CN113661446A - Euv辐射源和相关方法 - Google Patents

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Abstract

一种激光产生等离子体类型的EUV辐射源包括：被配置为产生燃料微滴的燃料发射器；以及被配置为利用辐射照射燃料微滴以在等离子体形成区域处将燃料微滴转换为等离子体的激光系统；其中激光系统包括：被配置为产生第一波长的辐射的激光器；以及非线性介质，非线性介质被配置为接收第一波长的辐射，在辐射转换区域处使用非线性光学过程来产生第二波长的辐射，并且将第二波长的辐射传输到等离子体形成区域；其中第二波长长于第一波长。

Description

EUV辐射源和相关方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年1月15日提交的EP申请19151860.4和于2019年3月22日提交的EP申请19164608.2的优先权。这两个申请均通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明涉及激光产生等离子体类型的极紫外辐射源和相关方法。极紫外辐射源可以形成光刻系统的部分。
背景技术
光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。例如，光刻设备可以将图案化装置(例如，掩模)处的图案投射到在衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
为了在衬底上投射图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与常规光刻设备(可以使用例如波长为193nm的辐射)相比，使用波长在4至20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。
一种已知类型的EUV辐射源将激光辐射引导到燃料微滴上。这将燃料微滴转换为发射EUV辐射的等离子体。这种类型的辐射源可以称为激光产生等离子体(LPP)源。已知LPP源具有较差转换效率。也就是说，它们输出的EUV辐射功率是入射到燃料微滴上的激光辐射的功率的一小部分。
可能需要提供一种具有比常规LPP辐射源更好的效率或者克服了与常规LPP辐射源相关联的一些其他缺点的EUV辐射源。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种激光产生等离子体(LPP)类型的EUV辐射源，该EUV辐射源包括：被配置为产生燃料微滴的燃料发射器；以及被配置为利用辐射照射燃料微滴以在等离子体形成区域处将燃料微滴转换为等离子体的激光系统；其中激光系统包括：被配置为产生第一波长的辐射的激光器；以及非线性介质，该非线性介质被配置为接收第一波长的辐射，在辐射转换区域处使用非线性光学过程来产生第二波长的辐射，并且将第二波长的辐射传输到等离子体形成区域；其中第二波长长于第一波长。
常规LPP辐射源具有低转换效率。转换效率部分取决于用于照射燃料微滴的激光辐射的波长。与常规光源相比，第二波长的辐射的产生允许使用不同波长来照射燃料微滴。第二波长可以被选择以提高EUV辐射源的转换效率。
第二波长可以具有附加好处。例如，来自常规激光源的辐射可能会被燃料微滴反射。反射的辐射可能会损坏激光系统和其他设备。第二波长可以被选择以使来自燃料微滴的反射最小化。减少的反射有利于减少损坏风险。减少的反射也是有利的，因为它减少了反射损失的光功率量，进一步提高了EUV辐射源的转换效率。
与激光系统相关联的激光器可以包括基于YAG的激光器，例如Nd:YAG或Yb:YAG激光器。基于YAG的激光器优于例如CO2激光器的常规激光器，因为它们具有高转换效率，比CO2激光器高约5倍。也就是说，当利用电功率供电时，它们将更大比例的电功率转换为光功率。基于YAG的激光器也具有优势，因为它们具有比例如CO2激光器的常规激光器更小的覆盖区。也就是说，它们比其他常规激光系统占用更少的地面空间，这有利于空间和/或运输和/或成本。基于YAG的激光器也是有益的，因为它们可以以高重复频率(在10至100kHz范围内，例如50kHz)提供高能量脉冲(在0.1至10J/脉冲的范围内，例如，在1J/脉冲以上)。基于YAG的激光器可以发射约1.0微米的辐射。例如，Nd:YAG激光器可以发射约1.06微米，Yb:YAG激光器可以发射约1.03微米。替代地，掺钬YAG(Ho:YAG)激光器可以发射约2.10微米，掺铥YAG(Tm:YAG)激光器可以发射约2.00微米。然而，Nd:YAG和Yb:YAG激光器可以具有优势，因为它们提供比Ho:YAG和Tm:YAG激光器更高的功率。
激光系统可以产生具有在1.4至12微米范围内的第二波长的辐射。例如，Nd:YAG激光与气态甲烷非线性介质相结合将产生约1.54微米的辐射。替代地，Yb:YAG激光器与气态甲烷非线性介质相结合将产生约1.47微米的辐射。替代地，Ho:YAG与气态甲烷非线性介质相结合将产生约5.41微米的辐射。替代地，Tm:YAG激光器与气态甲烷非线性介质相结合将产生约11.85微米的辐射。
激光系统可以产生具有在1.4至2.4微米范围内的第二波长的辐射。
激光系统可以产生具有在1.9至2.4微米范围内的第二波长的辐射。例如，Nd:YAG激光器与包括KTP晶体的光参量振荡器相结合可以产生在1.9至2.4微米范围内可调谐的辐射。
激光系统可以产生具有在1.4至2微米范围内的第二波长的辐射。例如，Yb:YAG激光器与气态氢非线性介质相结合将产生约1.80微米的辐射。替代地，Nd:YAG激光器与气态氢非线性介质相结合将产生约1.91微米的辐射。在这些实施例中Nd:YAG或Yb:YAG激光器的使用允许以高功率产生有利的第二波长。
在另一实施例中，激光系统可以产生具有约1.91微米的第二波长的辐射。该波长有利于提高转换效率并且可以以高功率被提供。
燃料微滴可以仅被第二波长的辐射照射。替代地，可以使用第一波长的辐射和第二波长的辐射两者来照射燃料微滴。使用第一波长的辐射和第二波长的辐射两者可以是有利的，因为它利用所有可用辐射来照射燃料微滴。也就是说，没有光功率被不必要地浪费或从系统中去除。
非线性介质可以包括拉曼(拉曼)活性材料。非线性光学过程可以是受激拉曼散射(SRS)。SRS将第一波长的入射辐射转换为更长的第二波长的辐射。SRS能够提供更长的第二波长的辐射。
非线性介质可以包括气体，例如氢气或甲烷。气体可以在高于大气压的压力下(例如，在3至10巴的范围内)被加压。
对于EUV光刻，EUV脉冲的高重复频率是有利的，因为可以在更短时间内将更多能量赋予衬底，从而实现更高的生产量。因此，提供能够维持高重复频率(在10至100kHz范围内，例如50kHz)的EUV辐射源是有益的。脉冲激光通常用于EUV辐射的LPP生成。与EUV源中的激光辐射脉冲相关联的高强度可以在辐射转换区域中导致电离。
在本发明的一个实施例中，提供了一种气体流动系统。气体流动系统可以被配置为将辐射转换区域中的被电离的气体替换为未被电离的气体。
气体流动系统可以包括气体流动路径和用于使气体在气体流动路径周围循环的泵。该循环将被电离的气体驱离辐射转换区域并且将未被电离的气体驱入辐射转换区域。
激光系统还可以包括光参量振荡器(OPO)。OPO可以包括非线性介质。非线性介质可以包括非线性晶体。例如，非线性介质可以包括以下之一：砷酸氧钛钾(KTA)、磷酸氧钛钾(KTP)、硼酸钡(BBO)或铌酸锂(LN)、周期性极化KTP(PPKPT)、周期性极化LN(PPLN)、铷掺杂KTP(RKTP)或周期性极化铷掺杂KTP(PPRKTP)。非线性晶体的使用可以实现高功率可扩展性，因为它们可以被有效地冷却。因此，非线性晶体可以用于以高脉冲重复频率实现转换。OPO还可以包括光学腔。非线性光学过程可以是二阶非线性光学相互作用。OPO可以将第一波长的输入辐射转换为更长的第二波长的输出辐射。OPO能够提供更长的第二波长的辐射。输出辐射波长可以是可调谐的。例如，Nd:YAG激光器与包括KTP晶体的OPO相结合可以产生具有在1.9至2.4微米范围内可调谐的第二波长的输出辐射。在1.9至2.4微米范围内的第二波长可以有益于经由LPP的EUV辐射的有效产生。
OPO还可以在辐射转换区域处产生第三波长的辐射。第三波长可以具有与第二波长相同的波长，例如与包括KTP晶体的OPO相结合使用Nd:YAG激光器可以被调谐以产生均约2.1微米的第二波长的辐射和第三波长的辐射两者。替代地，第二波长和第三波长可以具有不同值。
