RU2006116897A - Плазменный источник направленных лучей и применение его в микрофотолитографии - Google Patents
Плазменный источник направленных лучей и применение его в микрофотолитографииInfo
- Publication number
- RU2006116897A RU2006116897A RU2006116897/06A RU2006116897A RU2006116897A RU 2006116897 A RU2006116897 A RU 2006116897A RU 2006116897/06 A RU2006116897/06 A RU 2006116897/06A RU 2006116897 A RU2006116897 A RU 2006116897A RU 2006116897 A RU2006116897 A RU 2006116897A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radiation
- initial radiation
- emission
- rays
- center line
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Claims (30)
1. Способ генерации излучения в заданном направлении в требуемом диапазоне длин волн, включающий:
получение первоначального излучения с помощью источника излучения, длины волн которого включают требуемый диапазон;
фильтрацию первоначального излучения так, чтобы по существу устранить лучи первоначального излучения, длина волн которых находится за пределами требуемого диапазона,
отличающийся тем, что фильтрацию осуществляют путем обеспечения управляемого распределения показателя преломления лучей в области управления, через которую проходит первоначальное излучение, таким образом, чтобы выборочно отклонять лучи первоначального излучения в зависимости от их длины волны и отбирать лучи с заданной длиной волны.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что управляемое распределение показателя преломления лучей получают путем управления распределением плотности электронов в области управления.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что область управления находится в плазме.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что плазма, содержащая область управления, находится в камере, связанной с источником излучения.
5. Способ по п.3 или 4, отличающийся тем, что управление плотностью электронов осуществляют таким образом, чтобы на удалении от центральной линии испускания первоначального излучения получить более высокую плотность электронов, чем на указанной центральной линии испускания первоначального излучения.
6. Способ по п.5. отличающийся тем, что центральная линия испускания первоначального излучения является прямой первоначального излучения, а первоначальное излучение получают с помощью источника излучения с практически осесимметричным распределением вокруг указанной прямой первоначального излучения.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что для получения распределения плотности электронов в плазму вводят энергию вдоль центральной линии испускания первоначального излучения.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что ввод энергии осуществляют путем ионизации плазмы вдоль центральной линии испускания первоначального излучения.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что для осуществления ионизации выполняют следующие операции:
подают электрическое напряжение на электроды камеры, содержащей плазму, при этом электроды удалены друг от друга вдоль направления, определяемого центральной линией испускания первоначального излучения;
вводят энергетический пучок вдоль центральной линии испускания первоначального излучения.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что для отбора лучей с требуемой длиной волны на выходе области управления размещают по меньшей мере одно окно для выборочного пропускания лучей в требуемом диапазоне длин волн.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что каждое окно располагают на центральной линии испускания первоначального излучения с криволинейной абсциссой, соответствующей месту пересечения отклоненных лучей излучения в требуемом диапазоне длин волн, с центральной линией испускания первоначального излучения.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что требуемый диапазон длин волн находится в интервале 0-100 нм.
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что требуемый диапазон длин волн находится в области ВУФ.
14. Устройство для генерации излучения в требуемом диапазоне длин волн и заданном направлении, содержащее:
источник первоначального излучения, длины волн которого включают заданный диапазон,
средства фильтрации первоначального излучения для по существу устранения лучей первоначального излучения, длина волны которых находится за пределами требуемого диапазона,
отличающееся тем, что средства фильтрации содержат средства для обеспечения управляемого распределения показателя преломления лучей в области управления, через которую проходит первоначальное излучение, так чтобы выборочно отклонять лучи в зависимости от их длины волны и отбирать лучи с требуемой длиной волны.
15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что средства для обеспечения управляемого распределения показателя преломления лучей содержат средства для управления распределением плотности электронов в области управления.
16. Устройство по п.15, отличающееся тем, что область управления находится в плазме.
17. Устройство по п.16, отличающееся тем, что плазма, содержащая область управления, находится в камере, связанной с источником излучения.
18. Устройство по п.16 или 17, отличающееся тем, что средства для управления распределением плотности электронов выполнены с возможностью получения на удалении от центральной линии испускания первоначального излучения более высокой плотности, чем на центральной линии испускания первоначального излучения.
19. Устройство по п.18, отличающееся тем, что центральная линия испускания первоначального излучения является прямой первоначального излучения, а средства для управления распределением плотности электронов выполнены с возможностью создания плотности электронов, практически осесимметричной относительно прямой первоначального излучения.
20. Устройство по п.19, отличающееся тем, что средства для управления распределением плотности электронов содержат средства для ввода энергии в плазму вдоль центральной линии испускания первоначального излучения.
21. Устройство по п.20, отличающееся тем, что средства для ввода энергии содержат средства для ионизации плазмы вдоль центральной линии испускания первоначального излучения.
