JP2007336269A - 多数決回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る多数決回路は、差動対をなす第一及び第二トランジスタを有する差動アンプと、一方の電極に第一デジタル信号のビット信号が印加されると共に他方の電極が前記第一トランジスタのゲートに共通接続された複数の第一キャパシタと、一方の電極に第二デジタル信号のビット信号が印加されると共に他方の電極が前記第二トランジスタのゲートに共通接続された複数の第二キャパシタとを備える。
【選択図】図1
Description
この従来技術においては、トランジスタと抵抗を使用して簡略化されたデジタル−アナログ変換回路を利用した多数決回路を提案し、レイアウトサイズを小型化している。
以下、図面を参照して本発明の第一の実施形態について説明する。
図1は、本発明の第一の実施形態に係る多数決回路の回路図である。
本多数決回路は、2組のデジタル−アナログ変換器100a、100bと、それらの有するMOSトランジスタTra、Trbが入力段の差動対トランジスタとして共通に用いられるカレントミラー型アンプ101(差動アンプ)と、インバータ204とから構成されている。
デジタル−アナログ変換器100bは、MOSトランジスタTrbと、n個のカップリングキャパシタC1b〜Cnbとから構成される。カップリングキャパシタC1b〜Cnbのそれぞれの一端(一方の電極)は、MOSトランジスタTrbのフローティングゲートFGb(ゲート)と共通接続され、他端(他方の電極)はn個のデジタル信号入力端子φ1b〜φnbである。
デジタル信号入力端子φ1a〜φna、φ1b〜φnbには、2組のデジタル信号のビット信号が印加される。
n型MOSトランジスタ203のゲートには、任意の一定電流を流すために例えば約1V程度のバイアス信号BIASが入力される。カレントミラー型アンプ101の出力OUTampは、インバータ204に入力され、その出力信号は整形されて信号OUTとして出力される。n型MOSトランジスタ203のソースはグランド(VSS)に接続され、p型MOSトランジスタ201、202のソースは電源(VDD)に接続される。
図2(a)は、本実施形態に係る多数決回路に用いられるデジタル−アナログ変換器の平面図である。図2(b)は、図2(a)のA−A’に沿った断面図であり、図2(c)は、図2(a)のB−B’に沿った断面図であり、図2(d)は、図2(a)のC−C’に沿った断面図である。
同図において、1は、p型半導体基板、2は、トランジスタTrのゲート部、3は、フローティングゲートFG(ゲート)となるポリシリコン、4は、トランジスタTrのドレインDとなるn+拡散層、5は、メタル配線6とn+拡散層4とを接続するコンタクト、6は、ドレインDに接続されるメタル配線、7は、トランジスタTrのソースSとなるn+拡散層、8は、メタル配線9とn+拡散層7とを接続するコンタクト、9は、ソースSに接続されるメタル配線、10は、p型半導体基板1中に形成されたn型半導体領域であるn−well(不純物領域)、11は、キャパシタ部、12は、n−well10中に形成されたn+拡散層、13は、n+拡散層12とメタル配線14とを接続するコンタクト、14は、メタル配線、15は、素子分離用のフィールド酸化膜、16は、トランジスタTrのゲート酸化膜及びカップリングキャパシタCpの絶縁層となる薄い酸化膜を表す。なお、ゲート部2は、ポリシリコン3のうち、トランジスタTrのゲートとして機能する部分を指している。
そして、上部電極であるポリシリコン3は共通に使用して、下部電極であるn−well10と、n+拡散層12と、コンタクト13と、メタル配線14とを互いに電気的に絶縁される様に複数組用い、カップリングキャパシタC1と同一構造のカップリングキャパシタC2〜Cnが構成される。それぞれのn−well及びメタル配線が、デジタル信号入力端子となる。カップリングキャパシタの数は、デジタル入力信号の数と同数である。
本デジタル−アナログ変換器は、上述したデバイス構造から明らかな様に、検知用のMOSトランジスタTrと複数のカップリングキャパシタC1〜Cnとから構成される。MOSトランジスタTrは、電極としてドレインDと、ソースSと、フローティングゲートFGとを備え、カップリングキャパシタC1〜Cnは、それぞれの一端がフローティングゲートFGに共通接続され、他端はデジタル信号入力端子φ1〜φnとして働き、これらがデジタル−アナログ変換器100を構成する。