燃料微滴也可以被第三波长的辐射照射。除了第一波长和第二波长的辐射之外，使用第三波长的辐射也可以是有利的，因为它利用所有可用辐射来照射燃料微滴。也就是说，没有光功率被不必要地浪费或从系统中去除。
EUV辐射源还可以包括用于放大第二波长的辐射或第三波长的辐射中的至少一项的光参量放大器。光参量放大器可以被配置为使用泵浦辐射来放大第二波长和/或第三波长的辐射。泵浦辐射可以由被配置为产生第一波长的辐射的激光器提供，即，泵浦辐射可以具有与第一波长相同的波长。泵浦辐射可以由单独的源提供，即，激光系统可以包括第二激光器。泵浦辐射可以具有不同于第一波长的第四波长。燃料微滴也可以被第四波长的辐射照射。除了第一波长和/或第二波长和/或第三波长的辐射之外，使用第四波长的辐射也可以是有利的，因为它利用所有可用辐射来照射燃料微滴。也就是说，没有光功率被不必要地浪费或从系统中去除。
EUV辐射源还可以包括在辐射转换区域之后的延迟级。延迟级可以被配置为延迟在等离子体形成区域处的辐射的至少部分的到达。第一波长和/或第二波长和/或第三波长和/或第四波长的辐射可以通过延迟级。延迟级可以被配置为增加到达等离子体形成区域的辐射的时间脉冲长度。例如，通过相对于第二波长的辐射延迟第三波长的辐射的到达，可以增加到达等离子体形成区域的辐射的时间脉冲长度。时间脉冲长度是辐射脉冲的持续时间的量度。较长的时间脉冲长度可以有利于等离子体形成区域的EUV转换效率。
到达等离子体形成区域的第一波长和/或第二波长和/或第三波长和/或第四波长的辐射可以用作主脉冲，即，用于EUV辐射形成的单脉冲。替代地，到达等离子体形成区域的第一波长和/或第二波长和/或第三波长和/或第四波长的辐射可以与附加辐射脉冲(例如，预脉冲)相结合用作主脉冲以在主脉冲到达之前使燃料微滴变形。预脉冲可以优化燃料微滴的形状以更有效地产生EUV。
在本发明的第二方面，提供了一种光刻系统，该光刻系统包括根据第一方面的EUV辐射源。
在本发明的第三方面，提供了一种生成EUV辐射的方法，该方法包括：提供被配置为产生第一波长的辐射的激光器；提供非线性介质；将第一波长的辐射引导到非线性介质，使得在辐射转换区域处经由非线性光学过程产生第二波长的辐射，其中第二波长长于第一波长；在等离子体形成区域处提供燃料微滴；将第二波长的辐射引导到等离子体形成区域；以及利用第二波长的辐射来照射等离子体形成区域中的燃料微滴，以将燃料微滴转换为等离子体。
该方法还可以包括利用基于YAG的激光器(例如，Nd:YAG或Yb:YAG激光器)来提供第一波长的辐射。
该方法还可以包括产生第二波长的辐射，其中第二波长在1.4至12微米的范围内。例如，将Nd:YAG激光与气态甲烷非线性介质相结合使用产生约1.54微米的辐射。替代地，Yb:YAG激光器与气态甲烷非线性介质相结合将产生约1.47微米的辐射。替代地，将Ho:YAG与气态甲烷非线性介质相结合使用产生约5.41微米的辐射。替代地，将Tm:YAG激光与气态甲烷非线性介质相结合使用产生约11.85微米的辐射。
该方法还可以包括产生具有在1.4至2.4微米范围内的第二波长的辐射。
该方法还可以包括产生具有在1.9至2.4微米范围内的第二波长的辐射。例如，Nd:YAG激光器与包括KTP晶体的光参量振荡器相结合可以产生在1.9至2.4微米范围内可调谐的辐射。
该方法还可以包括产生第二波长的辐射，其中第二波长在1.4至2微米的范围内。例如，将Yb:YAG激光器与气态氢非线性介质相结合使用会产生约1.80微米的辐射。替代地，将Nd:YAG激光与气态氢非线性介质相结合使用会产生约1.91微米的辐射。在这些实施例中使用Nd:YAG或Yb:YAG激光器的方法允许以高功率产生有利的第二波长。
在另一实施例中，该方法产生具有约1.9微米的第二波长的辐射。这以高功率提供了有利的第二波长。
该方法可以包括仅通过第二波长的辐射来照射燃料微滴。替代地，该方法可以包括通过第一波长的辐射和第二波长的辐射两者来照射燃料微滴。使用第一波长的辐射和第二波长的辐射两者可以是有利的，因为它利用所有可用辐射来照射燃料微滴。也就是说，没有光功率被不必要地浪费或从系统中去除。
该方法还可以包括提供非线性介质，该非线性介质是拉曼活性的。该方法还可以包括使用SRS来产生第二波长的辐射。
该方法还可以包括提供气态的非线性介质，例如氢气或甲烷。该方法还可以包括将气体加压到大气压以上。
在本发明的一个实施例中，该方法还包括通过提供气体流动的装置来将辐射转换区域中的被电离的气体替换为未被电离的气体。
该方法还可以包括使用泵来提供气体流动。该方法还可以包括驱动气体流动围绕气体流动路径流动。
该方法还可以包括跨辐射转换区域提供层流的气体流动。提供层流的气体流动是有利的，因为它避免了气体中的折射率变化。折射率变化可能会对辐射通过气体的传播产生不利影响。例如，通过将气体流动路径成形为锥形，或者通过调节气体流动速度使得气体流动被限制为保持低于发生湍流流动的速度，层流的流动可以被提供。
该方法还可以包括提供光参量振荡器(OPO)。OPO可以包括非线性介质。非线性介质可以是非线性晶体。例如，非线性介质可以包括以下之一：砷酸氧钛钾(KTA)、磷酸氧钛钾(KTP)、硼酸钡(BBO)或铌酸锂(LN)、周期性极化KTP(PPKPT)、周期性极化LN(PPLN)、铷掺杂KTP(RKTP)或周期性极化铷掺杂KTP(PPRKTP)。OPO还可以包括光学腔。该方法还可以包括使用二阶非线性光学相互作用作为非线性过程。使用OPO，第一波长的输入辐射可以被转换为更长的第二波长的输出辐射。输出辐射波长可以是可调谐的。例如，Nd:YAG激光器与KTP晶体相结合可以产生第二波长在1.9至2.4微米范围内可调谐的输出辐射。
该方法还可以包括使用OPO在辐射转换区域处产生第三波长的辐射。第三波长可以是与第二波长相同的波长，例如使用Nd:YAG激光器与KTP晶体相结合可以被调谐以产生均约2.1微米的第二波长的辐射和第三波长的辐射两者。替代地，第二波长和第三波长可以具有不同值。
该方法还可以包括通过第三波长的辐射来照射燃料微滴。除了第一波长和/或第二波长的辐射之外，使用第三波长的辐射也可以是有利的，因为它利用所有可用辐射来照射燃料微滴。也就是说，没有光功率被不必要地浪费或从系统中去除。
该方法还可以包括使用光参量放大器(OPA)来放大第二波长的辐射或第三波长的辐射中的至少一项。该方法还可以包括使用泵浦辐射来驱动辐射的放大。泵浦辐射可以由被配置为产生第一波长的辐射的激光器提供，即，泵浦辐射可以具有与第一波长相同的波长。泵浦辐射可以由单独的源提供，即，激光系统可以包括第二激光器。泵浦辐射可以具有不同于第一波长的第四波长。该方法还可以包括通过第四波长的辐射来照射燃料微滴。除了第一波长和/或第二波长和/或第三波长的辐射之外，使用第四波长的辐射也可以是有利的，因为它利用所有可用辐射来照射燃料微滴。也就是说，没有光功率被不必要地浪费或从系统中去除。
该方法还可以包括使第一波长的辐射、第二波长的辐射或第三波长的辐射中的至少一项通过在辐射转换区域之后的延迟级。延迟级可以被配置为延迟在等离子体形成区域处的辐射的至少部分的到达。延迟级可以被配置为增加到达等离子体形成区域的辐射的时间脉冲长度。例如，通过相对于第二波长的辐射延迟第三波长的辐射的到达，可以增加到达等离子体形成区域的辐射的时间脉冲长度。时间脉冲长度是辐射脉冲的持续时间的量度。更长的时间脉冲长度可以有利于等离子体形成区域的EUV转换效率。
该方法还可以包括使用第一波长和/或第二波长和/或第三波长和/或第四波长的辐射作为主脉冲，即，用于等离子体形成区域处的EUV辐射形成的单脉冲。替代地，该方法还可以包括将第一波长和/或第二波长和/或第三波长和/或第四波长的辐射与附加辐射脉冲(例如，预脉冲)相结合用作主脉冲以在主脉冲到达之前使燃料微滴变形。预脉冲可以优化燃料微滴的形状以更有效地产生EUV。
在本发明的另一方面，提供了一种方法，其中该方法包括使用根据上述任何方法产生的EUV辐射来执行EUV光刻。
应当理解，在适当的情况下，本发明的上述方面的任何特征可以与本发明的一个或多个其他特征组合。
附图说明
现在将参考所附示意图仅通过示例的方式描述本发明的实施例，在附图中：
-图1描绘了包括光刻设备和辐射源的光刻系统，该辐射源包括根据本发明的实施例的激光系统；
-图2描绘了根据本发明的第一示例实现的激光系统；
-图3是拉曼散射的示意图；
-图4描绘了用于提高第二波长的辐射的产生的效率的气体流动系统；
-图5更详细地示出了图4的气体流动系统的部分；
-图6描绘了根据本发明的第二示例实现的激光系统；以及
