JP5593254B2 - 半導体メモリ装置及び半導体メモリシステム - Google Patents
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Description
まず、第1の実施の形態に係る半導体メモリ装置について、図1を用いて説明する。図1は、第1の実施の形態に係る半導体メモリ装置の構成を示すブロック図である。
次に、第2の実施の形態について、図5を用いて説明する。図5は、第2の実施の形態に係る半導体メモリシステムの構成を示すブロック図である。
次に、第3の実施の形態について、図7〜図12を用いて説明する。
110、270、310、1110 半導体メモリ装置
120、1120 IF変換部
130、1130 フラッシュメモリアクセス部
140、1140 フラッシュメモリ
150、350、1150 メモリ情報管理部
151、251 ファイルシステム検出部
152、252 ID検出部
156、256、1156 書き換え回数記憶部
210 アプリケーション
220 フィルタドライバ
230 ファイルシステムドライバ
240、340 メモリ情報更新部
250 アクセス部
260 デバイスドライバ
301 タイマー
353 リテンション判定部
1001 コントロールゲート
1002 酸化絶縁膜
1003 フローティングゲート
1004 トンネル酸化膜
1005 ソース電極
1006 ドレイン電極
1007 Pチャンネルサブストレート
Claims (17)
- 情報を記憶する半導体メモリ装置であって、
当該半導体メモリ装置に依存するパラメタを有する所定のファイルシステムによって管理された不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの書き換え回数を記憶する書き換え回数記憶部と、
前記不揮発性メモリに、前記書き換え回数と対応付けられた第1の識別情報が前記パラメタとして記憶されているか否かを検出する識別情報検出部と、
前記識別情報検出部によって前記第1の識別情報が記憶されていることが検出された場合に、前記書き換え回数記憶部に記憶されている前記書き換え回数を前記第1の識別情報に対応する記憶領域に反映する管理部とを有する
半導体メモリ装置。 - 前記第1の識別情報に対応する記憶領域は、前記不揮発性メモリにおける記憶領域である
請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記不揮発性メモリは、
複数のブロックに分けられており、
前記書き換え回数記憶部は、
前記複数のブロックの各ブロック単位での書き変え回数を、前記書き換え回数として記憶し、
前記識別情報検出部は、
さらに、前記不揮発性メモリに、前記不揮発性メモリが前記複数のブロックに分けられて前記書き換え回数が管理されていることを示す第2の識別情報が前記パラメタとして記憶されているか否かを検出する
請求項1又は2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1の識別情報は、前記複数のブロックの各ブロックに対応して設定されている
請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、さらに、
時間を管理するタイマーと、
前記タイマーを参照することで、前記不揮発性メモリへ書き込みを行った書き込み時間と現在時間とから前記不揮発性メモリに記録された記録データの保証ができるか否かを判定するリテンション判定部とを有し、
前記管理部は、さらに、
前記不揮発性メモリに情報が書き込まれる際に、前記タイマーによって示される書き込み時間を、当該書き込み時間と対応付けられた第3の識別情報に対応する記憶領域に反映する
請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、
さらに、前記所定のファイルシステムのフォーマットを検出するファイルシステム検出部を有する
請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体メモリ装置。 - 前記所定のファイルシステムがexFATであり、
前記識別情報検出部は、
前記ファイルシステム検出部によって前記所定のファイルシステムがexFATであることが検出された場合に、前記第1の識別情報が前記不揮発性メモリに記憶されているか否かを検出する
請求項6に記載の半導体メモリ装置。 - 前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリである
請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体メモリ装置。 - 所定のファイルシステムによって管理され、不揮発性メモリを有する半導体メモリ装置と、前記半導体メモリ装置の情報を管理するメモリ情報更新部を有するホスト機器とを備える半導体メモリシステムであって、
前記所定のファイルシステムは、前記半導体メモリ装置に依存するパラメタを有し、
前記メモリ情報更新部は、
前記半導体メモリ装置の書き換え回数を記憶する書き換え回数記憶部と、
前記不揮発性メモリに、前記書き換え回数と対応付けられた第1の識別情報が前記パラメタとして記憶されているか否かを検出する識別情報検出部とを有し、
前記メモリ情報更新部は、
前記識別情報検出部によって前記第1の識別情報が記憶されていることが検出された場合に、前記書き換え回数記憶部に記憶されている前記書き換え回数を前記第1の識別情報に対応する記憶領域に反映する
半導体メモリシステム。 - 前記第1の識別情報に対応する記憶領域は、前記不揮発性メモリにおける記憶領域である
請求項9に記載の半導体メモリシステム。 - 前記不揮発性メモリは、
複数のブロックに分けられており、
前記書き換え回数記憶部は、
前記複数のブロックの各ブロック単位での書き変え回数を前記書き換え回数として記憶し、
前記識別情報検出部は、
さらに、前記不揮発性メモリに、前記不揮発性メモリが前記複数のブロックに分けられて前記書き換え回数が管理されていることを示す第2の識別情報が前記パラメタとして記憶されているか否かを検出する
請求項9又は10に記載の半導体メモリシステム。 - 前記第1の識別情報は、前記複数のブロックの各ブロックに対応して設定されている
