JP2007511869A - 有向ビームのプラズマ源とマイクロリソグラフィーへのその応用 - Google Patents

Abstract

本発明は、所望波長範囲の放射波をある放出方向に発生させる方法に関する。本方法によれば、その波長が該所望範囲を含んでいる初期放射波を放射波供給源により作り出し、この初期放射波を、波長が所望範囲外の初期放射波のビームを実質的に除去するように濾波する。本発明の方法は、初期放射波のビームをその波長に応じて選択的に偏向させて、所望波長のビームを回収するように、初期放射波が通過するコントロール領域においてビームの屈折率の制御された分布を作り上げることにより濾波を行うことを特徴とする。本発明は関連する装置にも関する。

Description

本発明は、所望波長の放射波（ラディエーション）の発生に関する。
より詳しくは、本発明は、下記工程を含む、所望波長範囲の放出放射波を所定方向に発生させる方法に関する：
−波長が該所望範囲を含んでいる初期放射波を放射波供給源により作り出し、
−該初期放射波を、波長が該所望範囲の範囲外である初期放射波の部分を実質的に除去するように濾波（フィルタリング）する。

本発明は、かかる方法を実施するのに使用できる放射波発生装置ならびにかかる放射波発生装置を組み込んだリソグラフィー装置にも関する。

我々は上述した種類の方法および装置を既によく知っている。
例えば、１つの（制限を意図しない）実施態様は、感光性基板上でのリソグラフィー用途のために、光学連鎖を意図した所望波長で放射波を発生させることに関する。例えば、図１は順に下記要素からなる光学システム１００を模式的に示す：
−所望の波長範囲の放射波の発生器１０、
−発生器１０からくる放射波を受け入れてそれを加工する（例、そのビームの平行化及び／又は集束により）レンズアセンブリ１１、
−レンズアセンブリからくる加工された放射波を受け入れるマスク１２、このマスクは、透過パターン１２０を通ってマスクに到達したビームだけを選択的に通過させ、放射波の残りはマスクにより停止させられる、
−マスクを通過したビームを受け入れる基板（または基体）１３、放射波に曝されるその表面はフォトレジスト性または感光性物質を有する。

基板に到達したビームは該物質と反応し、こうしてマスクの透過パターンに一致するパターンを基板表面上に形成する。
発生器１０の所望の波長範囲は特に紫外（ＵＶ）スペクトルまたは極紫外（ＥＵＶ）スペクトルに位置することができる。

本書において、「ＥＵＶ」なる用語は、ＥＵＶビームと軟Ｘ線の両方を意味するものとして慣用的に使用されていることに留意願いたい。
ＥＵＶビームは、非常な短波長（１００ｎｍ以下、例えば数十ｎｍのオーダー、１つの応用は１３．５ｎｍの波長に対応する）と関連する。これは、このビームにより描かれるパターンを対応して非常に小さい寸法のものとすることができるので、特にフォトリソグラフィーの用途には有利である。特に、これは同じサイズの基板上により多量のパターンを形成することを可能にする。

しかし、放射波発生器に放射波濾波手段を組み合わせる必要がある。
実際、場合によっては、特に波長がＥＵＶ範囲である放射波発生器にとって、発生器はプラズマ供給源型の放射波供給源を備えている。

その場合、所望の放射波に加えて、かかる放射波供給源は、
−その波長が所望範囲と一致しない放射波、及び／又は
−プラズマとこのプラズマが配置されているチャンバの固体部分（ターゲット、チャンバ壁面等）との相互作用により生ずる固体デブリ（固体のチリ）、
も放出する。

従って、発生器の供給源からくる放射波から所望波長のビームだけを取り出すために、供給源の下流側に（例えば、マスクを傷つけることがある固体デブリにマスクが曝されるのを避けるために供給源のすぐ下流に）濾波手段を設ける必要がある。