22. Устройство по п.21, отличающееся тем, что средства для ввода энергии содержат средства, предназначенные для:
подачи электрического напряжения на электроды камеры, содержащей плазму, при этом электроды удалены друг от друга вдоль направления, определяемого центральной линией испускания первоначального излучения;
ввода энергетического пучка вдоль центральной линии испускания первоначального излучения.
23. Устройство по п.14, отличающееся тем, что на выходе области управления устройство содержит по меньшей мере одно окно для выборочного пропускания лучей в требуемом диапазоне длин волн.
24. Устройство по п.23, отличающееся тем, что каждое окно расположено на центральной линии испускания первоначального излучения с криволинейной абсциссой, соответствующей месту пересечения отклоненных лучей, находящихся в требуемом диапазоне длин волн, с центральной линией испускания первоначального излучения.
25. Устройство по п.23 или 24, отличающееся тем, что содержит многослойное зеркало для дополнительной фильтрации, связанное по меньшей мере с некоторыми окнами.
26. Устройство по п.25, отличающееся тем, что содержит множество модулей, каждый из которых содержит источник первоначального излучения и средства фильтрации, а также устройство содержит оптическое средство, используемое для сбора излучения, прошедшего фильтрацию, и последующего направления его за пределы устройства.
27. Устройство по п.26, отличающееся тем, что оптическое средство представляет собой многослойное зеркало, выполненное с возможностью окончательной фильтрации собранного излучения.
28. Устройство по п.14, отличающееся тем, что требуемый диапазон длин волн находится в интервале 0-100 нм.
29. Устройство по п.28, отличающееся тем, что требуемый диапазон длин волн находится в области ВУФ.
30. Устройство для литографии, содержащее устройство для генерации излучения по одному из пп.14-29.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0312202A FR2861184B1 (fr) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | Procede de generation d'un rayonnement de longueurs d'onde desirees, et dispositif associe |
FR0312202 | 2003-10-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2006116897A true RU2006116897A (ru) | 2007-11-27 |
RU2368967C2 RU2368967C2 (ru) | 2009-09-27 |
Family
ID=34385275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2006116897/06A RU2368967C2 (ru) | 2003-10-17 | 2004-10-18 | Способ и устройство генерации излучения в требуемом диапазоне длин волн и устройство для литографии на их основе |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7964857B2 (ru) |
EP (1) | EP1673785B1 (ru) |
JP (1) | JP2007511869A (ru) |
KR (1) | KR20060128865A (ru) |
CN (1) | CN1868005B (ru) |
AT (1) | ATE362636T1 (ru) |
DE (1) | DE602004006525T2 (ru) |
FR (1) | FR2861184B1 (ru) |
RU (1) | RU2368967C2 (ru) |
TW (1) | TW200527978A (ru) |
WO (1) | WO2005038822A2 (ru) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100183984A1 (en) * | 2008-02-19 | 2010-07-22 | Nano Uv | Multiplexing of pulsed sources |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4219705A (en) * | 1978-04-05 | 1980-08-26 | Hill Alan E | Sound production using large volume plasmas |
JPS63293443A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | プラズマ分布モニタ方法 |
JP2801433B2 (ja) * | 1991-07-19 | 1998-09-21 | シャープ株式会社 | 光変調素子およびそれを用いるカラー電子装置 |
DE69226998T2 (de) * | 1991-07-19 | 1999-04-15 | Sharp Kk | Optisches Modulationselement und Vorrichtungen mit einem solchen Element |
JPH06243990A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-09-02 | Hitachi Ltd | インピーダンス整合方法及びその装置 |
CN1069136C (zh) * | 1996-02-17 | 2001-08-01 | 北京师范大学 | 整体x光透镜及其制造方法及使用整体x光透镜的设备 |
JP3878745B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2007-02-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体製造条件設定方法、、半導体製造条件設定装置、この装置を用いた半導体製造装置、及び条件設定方法 |
JP2000252097A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-14 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマ計測装置および計測方法 |
AU2001257587A1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-15 | University Of Alabama Research Foundation | Optical assembly for increasing the intensity of a formed x-ray beam |
