JP2007329261A - ウェハレベルcspの基板実装構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェハレベルCSPを基板へ実装した後の補強目的の樹脂封止時に、樹脂の熱収縮によるウェハレベルCSPの破壊を防止する。
【解決手段】シリコンウェハ10上に回路パターン11、及びアクセサリパターン12と呼ばれる製造中の電気検査や、製造時の位置合わせに使用する回路パターン以外のパターンを、ダイシングを行う箇所を避けてパターニングする。回路パターン11の上にアルミニウムパッド13、及び絶縁保護膜のポリイミド層14を設け、銅による配線15を施し、樹脂モールド16による封止を行ってから、はんだボール17を取り付ける。その後、ダイシングブレードにより各個辺に切断したウェハレベルCSP1を裏返して基板2上に実装し、強度向上の為に4辺すべてに樹脂を塗布することにより、ウェハレベルCSP1の側面上部まで樹脂3のフィレットができるように樹脂封止を行い、硬化させる。
【選択図】図2
【解決手段】シリコンウェハ10上に回路パターン11、及びアクセサリパターン12と呼ばれる製造中の電気検査や、製造時の位置合わせに使用する回路パターン以外のパターンを、ダイシングを行う箇所を避けてパターニングする。回路パターン11の上にアルミニウムパッド13、及び絶縁保護膜のポリイミド層14を設け、銅による配線15を施し、樹脂モールド16による封止を行ってから、はんだボール17を取り付ける。その後、ダイシングブレードにより各個辺に切断したウェハレベルCSP1を裏返して基板2上に実装し、強度向上の為に4辺すべてに樹脂を塗布することにより、ウェハレベルCSP1の側面上部まで樹脂3のフィレットができるように樹脂封止を行い、硬化させる。
【選択図】図2
Description
本発明は、ウェハレベルCSP(Wafer Level Chip Size Package)に関し、特に基板上への実装の際に問題となる課題、及び該課題を解決するための技術に関する。
ウェハレベルCSPは、ウェハの状態で回路パターンの形成、および樹脂封止と端子形成までの処理を行い、その後ダイシングによりチップ・サイズに切り分けた部品であり、そのまま基板に実装できるため、チップ・サイズに切り出してからパッケージに封止するパッケージ組み立て工程を不要にすることができ、製造工程の簡略化を図ることが可能である。
図6はこのようなウェハレベルCSPの断面および基板への実装構造を示しており、図7はウェハレベルCSP製造時の最後の工程であるダイシングの箇所と、製造中の電気検査や、製造時の位置合わせ用として用いられるアクセサリパターンの位置関係を示している。
ウェハレベルCSPの製造方法を説明すると、まずシリコンウェハ10の上に回路パターン11、及びアクセサリパターンと呼ばれる製造中の電気検査や、製造時の位置合わせに使用する、回路パターン以外のパターン12がパターニングされる。そして、その回路パターンの上にアルミニウムパッド13、及び絶縁保護膜のポリイミド層14が設けられる。さらに銅による配線15が施され、樹脂モールド16による封止を行った後、はんだボール17が取り付けられる。最後に図7に示すように、ダイシングブレードにより点線19に沿ってそれぞれが回路パターン11を有する各個辺に切断される。
このようにして製造されたウェハレベルCSP1を基板2へ搭載してはんだボール17により基板上の配線と接続した後、図6に示すように、補強樹脂3で固定することにより基板2に実装されるが、その際、通常CSPの4辺のうち、例えば1辺に樹脂を塗布し、基板2とCSP1の下面の間へ流れ込ませる方法がとられる。しかし、この方法をとると、図6に示すように、樹脂を塗らなかった右辺のフィレットの高さが、樹脂を塗布した左辺の高さと比較して低くなり、この状態で、樹脂の熱硬化、及び冷却を行うと、樹脂の収縮ひずみにより、右辺では、樹脂3が塗布されている樹脂モールドのみが下側へ引っ張られる応力が働き、そのため、CSP1の切断面におけるシリコンウェハ10やポリイミド層14と、樹脂モールド部16との剥離が発生し、ウェハレベルCSP1が、この部分より破壊されてしまう問題が発生することがあった。