公知手法では、このような濾波手段はビームをそれらの波長に応じて選択的に反射させる多層ミラーを備える。
このような多層ミラーは従ってバンドパス（帯域通過）フィルタとして機能する。

もちろん、ミラーは供給源により放出されることがある望ましくない固体デブリを通過させないので、濾波手段の下流に位置する要素類はそのような固体デブリには曝されることはない。

このような解決手段はそのような固体デブリを生じ易い放射波供給源が放出するビームからの濾波を実際可能にする。
しかし、このような公知形態に付随する１つの欠点は、供給源により放出される固体デブリが濾波手段のミラーを傷つける可能性があることである。

もちろん、固体デブリがこれらの濾波手段のミラーを傷つける可能性を低減するように、該濾波手段を放射波供給源から遠くに配置することを構想することもできる。
しかし、この場合には、濾波手段により回収される放射波束が著しく減少し、従って光学システム全体の性能に悪影響を及ぼす。

従って、所望波長の放射波を発生させるための公知形態は、放射波供給源が固体デブリを発生し易い場合に欠点を伴うようである。
特に、この難点は所望波長がＥＵＶ領域にある応用に関係する。

本発明の目的は、これらの欠点を克服するのを可能にすることである。
この目的を達成するため、第１の側面に係る本発明は、所望波長範囲の放射波を所定の放出方向に発生させる方法を提案し、該方法は、
−その波長が該所望範囲を含んでいる初期放射波を放射波供給源により作り出し、
−該初期放射波を、波長が該所望範囲外である初期放射波のビームを実質的に除去するように濾波する；
ことを含み、
該濾波が、初期放射波のビームをその波長に応じて選択的に偏向させて、所望波長のビームを回収するように、初期放射波が通過するコントロール領域においてビームの屈折率の制御された分布を導入することにより行われることを特徴とする。

制限するのではないが、かかる方法の好ましい態様は下記の通りである。
−該ビームの屈折率の制御された分布が該コントロール領域内の電子密度分布を制御することにより得られる。

−該コントロール領域がプラズマ内に位置する。
−該コントロール領域を含む該プラズマそれ自体が該放射波供給源に付随するチャンバ内に収容されている。

−電子密度分布の制御が、初期放射波の中間放出線（median emission line）上より、該初期放射波の放出中間線から離れた方がより大きな電子密度を得るように行われる。
−該初期放射波放出中間線が直線状の初期放射波ラインであり、該初期放射波は、該直線状初期放射波ラインの周囲にほぼ軸対称（線対称）で該放射波供給源により作られる。

−該電子密度分布を得るために、該プラズマに該初期放射波放出中間線に沿ってエネルギーのインプットを印加する。
−該エネルギーインプットが、該初期放射波放出中間線に沿ったプラズマのイオン化により行われる。

−該イオン化を行うために、下記操作を必要とする：
・プラズマを収容したチャンバの端子間の電圧の確保、これらの端子は該初期放射波放出中間線により一般に規定される方向において離間している、
・該初期放射波放出中間線へのエネルギービームの印加。

−所望波長のビームを回収するために、該コントロール領域の下流側に所望波長範囲内のビームを選択的に通すための少なくとも１つのウインドウが存在する。
−各ウインドウを、偏向した所望波長範囲内の該ビームと該初期放射波放出中間線との交差場所に対応する横座標位置で該初期放射波放出中間線上に配置する。

−該所望波長範囲が［０〜１００ｎｍ］の波長範囲内に含まれる。
−該所望波長範囲がＥＵＶスペクトルの範囲内に含まれる。
別の側面によると、本発明は、所望波長範囲の放射波を所定の放出方向に発生させる装置を提案し、該装置は、
−その波長が該所望範囲を含んでいる初期放射波の供給源、
−その波長が該所望範囲外である初期放射波のビームを実質的に除去するように、該初期放射波を濾波する手段；
を含み、
該濾波手段が、初期放射波のビームをその波長に応じて選択的に偏向させて、所望波長のビームを回収するように、初期放射波が通過するコントロール領域においてビームの屈折率の制御された分布を導入する手段を備えることを特徴とする。