-图6描绘了根据本发明的第三示例实现的激光系统。
具体实施方式
图1示出了包括根据本发明的实施例的辐射源SO和光刻设备LA的光刻系统。辐射源SO被配置为生成极紫外(EUV)辐射束B。光刻设备LA包括照射系统IL、被配置为支撑图案化装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投射系统PS和被配置为支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置为在辐射束B入射到图案化装置MA上之前对辐射束B进行调节。投射系统被配置为将辐射束B'(现在由掩模MA图案化)投射到衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将图案化辐射束B'与先前形成在衬底W上的图案对准。
根据本发明的一个实施例的辐射源SO(如图1中示意性描绘的)是可以称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。辐射源SO包括提供至少一个激光束2的至少一个激光系统1。至少一个光束入射在由燃料发射器3提供的诸如锡(Sn)的燃料上。虽然以下描述中提及锡，但是可以使用任何合适的燃料。燃料例如可以是液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括被配置为沿着朝向等离子体形成区域4的轨迹例如以微滴形式引导锡的喷嘴。
激光束2在等离子体形成区域4处入射到锡上。激光能量到锡中的沉积在等离子体形成区域4处产生锡等离子体7。辐射(包括EUV辐射)在电子与等离子体离子的去激发和复合过程中从等离子体7被发射。
从等离子体发射的EUV辐射将具有光谱分布。例如，包括EUV辐射束B的EUV光子可以具有能量范围。该能量范围可能受到来自激光源1的至少一个激光束2的特性的影响。根据用户的需要来优化所发射的EUV辐射的光谱分布是有益的。因此，优化来自激光源1的至少一个激光束2的特性是有益的。例如，小的能量范围(也称为窄光谱分布)在EUV光刻中可以是合乎需要的。这是因为，13.5nm之外的波长的辐射对EUV光刻无效，因此表示能量损失。13.5nm之外的波长的辐射可以从辐射束B中被去除。13.5nm之外的波长的发射也可以称为“带外”发射。可能需要减少带外发射，尤其是提高LPP过程的转换效率。
例如CO2激光器的常规激光源产生波长约为10微米的辐射。该波长的辐射不会深入到等离子体中，因此会产生小范围的EUV光子能量，也称为窄光谱分布。然而，该波长的辐射会受到燃料微滴的反射。例如，当使用锡滴时，约30％的辐射可能被反射。反射辐射表示来自激光束2的能量没有被燃料微滴完全吸收，因此没有被完全转换为EUV辐射。反射辐射表示输入功率的损失并且因此表示降低的转换效率。由于高能辐射被引导回激光系统1或其他设备，反射也可能损坏设备。期望减少激光辐射离开燃料微滴的反射。
波长约为1微米的辐射受到来自普通燃料微滴的反射可忽略不计。例如，当使用锡滴时，约0％的辐射被反射。然而，1微米辐射比10微米辐射更深地渗透到燃料等离子体中。由于等离子体内的密度和因此更大的光学深度，更深的渗透可能导致大范围的EUV能量。具有窄光谱分布的13.5nm的EUV辐射是合乎需要的，例如波长在13.5nm的1％以内的辐射。其他能量的辐射(也称为“带外”辐射)不用于后续EUV光刻工艺，并且表示输出功率的损失。带外辐射导致转换效率降低。希望减少带外辐射。
1微米和10微米之外的中间波长在反射率与带外辐射之间形成有利的折衷。本发明允许产生用于EUV辐射源的中间波长。
根据本发明的辐射源SO包括激光系统1，该激光系统1包括激光器30和非线性介质32。激光器30被配置为发射第一波长的辐射26并且将其传输到非线性介质32。非线性介质32被配置为接收第一波长的辐射26并且将其转换为第二波长的辐射28，其中第二波长长于第一波长。激光器30是脉冲激光器。
激光器30可以包括基于钇铝石榴石(YAG)的激光器。YAG是一种当掺入其他材料时可以用作固态激光器的激光介质的晶体材料。这些掺杂材料包括但不限于钕和镱。使用包括YAG的激光介质的固态激光器可以称为基于YAG的激光器。基于YAG的激光器可以以高重复频率(约50kHz或更高)提供高能量脉冲(1J/脉冲以上)。基于YAG的激光器比CO2激光器具有优势，因为它们具有高转换效率，从而将更大比例的电功率转换为光功率。基于YAG的激光器也具有优势，因为它们比CO2激光器具有更小的覆盖区，占用更少的地面空间，这可以有利于空间和/或运输和/或成本。
激光器30可以包括掺钕YAG(Nd:YAG)激光器或掺镱YAG(Yb:YAG)激光器。基于YAG的激光器可以发射约1.0微米的波长。例如，Nd:YAG激光器以约1.06微米的波长发射，Yb:YAG激光器以约1.03微米的波长发射。但是，可以使用具有不同发射波长的一系列YAG激光器。例如，掺钬YAG(Ho:YAG)和掺铥YAG(Tm:YAG)分别以2.10微米和2.00微米发射。然而，Yb:YAG和Nd:YAG激光器往往比Ho:YAG和Tm:YAG激光器提供更大功率，因此可以更有利。
第一波长的辐射26由激光器30发射并且由非线性介质32接收。非线性介质32中的辐射经由非线性过程被转换为第二波长的辐射28。非线性过程可以是受激拉曼散射。这将在下面并且参考图3更详细地描述。
辐射然后离开非线性介质32并且包括激光束2。激光束2被引导到等离子体形成区域4以形成EUV辐射。
非线性过程可以将所有第一波长的辐射26转换为第二波长的辐射28。在这种情况下，激光束2由第二波长的辐射28组成。非线性过程可以将第一波长的辐射26的仅部分转换为第二波长的辐射28。在这种情况下，入射到等离子体形成区域4的激光束2可以包括第一波长的辐射26和第二波长的辐射。替代地，第一波长的辐射26可以被去除，例如使用滤光器或二向色镜，使得当激光束2入射在等离子体形成区域4时第一波长的辐射26不存在。
由等离子体发射的EUV辐射由收集器5收集和聚焦。收集器5包括例如近垂直入射辐射收集器5(有时更一般地称为垂直入射辐射收集器)。收集器5可以具有被布置为反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm的期望波长的EUV辐射)的多层反射镜结构。收集器5可以具有椭圆体配置，具有两个焦点。如下所述，焦点中的第一焦点可以在等离子体形成区域4处，并且焦点中的第二焦点可以在中间焦点6处。
由收集器5反射的辐射形成EUV辐射束B。EUV辐射束B在中间焦点6处聚焦以在等离子体形成区域4处存在的等离子体的中间焦点6处形成图像。中间焦点6处的图像充当照射系统IL的虚拟辐射源。辐射源SO被布置为使得中间焦点6位于辐射源SO的封闭结构9中的开口8处或附近。辐射源SO的封闭结构9包含等离子体形成区域4、燃料发射器3和收集器5。
激光系统1可以与辐射源SO的封闭结构9在空间上分开。在这种情况下，激光束2可以在光束传输系统(未示出)和/或其他光学器件的帮助下从激光系统1传输到封闭结构9，该光束传输系统包括例如合适的定向镜和/或扩束器。
辐射束B从辐射源SO进入照射系统IL，该照射系统IL被配置为调节辐射束。照射系统IL可以包括琢面场镜装置10和琢面光瞳镜装置11。琢面场镜装置10和琢面光瞳镜装置11一起提供具有期望横截面形状和期望角强度分布的辐射束B。辐射束B从照射系统IL穿过并且入射到由支撑结构MT保持的图案化装置MA上。图案化装置MA反射并且图案化辐射束B。除了或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，照射系统IL可以包括其他反射镜或装置。
在从图案化装置MA反射之后，图案化辐射束B进入投射系统PS。投射系统包括被配置为将辐射束B投射到由衬底台WT保持的衬底W上的多个反射镜13、14。投射系统PS可以对辐射束应用缩减因子，以形成具有比图案化装置MA上的对应特征更小的特征的图像。例如可以应用4的缩减因子。尽管在图1中投射系统PS具有两个反射镜13、14，但是投射系统可以包括任何数目的反射镜(例如，六个反射镜)。
辐射源SO、照射系统IL和投射系统PS都可以被构造和布置为使得它们可以与外部环境隔离。可以在辐射源SO的封闭结构9中提供压力低于大气压的气体(例如，氢气)。可以在照射系统IL和/或投射系统PS中提供真空。可以在照射系统IL和/或投射系统PS中提供压力远低于大气压力的少量气体(例如，氢气)。
