JP2007516560A - 電力消費量の小さな双安定型マイクロスイッチ - Google Patents
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Abstract
Description
−5ボルト未満という供給電圧。
−30dBよりも大きな絶縁性能。
−0.3dB未満という挿入損失。
−109 よりも多くのサイクルに対応する信頼性。
−0.05mm2 未満という表面積。
−できるだけ小さな電力消費。
Transistor)スイッチは、高周波数においてはうまく動作するものの、低電力の信号にしか適用することができない。結局、一般に、1GHzよりも大きな周波数においては、すべてのマイクロエレクトロニクススイッチは、オン時には、大きな挿入損失(従来技術においては、およそ1〜2dB)を有しているとともに、開放状態においては、かなり小さな絶縁性能(−20〜−25dB)を示す。したがって、これら従来的なスイッチを、MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System )マイクロスイッチによって代替することが、このタイプの応用においては期待されるところである。
−小さな挿入損失(典型的には、0.3dB未満)。
−MHz領域において、ミリメートル範囲(典型的には、−30dBよりも大きい)という大きな絶縁性能。
−レスポンスが非線形的ではないこと(IP3)。
−熱的バイメタル効果を使用していること。
−加熱用電気抵抗部材が、梁内に組み込まれているとともに、大きな熱膨張係数を有したバイメタル(金属ブロック)部分上に(あるいは、その近傍に)配置されていること。これにより、電気加熱効果を最大限のものとすることができる(最小の熱損失。
−熱伝導度の小さな誘電性梁を使用していること。これにより、バイメタル領域の外部に対しての熱放散を大幅に防止することができる。
−コンタクトパッドに対して付与し得る形状によって、および、スイッチング対象をなすトラックの端部に対して付与し得る形状によって、および、付加的には、コンタクトパッドとトラックとの間のコンタクトをより『適切な』ものとし得るよう、コンタクト領域に対して付与されたフレキシブルさによって、
−より小さな電圧でもって電極端子がコンタクトパッドに対してより大きな押圧力を印加し得るよう、適切な形状とされた『補助』電極を付加することによって、
コンタクト抵抗値を最適化し得るスイッチを得ることができる。
−基板上に、PECVDによって、1μm厚さの酸化物層を成膜し、
−リソグラフィーとエッチングとを行うことにより、埋設領域のためのキャビティを形成し、
−犠牲層として作用することとなる1μm厚さのポリイミド層を成膜し、
−犠牲層に対して、乾式平坦化操作または化学的機械的研磨(CMP)操作を施し、
−3μm厚さのSiO2 層を成膜し、
−このSiO2 層をエッチングすることによって、アクチュエータとコンタクトパッドと導電トラックとのための開口を形成し、
−3μm厚さのアルミナ層を成膜し、
−SiO2 層が露出されるまで、アルミナ層を、CMP操作によって平坦化し、
−0.15μm厚さのSiO2 層を成膜し、
−0.2μm厚さのTiN層を成膜し、
−リソグラフィーとエッチングとを行うことにより、TiN層の中に加熱用電気抵抗部材を形成し、
−0.2μm厚さのSiO2 層を成膜し、
−このSiO2 層に対してリソグラフィーとエッチングとを行うことにより、加熱用電気抵抗部材のコンタクトパッドを形成し、
−犠牲層を停止層として使用することによって、SiO2 層に対してリソグラフィーとエッチングとを行うことにより、梁を形成し、
−Cr/Auからなる0.3μm厚さの2層を成膜し、
−リソグラフィーとエッチングとを行うことにより、導電トラックおよびコンタクトパッドを形成し、
−犠牲層をエッチングすることによって、梁を露出させる。
−基板上に、PECVDによって、1μm厚さの酸化物層を成膜し、
−リソグラフィーとエッチングとを行うことにより、埋設領域のためのキャビティを形成し、
−犠牲層として作用することとなる1μm厚さのポリイミド層を成膜し、
−犠牲層に対して、乾式平坦化操作または化学的機械的研磨(CMP)操作を施し、
−3μm厚さのSiO2 層を成膜し、
−このSiO2 層をエッチングすることによって、アクチュエータのための開口を形成し、
−3μm厚さのアルミナ層を成膜し、
−アクチュエータを、CMP操作によって平坦化し、
−0.2μm厚さのTiN層を成膜し、
−リソグラフィーとエッチングとを行うことにより、TiN層の中に加熱用電気抵抗部材を形成し、
−0.2μm厚さのSiO2 層を成膜し、
−このSiO2 層に対してリソグラフィーとエッチングとを行うことにより、加熱用電気抵抗部材のコンタクトパッドを形成し、
−SiO2 層に対してリソグラフィーと3.2μm深さのエッチングとを行うことにより、梁を形成し、
−Ti/Ni/Auからなる1μm厚さの3層を成膜し、
−リソグラフィーとエッチングとを行うことにより、導電トラックおよびコンタクトパッドを形成し、
−犠牲層をエッチングすることによって、梁を露出させる。
2 導電トラック
3 導電トラック
4 導電トラック
5 導電トラック
6 梁
7 電気的コンタクトパッド(電気的コンタクト形成手段)
7’ 電気的コンタクトパッド(電気的コンタクト形成手段)
8 電気的コンタクトパッド(電気的コンタクト形成手段)
8’ 電気的コンタクトパッド(電気的コンタクト形成手段)
12 端部
12’ 端部
13 端部
13’ 端部
14 端部
14’ 端部
15 端部
15’ 端部
20 アクチュエータ(駆動手段)
21 ブロック
22 電気抵抗部材
30 アクチュエータ(駆動手段)
40 アクチュエータ(駆動手段)
50 アクチュエータ(駆動手段)
106 梁
111 応力緩和スロット(解放スプリング形成手段)
261 電極(静電力を誘起するための手段)
262 電極(静電力を誘起するための手段)
263 電極(静電力を誘起するための手段)
264 電極(静電力を誘起するための手段)
271 電極(静電力を誘起するための手段)
272 電極(静電力を誘起するための手段)
273 電極(静電力を誘起するための手段)
