KR100586031B1 - 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법 - Google Patents

비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100586031B1
KR100586031B1 KR1019990061091A KR19990061091A KR100586031B1 KR 100586031 B1 KR100586031 B1 KR 100586031B1 KR 1019990061091 A KR1019990061091 A KR 1019990061091A KR 19990061091 A KR19990061091 A KR 19990061091A KR 100586031 B1 KR100586031 B1 KR 100586031B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nonvolatile memory
real
time database
memory
volatile memory
Prior art date
Application number
KR1019990061091A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010057705A (ko
Inventor
이경석
이재경
정태의
한기철
Original Assignee
브이케이 주식회사
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 브이케이 주식회사, 한국전자통신연구원 filed Critical 브이케이 주식회사
Priority to KR1019990061091A priority Critical patent/KR100586031B1/ko
Publication of KR20010057705A publication Critical patent/KR20010057705A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100586031B1 publication Critical patent/KR100586031B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023Free address space management
    • G06F12/0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7201Logical to physical mapping or translation of blocks or pages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은, 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, 무선통신 단말기 등에서 비휘발성 메모리를 사용하여 단말기 운영에 필요한 정보를 관리하는 실시간 데이터베이스의 구조 및 운영 방법을 개선하여, 실시간 데이터베이스의 성능을 향상시키고 비휘발성 메모리의 수명을 연장시키기 위한, 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 내에 비휘발성 정보 테이블과 고정 할당 영역과 동적 할당 영역이 설정되고, 단일 구조로 관리되는 상기 동적 할당 영역에는 자주 변경되는 스텍 다이얼 아이템이 저장되며, 상기 비휘발성 정보 테이블에는 비휘발성 메모리를 관리하기 위한 셀 상태 테이블과 아이템 포인터 테이블이 구비되며, 상기 셀 상태 테이블 자료 구조에는 비휘발성 메모리 상태를 관리하기 위한 상태 테이블이 구비되고, 상기 상태 테이블에서 1비트가 적어도 2개 이상의 블록을 표시하도록 하여, 한번에 적어도 2블록 이상의 단위로 메모리의 상태를 검색하도록 하는 것을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 무선통신 단말기 등에 이용됨.
무선통신, 단말기, 비휘발성 메모리, 실시간 데이터베이스, 운용