图1所示的辐射源SO可以包括未示出的组件。例如，可以在辐射源中提供光谱滤波器。光谱滤波器对于EUV辐射可以基本是透射的，但是对于诸如红外辐射的其他辐射波长基本是阻挡的。
图2描绘了根据本发明的激光系统1的部分。激光系统1包括被配置为发射第一波长的辐射26的激光器30和辐射可以传播通过的非线性介质32。
非线性介质具有光学特性，例如介电极化，该光学特性以非线性方式响应于电磁辐射。也就是说，非线性介质对电磁辐射的响应方式不同于常规介质(例如，透射介质)。响应于电磁辐射，非线性材料中可以发生非线性过程，这会导致辐射特性(诸如波长、偏振或行进方向)发生变化。本发明利用非线性介质中的波长变化从第一波长的辐射26产生第二波长的辐射28。
第一波长的辐射26由激光器30提供。第一波长的辐射26在辐射转换区域44处与非线性介质32相互作用，以经由非线性过程产生第二波长的辐射28。第二波长长于第一波长。非线性过程能够产生1和10微米之外的波长，例如在1.4至12微米之间的中间波长。
在所描绘的实施例中，非线性介质32是容纳在壳体50内的气体。除了容纳，壳体50还可以具有其他益处，例如保护非线性介质32免受污染。
在另一实施例中，激光器30是Nd:YAG激光器。在该实施例中，非线性过程是受激拉曼散射(SRS)并且非线性介质32是氢气。在该实施例中，辐射转换区域44内的SRS将第一波长的辐射26转换为第二波长的辐射28，其中第二波长约为1.91微米。
在该实施例中，氢气在3至10巴的范围内被加压。很多非线性光学过程取决于气压。因此，高于大气压的气压可以提高辐射转换效率。气压还可以增加非线性介质中的增益。气压还可以改善辐射的相位匹配。申请人发现，1至20巴的范围是合适的，但也可以使用其他气压。替代地，气压可以在3至10巴的范围内。包括气态非线性介质的其他实施例也可以使用高于大气压的气压。
在不同实施例中，激光器30是Yb:YAG激光器。在该实施例中，非线性过程为SRS，并且非线性介质32为氢气。在这种情况下，辐射转换区域44内的SRS将第一波长的辐射26转换为第二波长的辐射28，其中第二波长约为1.80微米。
在不同实施例中，激光器是Nd:YAG激光器。在该实施例中，非线性过程为SRS，并且非线性介质32为甲烷气体。在这种情况下，辐射转换区域44内的SRS将第一波长的辐射26转换为第二波长的辐射28，其中第二波长约为1.54微米。
在不同实施例中，激光器30是Yb:YAG激光器。在该实施例中，非线性过程为SRS，并且非线性介质32为甲烷气体。在这种情况下，辐射转换区域44内的SRS将第一波长的辐射26转换为第二波长的辐射28，其中第二波长约为1.47微米。
在不同实施例中，激光器是Ho:YAG激光器。在该实施例中，非线性过程为SRS，并且非线性介质32为甲烷气体。在这种情况下，辐射转换区域44内的SRS将第一波长的辐射26转换为第二波长的辐射28，其中第二波长约为5.41微米。约5.41微米的辐射可以为照射双微滴提供有益波长。然而，Ho:YAG激光器实施例可能不如使用Nd:YAG或Yb:YAG激光器的上述实施例有利，因为Nd:YAG和Yb:YAG激光器提供比Ho:YAG激光器更大的功率。
在不同实施例中，激光器是Tm:YAG激光器。在该实施例中，非线性过程为SRS，并且非线性介质32为氢气。在这种情况下，辐射转换区域44内的SRS将第一波长的辐射26转换为第二波长的辐射28，其中第二波长约为11.85微米。在该实施例中，在双脉冲方案中利用第一波长的辐射26和第二波长的辐射28两者来照射燃料微滴可以是有益的，这将在下面更详细地讨论。Tm:YAG激光器实施例可能不如使用Nd:YAG或Yb:YAG激光器的上述实施例有利，因为Nd:YAG和Yb:YAG激光器提供比Tm:YAG激光器更大的功率。
从上面的描述应当理解，可以使用一定范围的激光和/或非线性介质来实现一定范围的第二波长。第二波长的期望范围为1.4至12微米。波长在1.4至12微米范围内的辐射可以有利于经由LPP的EUV生成，因为它提供了反射率与带外EUV发射之间的折衷。
第二波长的期望范围可以进一步被限定为1.4至2微米。1.4至2微米范围内的第二波长是有利的，因为它们可以使用Yb:YAG或Nd:YAG激光器来提供。结果，激光系统可以以高功率提供1.4至2微米范围内的第二波长的辐射。波长在1.4至2微米范围内的辐射可以有利于经由LPP的EUV生成，因为它提供了反射率与带外EUV发射之间的折衷。
根据如上所述的本发明的实施例，所提供的期望的第二波长可进一步被限定为约1.9微米。该实施例可以以高功率提供第二波长，该第二波长可以有利于LPP工艺的转换效率(关于反射率和带外辐射)。
随着光强度的增加，非线性过程发生得更强烈。通过增加辐射26的注量，可以获取更高的强度。注量是辐射束的每单位面积的能量的量度。对于连续波(即，非脉冲)激光器，注量随时间基本恒定。注量可以通过增加辐射26的强度来增加。替代地或另外地，注量可以通过减小光束的直径来增加。在脉冲辐射的情况下，注量随时间变化，因此可以考虑最大获取的注量，也称为峰值注量。峰值注量可以通过增加辐射26的强度来增加。替代地或另外地，峰值注量可以通过减小光束的直径来增加。替代地或另外地，峰值注量可以通过减少脉冲的时间持续时间来增加。
光束的直径可以通过例如使用透镜聚焦光束来减小。激光系统1可以包括用于聚焦第一波长的辐射26的透镜31。透镜31将辐射束聚焦到最小宽度，也称为束腰。可达到的最小束腰取决于光的波长和/或透镜的焦距和/或光束质量因子。光束基本被聚焦的体积可以称为焦点。焦点可以形成辐射转换区域44的部分。虽然描绘了单个透镜31，但是通常可以使用任何聚焦光学器件。替代地，在一些实施例中，可以不需要聚焦光学器件。例如，在辐射转换区域44处提供未聚焦和/或未放大图像可以是有利的。
离开辐射转换区域44的辐射是辐射束的形式。激光束2包括离开辐射转换区域的辐射束。可以设置对应透镜33(或其他聚焦光学器件)以收集离开辐射转换区域44的激光束2。对应透镜33可以重新准直或重新聚焦激光束2以向等离子体形成区域4传输。替代地，在一些实施例中，可以不需要聚焦光学器件。例如，在等离子体形成区域4处提供未聚焦和/或未放大图像可以是有利的。
在使用聚焦光学器件的实施例中，聚焦光学器件31、33可以形成壳体50的部分。替代地，聚焦光学器件31、33可以与壳体50分离。
如上所述，非线性过程可以将所有第一波长的辐射26转换为第二波长的辐射28。替代地，非线性过程可以将第一波长的辐射26的部分转换为第二波长的辐射28。例如，在上述实施例中，使用了SRS。SRS可以将多达50％的第一波长的辐射26转换为第二波长28。在这种情况下，激光束2是第一波长的辐射26和第二波长的辐射28的组合。
在一个实施例中，例如使用滤光器和/或二向色镜从激光束2中去除第一波长的辐射26。在该实施例中，仅第二波长的辐射28被引导到等离子体形成区域4并且随后用于形成EUV辐射。
在另一实施例中，第一波长的辐射26和第二波长的辐射28两者被引导到等离子体形成区域4并且随后用于形成EUV辐射。利用第一波长的辐射26和第二波长的辐射28两者来照射燃料微滴可以是有益的，因为它利用所有可用辐射来照射燃料微滴。也就是说，没有光功率被不必要地浪费或从系统中去除。然而，为了能够使用两种波长的辐射，可能需要校正光学器件以将两种波长的辐射正确聚焦在等离子体形成区域4处。为此使用的校正光学器件可以包括但不限于二向色镜和/或消色差镜。替代地，在一些实施例中，可以不需要聚焦光学器件。例如，在等离子体形成区域4处传输未聚焦和/或未放大图像可以是有利的。
一些常规光刻方法使用两个辐射脉冲来照射燃料微滴。这两个脉冲可以分别称为预脉冲和主脉冲。预脉冲加热燃料。在某些情况下，预脉冲将燃料变成低密度等离子体。预脉冲还可以使燃料成形。然后，主脉冲入射到修改后的燃料分布上。主脉冲产生高度电离的等离子体，等离子体发出EUV辐射。当利用第一波长的辐射26和第二波长的辐射28来照射燃料微滴时，可以结合本发明的一些实施例来使用两个脉冲照射。
在本发明的实施例中，激光系统1包括Tm:YAG激光器。在该实施例中，非线性过程为SRS，并且非线性介质32为氢气。在这种情况下，辐射转换区域44内的SRS将第一波长的辐射26转换为第二波长的辐射28，其中第二波长约为11.85微米，即，约12微米。在该实施例中，使用第一波长的辐射26作为预脉冲并且使用第二波长的辐射28作为主脉冲，在双脉冲照射中利用第一波长的辐射26和第二波长的辐射28两者来照射燃料微滴可以是有益的。