制限するのではないが、かかる装置の好ましい態様は下記の通りである。
−屈折率の制御された分布を導入する手段が、該コントロール領域内の電子密度分布を制御するための手段を備える。

−該コントロール領域がプラズマ内に位置する。
−該コントロール領域を含む該プラズマそれ自体が該放射波供給源に付随するチャンバ内に収容されている。

−電子密度分布の制御のための該手段が、初期放射波の放出中間線上より、該初期放射波の放出中間線から離れた方がより大きな電子密度を達成することができる。
−該初期放射波放出中間線が直線状の初期放射波ラインであり、該電子密度分布を制御するための手段は、該直線状初期放射波ラインの周囲にほぼ軸対称な電子密度を達成することができる。

−該電子密度分布を制御するための手段が、該初期放射波放出中間線に沿って該プラズマにエネルギーを注入するための手段を備える。
−該エネルギー注入手段が、該初期放射波の中間放出線に沿ったプラズマのイオン化のための手段を備える。

−該エネルギー注入手段が、下記のための手段を備える：
・プラズマを収容したチャンバの端子間の電圧の確保、これらの端子は該初期放射波放出中間線により一般に規定される方向において離間している、
・該初期放射波放出中間線へのエネルギービームの印加。

−該コントロール領域の下流側に、装置が、所望波長範囲内のビームを選択的に通すための少なくとも１つのウインドウを備える。
−各ウインドウが、偏向した所望波長範囲内の該ビームと該初期放射波放出中間線との交差場所に対応する横座標位置で該初期放射波放出中間線上に配置される。

−装置が、少なくとも一部のウインドウに付随して追加の多層濾波ミラーを備える。
−装置が、それぞれ初期放射波の供給源および付随する濾波手段を備えた複数のモジュール、ならびに濾波を受けた放射波を、それを装置の外側に再び向けるために集めるのに使用することができる光学手段を備える。

−該光学手段が該放射波の濾波を仕上げることもできる多層ミラーである。
−該所望波長範囲が［０〜１００ｎｍ］の波長範囲内に含まれる。
−該所望波長範囲がＥＵＶスペクトルの範囲内に含まれる。

本発明は最後に、上記側面のいずれかにかかる発生装置を備えたリソグラフィー装置にも関する。
本発明の他の側面、目的および利点は、既に上述した図１以外の添付図面を参照した本発明の以下の説明を読むとより明らかとなろう。

図２は本発明に係る放射波発生器（ラディエーション・ジェネレータ）２０を示す。
この放射波発生器はチャンバ２１を備え、このチャンバは全体的には閉鎖されているが、チャンバにより放出されたビームを通過させるように１つの側面２１０が開いている。

チャンバ２１は、初期放射波Ｒ０を生ずることができる供給源２１１を備える。
典型的には、これはプラズマを含んだ供給源である。
初期放射波はその波長が所望の波長範囲に対応するビームを含んでいる。

本発明の適用を制限しないが、好適態様においては、この所望波長範囲は［０〜１００ｎｍ］の波長範囲内に包含される。
従って、この所望波長範囲はＥＵＶスペクトルに位置することができる。

従って、チャンバ２１は著しい量のビームが所望波長範囲に対応する初期放射波を生ずることができる。
しかし、既に述べたように、供給源からの放出には下記の望ましくない作用を伴うことがある可能性がある：
・初期放射波は、その波長が望ましい範囲に正確には対応していないビームも含有しうる；
・供給源２１１が初期放射波と共にいくらかの量の固体デブリも放出する場合がある。

これらの望ましくない作用を阻止するために、発生器２０は初期放射波を濾波（フィルタリング）する手段を備える。
この濾波手段は、初期放射波のビームをその波長に応じて選択的に偏向させるように、初期放射波が横切るコントロール領域２１２内にビームの屈折率の制御された分布を導入することができる。