概略的には、本デジタル−アナログ変換器は、デジタル入力信号の各ビットに応じて複数のキャパシタ間で電荷の再分配を行い、これによりトランジスタのゲート電圧を制御することにより、このトランジスタのドレイン電流を精度良く制御する。このドレイン電流をアナログ出力信号として取り出せば、デジタル入力信号を精度良くアナログ信号に変換することが可能になる。
図4は、本多数決回路に用いられるデジタル−アナログ変換器のフローティングゲートFGに対する容量系の等価回路図である。
本デジタル−アナログ変換器は、複数のカップリングキャパシタC1〜Cnを備えるが、ここでは説明を簡略化するために、カップリングキャパシタC1、C2、Cnの3つがフローティングゲートFGに接続されている場合を考える。フローティングゲートFGには、それらに加えてMOSトランジスタTrのゲート容量やフローティングゲートFGの寄生容量を加算した寄生容量Cpが対接地(VSS)に付加される。
その場合には、図示した容量系の電荷の総量は0であるため、
C1(VFG−Vφ1)+C2(VFG−Vφ2)+Cn(VFG−Vφn)
+Cp(VFG−VSS)=0
が成立する。
VFG=(C1/CT)×Vφ1+(C2/CT)×Vφ2+(Cn/CT)×Vφn
と表せる。
即ち、フローティングゲートの電圧VFGは、カップリングキャパシタC1〜Cnの容量とデジタル入力信号の電圧Vφ1〜Vφnのみで決定される。上式は、カップリングキャパシタの個数がn個の場合に拡張しても、同様に成り立つ。
図5(a)は、本多数決回路に用いられるデジタル−アナログ変換器のId−Vd特性図であり、図5(b)は、本多数決回路に用いられるデジタル−アナログ変換器のドレインに負荷抵抗Rを設けた回路図である。
この場合、本デジタル−アナログ変換器のフローティングゲートの電圧VFGが前述の様に各デジタル信号入力端子に印加される電圧に応じて変化するため、デジタル信号入力端子の電圧が一本ずつ論理ハイレベルになると、それに応じてフローティングゲートの電圧VFGは正確にΔVずつ上昇する。
前述した式によると、Vφ1が論理ハイレベル(電圧VHとする)、Vφ2=Vφ3=・・・=Vφn=0の場合、VFG=(C1/CT)×VHである。
次に、その状態からさらにVφ2が論理ハイレベルに変化した場合、VFG=(C1/CT)×VH+(C2/CT)×VHとなり、C1=C2であるため、VFG=2(C1/CT)×VHと表せる。
表1は、デジタル入力信号に対応した各部の電圧である。
状態2では、デジタル信号入力端子φ1のみが論理ハイレベル“1”(例えば電源電圧の3V)となり、他のデジタル信号入力端子は論理ローレベル“0”(0V)であるため、フローティングゲートFGの電圧は容量系の比で決まるΔV分だけ上昇する。そして、出力はv2となる。
さらに、本デジタル−アナログ変換器は、他に付属する回路が不要であり、非常にレイアウト面積が小さく、簡素な構成で変換器が実現できる。
図6(a)は、カップリングキャパシタをポリシリコンで作製したデジタル−アナログ変換器の平面図である。図6(b)は、図6(a)のA−A’面に沿った断面図であり、図6(c)は、B−B’面に沿った断面図である。
本多数決回路は、入力a側のデジタル入力信号φ1a〜φnaと、入力b側のデジタル入力信号φ1b〜φnbのうち、論理ハイレベルである信号の本数が多い入力側を高精度に検知出来る。例えば、入力a側がφ1a=“1”、φ2a〜φna=“0”、入力b側がφ1b=φ2b=“1”、φ3b〜φnb=“0”の場合を考えると、入力b側の方が論理ハイレベルである信号の本数が多い。
この様に、本多数決回路は、簡単な回路構成であるため小さいレイアウト面積で実現でき、2組のデジタル入力信号の論理ハイレベルの数の大小を高精度に判定可能である。また、消費される電流は、カレントミラー型アンプに流れる電流のみであるため、非常に小さく出来る。なお、デジタル入力信号のビット数を増やす場合には、カップリングキャパシタの数を増やすだけで良く、それに伴う消費電流の増加はない。