替代地，第二波长的辐射28可以用作预脉冲并且第一波长的辐射26可以用作主脉冲。在这种情况下，与第二波长的辐射28的到达相比，第一波长的辐射26到达等离子体形成区域4可以被延迟例如约微秒。在该实施例中，为了在预脉冲与主脉冲之间提供有益的时间延迟，使用单独的激光器(不同于激光器30)来提供第一波长的辐射26可以是有益的。约2微米的第一波长和约12微米的第二波长对于双脉冲照射可以是有益的。第一波长可以在反射率与带外辐射之间提供有利的折衷。第二波长接近于10微米辐射，并且在LPP EUV生成中它以与10微米辐射相似的方式表现。使用10微米辐射在使用LPP源来产生EUV辐射中是已知的。
替代地，具有替代激光源的其他实施例(例如，其他基于YAG的激光器)可以与两个脉冲照射相结合使用。替代地或另外地，在1.4至12微米范围内的其他第二波长可以与两个脉冲照射相结合使用。
如上所述，非线性过程可以是受激拉曼散射(SRS)。拉曼散射如图3所示。当第一波长的辐射26激发材料时，可以发生粒子非线性过程，其中材料可以从基态20激发到虚拟状态21。在拉曼散射中，该电荷经由激发振动态22从虚态21弛豫到基态。基态20与激发振动态22之间的能量差24等于材料中的谐振振动或旋转模式24(也称为拉曼活性模式)的能量。具有拉曼活性模式的材料也可以称为拉曼活性材料。
当电荷经由激发振动态22弛豫时，它产生第二波长的辐射28，其中第二波长λ2长于第一波长λ1。第一波长的辐射光子的能量(E1)可以通过E1＝hc/λ1来计算，其中h是Planck常数，c是真空中的光速。第一波长的辐射光子的能量(E2)可以被计算为E2＝hc/λ2。第一波长的辐射(hc/λ1)与第二波长的辐射(hc/λ2)之间的能量差等于拉曼有源模式24的能量。能量24以振动或旋转能量形式被转移到材料。SRS也可以称为非弹性散射或Stokes散射。
受激拉曼散射(SRS)可以在非线性介质中使用具有高强度的辐射(诸如激光辐射)来观察，该辐射可以是例如聚焦激光辐射。SRS类似于拉曼散射，但它是受激的而不是自发的。SRS可以产生第二波长的辐射28，其中辐射是相干的并且作为激光束传播。理论上，使用SRS可以将所有第一波长的辐射26的多达50％转换为第二波长的辐射28。
SRS过程中的能量由非线性介质32的特性(特别是基态20与激发振动态22之间的能量差24)来确定。能量差24决定第一波长的辐射26与第二波长的辐射28之间的能量变化。因此，第二波长λ2取决于第一波长λ1和非线性介质32中的能量差24。能量差24是特定材料固有的，因此为了改变它，可以使用不同材料。
一系列激光器30和/或非线性介质32可以用于改变第二波长λ2。在上述实施例中，描述了在1.4至12微米范围内的第二波长的产生。波长在该范围内的辐射可以有利于经由LPP的EUV生成，因为它提供了反射率与带外EUV发射之间的折衷。
非线性过程(例如，SRS)的辐射转换效率可能受到由入射辐射26引起的非线性介质32中的离子的形成的限制。离子和自由电子吸收辐射并且因此不利于辐射26、28通过非线性介质32的传播。在被电离的分子可以提供SRS之前，该分子必须通过与电子重新结合来中和，然后。此外，分子可能处于振动激发态，并且必须在SRS发生之前例如经由分子碰撞而弛豫。中和和弛豫过程需要时间，因此会降低非线性过程发生的重复频率。这转而降低输出激光束2的可获取的重复频率。这转而限制可获取EUV功率，具体取决于传输到等离子体形成区域4的辐射的重复频率。
非线性介质32中的污染物颗粒(例如，灰尘)可以具有表面电荷，当被辐射照射时，该表面电荷可以通过放电被释放。当释放的电荷存在时，它可以与非线性介质32中的其他分子相互作用并且导致雪崩电离事件。雪崩电离事件可以迅速电离周围的分子。激光产生等离子体也可以直接由这样的粒子产生。
非线性介质32内的电离可以通过从非线性介质32中去除污染物(例如，灰尘)而在一定程度上避免。然而，电离是固有过程并且在没有污染物的情况下仍将发生。由于多光子效应，可能会发生电离。例如，一个分子可以吸收多个辐射光子并且电离。可能需要抑制非线性介质中的电离。可能需要减少分子电离对非线性过程的辐射转换效率的影响。
为了减少被电离的分子对辐射转换效率的影响，希望在辐射转换区域44中将被电离的分子替换为未被电离的分子。可以提供气体流动系统40以在辐射转换区域44中将电离分子替换为未被电离的分子。这种气体流动系统40的一个实施例在图4中示出，其中泵42提供气体32围绕回路的循环。回路可以至少部分由非线性介质32的壳体50限定。
提供循环使得气体32在辐射转换区域44内大致垂直于激光辐射26的方向流动。在图4中，激光辐射26的方向被描绘为行进到页面中。气体32可以例如沿着辐射转换区域44内的轴A流动。因此，辐射转换区域44内的任何被电离的气体被驱离辐射转换区域44并且朝向泵42循环。泵42和相关联的气体流动将未被电离的气体驱入辐射转换区域44以替代被电离的气体。
泵42还可以包括用于去除灰尘或其他污染物的过滤器。泵42还可以包括用于在离子化材料通过泵42时去除离子化材料的离子洗涤器。
可以在多光电离过程中产生自由电子。自由电子可以吸收辐射并且因此减少传入或传出辐射的辐射传播。去除自由电子可以是有益的。可以向非线性介质添加附加材料，例如通过提供气态非线性介质与附加气态材料的预混合溶液。附加材料可以帮助去除自由电子。例如，可以通过将自由电子结合到附加材料内的分子种类来去除自由电子。自由电子可以通过例如吸收来去除。可以帮助去除自由电子的材料的示例是六氟化硫(SF6)或二氧化碳(CO2)。替代地，该材料可以增强气体32的振动和/或平移弛豫并且因此减少弛豫时间。可以增强气体32的振动和/或平移弛豫的材料的示例是惰性气体，诸如氦气、氖气或氩气。
图5示出了根据本发明的上述实施例的辐射转换区域44的放大视图，其中提供了与气态非线性介质32相结合的气体流动系统40。第一波长的辐射26被透镜31聚焦，进入壳体50，并且因此进入非线性介质32。SRS发生在辐射转换区域44内，并且产生第二波长的辐射28，第二波长的辐射28离开非线性介质32，离开壳体50，并且被第二透镜33重新准直以传输到等离子体形成区域4。箭头示出了由泵驱动的气态非线性介质32的运动。气态非线性介质32的运动方向基本垂直于辐射26、28的行进方向。气态非线性介质的运动方向基本平行于轴A。
气体32的行进速度可以被选择以确保在辐射26的连续脉冲之间完全替换被电离的气体。因此，速度取决于脉冲辐射的重复频率和聚焦辐射束26的直径W。期望速度可以近似为光束直径W乘以激光重复频率。例如，在激光焦点直径为500微米并且激光重复频率为50kHz的情况下，需要25m/s的气体流动速度。低于该气体流动速度的速度将导致一些(但不是全部)被电离的气体在连续辐射脉冲之间被替换。理想的是，所有被电离的气体被完全替换。例如使用在0m/s至25m/s之间的中间速度的部分替换将在重复频率与SRS效率方面产生部分改进。用户可以选择中等速度以充分提高重复频率和SRS效率，从而足以满足用户的需求。
气体流动速度存在上限，其由气体流动在辐射转换区域44内的层流的速度限定。湍流的气体流动可能导致跨辐射转换区域44的不均匀的折射率，这可能不利于第一波长的辐射26和第二波长的辐射28两者的传播。
根据本发明的方法，提供气体流动速度使得气体流动在辐射转换区域44内是层流的。例如，在所描绘的实施例中，壳体50的靠近辐射转换区域44的侧面是锥形的。使壳体50逐渐变细确保了气体32不会经历任何速度或方向的突然变化，从而减少了湍流的气体流动的机会。锥形可以是线性的或包括一些曲率。替代地或另外地，可以使用诸如调节气体流动速度等其他方法使得气体流动被限制为保持低于发生湍流的速度来实现层流。
虽然在上述实施例中具体参考气态非线性介质，但非线性介质可以处于其他相状态。例如，SRS可以使用非线性介质提供，该非线性介质包括低温形成的固体，例如固体氢，特别是固体仲氢。
虽然在以上实施例中可以具体参考受激拉曼散射(SRS)，但是可以使用其他非线性过程。
在本发明的替代实施例中，激光系统1可以包括光参量振荡器(OPO)。OPO在本领域中是已知的并且将输入辐射转换为波长长于输入辐射的输出辐射的两个部分。在考虑OPO时，输入辐射可以称为泵浦辐射，并且输出辐射的两个部分可以称为信号辐射和空载辐射。这些也可以分别简称为泵、信号和空载。
参考图6，第一波长的泵浦辐射26可以被输入到OPO中，该OPO可以包括例如非线性晶体。二阶非线性光学相互作用可以将第一波长的辐射26转换为第二波长的辐射28(信号)和第三波长的辐射29(空载)。OPO过程与上述SRS过程不同，因为例如，在SRS中，第一波长与第二波长辐射之间的能量差异以旋转或振动能量的形式被转移到材料，而在OPO中，这种能量差异被转换为第三波长的辐射。第三波长可以表示为λ3。
