JP2007324317A - Ｅｍｉシールド装置、ｅｍｉシールドｉｃパッケージおよび電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】従来よりも簡易な方法で、ＩＣパッケージから放出される電磁波によるＥＭＩの発生を防止または抑制する。
【解決手段】本発明に係るＥＭＩシールド装置１０は、シート状の複数の誘電体層２１、２６を積層したＥＭＩシールド装置１０であって、複数の誘電体層２１、２６の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、複数の誘電体層２１、２６の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

本発明は、電磁波等の屈折現象を利用したＥＭＩシールド技術に係り、特に比誘電率の異なる誘電体を積層して電磁波を屈折させて垂直偏波を防止するＥＭＩシールド装置、ＥＭＩシールドＩＣパッケージおよび電子機器に関する。

プリント基板は、プリント配線板に、回路が形成されたりＩＣパッケージ等の部品が実装されたりして作製される。ＩＣパッケージは、高密度多層配線基板等の上にシリコンチップが搭載され、樹脂等で封止されたものである。

プリント基板に実装されたＩＣパッケージは、動作させるとシリコンチップの表面から垂直方向に電磁波を放出する。

しかし、近年、電子機器から発せられる電磁波が人体や他の電子機器等に悪影響を与えるＥＭＩ（Electro Magnetic Interference：電磁波干渉）が問題になっており、プリント基板から発生するＥＭＩを低減する要望が高まってきている。

ＥＭＩを低減する従来技術としては、たとえば、特許文献１（特開２０００−２６１１８０号公報）に開示されている。特許文献１記載の電波吸収体は、３以下の比誘電率を有する整合層と、吸収層と、反射層とが順次積層された積層構造を有し、少なくとも２層の吸収層部分を備える積層構造の吸収層は、反射層側に位置する吸収層の比誘電率が、整合層または整合層側に位置する吸収層の比誘電率より高いがこの比誘電率の３倍以下になるように設定されるものである。
特開２０００−２６１１８０号公報

特許文献１記載の電波吸収体は、電波の経路を長くとって電波の吸収効率を高め、入射した電波の吸収層同士の界面での反射を抑制することができるが、整合層や吸収層以外に、さらに金属板や金属膜等の反射層を設ける必要があるため、重量が大きくなったり製造コストが高くなったりするという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、従来よりも簡易な方法でＥＭＩの発生の防止または抑制することができるＥＭＩシールド装置、ＥＭＩシールドＩＣパッケージおよび電子機器を提供することを目的とする。

本発明に係るＥＭＩシールド装置は、上記課題を解決するものであり、シート状の複数の誘電体層を積層したＥＭＩシールド装置であって、前記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする。

また、本発明に係るＥＭＩシールド装置は、上記課題を解決するものであり、ドーム状の誘電体層からなるＥＭＩシールド装置であって、前記誘電体層は、比誘電率が２０以上であることを特徴とする。

さらに、本発明に係るＥＭＩシールド装置は、上記課題を解決するものであり、ドーム状の複数の誘電体層を積層したＥＭＩシールド装置であって、前記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする。

また、本発明に係るＥＭＩシールド装置は、上記課題を解決するものであり、長球状の内側誘電体部の周囲を少なくとも１個の誘電体層で被覆して形成した長球状の多層誘電体と、絶縁体で形成され、前記多層誘電体を内包してシート状に形成する絶縁体層とからなり、この絶縁体層の一方の表面に、前記多層誘電体の内側誘電体に達する深さで、かつ内部に電子部品を収容可能なように凹設された収容凹部を備えたＥＭＩシールド装置であって、前記多層誘電体の複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする。

さらに、本発明に係るＥＭＩシールドＩＣパッケージは、上記課題を解決するものであり、配線基板と、この配線基板上に搭載されたシリコンチップと、このシリコンチップを封止する封止部とを備えたＥＭＩシールドＩＣパッケージであって、この封止部のうち前記シリコンチップの表面を封止する部分は、複数の誘電体層を積層した多層誘電体構造を有し、前記多層誘電体構造における記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする。

また、本発明に係る電子機器は、上記課題を解決するものであり、ＩＣパッケージとＥＭＩシールド装置とを備え、このＥＭＩシールド装置は、シート状の複数の誘電体層を積層したＥＭＩシールド装置であって、前記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されているものであることを特徴とする。

さらに、本発明に係る電子機器は、上記課題を解決するものであり、ＩＣパッケージとＥＭＩシールド装置とを備え、このＥＭＩシールド装置は、ドーム状の誘電体層からなるＥＭＩシールド装置であって、前記誘電体層は、比誘電率が２０以上であることを特徴とする。

また、本発明に係る電子機器は、上記課題を解決するものであり、ＩＣパッケージとＥＭＩシールド装置とを備え、このＥＭＩシールド装置は、ドーム状の複数の誘電体層を積層したＥＭＩシールド装置であって、前記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする。

