5. １５３０ｎｍから１５７０ｎｍの間における前記スプライス領域のスプライス損失の変化は０．０２ｄＢ未満である請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
6. 前記スプライス領域のスプライス損失は１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの全ての波長で０．１０ｄＢ未満である請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
7. 前記スプライス領域のスプライス損失は１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの全ての波長で０．０７ｄＢ未満である請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
8. 前記第１ＭＦＤは１５５０ｎｍにおいて８μｍより大きく、前記第２ＭＦＤは１５５０ｎｍにおいて８μｍより小さい請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
9. 前記第１ＭＦＤは前記第２ＭＦＤに比べ、１５５０ｎｍにおいて２μｍより大きく異なる請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
10. 前記第１光ファイバ部と第２光ファイバ部は、ほぼ同じ最外直径を有する最外部クラッドを備える請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
11. 前記第１光ファイバ部の有効断面積は１５５０ｎｍにおいて８０μｍ²より大きく、前記第２光ファイバ部の有効断面積は１５５０ｎｍにおいて４０μｍ²より小さい請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
12. 前記第１光ファイバ部は、全域で負でない相対屈折率分布を有するコアを備え、前記第２光ファイバ部は正の相対屈折率を有する２つの隣接しないセグメントと、負の相対屈折率を有する１つのセグメントとからなり、前記１つのセグメントは前記２つの隣接しないセグメントの間に設けられる請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
13. 前記第１光ファイバ部は１５５０ｎｍにおいて正の分散を有し、前記第２光ファイバ部は１５５０ｎｍにおいて負の分散を有する請求項１記載の光ファイバ伝送ライン。
14. 前記第１光ファイバ部は１５５０ｎｍにおいて１０ｐｓ／ｎｍ-ｋｍより大きな分散を有し、前記第２光ファイバ部は１５５０ｎｍにおいて−１０ｐｓ／ｎｍ-ｋｍより小さな分散を有する請求項１３記載の光ファイバ伝送ライン。
15. 送信機と受信機と請求項１の光伝送ラインとからなる光ファイバ通信システムであって、前記光伝送ラインは光学的に前記送信機と前記受信機を接続し、１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの間の波長範囲の少なくとも１つの波長を有する光信号が前記光伝送ラインにより伝送されることを特徴とする光ファイバ通信システム。
16. 光ファイバ伝送ラインの製造方法であって、
    （ａ）第１光ファイバを第２光ファイバに融着し、第１及び第２光ファイバ部が融着スプライス部で接続された光ファイバ伝送ラインを形成するステップと、
    （ｂ）前記ステップａの後、第１光ファイバ部及び第２光ファイバ部のモードフィールドを融着スプライス部またはその近傍で生長させるのに十分な火炎を前記融着スプライス部に供給して、前記第１及び第２光ファイバ部を前記融着スプライス部に対しほぼ対称的に加熱することにより、前記光ファイバ伝送ラインを加熱するステップと、
    （ｃ）前記ステップｂの後に、１５３０ｎｍから１５７０ｎｍの間の全ての波長において０．１５ｄＢ未満のスプライス損失を生じさせるのに十分な火炎を、前記融着スプライス部に対して非対称的に供給することにより、前記光ファイバ伝送ラインを前記火炎によりオフセット加熱するステップと、
    からなる光ファイバ伝送ラインの製造方法。
17. 前記ステップａの前に、前記第１光ファイバの端部を前記第２光ファイバの端部に直接当接させ、前記第１及び第２光ファイバの前記端部同士を融着するステップをさらに有し、前記融着スプライス部が前記第１及び第２光ファイバ部の前記端部の接合部に位置する請求項１６記載の光ファイバ伝送ライン。
18. 光ファイバ伝送ラインを製造する際にスプライス損失を低減する方法であって、
    （ａ）第１光ファイバ部の端部を第２光ファイバ部の端部に直接当接させて、当該端部同士を融着し、融着スプライス部を有する光伝送ラインを形成するステップと、
    （ｂ）前記光ファイバ伝送ラインの第１中央位置に向けられた火炎により、前記光ファイバ伝送ラインを加熱するステップと、
    （ｃ）前記第１中央位置から前記光ファイバ伝送ラインの長手方向にオフセットされた第２中央位置に向けられた火炎により、前記光ファイバ伝送ラインを加熱するステップと、
    からなる方法。
19. スプライス損失が１５５０ｎｍにおいて０．１５ｄＢ未満になるまで前記ラインを加熱する請求項１８記載の光ファイバ伝送ライン。

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