JP2002006096A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Nikon Corp | 電磁波発生装置、これを用いた半導体製造装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP2002038274A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20060058712A1 (en) * | 2000-12-28 | 2006-03-16 | Palomar Medical Technologies, Inc. | Methods and products for producing lattices of EMR-treated islets in tissues, and uses therefor |
US6998620B2 (en) * | 2001-08-13 | 2006-02-14 | Lambda Physik Ag | Stable energy detector for extreme ultraviolet radiation detection |
JP3633904B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2005-03-30 | 川崎重工業株式会社 | X線発生方法およびx線発生装置 |
CN1189725C (zh) * | 2003-07-11 | 2005-02-16 | 天津大学 | 激光振动检测方法及其实施装置 |
US7555102B1 (en) * | 2006-04-05 | 2009-06-30 | Nathalie Renard-Le Galloudec | Systems and methods for imaging using radiation from laser produced plasmas |
US20100183984A1 (en) * | 2008-02-19 | 2010-07-22 | Nano Uv | Multiplexing of pulsed sources |
DE102008049494A1 (de) * | 2008-09-27 | 2010-04-08 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Anordnung zum Betreiben von plasmabasierten kurzwelligen Strahlungsquellen |
-
2003
- 2003-10-17 FR FR0312202A patent/FR2861184B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-18 CN CN2004800304637A patent/CN1868005B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-18 WO PCT/FR2004/002656 patent/WO2005038822A2/fr active IP Right Grant
- 2004-10-18 US US10/576,105 patent/US7964857B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-18 TW TW093131575A patent/TW200527978A/zh unknown
- 2004-10-18 DE DE602004006525T patent/DE602004006525T2/de active Active
- 2004-10-18 JP JP2006534802A patent/JP2007511869A/ja not_active Ceased
- 2004-10-18 EP EP04817228A patent/EP1673785B1/fr not_active Not-in-force
- 2004-10-18 RU RU2006116897/06A patent/RU2368967C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2004-10-18 AT AT04817228T patent/ATE362636T1/de active
- 2004-10-18 KR KR1020067007406A patent/KR20060128865A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1868005A (zh) | 2006-11-22 |
JP2007511869A (ja) | 2007-05-10 |
WO2005038822A2 (fr) | 2005-04-28 |
FR2861184B1 (fr) | 2006-01-13 |
DE602004006525T2 (de) | 2008-02-14 |
RU2368967C2 (ru) | 2009-09-27 |
US7964857B2 (en) | 2011-06-21 |
FR2861184A1 (fr) | 2005-04-22 |
ATE362636T1 (de) | 2007-06-15 |
WO2005038822A3 (fr) | 2005-12-08 |
EP1673785A2 (fr) | 2006-06-28 |
CN1868005B (zh) | 2010-07-28 |
KR20060128865A (ko) | 2006-12-14 |
US20110068282A1 (en) | 2011-03-24 |
DE602004006525D1 (de) | 2007-06-28 |
TW200527978A (en) | 2005-08-16 |
EP1673785B1 (fr) | 2007-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8462824B2 (en) | Phase-matched generation of coherent soft and hard X-rays using IR lasers | |
DE102006043776A1 (de) | Filtersystem für eine Lichtquelle | |
US4009391A (en) | Suppression of unwanted lasing in laser isotope separation | |
DE60102597T2 (de) | Laser mit hoher spitzenleistung und dessen anwendung zur erzeugung von licht im extrem-uv-bereich | |
RU2006116897A (ru) | Плазменный источник направленных лучей и применение его в микрофотолитографии | |
CN108054623A (zh) | 一种使用“飞行聚焦”产生太赫兹波的系统和方法 | |
TW201721295A (zh) | 用於雷射維持之電漿照明之系統及方法 | |
WO2020160929A1 (en) | Radiation system | |
CN113661446A (zh) | Euv辐射源和相关方法 | |
KR940701526A (ko) | 광 집속된 고파워 의학용 장치 | |
CN107497056B (zh) | 提高能量密度或输出功率的光学治疗装置 | |
JPH0425698B2 (ru) | ||
Boutu et al. | Overview on HHG high-flux sources | |
DE4423302C1 (de) | Vorrichtung zur Einkopplung von Strahlungsenergie in einen Photoreaktor | |
Turnbull et al. | Advanced Photon Acceleration Schemes for Tunable XUV/Soft X-Ray Sources | |
JP2011204882A (ja) | 真空紫外光発生装置 | |
JPH0668984A (ja) | タンデム型静電加速器 | |
Aktan | Laser pump-probe experimental studies in the relativistic regime | |
GB2066556A (en) | Laser directional guidance beam transmitter apparatus | |
Follath et al. | The Athos Soft X-Ray Beamlines at SwissFEL | |
Hort et al. | Parametric Generation of Coherent XUV Light | |
KR20240021729A (ko) | 적외선 포토마스크 기반 극자외선 노광 장치 및 방법 | |
CN115276825A (zh) | 近场调控等离子体太赫兹源的方法及装置 | |
SU945754A1 (ru) | Способ испытани материалов на светопрочность | |
DE10132823A1 (de) | Verwendung einer Lichtquelle zur Behandlung einer Hautkrankheit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20111019 |