所望波長のビームを次いで回収する（具体的には本書で後に述べる手段を用いて）。
すなわち、本発明は、例えば、空気の屈折率の勾配の存在下で（特に高い温度勾配を持つ空気の場合）光ビームの偏向を引き起こすのに似た物理的原理を利用するものである。

図２に示した例では、コントロール領域はチャンバ２１それ自体の内部に配置されている。
このコントロール領域を、チャンバ２１の外部で、その下流側の初期放射波の軌道（行路）上に配置することも可能であることに留意されたい。

コントロール領域における屈折率の分布の制御は、該コントロール領域内の電子密度分布を制御することにより達成することができる。
これに関して、屈折率ηを電子密度ｎ_eに結びつける下記の関係を活用することが実際可能である：
η＝（１−ｎ_e／ｎ_c)^1/2、
式中、ｎ_cは、それを超えるとビームが通過することができなくなる臨界電子密度を意味する。このｎ_cの値は関係するビームの波長に関係する。

図２に示した実施方法に戻ると、コントロール領域２１２はチャンバ２１内に位置し、従ってこのコントロール領域は供給源２１１に付随するプラズマ内である。
コントロール領域内の電子密度分布の制御により、初期放射波の個々のビームの軌道に対してこれらのビームの波長に応じた影響を及ぼすことが可能となる。これは、下記２種類のビームの２つの一般的な軌道を示す図２に例示されている：
−第１の波長λ１のビーム。このビームは軌道Ｒ１を有する。

−第１の波長λ１より短い第２の波長λ２のビーム。このビームは軌道Ｒ２を有する。
ここに図示した本発明の好ましい適用例では、初期放射波の放出中間線上より、該初期放射波の放出中間線から離れた方が、電子密度がより大きくなるように、電子密度分布をコントロール領域内に確立する。

「初期放射波（の）放出中間線」は、図２の場合には直線Ａに対応する。ここに図示した場合には、チャンバは典型的には円筒形状であり、初期放射波は直線Ａの周囲にほぼ軸対称（線対称）の分布で放出されていることに留意されたい。

この場合に望ましい電子密度分布の形状を、電子密度曲線を示す図３に模式的に示す。
この図では、チャンバのエッジ部（直線Ａから離間している）の方が、このチャンバの中央部（直線Ａに近接している）より、電子密度の値が大きいことを見ることができる。

また、図示されている３本の電子密度曲線は、チャンバの周辺領域において分岐するように示されていることを見ることもできる。この点については後で説明する。
このような電子密度分布は、放射波供給源のチャンバ内で普通に観察することができる電子密度分布とは反対であることは理解されよう。

公知種類のチャンバの場合、実際、チャンバの中心部でより高い密度が一般に観察される。
図３に示した密度形態は、従って特異的であり、ここに説明した本発明の適用のための設計により創出されたものである。コントロール領域内にこのような電子密度分布を創出するために、該直線Ａに沿ってチャンバ２１のプラズマ中にエネルギーを注入する。

このエネルギーのインプットは、直線Ａにより規定される軸に沿ってコントロール領域内に向けられた、例えば電子ビーム（電子線）またはレーザービームにより行うことができる。

このエネルギーのインプットは、矢印Ｅで模式的に示されている。このエネルギーインプットは直線Ａに沿ってコントロール領域内のプラズマをイオン化するのに使用される。
このエネルギーのインプットに先立って、プラズマを収容するチャンバの端子に電圧を確立することが可能であった。これらの端子は、該初期放射波放出中間線により規定される一般方向に沿って離間している。

図３はこのような端子２１２１および２１２２を模式的に示している。
こうして、図３に示したような種類の電子密度分布を創出することができる。
このような分布は、チャンバの中心部の方がより密度が高い公知種類の密度分布から出発して得ることができることに留意されたい。