Description

비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법{METHOD FOR THE REAL-TIME DATABASE MANAGEMENT USING NON-VOLATILE MEMORY}
도 1 은 일반적인 실시간 데이터베이스의 일실시예 구조도.
도 2 는 본 발명에 따른 실시간 데이터베이스의 일실시예 구조도.
도 3 은 본 발명에 따른 캐쉬 처리 동작을 설명하기 위한 도면.
도 4 는 본 발명에 따른 보안 영역 접근을 설명하기 위한 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11 : 비휘발성 정보 테이블 12 : 고정 할당 영역
13 : 동적 할당 영역 14 : 보안 영역
15 : 스택 다이얼 아이템
본 발명은 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 무선통신 단말기 등에서의 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스의 구조 및 운영 방법을 개선하여 실시간 데이터베이스의 속도를 높이고 비휘발성 메모리의 수명을 연장시키기 위한 실시간 데이터베이스 운용 방법에 관한 것이다.
본 발명에서 무선통신 단말기란 이동통신 단말기, 개인휴대통신 단말기(PCS), 개인용 디지털 단말기(PDA), 스마트폰, 차세대 이동통신 단말기(IMT-2000), 무선랜 단말기 등과 같이 개인이 휴대하면서 무선통신이 가능한 단말기를 말한다. 이하의 일예에서는 이동통신 단말기를 예로 들어 설명하기로 한다.
일반적으로 전기적 소거 및 프로그램 가능한 읽기전용메모리(이하, "EEPROM"이라 함) 또는 플래시(Flash) 메모리와 같은 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스는 단말기의 비휘발성 메모리에 시스템 및 가입자 정보를 저장하고 관리하는 기능을 함으로써, 단말기 운영에 필요한 중요한 데이터를 관리한다. 이것은 서비스 제공에 있어서의 실시간성과 높은 신뢰성을 제공하여야 한다. 또한, EEPROM 또는 플래시 메모리의 하드웨어 특성상 쓰기 횟수에 따라 메모리의 수명이 단축되기 때문에 수명을 연장할 수 있는 방법을 제공하여야 한다.
종래 기술에 따른 실시간 데이터베이스 운용 방법에서는, 도 1 에 도시된 바와 같이 비휘발성 메모리(1) 내에 실시간 데이터베이스의 핵심 정보를 관리하기 위한 비휘발성 데이터베이스 정보 테이블(NVIT : Non-Volatile DB Information Table) 자료구조(2)를 두고, 고정 할당 영역(3)과 동적 할당 영역으로 나누어 비휘발성 메모리 영역을 관리한다. 그런데, 동적 할당 공간에는 NVDIV(Non-Volatile Division, 6)라는 경계선을 두고, 데이터 아이템을 저장할 때, 할당되는 메모리의 크기에 따라 쇼트 풀(Short Pool)(4)과 롱 풀(Long Pool)(5)로 나누어 저장한다. 이러한 방법은 NVDIV(6)라는 데이터를 별도로 유지해야 하고, 매번 NVDIV의 유효성을 검사하고 이를 변경해 주어야 하는 복잡한 구조를 가진다.
또한, 종래 기술에서는 비휘발성 데이터베이스를 관리하기 위해 다단계의 셀 상태 테이블(CST : Cell Status Table)(9)과 아이템 포인터 테이블(IPT : Item Pointer Table)(8)이라는 자료 구조를 사용한다. 여기에서, 아이템 포인터 테이블(IPT)(8)은 데이터베이스 데이터의 각 아이템 옵셋을 유지하기 위해 필요한 것이며, 셀 상태 테이블(CST)(9)은 아이템 포인터 테이블(IPT) 자료구조를 통해 접근하며, EEPROM의 메모리 상태를 리스트로 유지하는 기능을 한다. 이러한 구조에서, 셀 상태 테이블(CST)(9)에 접근하려고 할 때에는 비휘발성 데이터베이스 정보 테이블(NVIT)(7) 및 아이템 포인터 테이블(IPT)(8)을 통해 다단계로 접근하여야 하는 복잡한 연결 구조를 가진다.
또한, 자주 변경되는 데이터인 스택 다이얼 아이템을 고정 할당 영역(3)에 저장하고, 메모리 관리를 하지 않기 때문에, 동일한 주소에 기록하는 동작을 반복함으로써, EEPROM의 수명을 단축시키는 문제가 있다.