また、シリコンウェハ上にパターニングしたアクセサリパターン12は、製造中の電気検査や、製造時の位置合わせ用である為に、製造終了後は必要が無いため、通常図7に示すように、製造時の最後の工程のダイシング時には、アクセサリパターン12上をまたいで切断しており、切断面にアクセサリパターン部12が露出していた。その為、上記樹脂のひずみによる応力が発生した際は、この露出したアクセサリパターン部12に応力が集中し、より破壊しやすくなっていた。
従来、ベアチップを基板に実装する際に、基板上にフリップチップ実装したベアチップの1辺近傍に液状封止樹脂を塗布し、ベアチップと基板との間隙に毛細管現象を利用して封止樹脂を流し込み、流し込み完了後に封止樹脂を加熱硬化させると、半導体チップの隅部の封止樹脂フィレットが小さく基板反りおよび熱膨張係数差に基づく応力の緩和不十分に基づく応力が半導体チップの隅部のバンプ接続部に集中し接続信頼性が低くなる現象を改善するために、基板にフリップチップ実装した半導体チップの4隅から半導体チップと基板との間隙に封止樹脂を流し込むことにより、基板にフリップチップ実装した半導体チップの4隅の樹脂フィレットを半導体チップ辺部の樹脂フィレットより大きして半導体チップ4隅のバンプ接続部に集中する応力を緩和して接続信頼性を高める技術が特許文献1で提案されている。
特許文献1に記載の技術では、基板にフリップチップ実装した半導体チップの4隅の樹脂フィレットを半導体チップ辺部の樹脂フィレットより大きして半導体チップ4隅のバンプ接続部に集中する応力を緩和するものであるが、特許文献1はその対象がベアチップであるため、半導体チップ辺部の樹脂フィレットによる問題点については特に考慮されていない。
一方、ウェハレベルCSPの場合、図6に示すように、回路パターンの上にアルミニウムパッド13、及び絶縁保護膜のポリイミド層14が設けられ、さらに銅による配線15が施され、樹脂モールド16による封止を行った後、はんだボール17が取り付けられ、最後に、ダイシングブレードにより各個辺に切断されるため、チップ辺部には、シリコンウェハ10、ポリイミド層14、樹脂モールド層16からなる層が露出するとともに、ベアチップと比較してチップ上端までの高さも高くなるため、補強樹脂3の高さが図6の右側に示すような状態、あるいはチップ辺部側面の下端から上端までフィレットが存在している場合であってもチップ辺部の樹脂フィレットが少ない場合には、樹脂3が塗布されている樹脂モールド16を下側へ引っ張る図6の矢印で示すような引張応力が強く働き、この引張応力によりウェハレベルCSP1の切断面におけるシリコンウェハ10やポリイミド層14と、樹脂モールド部16との剥離が発生し、ウェハレベルCSP1がこの部分より破壊されてしまうことがある。
また、ダイシング加工時にアクセサリパターン12が切断されると、ウェハレベルCSP1の切断面にアクセサリパターン部12が露出する為、上記の樹脂のひずみによる応力が発生した際には、この露出したアクセサリパターン部12に応力が集中し、より破壊しやすくなるという問題がある。
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、ウェハレベルCSPを基板へ実装した後の補強目的の樹脂封止時に、樹脂の熱収縮によるウェハレベルCSPの破壊を防止することにある。
本発明は、ウェハレベルCSP製造時の位置合わせで使用するシリコンウェハ上のアクセサリパターンの配置の改良、及び基板実装時の樹脂塗布方法の改良によって、基板実装時にウェハレベルCSPを破壊せずに樹脂封止を可能とするものである。
具体的には、本発明のダイシング加工されたウェハレベルCSPを基板に実装するウェハレベルCSPの実装構造は、前記ウェハレベルCSPの製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンが前記ウェハレベルCSPの切断面から離れた位置に配置されているとともに、前記基板に実装された前記切断面の全てに塗布されて前記基板面から前記ウェハレベルCSPの上面に達する補強樹脂のフィレットが形成されていることを特徴としている。
そのため、本発明で用いられるウェハレベルCSPは、ウェハレベルCSPの製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンが、ダイシングブレードによる前記ウェハレベルCSPの切断面から露出しないように該切断面から離れた位置に配置されていることを特徴としている。