なお、本発明をデータインバージョン回路に用いる場合は、複数ビットが変化することを検知するために、各ビットの出力に、一般的にアドレス変化を検知するときに用いられるアドレストランジェションディテクタ(ATD)と同等の回路を用いたデータトランジェションディテクタを用い、この出力を本発明の入力信号として用いれば、データが変化する信号の本数を比較できる。
次に、図面を参照して本発明の第二の実施形態について説明する。
図7は、初期値を設定可能な多数決回路の回路図である。図1と共通の構成要素には同一符号を付け、説明は省略する。
本多数決回路は、後述する初期値の書き込み及び消去が可能なデジタル−アナログ変換器を基本にして構成されている。
初期値の書き込み及び消去が可能なデジタル−アナログ変換器101bは、MOSトランジスタTrb、Trb2と、n個のカップリングキャパシタC1b〜Cnbとから構成される。MOSトランジスタTrbとMOSトランジスタTrb2のゲート同士は共通接続されフローティングゲートFGbとなり、カップリングキャパシタC1b〜Cnbのそれぞれの一端は、フローティングゲートFGbと共通接続され、他端はn個のデジタル信号入力端子φ1b〜φnbである。
カレントミラー型アンプ101の構成は第一の実施形態と同一である。
図8は、本多数決回路に用いられる初期値の書き込み及び消去が可能なデジタル−アナログ変換器の平面図である。前出のデジタル−アナログ変換器と共通の構成要素には同一の符号を付け、説明は省略する。
又、本初期値の書き込み及び消去が可能なデジタル−アナログ変換器はMOSトランジスタTra2、Trb2を有するため、それを用いてフローティングゲートFGa,FGb(即ちカップリングキャパシタC1a〜Cna,C1b〜Cnbの他方の電極)に対して電荷を注入して電子量を調整し、フローティングゲートFGa,FGbの各電圧を変化させる事によってアナログ出力の初期値を所望の値に変更する事が可能である。動作の詳細については後述する。
前述の通り、デジタル−アナログ変換器のフローティングゲートFGは、書き込み及び消去用のMOSトランジスタTr2のゲートに共通接続されている。
説明を簡略化するために、デジタル信号入力端子はφ1、φ2、φnのみを示している。
なお、表に示した電圧は一例であり、書き込みが行える電圧であればそれに限定されるものではない。特に本実施形態では、書き込みの目的が初期値を決定するためであるので多量の電子を注入する必要は無く、そのため小さいドレイン電圧で書き込みを行っても良い。
なお、消去が行える電圧であれば、表に記載された電圧に限定されるものではない。
多数決の判定動作は、前述の第一の実施形態と同一である。その基本動作に加えて、本多数決回路は、書き込み及び消去用MOSトランジスタTra2、Trb2を備えているため、上述の様にすべてのデジタル入力信号φ1a〜φna、φ1b〜φnbが論理ローレベルの場合に、入力a側と入力b側とでフローティングゲートFGaとFGbとの電圧の初期値に差を付ける事が出来る。
次に、図面を参照して本発明の第三の実施形態について説明する。
図10は、デジタル−アナログ変換器による基本ユニットの回路図である。図3と共通の構成要素には同一符号を付け、説明は省略する。
本基本ユニット102は、前述してきたデジタル−アナログ変換器100を構成するMOSトランジスタTrのドレインに抵抗Rの一端が接続されて構成される。そのドレインは、出力端子Viとなる。MOSトランジスタTrと抵抗Rは、電圧変換部を構成する。また、抵抗Rの他端は電源VDDに接続され、MOSトランジスタTrのソースは、グランドVSSに接続される。
なお、デジタル−アナログ変換器を構成するカップリングキャパシタは、n−wellを用いる構成でも良く、第二層のポリシリコンを用いる構成でも良い。
本多数決回路は、2組の基本ユニット102a、102bを用いて、それぞれの出力端子Via、Vibを差動アンプであるカレントミラー型アンプ103の2つの入力端子に接続している。
カレントミラー型アンプ103は、前述した第一の実施形態に係るカレントミラー型アンプ101と同一構造の差動アンプである。なお、この差動アンプは、入力された2つのアナログ信号の電圧の比較が行えればどの様な回路でも良く、図示した差動アンプの構成に限られるものではない。
本多数決回路は、第一の実施形態と同様に論理ハイレベルである信号の本数が多い入力側を高精度に検知出来る。例えば、入力a側がφ1a=“1”、φ2a〜φna=“0”、入力b側がφ1b=φ2b=“1”、φ3b〜φnb=“0”の場合を考えると、入力b側の方が論理ハイレベルである信号の本数が多い。