エネルギーのインプットおよびそれに伴うイオン化は、実際、この場合には電子密度を「反転」させて、チャンバの周壁近傍の方がより高い密度を得るようにするのに使用される。

図３は上述したように３本の密度分布曲線を示す。
これらの３曲線はチャンバの中心領域（直線Ａに近接した領域）ではほぼ重なっているが、チャンバの壁面近傍では異なる値の密度を有する。

これらの３曲線は、コントロール領域の中心部のイオン化を実施した場合の電子密度分布の引き続いた状態に対応する。
このようなイオン化の最後には、コントロール領域の周辺部で既に電子密度がより高くなっていることが見られる。

ただし、こうしてイオン化されたプラズマがその後に発達することが可能になると、この形態はその後にさらに強まるようになり、周辺部では密度の値が再び増大しよう。実際、チャンバの周辺部に高密度の電子が多量に存在すると、このチャンバの内壁が、壁面コーティングの１層ずつ順に融解を生ずる傾向がある。

この融解はチャンバの周辺での電子のさらなるインプットを生じ、これがこの領域の電子密度をさらに増大させる。
図２は軌道Ｒ２上のビームの焦点に位置するウインドウ２２２を具体的に示している。

このウインドウは、初期放射波のビームの中から所望波長のビームを回収するための手段に対応する。
初期放射波Ｒ０により放出された個々のビームは、コントロール領域内に存在していた電子密度分布によって、その波長に応じて異なる具合に偏向されたことを上で見た。

この選択的偏向によって、ある波長に関係するビームは、直線Ａ上の特定の点（これを「焦点」と呼ぶ）の方向に集束するようになる。
直線Ａ上の焦点の位置（該直線Ａにリンクされたマーカーの曲線横座標により定義することができる位置）は、従ってこの焦点に関係する波長に依存する。

図２は、それぞれ軌道Ｒ１およびＲ２のビームに関係する焦点Ｆ１およびＦ２を示す。
従って、ウインドウ２２２は焦点Ｆ２に位置する。このウインドウの機能はほぼこの焦点Ｆ２上で直線Ａに到達するビーム（すなわち、波長λ２のビーム）だけを通過させることである。この目的のために、ウインドウ２２２は好ましくは直線Ａ上に中心のある開口２２２０を備える。

このウインドウは、従って、所望波長のビームだけを回収するための有利な手段となる。こうして、このウインドウは初期放射波により放出されたビームの濾波を改善する。
このように、隔離したい波長に応じて直線Ａ上の任意の所望の位置にウインドウを設けることが可能である。

従って、本発明は、所望波長の（正確には所望波長で）ビームを効率よく隔離することを可能にするものであることが認められる。
また、本発明の場合、多層ミラーのような濾波手段を、それを損傷する傾向のあるデブリに曝すことがない。

本発明の場合、所望ビームが既に偏向された方に向かって特定の地点で回収されることにより、供給源２１により放出されたデブリの大部分を避けることが可能となる。
ウインドウのような回収手段の実現により、デブリの量をさらに一層低減することが可能となる。

結果として、この濾波の最後に、デブリが全く存在しないか、あっても非常に僅かとなる。
回収する必要があるビームの焦点より下流では、これらの濾波されたビームにより形成されたビームの光学コンディショニングのための手段を創出することが可能であることに留意されたい。

具体的には、この光学コンディショニングは、コリメーション（平行化）及び／又は集束プロセスとすることができる。
回収されたビームは従ってリソグラフィーマスクに直接送ることができる。

また、回収されたビームを、そのように望むなら別の濾波手段に送ることもできる。
このような追加の濾波手段は、現在公知の濾波手段を構成するもののような多層ミラーを備えることができる。

このような多層ミラーの各層は、ミラーがある特定の波長のビームだけを選択的に反射する（ミラーの反射率を入射ビームの波長に結びつけるブラッグ条件として知られる条件に従って）ように（組成物および厚さが）設計される。