また、本発明のダイシング加工されたウェハレベルCSPを基板に実装するウェハレベルCSPの実装方法は、製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンがその切断面から露出しないようにダイシングブレードにより個々に切断したウェハレベルCSPを前記基板上に実装するとともに、前記ウェハレベルCSPの前記ダイシング加工による切断面の全てに、前記基板面から前記ウェハレベルCSPの上面に達するフィレットができるように補強樹脂を塗布することを特徴としている。
また、本発明で用いられるウェハレベルCSPの製造方法は、シリコンウェハ上に回路パターンをパターニングするとともに、製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用するアクセサリパターンをダイシングブレードによるダイシング箇所を避けてパターニングするステップと、前記回路パターンの上にアルミニウムパッド、及び絶縁保護膜のポリイミド層を設けるステップと、前記絶縁保護膜上に配線を施し、樹脂モールドによる封止を行ってから、はんだボールを取り付けるステップと、前記シリコンウェハを前記ダイシングブレードにより前記アクセサリパターンがその切断面から露出しないように各個辺に切断するステップを有していることを特徴としている。
本発明では、ウェハレベルCSP製造時のダイシング加工の際に、アクセサリパターンが切断されないようにアクセサリパターンの配置を改良し、かつ補強用の樹脂塗布の際に、4辺全てに補強樹脂を塗布することによってウェハレベルCSP側面上部までの樹脂フィレットを形成しているので、補強樹脂の収縮ひずみによるウェハレベルCSPの側断面への応力を緩和することができ、ウェハレベルCSPの切断面からの破壊を防止することが可能となる。
図1は、本発明の製造方法により製造されたウェハレベルCSPの構成図である。シリコンウェハ10の上面に回路パターン11、及びアクセサリパターンと呼ばれる製造中の電気検査や、製造時の位置合わせに使用する、回路パターン以外のパターン12がパターニングされている。回路パターン11の上には、アルミニウムパッド13、及び絶縁保護膜のポリイミド層14がある。そして、銅の再配線15により、基板との接続を行うはんだボール17まで配線が引き回されている。また、シリコンウェハ10から銅の配線15までは、モールド樹脂16により埋められている。
このウェハレベルCSP1を基板2上に搭載し、本発明の実装方法による補強用樹脂3の塗布を実施すると、図2に示した構成になる。CSP1は四角形である為、周囲に4つの辺が存在するが、本発明では、その4辺すべてに補強用樹脂3を多めに塗布し、硬化させることで、CSP側面上部まで、補強用樹脂3のフィレットを形成させている。
図1に示すウェハレベルCSPを製造するには、まずシリコンウェハ10の上に回路パターン11、及びアクセサリパターンと呼ばれる製造中の電気検査や、製造時の位置合わせに使用する回路パターン以外のパターン12をパターニングする。次に、その回路パターンの上にアルミニウムパッド13、及び絶縁保護膜のポリイミド層14を設ける。さらに銅による配線15を施し、樹脂モールド16による封止を行ってから、はんだボール17を取り付ける。そして、最終的に図3に示すようにダイシングブレード20により、各個辺に切断される。その際、図4に示すように、アクセサリパターン12の配置箇所は、点線19で示されているダイシングを行う箇所を避けて配置する。
このようにして製造されたウェハレベルCSP1を基板2に実装する際には、まず、ウェハレベルCSP1を基板2上に搭載してはんだボール17と基板2上の配線接続を行った後、強度向上の為の樹脂封止を行うために、図2に示すように、ウェハレベルCSP1側面上部まで樹脂3のフィレットができるよう、ウェハレベルCSPの4辺の切断面すべてに樹脂3を多めに塗布し、硬化させる。その結果、ウェハレベルCSP1の4辺の周囲には各切断面を完全に覆う比較的大きな樹脂フィレットが形成されるので、樹脂モールド16とシリコンウェハ10やポリイミド層14を剥離させる方向の応力はほとんど生じず、樹脂封止時のウェハレベルCSP1の破壊を防止することが出来る。
さらに、アクセサリパターン12はウェハレベルCSP1の切断面から露出していないので、アクセサリパターン12とポリイミド層14、あるいはアクセサリパターン12とシリコンウェハ10との接合部分の前記応力による剥離によって生ずるウェハレベルCSPの破壊も防止することが出来る。