同様に、入力a側の方が入力b側よりも論理ハイレベルである信号の本数が多い場合には、信号OUTは論理ローレベルの信号となる。
従って、本実施形態に係る多数決回路は、各種の一般的な差動アンプにデジタル−アナログ変換器からなる基本ユニット102を接続して抵抗Rの値を調整するだけで簡単に実現する事が出来る。
なお、本実施形態に係る多数決回路において、第二の実施形態と同様に書き込み及び消去用のMOSトランジスタ(電子量調節部)を基本ユニット102のMOSトランジスタTrとゲート同士が共通接続される様に設ける事によって、初期値の書き込みを行って多数決の判定にオフセットを付ける事も出来る。
また、本発明ではキャパシタとして、MOSトランジスタの閾値分の影響が出ないように、n型半導体基板上に形成してアキュミュレーション(accumulation)状態で用いたが、初期値でMOSトランジスタの閾値分の電位を与えて反転層が出来るレベルに設定しておけば、通常のMOSトランジスタを用いることは本発明の趣旨を逸脱しない。
Claims (7)
- 差動対をなす第一及び第二トランジスタを有する差動アンプと、
一方の電極に第一デジタル信号のビット信号が印加されると共に他方の電極が前記第一トランジスタのゲートに共通接続された複数の第一キャパシタと、
一方の電極に第二デジタル信号のビット信号が印加されると共に他方の電極が前記第二トランジスタのゲートに共通接続された複数の第二キャパシタと
を備えた多数決回路。 - 請求項1に記載の多数決回路において、
前記第一トランジスタのゲートと前記第一キャパシタの他方の電極との間に、該第一キャパシタの他方の電極に現れる電圧を前記差動アンプの入力特性に適合した電圧に変換する第一電圧変換部と、
前記第二トランジスタのゲートと前記第二キャパシタの他方の電極との間に、該第二キャパシタの他方の電極に現れる電圧を前記差動アンプの入力特性に適合した電圧に変換する第二電圧変換部と
を更に備えたことを特徴とする多数決回路。 - 請求項1又は2の何れかに記載の多数決回路において、
前記第一トランジスタと第二トランジスタは、
半導体基板の主表面に形成されたソース及びドレインと、
前記ソースとドレインとの間の前記主表面上に絶縁膜を介して形成されたゲートと、
から構成され、
複数の前記第一キャパシタと第二キャパシタは、
互いに電気的に絶縁されて前記半導体基板の主表面にデジタル信号入力端子として形成された不純物領域からなる一方の電極と、
前記不純物領域上に絶縁膜を介して前記一方の電極と対向するように前記ゲートと一体的に形成された他方の電極と
から構成された事を特徴とする多数決回路。 - 請求項1又は2の何れかに記載の多数決回路において、
前記第一トランジスタと第二トランジスタは、
半導体基板の主表面に形成されたソース及びドレインと、
前記ソースとドレインとの間の前記主表面上に絶縁膜を介して形成されたゲートと、
から構成され、
複数の前記第一キャパシタと第二キャパシタは、
前記ゲート上に絶縁膜を介してデジタル信号入力端子として形成された一方の電極と、
前記ゲートと一体的に形成された他方の電極と
から構成された事を特徴とする多数決回路。 - 請求項1又は2の何れかに記載の多数決回路において、
前記第一キャパシタの前記他方の電極における電子量を調整する第一電子量調整部と、
前記第二キャパシタの前記他方の電極における電子量を調整する第二電子量調整部と
を更に備えたことを特徴とする多数決回路。 - 請求項5に記載の多数決回路において、
前記第一電子量調整部は、前記第一トランジスタとゲート同士が接続される第三トランジスタからなり、
前記第二電子量調整部は、前記第二トランジスタとゲート同士が接続される第四トランジスタからなり、
前記第一トランジスタと前記第二トランジスタは、
半導体基板の主表面に形成された第一ソース及び第一ドレインと、
前記第一ソースと前記第一ドレインとの間の前記主表面上に絶縁膜を介して形成された第一ゲートと、
から構成され、
前記第三トランジスタと前記第四トランジスタは、
前記半導体基板の主表面に形成された第二ソース及び第二ドレインと、
前記第二ソースと前記第二ドレインとの間の前記主表面上に絶縁膜を介して前記第一ゲートと一体的に形成された第二ゲートと、
