JP2007517192A - マグネットセンサ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
磁気感応性の構成素子としていわゆるGMRセンサ(GMR=Giant Magneto Resistance;巨大磁気抵抗)が公知であり、これは例えば比較的堅固なセンサとして自動車における回転角度の検出に用いられている。この巨大磁気抵抗(GMR)は1つの効果で特徴付けられており、この効果は磁性金属材料薄膜と非磁性金属材料薄膜が交互に積層された適切な薄膜系のもとで生じる。この薄膜系の電気抵抗の印加磁界への強い依存性はスピンに依存した漂遊電子に基づく。
本発明は、多層積層の少なくとも1つの磁気感応性センサ層を有し、該センサ層において電気的な抵抗が当該センサ層の磁気感応性センサ素子によって外部磁界に依存して可変であり、さらに補助磁界を生成するためのバイアス層を備えている、マグネットセンサ装置から出発している。本発明によれば有利には、前記センサ層におけるセンサ素子が微細構造化された測定ストライプから形成され、当該マグネットセンサ装置は、バイアス層の磁化方向と外部磁界の方向が、微細構造化された測定ストライプの長手延在軸線に対してほぼ直角に延在するように構成されている。
以下の明細書では本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。ここで、
図1は、測定ブリッジ回路の積層構造、特にセンサ素子として微細構造化された測定ストライプを備えたマグネットセンサ装置のセンサ層の基本原理図であり、
図2は、微細構造化されたストライプのGMR特性曲線の、測定ストライプ幅への依存性を表した図であり、
図3は、微細構造化されたストライプの方向に相対する、外部磁界の方向とバイアス磁界の方向の変化を表した図である。
図1には、GMRマグネットセンサ装置1の基本原理図が示されている。この装置は多重積層ないし多層構造で作成される。冒頭で述べた外部磁界Hextの磁界変化の本来のセンシングに対しては、微細構造化された直線状の測定ストライプ2,3,4,5がセンサ素子としてセンサ層6内に設けられており、これらのストライプはホイーストンブリッジ回路に相互接続され、それによって回路点7,8,9,10における測定ストライプ2,3,4,5の磁界に依存する抵抗値変化が相応に評価可能である。
Claims (5)
- 多層積層の少なくとも1つの磁気感応性センサ層(6)を有し、該センサ層において電気的な抵抗が当該センサ層(6)の磁気感応性センサ素子(2,3,4,5)によって外部磁界(Hext)に依存して可変であり、
さらに補助磁界(Mini)を生成するためのバイアス層を備えている、マグネットセンサ装置において、
前記センサ層(6)におけるセンサ素子が微細構造化された測定ストライプ(2,3,4,5)から形成され、
当該マグネットセンサ装置は、バイアス層の磁化(Mini)方向と外部磁界(Hest)の方向が、微細構造化された測定ストライプ(2,3,4,5)の長手延在軸線に対してほぼ直角に延在するように構成されていることを特徴とするマグネットセンサ装置。 - 前記微細構造化されたストライプ(2,3,4,5)は、直線状に延在している、請求項1記載のマグネットセンサ装置。
- 前記微細構造化されたストライプ(2,3,4,5)は、高い縦横比でもってメアンダー状に延在する、請求項1記載のマグネットセンサ装置。
- 前記微細構造化されたストライプ(2,3,4,5)は、2から10μmの幅を有している、請求項1から3いずれか1項記載のマグネットセンサ装置。
- 前記磁気感応性のセンサ層(6)は、[CoFe/Cu]20からなり、前記バイアス層は、硬磁性薄膜としてCr/CoCrPt又はCr/CoSmから形成されている、請求項1から4いずれか1項記載のマグネットセンサ装置。
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