또한, 단말기의 다른 동작에 비해 상대적으로 느린 EEPROM을 접근할 때, 단일 프로세스를 사용함으로써, 전체 성능이 저하되는 문제가 있다. 즉, 실시간 데이터베이스 타스크가 EEPROM에 모든 데이터를 쓰기할 때까지 다른 작업을 처리할 수 없으므로, 전체 시스템의 성능을 감소시키는 요인이 된다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 무선통신 단말기 등에서의 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스의 관리 구조 및 운영 방법을 개선하여, 실시간 데이터베이스의 속도를 향상시키고 비휘발성 메모리의 수명 단축을 방지할 수 있는, 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기 비휘발성 메모리 내에 비휘발성 정보 테이블과 고정 할당 영역과 동적 할당 영역이 설정되고, 단일 구조로 관리되는 상기 동적 할당 영역에는 자주 변경되는 스텍 다이얼 아이템이 저장되며, 상기 비휘발성 정보 테이블에는 비휘발성 메모리를 관리하기 위한 셀 상태 테이블과 아이템 포인터 테이블이 구비되며, 상기 셀 상태 테이블 자료 구조에는 비휘발성 메모리 상태를 관리하기 위한 상태 테이블이 구비되고, 상기 상태 테이블에서 1비트가 적어도 2개 이상의 블록을 표시하도록 하여, 한번에 적어도 2블록 이상의 단위로 메모리의 상태를 검색하도록 하며, 상기 비휘발성 메모리에 대한 쓰기 동작은 캐쉬 프로세스에 의해 수행되고, 상기 캐쉬 프로세스가 백그라운드 프로세스 동작하며, 상기 캐쉬 프로세스에 의해 사용되고 있는 데이터에 대해서는 상기 비휘발성 메모리에 대한 읽기 동작을 수행하는 타스크가 접근할 수 없도록 제어하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적, 특징들 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.
본 발명은 비휘발성 메모리에 대한 접근 구조를 단순화시키고 비휘발성 메모리 관리용 상태 테이블을 두어 검색 시간을 단축하며, 동적 할당 영역을 단일 구조로 관리하고 자주 변경되는 데이터를 동적 할당 영역에 저장함으로써, 저장 동작의 단순화와 비휘발성 메모리의 수명을 연장시키고, 속도가 느린 EEPROM 쓰기 동작을 할 때, 캐쉬 처리 기능을 두어 성능을 향상시키고, EEPROM의 장치 제어부 단계에 보안 영역을 설치함으로써, 데이터베이스 하위 수준에서 주요 데이터에 대한 보안이 가능하게 한다.
본 발명에 이용되는 비휘발성 메모리는 도 2 에 도시된 바와 같이 단말기가 동작 중에도 읽기와 쓰기가 가능한 EEPROM 또는 플래시 메모리이며, 이동통신 단말기 내에 설치되어 있다.
도 2 에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 실시간 데이터베이스 운영방법에서는 단일 구조의 동적 할당 영역을 사용한다. 따라서, 데이터의 저장 및 검색은 고정 할당 영역(12)과 하나의 동적 할당 영역(13)으로 나누어 이루어지며, 동적 할당 영역 관리를 위한 추가적인 동작이 필요 없다. 또한, 비휘발성 메모리의 관리는 핵심 정보를 관리하는 비휘발성 정보 테이블(NVIT)(16) 자료구조 내에 아이템 포인터 테이블(IPT)(17)과 셀 상태 테이블(CST)(18)을 두어, 셀 상태 테이블(18)에 직접 접근이 가능하다. 따라서, EEPROM의 데이터 정보를 빠르게 검색할 수 있다. 더불어, EEPROM의 메모리를 직접 관리하기 위한 셀 상태 테이블(CST)(18) 자료 구조에는 EEPROM의 메모리 상태를 관리하는 상태 테이블을 두고, 여기서 1비트가 1블록을 표시하는 것은 물론, 1비트가 2개 이상의 블록을 표시하도록 한다. 이렇게 함으로써 한 번에 2블록 이상의 단위로 메모리의 상태 검색이 가능하므로 메모리 검색 시간을 단축할 수 있다.
그리고, 본 발명에서는 시스템 운영 중에 자주 변경되는 스택 다이얼 아이템(15)을 동적 할당 영역(13)에 저장하도록 한다. 동적 할당 영역(13)에 데이터 아이템을 저장하게 되면, 데이터의 재배치가 이루어지므로, 동일한 EEPROM 주소에 쓰기가 반복되는 문제를 막을 수 있기 때문에 EEPROM의 수명 단축을 막아 준다.
도 3 은 EEPROM에 쓰기 동작을 수행할 때, 동작하는 캐쉬 프로세스의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 3 에 도시된 바와 같이, 타스크가 비휘발성 메모리(19)에서 데이터를 읽는 동작(21)은 RAM 캐쉬(23)나 비휘발성 메모리(19)의 내용을 직접 읽는 방법으로 이루어진다.