この変更例では、いくつかの濾波手段が直列に使用される。ビームの選択的偏向およびその回収を行う最も上流側の手段は、最も下流側の手段（多層ミラー）に対して、供給源により放出されるデブリからの保護を与える。

最後に、それぞれが付随するコントロール領域内で屈折率の分布を制御するために使用できる手段を備えた、複数の初期放射波供給源を備えた装置内で本発明を実施することも可能であることに留意されたい。

この実施態様は図４に模式的に示されている。
この図では、既に述べたチャンバ２１に似た複数のチャンバ２１ｉが、それらのそれぞれの放射波をそれぞれの中間線Ａｉに沿って送り込んでおり、これらの中間線は中心光学素子（オプティクス）２３に向かって集束している。

従って、中心光学素子は、活性であるチャンバに応じて、１または２以上のチャンバ２１ｉにより放出されたビームを受け取ることができる。
光学素子２３と各チャンバとの間の距離を調整して、各活性チャンバに付随する放射波濾波波長を選択する。

従って、異なるチャンバから来る異なる波長のビームを光学素子２３に到達させることも可能である。
いずれの場合も、光学素子２３は、受け入れたビームを外部に向かって、従って、例えば、他の光学処理手段（リソグラフィーマスクなど）に向かって再び送り出すことができる。

リソグラフィーに使用できる光学系を示す。 本発明に係る放射波発生機の概要図である。 本発明の特定の態様において制御される電子密度分布を示す概要図である。 複数の放射波供給源を備えた本発明の特定の実施方法を示す。

符号の説明

１０、２０：放射波発生器、１１：レンズアセンブリ、１２：マスク、１３：基板、２１：チャンバ、２１１：放射波供給源、２１２：コントロール領域、２２２：ウインドウ、２１２１、２１２２：端子、Ａ：初期放射波放出中間線に対応する直線、Ｅ：エネルギーのインプット、Ｆ１，Ｆ２：焦点

Claims (30)