第一波长26(泵浦)的辐射光子的能量(E1)可以通过E1＝hc/λ1来计算，其中h是Planck常数，c是真空中的光速。泵浦辐射可以由例如基于YAG的激光器等激光器提供。基于YAG的激光器具有优势，因为它们具有高转换效率，从而将较大比例的电功率转换为光功率。基于YAG的激光器也有优势，因为它们的覆盖区较小，占用更少的地面空间，这可以有利于空间和/或运输和/或成本。
第二波长的辐射28的光子的能量(E2)可以计算为E2＝hc/λ2。第三波长的辐射29的光子的能量(E3)可以计算为E3＝hc/λ3。在OPO中，第一波长的辐射的能量等于第二波长和第三波长的能量之和，即，hc/λ1＝hc/λ2+hc/λ3。在一些情况下，第三波长可以被选择使得其具有与第二波长相同的波长，使得输入泵浦辐射仅被转换为第二波长的辐射。这种特定情况可以称为退化，或具有退化信号和空载。替代地，第二波长和第三波长可以不同。
图6中描绘了使用OPO的本发明的实施例。示出了激光系统1和OPO 60，激光系统1包括用于生成第一波长的辐射的激光器30，OPO 60包括非线性晶体32，非线性晶体32设置在限定在两个反射镜62之间的光学腔内。第一波长的辐射被引导到辐射转换区域44内在其中在非线性晶体32中发生二阶非线性光学相互作用的OPO，并且将第一波长的一些辐射转换为第二波长和可选的第三波长的辐射。在这种情况下，光学腔的长度可以理解为两个反射镜62之间的距离。图6中的OPO 60未按比例绘制，因此非线性晶体32可以占据例如光学腔的较小部分。反射镜62可以是部分透射的，使得它们将一些辐射透射出光学腔并且将一些辐射反射回光学腔。反射镜62可以被选择以透射特定波长或波长范围。例如，反射镜62可以是分色镜。反射镜62可以被配置为透射第二波长的辐射并且反射第一波长的辐射，即，透射信号并且反射泵浦辐射。这可以是有利的，因为通过反射泵浦，它可以再次穿过非线性晶体32并且产生更多第二波长的辐射。反射镜62还可以被配置为选择性地反射或透射第三波长的辐射。
离开OPO 60的辐射形成激光束2，激光束2可以包括第一波长和/或第二波长和/或第三波长的辐射。然后可以将激光束2传输到等离子体形成区域4(参见图1)。激光束2可以例如使用诸如透镜等聚焦光学器件聚焦在等离子体形成区域4处。替代地，可以不使用聚焦光学器件。例如，在等离子体形成区域4处传输未聚焦和/或未放大图像可以是有利的。
第一波长和第三波长的辐射可以从激光束2中去除，例如使用带通滤波器和/或二向色镜。在这种情况下，只有第二波长的辐射被引导到等离子体形成区域并且随后用于形成EUV辐射。替代地，可以从激光束2中去除第一波长的辐射，例如使用滤光器和/或二向色镜。在这种情况下，只有第二波长和第三波长的辐射被引导到等离子体形成区域并且随后用于形成EUV辐射。替代地，第一波长、第二波长和第三波长的辐射可以被引导到等离子体形成区域并且随后用于形成EUV辐射。利用第一波长、第二波长和第三波长的辐射来照射燃料微滴可以是有益的，因为它利用所有可用辐射来照射燃料微滴。也就是说，没有光功率被不必要地浪费或从系统中去除。在这些示例中，二向色镜可以是如图6所示在OPO中限定光学腔的反射镜62。替代地或另外地，可以在辐射离开OPO之后提供反射镜和/或滤光器。
为了能够使用两个或三个波长的辐射来照射燃料微滴，可能需要校正光学器件以在等离子体形成区域4处正确地传输两种波长的辐射。为此而使用的校正光学器件可以包括但不限于分色镜和/或消色差镜。
可以选择第二波长和第三波长。例如，可以通过选择第一波长，即，通过改变泵浦激光器30来选择第二波长和第三波长。泵浦激光器30可以例如由发射约1微米的辐射的Nd:YAG或Yb:YAG激光器来选择。
替代地或另外地，第二波长和第三波长可以通过改变OPO 60中的非线性介质32来选择。非线性介质32可以是非线性晶体，例如砷酸氧钛钾(KTA)、磷酸氧钛钾(KTP)、硼酸钡(BBO)或铌酸锂(LN)、周期性极化KTP(PPKPT)、周期性极化LN(PPLN)、铷掺杂KTP(RKTP)或周期性极化铷掺杂KTP(PPRKTP)。该列表并非详尽无遗，并且本领域已知可以根据用户的要求来使用的很多其他非线性晶体。
替代地或另外地，第二波长和第三波长可以通过改变非线性晶体的相位匹配特性来选择。改变非线性晶体的相位匹配特性允许第二波长和第三波长的可调谐选择。波长可以在一定范围内可调谐，其中该范围可以取决于诸如泵浦波长、泵浦偏振和非线性晶体材料等因素。非线性晶体的相位匹配特性可以以多种方式被选择，并且因此第二波长和第三波长可以以多种方式被选择。例如，可以改变非线性晶体的温度。当使用周期性极化非线性介质时，改变温度对于调谐第二波长和第三波长可以特别有利。替代地或另外地，可以改变光学腔的长度。替代地或另外地，可以提供诸如光栅的色散元件。替代地或另外地，例如通过改变晶体的光轴的取向和/或辐射束的极化，非线性晶体的角取向可以相对于辐射束而被改变。
在示例实现中，Nd:YAG激光器与包括PPRKPT晶体的OPO相结合可以产生在1.9至2.4微米范围内可调谐的第二波长的发射。发射可以如上所述调谐，例如通过改变光学腔的长度。一个具体示例可以是第二波长和第三波长被选择为相等，其中波长约为2.1微米。
OPO可以用于以高转换效率转换具有短时间脉冲长度和/或高重复频率的辐射。可以实现超过35％的转换效率，例如使用大孔径PPRKPT晶体与Nd:YAG激光器相结合。在这种情况下，效率是与进入OPO的第一波长的辐射量相比离开OPO的第二波长的辐射量。在使用中，当使用第一波长、第二波长和第三波长的辐射来照射燃料微滴时，这表示被传输到燃料微滴的辐射的约35％可以是第二波长的辐射，而被传输到燃料微滴的辐射的约65％可以是第一波长和第三波长的辐射。
可能需要增加激光系统1的转换效率。
第一波长的辐射可以被恢复，例如通过使用二向色镜将其与主辐射束分离并且将其重新引导回OPO以产生更多第二波长的辐射。在这种情况下，泵浦辐射的恢复可以导致转换效率接近100％。如图6所示，分色镜可以是在OPO中限定光学腔的反射镜62。替代地或另外地，可以在辐射离开OPO之后提供反射镜和/或滤光器。
替代地，用于提高转换效率的示例激光系统在图7中示出，图7描绘了包括OPO 60和光参量放大器(OPA)68的激光系统1。OPA在本领域中是已知的并且用于在由附加泵浦光束驱动时放大辐射束。OPA 68包括另一种非线性介质(未示出)并且使用二阶非线性相互作用来放大辐射。
在该实施例中，第一波长的辐射26由第一激光器30a提供并且被传输到OPO 60。由激光器30a提供的辐射可以称为第一泵浦或第一泵浦光束26。OPO将该辐射转换为辐射束2a，包括第一波长、第二波长和可选的第三波长的辐射。然后可以使用分束器(例如，二向色镜)将辐射束分成两个部分2b、2c。第一部分2b包括第二波长的辐射，即OPO信号。第二部分2c包括第一波长和可选的第三波长的辐射，即第一泵浦26和OPO空载。
第四波长66的辐射可以由第二激光器30b提供。第四波长66的辐射也可以称为第二泵浦66。第四波长可以被选择使得其与第一波长相同。在所描绘的示例中，两个单独的激光器30a、30b用于提供第一泵浦26和第二泵浦66。然而，在替代实现中，第一泵浦光束26和第二泵浦光束66两者可以由单个激光器提供，例如通过将光束分成两个部分并且将一部分传输到OPO并且将另一部分传输到OPA。这对于简单性和减少的覆盖区可以是有利的。
第二泵浦66和OPO信号2b被传输到OPA 68，例如使用分色镜将它们组合成单个辐射束2d。OPA 68将传入的辐射束2d的部分转换为第二波长的辐射(即，放大的OPO信号2b)和第五波长的辐射。可以产生第五波长的辐射，类似于在OPO中，非线性相互作用产生称为OPA空载光束的附加辐射束。结果，离开OPA的辐射(OPA输出光束2e)包括第四波长的辐射(第二泵浦光束66)、第二波长的辐射(放大的OPO信号2b)和第五波长的辐射(OPA空载)。类似于在OPO中，由OPA产生的波长是可调谐的，如本领域已知的。
OPA输出光束2e与第二部分2c组合以形成辐射束2f。然后可以将辐射束2f传输到等离子体形成区域。辐射束2f将包括第二波长的辐射。由于OPA 68的放大，与单独使用OPO60相比，辐射束2f将包含更多第二波长的辐射。使用OPA可以将转换效率提高到50％以上。在这种情况下，效率是与第一泵浦光束和第二泵浦光束中的辐射量相比离开OPA的第二波长的辐射量。
