JP2007333766A - ホログラム記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上に、光の干渉縞により情報が記録される記録層60と、該記録層60における記録再生の位置決め情報をもつサーボ信号層(基板10の凹凸形状を表面に反映した反射層20)と、前記記録層60とサーボ信号層との間に設けられ前記記録層60の記録再生に関わる光(記録再生光)を反射し、サーボ信号に関わる光(サーボ信号光)を透過する波長選択層40とを備え、前記波長選択層40は、前記記録再生光に対応する波長範囲で屈折率が2.1より大であり前記サーボ信号光に対応する波長範囲で消光係数が1.1より小である高屈折率層Aと、低屈折率層と高屈折率層Bとが交互に積層された積層膜とからなる。
【選択図】図2
Description
図2は、本発明に係るホログラム記録媒体の構成例を示す断面図である。
ホログラム記録媒体100は、基板10の上に、反射層20、ギャップ層30、波長選択層40、ギャップ層50、ホログラム記録層60がこの順番で積層されており、さらにホログラム記録層60の上に透明基板70が配置された構成となっている。
(実施例1)
図2に示すホログラム記録媒体100を作製した。ここで、波長選択層40については、各層を以下の光学膜とし、図3に示す構成とした。
・第1の高屈折率層41:Si
・低屈折率層42 :SiO2
・第2の高屈折率層43:Nb2O5
すなわち、第2の高屈折率層43を記号H、低屈折率層42を記号Lとすると、波長選択層40はギャップ層50側から(HLHLHL)Si((HL)3Si)という層構成としている。また、各層の厚さは、ギャップ層50側から45/45/45/45/45/40/26(nm)とした。
スパッタターゲットは、φ152.4mm、厚さ5mmのNb2O5からなるターゲットとした。なお、直流電源(DC)でスパッタリング可能にするため、ターゲットにはNb金属を0.5wt%程度ドープしてある。また、スパッタリング条件は、到達圧力を4×10−4Pa以下とし、ガス流量比Ar/O2=5/1、圧力P=0.6Pa、投入電力を1kWとした。さらに、スパッタリングの雰囲気中に10%以上酸素を含有することから、念のためアーク対策としてパルス(30kHz、5μs)によるターゲット電位安定化をはかった。
スパッタターゲットとして、φ152.4mm、厚さ5mmのSiO2からなるターゲットとした。また、スパッタリング条件は、到達圧力を4×10−4Pa以下とし、ガス流量比Ar/O2=5/1、圧力P=0.8Pa、投入電力を1.5kWとして、高周波RF(13.56MHz)でスパッタリングを行なった。
スパッタターゲットとして、φ152.4mm、厚さ6mmのSiからなるターゲットとした。なお、直流電源(DC)でスパッタリング可能にするため、ターゲットにはBを0.01wt%程度ドープしてある。また、スパッタリング条件は、到達圧力を4×10−4Pa以下とし、Ar圧力=0.53Pa、投入電力を1.2kWとした。ここで、成膜したSi膜の屈折率は3.5であり、消光係数は0.4(波長405nm)であった。
実施例1において、波長選択層について第1の高屈折率層41の代わりに第2の高屈折率層43とした。すなわち、第2の高屈折率層43を記号H、低屈折率層42を記号Lとすると、ギャップ層50側から(HLHLHL)H((HL)3H)という層構成とし、各層の厚さを、ギャップ層50側から45/45/45/45/45/45/45(nm)とした。また、それ以外の条件は実施例1と同じとしてサンプルを作製した。なお、各層に必要な膜厚は時間により制御した。
比較例1において、層構成を14層に増やし(HL)7という層構成にして膜形成を行なった。各層の厚さはすべて45nmとした。また、それ以外の条件は比較例1と同じとしてサンプルを作製した。なお、各層に必要な膜厚は時間により制御した。
実施例1において、図4に示すような波長選択層40を5層に減らした層構成とした。すなわち、第2の高屈折率層43を記号H、低屈折率層42を記号Lとすると、ギャップ層50側から(HLHL)Si((HL)2Si)という層構成とし、各層の厚さを、ギャップ層50側から45/70/45/70/14(nm)とした。また、それ以外の条件は実施例1と同じとしてサンプルを作製した。なお、各層に必要な膜厚は時間により制御した。