図5は、本発明の他の実施形態を示す基板実装されたウェハレベルCSPの補強用樹脂塗布後の断面を示す構成図である。
上記実施形態においては、ウェハレベルCSP1として、シリコンウェハ上にモールド樹脂の層8があるウェハレベルCSPを用いた場合について説明したが、図5に示すように、ポリイミド層14内で配線の引き回しを行うことにより、モールド樹脂層を省いたウェハレベルCSPに対しても、本発明を適用することができ、同様に、樹脂封止時の破壊を防止することが出来る。
1 ウェハレベルCSP
2 基板
3 補強用樹脂
10 シリコンウェハ
11 回路パターン
12 アクセサリパターン
13 アルミニウムパッド
14 ポリイミド層
15 銅の再配線
16 モールド樹脂
17 はんだボール
19 ダイシング箇所
20 ダイシングブレード
2 基板
3 補強用樹脂
10 シリコンウェハ
11 回路パターン
12 アクセサリパターン
13 アルミニウムパッド
14 ポリイミド層
15 銅の再配線
16 モールド樹脂
17 はんだボール
19 ダイシング箇所
20 ダイシングブレード
Claims (4)
- ダイシング加工されたウェハレベルCSPを基板に実装するウェハレベルCSPの実装構造であって、
前記ウェハレベルCSPの製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンが前記ウェハレベルCSPの切断面から離れた位置に配置されているとともに、前記基板に実装された前記切断面の全てに塗布されて前記基板面から前記ウェハレベルCSPの上面に達する補強樹脂のフィレットが形成されていることを特徴とするウェハレベルCSPの実装構造。 - 請求項1に記載のウェハレベルCSPの実装構造に用いられるウェハレベルCSPであって、
前記ウェハレベルCSPの製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンが、ダイシングブレードによる前記ウェハレベルCSPの切断面から離れた位置に配置されていることを特徴とするウェハレベルCSP。 - ダイシング加工されたウェハレベルCSPを基板に実装するウェハレベルCSPの実装方法であって、
製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンがその切断面から露出しないようにダイシングブレードにより個々に切断したウェハレベルCSPを前記基板上に実装するとともに、前記ウェハレベルCSPの前記ダイシング加工による切断面の全てに、前記基板面から前記ウェハレベルCSPの上面に達するフィレットができるように補強樹脂を塗布することを特徴とするウェハレベルCSPの実装方法。 - 基板に実装されるウェハレベルCSPの製造方法であって、
シリコンウェハ上に回路パターンをパターニングするとともに、製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用するアクセサリパターンをダイシングブレードによるダイシング箇所を避けてパターニングするステップと、前記回路パターンの上にアルミニウムパッド、及び絶縁保護膜のポリイミド層を設けるステップと、前記絶縁保護膜上に配線を施し、樹脂モールドによる封止を行ってから、はんだボールを取り付けるステップと、前記シリコンウェハを前記ダイシングブレードにより前記アクセサリパターンがその切断面から露出しないように各個辺に切断するステップを有していることを特徴とする基板に実装されるウェハレベルCSPの製造方法。
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JP2009236804A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Tdk Corp | 角速度センサ素子 |
CN109817768A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-05-28 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 一种csp光源的分离方法 |
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2006
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