1. 下記を含む、所望波長範囲の放射波を所定の放出方向に発生させる方法であって、
   −その波長が該所望範囲を含んでいる初期放射波を放射波供給源により作り出し、
   −該初期放射波を、波長が該所望範囲外である初期放射波のビームを実質的に除去するように濾波する；
   該濾波が、初期放射波のビームをその波長に応じて選択的に偏向させて、所望波長のビームを回収するように、初期放射波が通過するコントロール領域にビームの屈折率の制御された分布を導入することにより行われることを特徴とする方法。
2. 前記ビームの屈折率の制御された分布が、前記コントロール領域内の電子密度分布を制御することにより得られることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記コントロール領域がプラズマ内に位置することを特徴とする、請求項２に記載の方法。
4. 前記コントロール領域を含む前記プラズマそれ自体が前記放射波供給源に付随するチャンバ内に収容されていることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
5. 電子密度の制御が、初期放射波の放出中間線上より、該初期放射波の放出中間線から離れた方がより大きな電子密度を得るように行われることを特徴とする、請求項３または４に記載の方法。
6. 前記初期放射波放出中間線が直線状の初期放射波のラインであり、前記初期放射波は、前記直線状初期放射波ラインの周囲にほぼ軸対称に前記放射波供給源により作り出されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
7. 前記電子密度分布を得るために、前記プラズマに前記初期放射波の放出中間線に沿ってエネルギーのインプットを印加することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
8. 前記エネルギーのインプットが、前記初期放射波の放出中間線に沿ったプラズマのイオン化により行われることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
9. 前記イオン化を行うために、下記操作を必要とすることを特徴とする、請求項８に記載の方法：
   ・プラズマを収容したチャンバの端子間の電圧の確保、これらの端子は前記初期放射波放出中間線により一般に規定される方向において離間している、
   ・前記初期放射波放出中間線へのエネルギービームの印加。
10. 所望波長のビームを回収するために、前記コントロール領域の下流側に所望波長範囲内のビームを選択的に通すための少なくとも１つのウインドウが存在することを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
11. 各ウインドウを、偏向した所望波長範囲内の前記ビームと前記初期放射波放出中間線との交差場所に対応する横座標位置で前記初期放射波放出中間線上に配置することを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
12. 前記所望波長範囲が［０〜１００ｎｍ］の波長範囲内に含まれることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
13. 前記所望波長範囲がＥＵＶスペクトルの範囲内に含まれることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
14. 下記を含む所望波長範囲の放射波を所定の放出方向に発生させる装置であって、
    −その波長が該所望範囲を含んでいる初期放射波の供給源、
    −その波長が該所望範囲外である初期放射波のビームを実質的に除去するように該初期放射波を濾波する手段；
    前記濾波手段が、初期放射波のビームをその波長に応じて選択的に偏向させて、所望波長のビームを回収するように、初期放射波が通過するコントロール領域にビームの屈折率の制御された分布を導入する手段を備えることを特徴とする装置。
15. 屈折率の制御された分布を導入する手段が、前記コントロール領域内の電子密度分布を制御するための手段を備えることを特徴とする、請求項１４に記載の装置。
16. 前記コントロール領域がプラズマ内に位置することを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
17. 前記コントロール領域を含む前記プラズマそれ自体が前記放射波供給源に付随するチャンバ内に収容されていることを特徴とする、請求項１６に記載の装置。
18. 電子密度分布の制御のための手段が、初期放射波の放出中間線上より、該初期放射波の放出中間線から離れた方がより大きな電子密度を達成することができることを特徴とする、請求項１６または１７に記載の装置。
19. 前記初期放射波放出中間線が直線状の初期放射波ラインであり、前記電子密度分布を制御するための手段は、前記直線状初期放射波ラインの周囲にほぼ軸対称な電子密度を達成することができることを特徴とする、請求項１８に記載の装置。
20. 前記電子密度分布を制御するための手段が、前記初期放射波放出中間線に沿って前記プラズマにエネルギーを注入するための手段を備えることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
21. 前記エネルギー注入手段が、前記初期放射波中間放出線に沿ったプラズマのイオン化のための手段を備えることを特徴とする、請求項２０に記載の装置。
22. 前記エネルギー注入手段が、下記のための手段を備えることを特徴とする、請求項２１に記載の装置：
    ・プラズマを収容したチャンバの端子間の電圧の確保、これらの端子は前記初期放射波放出中間線により一般に規定される方向において離間している、
    ・前記初期放射波放出中間線へのエネルギービームの印加。
23. 前記コントロール領域の下流側に、装置が、所望波長範囲内のビームを選択的に通すための少なくとも１つのウインドウを備えることを特徴とする、請求項１４〜２２のいずれかに記載の装置。
24. 各ウインドウが、偏向した所望波長範囲内の前記ビームと前記初期放射波放出中間線との交差場所に対応する横座標位置で前記初期放射波放出中間線上に配置されることを特徴とする、請求項２３に記載の装置。
25. 装置が、少なくとも一部のウインドウに付随して追加の多層濾波ミラーを備えることを特徴とする、請求項２３または２４に記載の装置。
26. 装置が、それぞれ初期放射波の供給源および付随する濾波手段を備えた複数のモジュール、ならびに濾波を受けた放射波を、それを装置の外側に再び向けるために集めるのに使用することができる光学手段を備えることを特徴とする、請求項２５に記載の装置。
27. 前記光学手段が前記放射波の濾波を仕上げることもできる多層ミラーであることを特徴とする、請求項２６に記載の装置。
28. 前記所望波長範囲が［０〜１００ｎｍ］の波長範囲内に含まれることを特徴とする、請求項１４〜２７のいずれかに記載の装置。
29. 前記所望波長範囲がＥＵＶスペクトルの範囲内に含まれることを特徴とする請求項２８に記載の装置。
30. 請求項１４〜２９のいずれかに記載の発生装置を備えたリソグラフィー装置。

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