実施例2において、第2の高屈折率層43をNb2O5に代えてTiO2からなる誘電体膜とした。すなわち、第2の高屈折率層43を記号H、低屈折率層42を記号Lとすると、ギャップ層50側から(HLHL)Si((HL)2Si)という層構成とし、各層の厚さを、ギャップ層50側から31/91/31/91/16(nm)とした。なお、第2の高屈折率層43(TiO2)のスパッタ成膜条件は次の通りとした。また、それ以外の条件は実施例2と同じとしてサンプルを作製した。なお、各層に必要な膜厚は時間により制御した。
スパッタターゲットとして、φ152.4mm、厚さ5mmのTiO2からなるターゲットとした。また、スパッタリング条件は、到達圧力を4×10−4Pa以下とし、ガス流量比Ar/O2=50/1、圧力P=0.8Pa、投入電力を2.0kWとして、高周波RF(13.56MHz)でスパッタリングを行なった。このときの膜形成速度は2.93nm/minであった。
実施例3において、第1の高屈折率層41をSiに代えてGeからなる薄膜とした。すなわち、第2の高屈折率層43を記号H、低屈折率層42を記号Lとすると、ギャップ層50側から(HLHL)Ge((HL)2Ge)という層構成とし、各層の厚さを、ギャップ層50側から31/91/31/91/14(nm)とした。なお、第1の高屈折率層41(Ge)のスパッタ成膜条件は次の通りとした。また、それ以外の条件は実施例3と同じとしてサンプルを作製した。なお、各層に必要な膜厚は時間により制御した。
スパッタターゲットとして、φ152.4mm、厚さ5mmのGeからなるターゲットとした。また、スパッタリング条件は、到達圧力を4×10−4Pa以下とし、Ar圧力=0.8Pa、投入電力を1.0kWとして、直流電源(DC)でスパッタリングを行った。このときの膜形成速度は10.0nm/minであり、成膜したGe膜の屈折率は4.0であり、消光係数は0.5(波長405nm)であった。
Claims (6)
- 基板上に、光の干渉縞により情報が記録される記録層と、該記録層における記録再生の位置決め情報をもつサーボ信号層と、前記記録層とサーボ信号層との間に設けられ前記記録層の記録再生に関わる光(記録再生光)を反射し、サーボ信号に関わる光(サーボ信号光)を透過する波長選択層とを備えるホログラム記録媒体において、
前記波長選択層は、前記記録再生光に対応する波長範囲で屈折率が2.1より大であり前記サーボ信号光に対応する波長範囲で消光係数が1.1より小である高屈折率層Aと、低屈折率層と高屈折率層Bとが交互に積層された積層膜とからなることを特徴とするホログラム記録媒体。 - 前記高屈折率層Aは、SiまたはGeからなることを特徴とする請求項1に記載のホログラム記録媒体。
- 前記高屈折率層Aの膜厚は、5〜50nmであることを特徴とする請求項1に記載のホログラム記録媒体。
- 前記記録再生光に対応する波長範囲は380〜560nmであり、前記サーボ信号光に対応する波長範囲は580〜1120nmであることを特徴とする請求項1に記載のホログラム記録媒体。
- 前記波長選択層の積層数が7以下であることを特徴とする請求項1に記載のホログラム記録媒体。
- 前記記録再生光が青色光であり、前記サーボ信号光が赤色光であること、あるいは前記記録再生光が緑色光であり、前記サーボ信号光が赤外光であることを特徴とする請求項1に記載のホログラム記録媒体。
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JP2009205754A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Sony Corp | 再生方法、ホログラム記録媒体 |
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- 2006-06-12 JP JP2006161877A patent/JP2007333766A/ja active Pending
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