그리고, 비휘발성 메모리(19)에 데이터를 저장하는 쓰기 동작(22)은 이를 직접 처리하기 위한 캐쉬 프로세스(25)를 두어 처리한다. 즉, 타스크는 RAM 캐쉬(23)에 데이터를 저장하고, 큐(24)에 이를 표시한 후 종료하며, 비휘발성 메모리(EEPROM, 19)에 쓰는 동작은 캐쉬 프로세스(25)가 수행하는 것이다. 여기에서, 캐쉬 프로세스(25)는 백그라운드 프로세스로 동작하게 되며, 캐쉬 프로세스(25)와는 별도로 타스크는 다른 작업을 처리할 수 있게 된다. 단, 현재 캐쉬 프로세스(25)에 의해 사용되고 있는 데이터에 대해서는 일관성 유지를 위해 타스크가 접근할 수 없도록 한다.
도 4 는 장치 제어부 단계에서 보안 영역의 접근 구조를 나타내는 도면이다. 보안 영역은 EEPROM을 직접 제어하는 제어부 단계에서 관리하는 특수 목적의 데이터 영역을 두는 것으로, 도 2 의 보안영역(14)과 같이 EEPROM 내부에 특별한 동작을 통해서만 접근이 가능한 영역을 설정하는 것이다.
이러한 보안 영역에 접근하기 위해서는 도 4 의 ③과 같이 보안 영역 접근을 위한 "NV_SEC_F"라는 명령을 사용하여야 하며, 타스크에서 전달된 명령은 제어부에서 동작 검사 및/또는 물리 주소 검사를 수행하여, ②와 같이 일반 명령을 사용한 보안 영역 접근이었을 때에는 에러를 발생한다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기한 바와 같은 본 발명은, 비휘발성 메모리에 대한 접근 구조를 단순화하고 비휘발성 메모리 관리용 상태 테이블을 효율적인 구조로 두어 실시간 데이터베이스의 검색 시간을 단축시키고, 동적 할당 영역을 단일 구조로 관리하고 자주 변경되는 데이터를 동적 할당 영역에 저장함으로써 저장 동작의 단순화와 비휘발성 메모리의 수명을 연장시키며, 속도가 느린 EEPROM 쓰기 동작을 할 때, 캐쉬 프로세스를 두어 쓰기 동작을 수행함으로써 유휴 시간을 활용할 수 있도록 하여 전체 시스템의 성능을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 데이터베이스 내에 보안 영역의 설정과 장치 제어부 단계에서의 보안 영역 관리를 통해 중요한 데이터에 대해 안전성을 보장할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법에 있어서,
    상기 비휘발성 메모리 내에 비휘발성 정보 테이블과 고정 할당 영역과 동적 할당 영역이 설정되고,
    단일 구조로 관리되는 상기 동적 할당 영역에는 자주 변경되는 스텍 다이얼 아이템이 저장되며,
    상기 비휘발성 정보 테이블에는 비휘발성 메모리를 관리하기 위한 셀 상태 테이블과 아이템 포인터 테이블이 구비되며,
    상기 셀 상태 테이블 자료 구조에는 비휘발성 메모리 상태를 관리하기 위한 상태 테이블이 구비되고, 상기 상태 테이블에서 1비트가 적어도 2개 이상의 블록을 표시하도록 하여, 한번에 적어도 2블록 이상의 단위로 메모리의 상태를 검색하도록 하며,
    상기 비휘발성 메모리에 대한 쓰기 동작은 캐쉬 프로세스에 의해 수행되고, 상기 캐쉬 프로세스가 백그라운드 프로세스 동작하며, 상기 캐쉬 프로세스에 의해 사용되고 있는 데이터에 대해서는 상기 비휘발성 메모리에 대한 읽기 동작을 수행하는 타스크가 접근할 수 없도록 제어하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 비휘발성 메모리의 일부 영역에 보안 영역이 더 구비되고, 상기 보안 영역에 대한 접근 제어가 타스크로부터 전달된 명령에 대한 동작 검사와 물리적 주소 검사를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법.
  3. 삭제
KR1019990061091A 1999-12-23 1999-12-23 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법 KR100586031B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990061091A KR100586031B1 (ko) 1999-12-23 1999-12-23 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990061091A KR100586031B1 (ko) 1999-12-23 1999-12-23 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010057705A KR20010057705A (ko) 2001-07-05
KR100586031B1 true KR100586031B1 (ko) 2006-06-01

