JP2007519083A - 不揮発性メモリシステムのための内部メンテナンススケジュール要求 - Google Patents
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- 238000012423 maintenance Methods 0.000 title claims description 126
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 156
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 97
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 30
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 28
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 8
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 4
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 208000032953 Device battery issue Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
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- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
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-
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
Claims (26)
- 複数の物理ブロックと、前記複数の物理ブロックの各物理ブロックのステータスを含む消去カウントブロックを含む複数のデータ構造とを有する不揮発性メモリを含むメモリシステムを動作させるための方法であって、
前記複数のデータ構造の少なくとも1つのデータ構造の内容が、いつ更新されるべきかを判定するステップと、
前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容が、更新されるべきであると判定されると、前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容を更新する要求をキューに入れるステップと、
前記要求を実行して、前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容を更新するステップとを含む方法。 - 前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容を更新するステップは、前記消去カウントブロックの前記内容を更新して、前記複数の物理ブロックの各物理ブロックの実質的に最新のステータスを示すステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記複数のデータ構造は、利用可能な物理ブロックに関連する前記ステータスによって示されるところにより、比較的低い回数の書き込みサイクルおよび消去サイクルを経ている前記複数の物理ブロックの前記利用可能な物理ブロックを明らかにする情報を含むように構成された第1のデータ構造を含み、前記要求を実行して、前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容を更新するステップは、前記第1のデータ構造の内容を更新するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記複数のデータ構造は、利用可能な物理ブロックに関連する前記ステータスによって示されるところにより、比較的高い回数の書き込みサイクルおよび消去サイクルを経ている前記複数の物理ブロックの前記利用可能な物理ブロックを明らかにする情報を含むように構成された第1のデータ構造を含み、前記要求を実行して、前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容を更新するステップは、前記第1のデータ構造の内容を更新するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記複数のデータ構造は、前記メモリシステムに電源が投入された際に、前記メモリシステムによって使用される情報を含むように構成された第1のデータ構造を含み、前記要求を実行して、前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容を更新するステップは、前記第1のデータ構造の内容を更新するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記第1のデータ構造は、電源管理ブロックである請求項5に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容を更新する前記要求をキューに入れるステップは、実行されるべき手続きおよびアプリケーションのキューに前記要求を追加し、前記要求には、前記キューの中で比較的低い優先順位が割り当てられるステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記要求を実行して、前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容を更新するステップは、前記キューが、前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容を更新する前記要求を除いて実質的に空である場合、前記要求を実行して、前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容を更新するステップを含む請求項7に記載の方法。
- 前記複数のデータ構造の前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容が、いつ更新されるべきかを判定するステップは、第1の値を閾値と比較するステップを含み、前記第1の値が、前記閾値と実質的に等しい場合、前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容は、更新されるべきであると判定される請求項1に記載の方法。