274 電極(静電力を誘起するための手段)
302 導電トラック
303 導電トラック
506 梁(静電力を誘起するための手段)
571 電極(静電力を誘起するための手段)
572 電極(静電力を誘起するための手段)
573 電極(静電力を誘起するための手段)
574 電極(静電力を誘起するための手段)
Claims (15)
- 基板(1)上に形成された双安定型のMEMSマイクロスイッチであって、
少なくとも2つの導電トラック(2,3,4,5)の端部(12,13,14,15)どうしを電気的に接続し得るものであり、
前記マイクロスイッチが、前記基板の表面上に懸架された梁(6)を具備し、
この梁が、両端部のところにおいて埋設されているとともに、非変形状態においては圧縮応力を受けるものとされ、
前記梁(6)が、電気的コンタクト形成手段(7,8)を備え、
これら電気的コンタクト形成手段(7,8)が、前記基板表面に対して平行に前記梁が変形した際には、前記2つの導電トラックの前記端部に対して側方から接触し得るようにして、配置され、
前記マイクロスイッチが、前記梁を駆動するための駆動手段(20,30,40,50)を具備し、
これら駆動手段(20,30,40,50)が、前記梁を、第1安定状態に対応した第1変形位置へと、または、第2安定状態に対応した第2変形位置へと、配置し、
ここで、前記第1変形位置と前記第2変形位置とが、前記非変形状態を挟んで、互いに反対側に位置するものとされ、
前記電気的コンタクト形成手段(7,8)が、前記梁が前記いずれかの変形位置とされた際には、前記2つの導電トラック(2,3,4,5)の前記端部(12,13,14,15)を確実に接続することを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項1記載のマイクロスイッチにおいて、
前記マイクロスイッチが、デュアルマイクロスイッチとされ、
前記第1変形位置においては、第1組をなす2つの導電トラック(2,3)の各端部(12,13)を接続し、
前記第2変形位置においては、第2組をなす2つの導電トラック(4,5)の各端部(14,15)を接続することを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項1記載のマイクロスイッチにおいて、
前記マイクロスイッチが、シングルマイクロスイッチとされ、
前記第1変形位置においては、2つの導電トラック(302,303)の各端部を接続し、
前記第2変形位置においては、接続をもたらさないことを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロスイッチにおいて、
前記梁(6)が、誘電性材料あるいは半導体材料から形成され、
前記電気的コンタクト形成手段が、前記梁と一体化された導電性パッド(7,8)から形成されていることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項4記載のマイクロスイッチにおいて、
前記駆動手段が、バイメタル効果を使用した加熱アクチュエータ(20,30,40,50)を備えていることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項5記載のマイクロスイッチにおいて、
前記各加熱アクチュエータ(20)が、熱伝導性材料からなるブロック(21)と、このブロックに対して緊密に接触して配置された電気抵抗部材(22)と、を備えていることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項4記載のマイクロスイッチにおいて、
前記駆動手段が、静電力を誘起するための手段(271,272,273,274; 261,262,263,264)を備えていることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項4記載のマイクロスイッチにおいて、
前記駆動手段が、バイメタル効果を使用した加熱アクチュエータと、静電力を誘起するための手段と、を備えていることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロスイッチにおいて、
前記梁(506)が、導電性材料から形成されていることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項9記載のマイクロスイッチにおいて、
前記駆動手段が、静電力を誘起するための手段(506;571,572,573,574)を備えていることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載のマイクロスイッチにおいて、
前記電気的コンタクト形成手段(7’,8’)が、接続すべき前記導電トラック(2,3,4,5)の前記端部(12’,13’,14’,15’)間に嵌め込まれ得るような形状を有していることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項10記載のマイクロスイッチにおいて、
前記導電トラック(2,3,4,5)の前記端部(12’,13’,14’,15’)が、接続時に前記電気的コンタクト形成手段(7’,8’)の形状に適合することを可能とし得るよう、フレキシブルさを有していることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載のマイクロスイッチにおいて、
前記梁(106)の埋設された少なくとも1つの端部のための解放スプリング形成手段(111)を備えていることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項1〜13のいずれか1項に記載のマイクロスイッチにおいて、
前記電気的コンタクト形成手段が、オーミックコンタクトをもたらし得る手段とされていることを特徴とするマイクロスイッチ。 - 請求項1〜13のいずれか1項に記載のマイクロスイッチにおいて、
前記電気的コンタクト形成手段が、容量性コンタクトをもたらし得る手段とされていることを特徴とするマイクロスイッチ。
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