Family

ID=19628755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990061091A KR100586031B1 (ko) 1999-12-23 1999-12-23 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100586031B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100502164B1 (ko) * 2002-09-17 2005-07-20 티티피컴코리아 주식회사 전자 기기의 특성에 관한 데이터를 플래시 메모리에저장하는 방법
US7089349B2 (en) * 2003-10-28 2006-08-08 Sandisk Corporation Internal maintenance schedule request for non-volatile memory system

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05204561A (ja) * 1991-11-26 1993-08-13 Hitachi Ltd フラッシュメモリを記憶媒体とした半導体ディスク
US5379262A (en) * 1992-07-01 1995-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
WO1995004991A1 (en) * 1993-08-10 1995-02-16 Novatel Communications Ltd. Method and apparatus for non-volatile data storage
KR19980050177A (ko) * 1996-12-20 1998-09-15 양승택 Cdma 이동단말기의 nv 메모리의 고정영역에 저장되는 인덱스 데이터의 이중화 방법
KR19980060841U (ko) * 1997-03-18 1998-11-05 구자홍 메모리관리장치
WO1999054824A1 (en) * 1998-04-21 1999-10-28 Intel Corporation Dynamic allocation for efficient management of variable sized data within a nonvolatile memory

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05204561A (ja) * 1991-11-26 1993-08-13 Hitachi Ltd フラッシュメモリを記憶媒体とした半導体ディスク
US5379262A (en) * 1992-07-01 1995-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
WO1995004991A1 (en) * 1993-08-10 1995-02-16 Novatel Communications Ltd. Method and apparatus for non-volatile data storage
KR19980050177A (ko) * 1996-12-20 1998-09-15 양승택 Cdma 이동단말기의 nv 메모리의 고정영역에 저장되는 인덱스 데이터의 이중화 방법
KR19980060841U (ko) * 1997-03-18 1998-11-05 구자홍 메모리관리장치
WO1999054824A1 (en) * 1998-04-21 1999-10-28 Intel Corporation Dynamic allocation for efficient management of variable sized data within a nonvolatile memory

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010057705A (ko) 2001-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7562202B2 (en) Systems, methods, computer readable medium and apparatus for memory management using NVRAM
US8185688B2 (en) Method for managing the address mapping table in a flash memory
CN101763894B (zh) 半导体存储装置和存储控制方法
KR101477047B1 (ko) 메모리 시스템 및 그것의 블록 병합 방법
US6871259B2 (en) File system including non-volatile semiconductor memory device having a plurality of banks
CN100367306C (zh) 非易失性存储卡
KR100816761B1 (ko) 낸드 플래시 메모리 및 에스램/노어 플래시 메모리를포함하는 메모리 카드 및 그것의 데이터 저장 방법
US20050015557A1 (en) Nonvolatile memory unit with specific cache
US7802072B2 (en) Data storage device, memory management method and program for updating data recorded in each of a plurality of physically partitioned memory areas
US7287117B2 (en) Flash memory and mapping control apparatus and method for flash memory
CN112231244B (zh) 应用于SoftSIM的SIM卡文件擦写系统、方法和可读存储介质
JPH08328762A (ja) 半導体ディスク装置及びそのメモリ管理方法
CN1318981C (zh) 用于构成具有协处理器的无线终端的高速缓存存储器的装置和方法
KR20080012778A (ko) 메모리 관리 방법 및 휴대 단말장치
CN100507873C (zh) 一种闪存中的flash文件的管理方法及系统
US20100115004A1 (en) Backup system that stores boot data file of embedded system in different strorage sections and method thereof
US7398381B2 (en) Utilizing paging to support dynamic code updates
CN105912279B (zh) 固态存储回收系统及固态存储回收方法
KR100586031B1 (ko) 비휘발성 메모리를 이용한 실시간 데이터베이스 운용방법
US7681009B2 (en) Dynamically updateable and moveable memory zones
US20060224817A1 (en) NOR flash file allocation
CN114138176A (zh) Nor Flash的擦除、升级方法及装置、计算机设备和存储介质
CN1882922A (zh) 用于操作双区同时读写闪存的系统和方法
US20080005449A1 (en) Generalized flash memory and method thereof
JP2002222120A (ja) メモリ・アクセス管理装置並びに管理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130424

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140430

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150427

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160427

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170427

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190425

Year of fee payment: 14