請求項11に記載の半導体メモリシステム。 - 前記メモリ情報更新部は、さらに、
時間を管理するタイマーと、
前記タイマーを参照することで、前記半導体メモリ装置に書き込みを行った書き込み時間と現在時間とから前記半導体メモリ装置に記録された記録データの保証ができるか否かを判定するリテンション判定部とを有し、
前記メモリ情報更新部は、さらに、
前記半導体メモリ装置に情報が書き込まれる際に、前記タイマーによって示される書き込み時間を、当該書き込み時間と対応付けられた第3の識別情報に対応する記憶領域に反映する
請求項9〜12のいずれか1項に記載の半導体メモリシステム。 - 前記メモリ情報更新部又は前記半導体メモリ装置の一方は、
時間を管理するタイマーをさらに具備し、
前記メモリ情報更新部又は前記半導体メモリ装置の他方は、
前記タイマーを参照することで、前記半導体メモリ装置に書き込みを行った書き込み時間と現在時間とから前記半導体メモリ装置に記録された記録データの保証ができるか否かを判定するリテンション判定部を有し、
前記メモリ情報更新部又は前記半導体メモリ装置は、
前記半導体メモリ装置に情報が書き込まれる際に、前記タイマーによって示される前記書き込み時間を、当該書き込み時間に対応付けられた第3の識別情報に対応する記憶領域に反映する
請求項9〜12のいずれか1項に記載の半導体メモリシステム。 - 前記メモリ情報更新部は、
さらに、前記所定のファイルシステムのフォーマットを検出するファイルシステム検出部を有する
請求項9〜14のいずれか1項に記載の半導体メモリシステム。 - 前記所定のファイルシステムがexFATであり、
前記識別情報検出部は、
前記ファイルシステム検出部によって前記所定のファイルシステムがexFATであることが検出された場合に、前記第1の識別情報が前記不揮発性メモリに記憶されているか否かを検出する
請求項15に記載の半導体メモリシステム。 - 前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリである
請求項9〜16のいずれか1項に記載の半導体メモリシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011040853A JP5593254B2 (ja) | 2010-05-12 | 2011-02-25 | 半導体メモリ装置及び半導体メモリシステム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010109797 | 2010-05-12 | ||
JP2010109797 | 2010-05-12 | ||
JP2011040853A JP5593254B2 (ja) | 2010-05-12 | 2011-02-25 | 半導体メモリ装置及び半導体メモリシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011258182A JP2011258182A (ja) | 2011-12-22 |
JP5593254B2 true JP5593254B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=44912748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011040853A Active JP5593254B2 (ja) | 2010-05-12 | 2011-02-25 | 半導体メモリ装置及び半導体メモリシステム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8566513B2 (ja) |
JP (1) | JP5593254B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10222982B2 (en) | 2016-02-10 | 2019-03-05 | Ricoh Company, Ltd. | Lifetime management device and lifetime management method |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2555379B1 (en) | 2010-03-31 | 2015-03-04 | Honda Motor Co., Ltd. | Contactless charging system |
JP5039193B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置および制御方法 |
TWI517165B (zh) * | 2014-03-31 | 2016-01-11 | 群聯電子股份有限公司 | 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 |
US11461010B2 (en) | 2015-07-13 | 2022-10-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Data property-based data placement in a nonvolatile memory device |
US10282324B2 (en) | 2015-07-13 | 2019-05-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Smart I/O stream detection based on multiple attributes |
US10509770B2 (en) | 2015-07-13 | 2019-12-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device |
JP2018142240A (ja) | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
JP2019133471A (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | Dynabook株式会社 | 電子機器、及び電子機器の起動方法 |