- 前記複数のデータ構造の前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容が、いつ更新されるべきかを判定するステップは、前記メモリシステムに関連する時刻を獲得し、前記時刻が、前記少なくとも1つのデータ構造の前記内容が更新されるべきであると示した場合を判定するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリは、NANDフラッシュメモリである請求項1に記載の方法。
- 複数の物理ブロックと、前記複数の物理ブロックの少なくとも1つの物理ブロックが消去された回数を示すように構成された、前記複数の物理ブロックの前記少なくとも1つの物理ブロックの消去カウントを含む、消去カウントブロックを含む複数のデータ構造とを有する不揮発性メモリを含むメモリシステムを動作させるための方法であって、
内部メンテナンスプロセスが、前記メモリシステム内でいつ実行されるべきかを判定するステップであって、
前記内部メンテナンスプロセスは、前記消去カウントブロックの中の、前記複数の物理ブロックの前記少なくとも1つの物理ブロックの前記消去カウントを更新するように構成されたステップと、
前記内部メンテナンスプロセスを求める要求を、前記内部メンテナンス要求が実行されるべきであると判定されると、キューに入れるステップと、
前記内部メンテナンスプロセスを実行するステップとを含む方法。 - 前記内部メンテナンスプロセスを実行するステップは、
前記消去カウントブロックの中の、前記複数の物理ブロックにおける前記少なくとも1つの物理ブロックの前記消去カウントを更新するステップと、
前記メモリシステムに電源が投入された際に使用される情報を含むように構成された、前記複数のデータ構造の第1のデータ構造を更新するステップであって、
前記情報は、前記複数の物理ブロックにおける前記少なくとも1つの物理ブロックの前記消去カウントを含むステップとを含む請求項12に記載の方法。 - 前記内部メンテナンスプロセスを実行するステップは、
比較的低い消去カウントを有する、前記複数の物理ブロックにおける物理ブロックセットを実質的に明らかにするように構成された、前記複数のデータ構造の第2のデータ構造の内容を更新するステップと、
比較的高い消去カウントを有する、前記複数の物理ブロックにおける物理ブロックセットを実質的に明らかにするように構成された、前記複数のデータ構造の第3のデータ構造の内容を更新するステップとをさらに含む請求項13に記載の方法。 - 前記内部メンテナンスプロセスが、いつ実行されるべきかを判定するステップは、第1の値を閾値と比較するステップを含み、前記第1の値が、前記閾値と実質的に等しい場合、前記内部メンテナンスプロセスが、実行されるべきであると判定される請求項12に記載の方法。
- 前記内部メンテナンスプロセスが、いつ実行されるべきかを判定するステップは、前記メモリシステムに関連する時刻を獲得し、前記時刻が、前記内部メンテナンスプロセスが実行されるべきであると示した場合を判定するステップを含む請求項12に記載の方法。
- 複数の物理ブロックと、前記複数の物理ブロックの少なくとも1つの物理ブロックに関連する消去カウントを格納するように構成された消去カウントブロックとを含む不揮発性メモリと、
前記消去カウントブロックの中の、前記複数の物理ブロックの前記少なくとも1つの物理ブロックの前記消去カウントを更新するように構成された内部メンテナンスプロセスが、メモリシステム内でいつ実行されるべきかを判定するように構成されたコードデバイス群と、
前記内部メンテナンス要求が実行されるべきであると判定されると、前記内部メンテナンスプロセスを求める要求をキューに入れるように構成されたコードデバイス群と、
前記内部メンテナンスプロセスを実行するように構成されたコードデバイス群と、
前記コードデバイス群を格納する媒体とを含むメモリデバイス。 - 前記内部メンテナンスプロセスを実行するように構成された前記コードデバイス群は、
前記消去カウントブロックの中の、前記複数の物理ブロックにおける前記少なくとも1つの物理ブロックの前記消去カウントを更新するように構成されたコードデバイス群と、
前記メモリシステムに電源が投入された際に使用される情報を含むように構成された、前記複数のデータ構造の第1のデータ構造を更新するように構成されたコードデバイス群であって、
前記情報は、前記複数の物理ブロックにおける前記少なくとも1つの物理ブロックの前記消去カウントを含むデバイス群とを含む請求項17に記載のメモリデバイス。 - 前記内部メンテナンスプロセスを実行するように構成された前記コードデバイス群は、
比較的低い消去カウントを有する、前記複数の物理ブロックにおける物理ブロックセットを実質的に明らかにするように構成された、前記複数のデータ構造の第2のデータ構造の内容を更新するように構成されたコードデバイス群と、
比較的高い消去カウントを有する、前記複数の物理ブロックにおける物理ブロックセットを実質的に明らかにするように構成された、前記複数のデータ構造の第3のデータ構造の内容を更新するように構成されたコードデバイス群とをさらに含む請求項18に記載のメモリデバイス。 - 前記内部メンテナンスプロセスが、いつ実行されるべきかを判定するように構成された前記コードデバイス群は、第1の値を閾値と比較するように構成されたコードデバイス群を含み、前記第1の値が、前記閾値と実質的に等しい場合、前記内部メンテナンスプロセスが実行されるべきであると判定される請求項17に記載のメモリデバイス。
- 前記内部メンテナンスプロセスが、いつ実行されるべきかを判定するように構成された前記コードデバイス群は、
前記メモリシステムに関連する時刻を獲得するように構成されたコードデバイス群と、
前記時刻が、前記内部メンテナンスプロセスが実行されるべきであると示した場合を判定するように構成されたコードデバイス群とを含む請求項17に記載のメモリデバイス。 - 複数の物理ブロックと、前記複数の物理ブロックの少なくとも1つの物理ブロックに関連する消去カウントを格納するように構成された消去カウントブロックとを含む不揮発性メモリと、
前記メモリシステム内で内部メンテナンスプロセスが、いつ実行されるべきであるかを判定するための手段であって、
前記内部メンテナンスプロセスは、前記消去カウントブロックの中の、前記複数の物理ブロックの前記少なくとも1つの物理ブロックの前記消去カウントを更新するように構成された手段と、
