JP2007523030A - 少なくとも第1の部材と第2の部材とを接合するための方法、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法、ならびにそれによって製造されるデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (37)
- 少なくとも2つの部材、特にリソグラフィ装置の少なくとも2つの部材を接合するための方法であって、
第1の部材を提供するステップと、
第2の部材を提供するステップと、
前記第1の部材と前記第2の部材とを直接結合して、直接結合を形成するステップと、
前記第1の部材と前記第2の部材とを陽極結合するステップと
を含む接合方法において、
前記部材の少なくとも1つが、超低膨張ガラスおよび超低膨張ガラス・セラミックスからなる群から選択される材料を含む接合方法。 - 前記第1の部材が超低膨張ガラス・セラミックスを含み、前記第2の部材が超低膨張ガラスを含む請求項1に記載の方法。
- 前記第1の部材と前記第2の部材とがそれぞれ、超低膨張ガラス・セラミックスを含む請求項1に記載の方法。
- 前記超低膨張ガラス・セラミックスが、ゼロデュア(登録商標)、ネオセラム(登録商標)、ASTROSITAL(登録商標)、およびクリアセラム(登録商標)からなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項2に記載の方法。
- 前記超低膨張ガラス・セラミックスが、ゼロデュア(登録商標)、ネオセラム(登録商標)、ASTROSITAL(登録商標)、およびクリアセラム(登録商標)からなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項3に記載の方法。
- 前記超低膨張ガラスが、1重量パーセント以上のチタン原子を含有する請求項2に記載の方法。
- 前記超低膨張ガラスがULE(登録商標)である請求項6に記載の方法。
- 少なくとも前記第1の部材が、約1016Ωcm未満の固有抵抗を有する材料を含む請求項1に記載の方法。
- 前記固有抵抗が約1014Ωcm未満である請求項8に記載の方法。
- 前記第2の部材が、少なくとも約1016Ωcmの固有抵抗を有する材料を含む請求項1に記載の方法。
- 前記固有抵抗が少なくとも約1017Ωcmである請求項10に記載の方法。
- 前記部材がそれぞれ、約0.1×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する請求項1に記載の方法。
- 前記熱膨張係数が約0.02×10−6K−1未満である請求項12に記載の方法。
- 前記第1の部材と前記第2の部材とがそれぞれ直接結合表面を備え、該直接結合表面は、前記第1および第2の部材の間に直接結合が得られるように接合され、また前記直接結合は、前記部材の前記陽極結合によって強化される請求項1に記載の方法。
- 前記第1および第2の部材の少なくとも1つが、直接結合表面を提供する直接結合層を備える請求項14に記載の方法。
- 前記直接結合層が、自然酸化物、金属酸化物、および半導体酸化物からなる群から選択される少なくとも1つの化合物を含む請求項15に記載の方法。
- 前記自然酸化物が、金属の自然酸化物または半導体材料の自然酸化物である請求項16に記載の方法。
- 前記半導体材料がドープされており、またはドープされておらず、且つSiおよびGe原子の少なくとも一方を含む請求項17に記載の方法。
- 前記直接結合表面が、実質的に平坦な表面である請求項14に記載の方法。
- 少なくとも前記第2の部材が導電層を有し、前記導電層が、前記少なくとも2つの部材の前記陽極結合において第1の電極として使用される請求項1に記載の方法。
- 前記導電層が直接結合表面を有する請求項20に記載の方法。
- 直接結合層が前記導電層の上に提供される請求項21に記載の方法。
- 前記陽極結合が、
前記第1の電極とは反対の表面で、少なくとも前記第1の部材に少なくとも第2の電極を提供するステップと、
前記第1および第2の電極の間に電位差を印加して前記電極間にイオン電流を駆動し、陽極結合を形成するステップと
を含む請求項20に記載の方法。 - 前記第1および第2の部材の直接結合から生じる直接結合を少なくとも1つの不良について検査するステップと、
前記不良が見つかったとき、前記陽極結合の前に前記直接結合を切り離すステップと
をさらに含む請求項1に記載の方法。 - 前記不良が、前記第1および第2の部材の間の位置合わせ不良と、粒子の存在と、ダストの存在とのうちの少なくとも1つを含む請求項24に記載の方法。
- 前記検査が光学的に行われる請求項24に記載の方法。
- 前記検査が干渉を使用して行われる請求項26に記載の方法。
- 前記直接結合の前記切り離し後に前記不良を取り除くステップと、
前記第1および第2の部材を再び直接結合するステップと
をさらに含む請求項24に記載の方法。 - 前記直接結合後に、前記部材の少なくとも1つを少なくとも1つの不良について検査するステップと、
前記不良が見つかったとき、前記陽極結合の前に前記直接結合を切り離すステップと
をさらに含む請求項1に記載の方法。 - 前記直接結合の前記切り離し後に前記不良を取り除くステップと、
前記第1および第2の部材を再び直接結合するステップと
をさらに含む請求項29に記載の方法。 - 前記少なくとも第1および第2の部材が接合されて、パターン形成構造を支持するための支持構造、基板支持体、投影システム、チャック、投影光学系、投影光学系ボックス、パターン形成構造、マスク、基板、ミラー、レンズ、およびシールドからなる群からの少なくとも1つのリソグラフィ装置部分の少なくとも一部分を形成する請求項1に記載の方法。
- 放射線のビームを提供する照明システムと、
前記放射線のビームの断面にパターンを与えるように構成されたパターン形成構造を支持する支持構造と、
基板を支持する基板支持体と、
前記パターン形成されたビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと
を有するリソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置が、互いに直接結合および陽極結合される第1および第2の部材を含み、
前記部材の少なくとも1つが、超低膨張ガラスおよび超低膨張ガラス・セラミックスからなる群から選択される材料を含むリソグラフィ装置。 - 前記装置の前記少なくとも一部分が、前記支持構造、前記基板支持体の少なくとも一部分、前記投影システムの少なくとも一部分、および/またはチャックの少なくとも一部分である請求項32に記載の装置。
- 請求項1に記載の方法によって接合された少なくとも第1の部材と第2の部材とのアセンブリであって、該アセンブリがリソグラフィ装置の一部分であり、且つチャック、チャック部分、投影システムの少なくとも一部分、投影光学系、投影光学系ボックスの少なくとも一部分、パターン形成構造、マスク、基板、ミラー、レンズ、およびシールドからなる群からのものであるアセンブリ。
- リソグラフィ装置用のチャックであって、
約0.1×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する第1の部材と、
約0.1×10−6K−1未満の熱膨張係数を有する第2の部材と
を有し、
前記第1の部材が、前記第2の部材に直接結合され、次いで前記第2の部材に陽極結合されるチャック。 - 前記第1の部材と前記第2の部材との間に配設された電極をさらに有する請求項35に記載のチャック。
- 前記第1の部材と前記第2の部材との間に配設された直接結合層をさらに有する請求項35に記載のチャック。
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