JP7424321B2 (ja) * | 2019-02-06 | 2024-01-30 | ソニーグループ株式会社 | メモリ診断装置およびメモリ診断方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3078946B2 (ja) * | 1993-03-11 | 2000-08-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | 一括消去型不揮発性メモリの管理方法及び半導体ディスク装置 |
US5963970A (en) * | 1996-12-20 | 1999-10-05 | Intel Corporation | Method and apparatus for tracking erase cycles utilizing active and inactive wear bar blocks having first and second count fields |
US5832493A (en) * | 1997-04-24 | 1998-11-03 | Trimble Navigation Limited | Flash file management system |
JP3812933B2 (ja) * | 2001-04-19 | 2006-08-23 | シャープ株式会社 | ファイルシステムおよびその制御方法 |
JP4072345B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2008-04-09 | キヤノン株式会社 | ファイル記録制御装置、ファイル管理システム、ファイル管理方法、記録媒体及びプログラム |
US7181611B2 (en) * | 2002-10-28 | 2007-02-20 | Sandisk Corporation | Power management block for use in a non-volatile memory system |
US7103732B1 (en) * | 2002-10-28 | 2006-09-05 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for managing an erase count block |
US7032087B1 (en) * | 2003-10-28 | 2006-04-18 | Sandisk Corporation | Erase count differential table within a non-volatile memory system |
US7089349B2 (en) * | 2003-10-28 | 2006-08-08 | Sandisk Corporation | Internal maintenance schedule request for non-volatile memory system |
JP3927192B2 (ja) | 2004-03-29 | 2007-06-06 | 松下電器産業株式会社 | メモリカード及びメモリカードドライブ |
US8321439B2 (en) * | 2004-12-17 | 2012-11-27 | Microsoft Corporation | Quick filename lookup using name hash |
JP2006235960A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Fujitsu Ltd | ガーベッジコレクション高速化方法 |
JP4999325B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2012-08-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フラッシュメモリ |
JP4645538B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | 記録装置および寿命情報算出方法 |
JP5010505B2 (ja) * | 2008-03-01 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US8031521B1 (en) * | 2008-05-20 | 2011-10-04 | Marvell International Ltd. | Reprogramming non-volatile memory devices for read disturbance mitigation |
JP5142968B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | 記録装置及びその制御方法 |
US8248856B2 (en) * | 2010-10-20 | 2012-08-21 | Seagate Technology Llc | Predictive read channel configuration |
-
2011
- 2011-02-25 JP JP2011040853A patent/JP5593254B2/ja active Active
- 2011-02-28 US US13/036,218 patent/US8566513B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10222982B2 (en) | 2016-02-10 | 2019-03-05 | Ricoh Company, Ltd. | Lifetime management device and lifetime management method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110283053A1 (en) | 2011-11-17 |
US8566513B2 (en) | 2013-10-22 |
JP2011258182A (ja) | 2011-12-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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