前記内部メンテナンス要求が実行されるべきであると判定されると、前記内部メンテナンスプロセスを求める要求をキューに入れるための手段と、
前記内部メンテナンスプロセスを実行するための手段とを含むメモリデバイス。 - 前記内部メンテナンスプロセスを実行するための前記手段は、
前記消去カウントブロックの中の、前記複数の物理ブロックにおける前記少なくとも1つの物理ブロックの前記消去カウントを更新するための手段と、
前記メモリシステムに電源が投入された際に使用される情報を含むように構成された、前記複数のデータ構造の第1のデータ構造を更新するための手段であって、
前記情報は、前記複数の物理ブロックにおける少なくとも1つの物理ブロックの前記消去カウントを含む手段とを含む請求項22に記載のメモリデバイス。 - 前記内部メンテナンスプロセスを実行するための前記手段は、
比較的低い消去カウントを有する、前記複数の物理ブロックにおける物理ブロックセットを実質的に明らかにするように構成された、前記複数のデータ構造の第2のデータ構造の内容を更新するための手段と、
比較的高い消去カウントを有する、前記複数の物理ブロックにおける物理ブロックセットを実質的に明らかにするように構成された、前記複数のデータ構造の第3のデータ構造の内容を更新するための手段とをさらに含む請求項23に記載のメモリデバイス。 - 前記内部メンテナンスプロセスが、いつ実行されるべきであるかを判定するための前記手段は、第1の値を閾値と比較するための手段を含み、前記第1の値が、前記閾値と実質的に等しい場合、前記内部メンテナンスプロセスが実行されるべきであると判定される請求項22に記載のメモリデバイス。
- 前記内部メンテナンスプロセスが、いつ実行されるべきであるかを判定するための前記手段は、
前記メモリシステムに関連する時刻を獲得するための手段と、
前記時刻が、前記内部メンテナンスプロセスが実行されるべきであると示した場合を判定するための手段とを含む請求項22に記載のメモリデバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/696,229 US7089349B2 (en) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | Internal maintenance schedule request for non-volatile memory system |
US10/696,229 | 2003-10-28 | ||
PCT/US2004/031735 WO2005045599A2 (en) | 2003-10-28 | 2004-09-28 | Internal maintenance schedule request for non-volatile memory system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007519083A true JP2007519083A (ja) | 2007-07-12 |
JP4822440B2 JP4822440B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=34522876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006538000A Expired - Fee Related JP4822440B2 (ja) | 2003-10-28 | 2004-09-28 | 不揮発性メモリシステムのための内部メンテナンススケジュール要求 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7089349B2 (ja) |
EP (1) | EP1683027A4 (ja) |
JP (1) | JP4822440B2 (ja) |
KR (1) | KR100975164B1 (ja) |
CN (1) | CN100483362C (ja) |
TW (1) | TWI355583B (ja) |
WO (1) | WO2005045599A2 (ja) |
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- 2003-10-28 US US10/696,229 patent/US7089349B2/en not_active Expired - Lifetime
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- 2004-09-28 KR KR1020067010507A patent/KR100975164B1/ko active IP Right Grant
- 2004-09-28 WO PCT/US2004/031735 patent/WO2005045599A2/en active Application Filing
- 2004-09-28 JP JP2006538000A patent/JP4822440B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-28 CN CNB2004800318269A patent/CN100483362C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4822440B2 (ja) | 2011-11-24 |
US7089349B2 (en) | 2006-08-08 |
EP1683027A2 (en) | 2006-07-26 |
WO2005045599A2 (en) | 2005-05-19 |
TWI355583B (en) | 2012-01-01 |
KR20060115397A (ko) | 2006-11-08 |
CN100483362C (zh) | 2009-04-29 |
WO2005045599A3 (en) | 2006-06-08 |
EP1683027A4 (en) | 2007-05-09 |
TW200532441A (en) | 2005-10-01 |
US20050091445A1 (en) | 2005-04-28 |
CN1875351A (zh) | 2006-12-06 |
KR100975164B1 (ko) | 2010-08-10 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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