辐射束2f还可以包括第一波长和/或第三波长和/或第四波长和/或第五波长的辐射。第一波长和/或第三波长和/或第四波长和/或第五波长的辐射可以从辐射束2f中去除，例如使用滤光器和/或二向色镜。替代地，第一波长、第二波长、第三波长、第四波长和第五波长的辐射可以被引导到等离子体形成区域并且随后用于形成EUV辐射。利用第一波长、第二波长、第三波长、第四波长和第五波长的辐射来照射燃料微滴可以是有益的，因为它利用所有可用辐射来照射燃料微滴。也就是说，没有光功率被不必要地浪费或从系统中去除。
第五波长可以被选择使得其与第三波长相同，例如通过对第一泵浦光束和第二泵浦光束使用相同的波长并且优化OPA使得它产生与OPO相同的信号和空载波长。
在一个特定示例中，第一泵浦26和第二泵浦66可以具有相同波长，即第一波长。OPO 60可以被优化使得信号和空载退化，即第二波长和第三波长相同。OPA 68可以被优化使得信号和空载退化，即第二和第五波长相同，并且使得第五波长等于第二波长。因此，在该示例中，辐射束2f包括第一波长和第二波长的辐射。在该示例中，由于OPA 68的放大，第一波长的辐射到第二波长的辐射的转换效率可以超过50％。在这种情况下，燃料微滴可以被第二波长的辐射或第一波长和第二波长的辐射照射。
在特定示例中，单个Nd:YAG激光器可以用于提供1微米的第一波长的第一泵浦光束26和第二泵浦光束66。可以调谐OPO和OPA以产生1.9微米的退化空载和信号束。因此，辐射束2f可以包括1微米和1.9微米的辐射。替代地，可以调谐OPA和OPO以产生信号光束，即在1.9至2.4微米范围内的第二波长的辐射。
一些已知光刻方法使用两个辐射脉冲来照射燃料微滴。这两个脉冲可以分别称为预脉冲和主脉冲。预脉冲加热燃料。在某些情况下，预脉冲将燃料变成低密度等离子体。预脉冲还可以使燃料成形，这可以称为修改燃料分布。主脉冲然后可以入射在修改后的燃料分布上。主脉冲产生高度电离的等离子体，等离子体发出EUV辐射。可以结合以上示例使用两个脉冲照射，例如以提供来自附加辐射源的预脉冲并且使用辐射束2、2f作为主脉冲。附加辐射源可以是第二激光器30b。替代地，可以提供单独的辐射源，例如附加激光器，诸如基于YAG的激光器。替代地，辐射束2、2f可以用于仅主脉冲操作，即不使用预脉冲。
常规OPO和OPA通常提供具有短时间脉冲长度的辐射，例如在3至5纳秒的范围内。时间脉冲长度是辐射脉冲持续时间的量度。时间脉冲长度可以简称为脉冲长度。脉冲长度可以与第一泵浦光束和第二泵浦光束的脉冲持续时间相关，即由激光器30a、30b提供的脉冲长度，其通常可以在6至8纳秒的范围内。
短脉冲长度可以降低辐射束2、2f中的辐射到EUV辐射的EUV转换效率。更长的脉冲可以提高EUV转换效率。例如，50至150纳秒范围内的脉冲长度可以提高EUV转换效率。脉冲长度可以通过使用具有更长脉冲长度(例如，在50至150纳秒范围内的脉冲长度)的激光器30a、30b来增加。脉冲长度在该范围内的基于YAG的激光器可用。另外地或替代地，可以针对50至150纳秒范围内的脉冲长度优化OPO，例如通过改变光学腔的长度。
另外地或替代地，可以通过相对于光束的另一部分延迟辐射束的一个或多个部分来增加脉冲长度。这也可以称为脉冲展宽。
脉冲展宽可以通过使用分束器将辐射束分成第一部分和第二部分来执行。第一部分可以涉及向第一部分施加光延迟的光延迟布置。然后，第一部分和第二部分重新组合成改性辐射束并且传输到目标点。由于光学延迟，改性辐射束的第一部分在第二部分之后到达目标点，导致总时间脉冲长度增加，即脉冲展宽。因此，通过扩展光束的不同部分的到达时间，该方法可以用于增加脉冲长度，例如增加两倍或三倍。
分束器可以是被配置为反射第一辐射和/或第二辐射和/或第三辐射和/或第四辐射和/或第五辐射的辐射的二向色镜。分束器可以将特定波长的辐射引导到光学延迟布置以施加延迟。可以使用多个分束器，并且可以使用多个光学延迟布置。在一个示例中，第一波长的辐射可以被传输，第二波长的辐射可以被引导到第一光学延迟布置并且被延迟第一延迟时间，第三波长的辐射可以被引导到第二光学延迟布置并且被延迟第二延迟时间。
替代地，分束器可以是部分透射镜，例如半镀银镜。在这种情况下，50％的辐射束将被反射，50％将被透射，但几乎没有波长分离。在这种情况下，50％的辐射束可以被传输到光学延迟布置。对于以上示例，可以使用多个分束器并且可以使用多个光学延迟布置。部分透射镜可以透射不同比例的辐射束，例如但不限于1％、10％或40％。
辐射束的部分可以多次穿过光学布置。例如，辐射束的第一部分可以穿过光学布置一次，而辐射束的第二部分可以被重新引导回光学布置并且因此穿过光学布置两次。多次穿过光学布置将增加辐射束的部分的延迟时间，从而增加改性辐射束的总时间脉冲长度。
用于施加光学延迟的光学延迟布置可以是延迟线，也称为延迟级。已知延迟线在US7326948中有更详细的描述，该专利的全部内容通过引用并入本文。简而言之，延迟线可以是用于增加光束的第一部分行进的路径的距离的多个反射镜的形式。延迟线还可以包括用于将光束的第一部分引导到延迟线并且允许光束的第二部分不受阻碍地行进的分束器。
因此，上文已经描述了非线性光学过程如何与OPO一起使用以产生长于第一波长的第二波长的辐射。上面还描述了这如何有利于LPP产生EUV辐射。上述OPO使用的示例针对在1.9至2.4微米范围内可调谐的第二波长的辐射进行了优化。结合使用SRS的实施例，可实现波长范围可以扩展到1.4至2.4微米，并且进一步扩展到1.4至12微米。
尽管在本文中可以具体参考反射镜，但是可以使用任何合适的光学元件。例如，该元件可以是光栅、光束立方体或任何其他色散元件。在一些情况下，反射镜可以是分束镜，例如分色镜、半镀银镜或本领域已知的任何其他分束元件。
虽然可以具体参考基于YAG的激光器，但是可以使用任何合适的激光器。在这种情况下，任何合适的激光器都可以是发射波长使得能够使用非线性工艺(诸如上述工艺)产生1.4至12微米范围内的第二波长的激光器。例如，可以使用玻璃激光器，特别是掺钕玻璃激光器，因为它们以约1微米发射，类似于常规的基于YAG的激光器。
尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以用于其他设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或者测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案化装置)等对象的任何设备的部分。这些设备通常可以称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
虽然上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域技术人员来说很清楚的是，在不脱离下面阐述的权利要求的范围的情况下，可以对本发明进行如所描述的修改。

Claims (37)

1.一种激光产生等离子体类型的EUV辐射源，包括：
燃料发射器，被配置为产生燃料微滴；以及
激光系统，被配置为利用辐射照射燃料微滴以在等离子体形成区域处将所述燃料微滴转换为等离子体；
其中所述激光系统包括：
激光器，被配置为产生第一波长的辐射；以及
非线性介质，被配置为接收所述第一波长的辐射，在辐射转换区域处使用非线性光学过程来产生第二波长的辐射，并且将所述第二波长的辐射传输到所述等离子体形成区域；
其中所述第二波长长于所述第一波长。
2.根据权利要求1所述的EUV辐射源，其中所述激光器包括基于YAG的激光器。
3.根据权利要求1或2所述的EUV辐射源，其中所述第二波长在1.4微米至12微米的范围内。
4.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中所述第二波长在1.4微米至2.4微米的范围内。
5.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中所述第二波长在1.9微米至2.4微米的范围内。
6.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中所述第二波长约为1.9微米。
7.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中所述燃料微滴还被所述第一波长的辐射照射。
8.根据权利要求1所述的EUV辐射源，其中所述非线性介质包括拉曼活性材料并且所述非线性光学过程是受激拉曼散射。
9.根据权利要求8所述的EUV辐射源，其中所述非线性介质包括气体。
10.根据权利要求8或9所述的EUV辐射源，其中所述非线性介质包括氢。