から構成され、
複数の前記第一キャパシタと前記第二キャパシタは、
互いに電気的に絶縁されて前記半導体基板の主表面にデジタル信号入力端子として形成された不純物領域からなる一方の電極と、
前記不純物領域上に絶縁膜を介して前記一方の電極と対向するように前記第一及び第二ゲートと一体的に形成された他方の電極と、
から構成される事を特徴とする多数決回路。 - 請求項6に記載の多数決回路において、前記第三トランジスタと前記第四トランジスタは、
初期値の書き込み時に、各々複数の前記デジタル信号入力端子のすべてには論理ハイレベルの電圧が印加され、前記第二ソースには接地電圧が印加され、前記第二ドレインには所定の第一の正電圧が印加され、
初期値の消去時に、各々複数の前記デジタル信号入力端子のすべてには論理ローレベルの電圧が印加され、前記第二ソースには接地電圧が印加され、前記第二ドレインには所定の第二の正電圧が印加され、
多数決判定時に、前記第二ソースと前記第二ドレインと前記第一ソースには接地電圧が印加され、前記第一ドレインには所定の第三の正電圧が印加され、前記デジタル信号入力端子には多数決判定すべきデジタル信号の各ビット信号が印加される事を特徴とする多数決回路。
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CN103107797A (zh) * | 2011-11-09 | 2013-05-15 | 海力士半导体有限公司 | 多数判定电路 |
JP2014032715A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Powerchip Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置とその読み出し方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62142418A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Fujitsu Ltd | 多数決回路 |
JPH04156108A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Fujitsu Ltd | 多数決回路 |
JPH06232753A (ja) * | 1992-11-04 | 1994-08-19 | Rca Thomson Licensing Corp | ディジタル/アナログ変換器 |
JPH1093424A (ja) * | 1996-05-31 | 1998-04-10 | Nec Corp | 判定回路 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62142418A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Fujitsu Ltd | 多数決回路 |
JPH04156108A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Fujitsu Ltd | 多数決回路 |
JPH06232753A (ja) * | 1992-11-04 | 1994-08-19 | Rca Thomson Licensing Corp | ディジタル/アナログ変換器 |
JPH1093424A (ja) * | 1996-05-31 | 1998-04-10 | Nec Corp | 判定回路 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103107797A (zh) * | 2011-11-09 | 2013-05-15 | 海力士半导体有限公司 | 多数判定电路 |
JP2014032715A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Powerchip Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置とその読み出し方法 |
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