11.根据权利要求9所述的EUV辐射源，还包括流动系统，所述流动系统被配置为将所述辐射转换区域中的被电离的气体替换为未被电离的气体。
12.根据权利要求11所述的EUV辐射源，其中所述流动系统包括气体流动路径和泵，所述泵被配置为使气体在所述气体流动路径周围循环。
13.根据权利要求1至7中任一项所述的EUV辐射源，其中所述激光系统还包括光参量振荡器，并且其中所述光参量振荡器包括所述非线性介质。
14.根据权利要求13所述的EUV辐射源，其中所述非线性过程还被配置为在所述辐射转换区域处产生第三波长的辐射。
15.根据权利要求14所述的EUV辐射源，其中所述燃料微滴还被所述第三波长的辐射照射。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的EUV辐射源，还包括用于放大所述第一波长的辐射、所述第二波长的辐射或所述第三波长的辐射中的至少一项的光参量放大器。
17.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，还包括在所述辐射转换区域之后的延迟级。
18.一种光刻系统，包括根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源。
19.一种生成EUV辐射的方法，包括：
提供激光器，所述激光器被配置为产生第一波长的辐射；
提供非线性介质；
将所述第一波长的辐射引导到所述非线性介质，使得在辐射转换区域处经由非线性光学过程产生第二波长的辐射，其中所述第二波长长于所述第一波长；
在等离子体形成区域处提供燃料的微滴；
将所述第二波长的辐射引导到所述等离子体形成区域；以及
利用所述第二波长的辐射来照射所述等离子体形成区域中的所述燃料微滴，以将所述燃料微滴转换为等离子体。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述方法还包括利用基于YAG的激光器来提供所述第一波长的辐射。
21.根据权利要求19或20所述的方法，其中所述方法还包括产生所述第二波长的辐射，其中所述第二波长在1.4微米至12微米的范围内。
22.根据权利要求19至21中任一项所述的方法，其中所述方法还包括产生所述第二波长的辐射，其中所述第二波长在1.4微米至2.4微米的范围内。
23.根据权利要求19至22中任一项所述的方法，其中所述方法还包括产生所述第二波长的辐射，其中所述第二波长在1.9微米至2.4微米的范围内。
24.根据权利要求19至23中任一项所述的方法，其中所述方法还包括产生所述第二波长的辐射，其中所述第二波长约为1.9微米。
25.根据权利要求19至24中任一项所述的方法，其中所述方法还包括通过所述第一波长的辐射来照射燃料微滴。
26.根据权利要求19所述的方法，其中所述方法还包括提供拉曼活性材料并且使用受激拉曼散射以产生所述第二波长的辐射。
27.根据权利要求19或26所述的方法，其中所述方法包括提供气态的非线性介质。
28.根据权利要求26或27所述的方法，其中所述方法包括提供包含氢的非线性介质。
29.根据权利要求27所述的方法，其中所述方法还包括通过提供气体流动的装置来将所述辐射转换区域中的被电离的气体替换为未被电离的气体。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述方法还包括使用泵以提供气体流动。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述方法还包括跨整个所述辐射转换区域提供层流的气体流动。
32.根据权利要求18至23中任一项所述的方法，其中所述方法还包括提供光参量振荡器，所述光参量振荡器包括所述非线性介质以产生所述第二波长的辐射。
33.根据权利要求30中任一项所述的方法，其中所述方法还包括使用所述光参量振荡器来进一步产生第三波长的辐射。
34.根据权利要求33所述的方法，其中所述方法还包括通过所述第三波长的辐射来照射燃料微滴。
35.根据权利要求32至34中任一项所述的方法，其中所述方法还包括使用光参量放大器来放大所述第一波长的辐射、所述第二波长的辐射或所述第三波长的辐射中的至少一项。
36.根据权利要求19至35中任一项所述的方法，其中所述方法还包括使所述第一波长的辐射、所述第二波长的辐射或所述第三波长的辐射中的至少一项通过延迟级。
37.一种方法，所述方法使用根据权利要求19至36中任一项产生的EUV辐射来执行EUV光刻。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114839843A (zh) * 2022-07-04 2022-08-02 上海传芯半导体有限公司 一种投影式光刻机的光源结构、投影式光刻机及光刻工艺
CN118039453A (zh) * 2024-02-05 2024-05-14 中国科学技术大学 一种高光谱纯度的台式化光源

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3911126A1 (en) * 2020-05-15 2021-11-17 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Euv radiation source

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060078017A1 (en) * 2004-10-07 2006-04-13 Akira Endo LPP type extreme ultra violet light source apparatus and driver laser for the same
US20070090278A1 (en) * 2005-08-15 2007-04-26 Asml Netherlands B.V. Beam modifying device, lithographic projection apparatus, method of treating a beam, and device manufacturing method
WO2018145837A1 (en) * 2017-02-09 2018-08-16 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatus for predicting performance of a measurement method, measurement method and apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060078017A1 (en) * 2004-10-07 2006-04-13 Akira Endo LPP type extreme ultra violet light source apparatus and driver laser for the same
US20070090278A1 (en) * 2005-08-15 2007-04-26 Asml Netherlands B.V. Beam modifying device, lithographic projection apparatus, method of treating a beam, and device manufacturing method
WO2018145837A1 (en) * 2017-02-09 2018-08-16 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatus for predicting performance of a measurement method, measurement method and apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114839843A (zh) * 2022-07-04 2022-08-02 上海传芯半导体有限公司 一种投影式光刻机的光源结构、投影式光刻机及光刻工艺
CN118039453A (zh) * 2024-02-05 2024-05-14 中国科学技术大学 一种高光谱纯度的台式化光源

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