さらに、本発明に係る電子機器は、上記課題を解決するものであり、ＩＣパッケージとＥＭＩシールド装置とを備え、このＥＭＩシールド装置は、長球状の内側誘電体部の周囲を少なくとも１個の誘電体層で被覆して形成した長球状の多層誘電体と、絶縁体で形成され、前記多層誘電体を内包してシート状に形成する絶縁体層とからなり、この絶縁体層の一方の表面に、前記多層誘電体の内側誘電体に達する深さで、かつ内部に電子部品を収容可能なように凹設された収容凹部を備えたＥＭＩシールド装置であって、前記多層誘電体の複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする。

また、本発明に係る電子機器は、上記課題を解決するものであり、プリント配線板と、このプリント配線板に実装したＥＭＩシールドＩＣパッケージとを備え、前記ＥＭＩシールドＩＣパッケージは、配線基板と、この配線基板上に搭載されたシリコンチップと、このシリコンチップを封止する封止部とを備えたＥＭＩシールドＩＣパッケージであって、この封止部のうち前記シリコンチップの表面を封止する部分は、複数の誘電体層を積層した多層誘電体構造を有し、前記多層誘電体構造における記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする。

従来よりも簡易な方法で、ＩＣパッケージから放出される電磁波によるＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

本発明に係るＥＭＩシールド装置、ＥＭＩシールドＩＣパッケージおよび電子機器の実施の形態について添付図面を参照して説明する。

［第１の実施形態］
図１は、本発明に係る電子機器１を示す斜視図である。

図１に示された電子機器１は、ノートパソコンの例であるが、携帯電話機等の他の電子機器であってもよい。

電子機器１は、偏平なボックス状の筐体２にヒンジ手段３を介して表示パネル等の表示手段４を備えた蓋体５が回動かつ開閉自在に支持される。ヒンジ手段３は、蓋体５を筐体２に電気的および機械的に接続している。また、電子機器１は、筐体２の上面にパソコン本体を操作する入力手段としてのキーボード６が備えられている。

電子機器１には、本発明に係るＥＭＩシールド装置として図２に示すＥＭＩシールドシート１０が内蔵されている。

図２は、ＥＭＩシールドシート１０の層構造を模式的に示す断面図である。

ＥＭＩシールドシート１０は、シート状の内側誘電体層２１とシート状の外側誘電体層２６とが積層された２層構造を有する。ここで外側誘電体層２６は、ＥＭＩシールドシート１０を構成する誘電体層のうち、内側誘電体層２１と反対側の表面を構成する誘電体層である。

内側誘電体層２１は、低誘電体で形成される。ここで、低誘電体とは、比誘電率が１０未満、好ましくは８未満、より好ましくは５未満の誘電体を意味する。低誘電体層２１の比誘電率が小さくなるほど好ましいのは、以下の理由からである。即ち、比誘電率が小さくなるほどＩＣパッケージから放出される電磁波をＥＭＩシールドシート１０内に吸収しやすくなるためであると推測される。そのため、ＥＭＩシールドシート１０をＩＣパッケージの表面に配置したときに、ＩＣパッケージから放出される電磁波をＥＭＩシールドシート１０のシート層の垂直方向に放出させにくいからである。

内側誘電体層２１に用いられる低誘電体としては、たとえば、ＫＣｌ（比誘電率４．６４）、ＫＢｒ（比誘電率４．７８）、ＳｉＯ_２（比誘電率４．５〜４．６）、硬質塩化ビニル（比誘電率２．３〜３．１）、ポリエチレン（比誘電率２．２〜２．４）、ポリスチレン（比誘電率２．５〜２．７）、ナイロン（比誘電率４．０〜４．７）、４フッ化エチレン（比誘電率２．０）、エポキシ樹脂（比誘電率３．３〜４．０）および石英ガラス（比誘電率３．５〜４．０）等が挙げられる。

外側誘電体層２６は、内側誘電体層２１の低誘電体よりも比誘電率の高い誘電体で形成される。外側誘電体層２６の誘電体は、比誘電率が、通常２０以上、好ましくは４０以上、より好ましくは８０以上の高誘電体である。外側誘電体層２６を構成する誘電体の比誘電率が高くなるほど好ましいのは以下の理由からである。即ち、比誘電率が大きくなるほど外側誘電体層２６内の電磁波の伝播方向が屈折されて、外側誘電体層２６内の平行方向に近づくためであると推測される。そのため、ＥＭＩシールドシート１０をＩＣパッケージの表面に配置したときに、ＩＣパッケージから放出される電磁波をＥＭＩシールドシート１０の垂直方向に放出させにくいからである。

外側誘電体層２６に用いられる誘電体は、たとえば、ＴｉＯ_２（比誘電率８５〜１７０）、ＳｒＴｉＯ_３（比誘電率３３２）、ＢａＴｉＯ_３（比誘電率１６８〜２９２０）、ＮａＫＣ_４Ｈ_４Ｏ_６・４Ｈ_２Ｏ（比誘電率２００）、ＰｂＺｒＯ_３（比誘電率１００）およびＣｕ（ＨＣＯＯ）_２・４Ｈ_２Ｏ（比誘電率４００）等が挙げられる。

ＥＭＩシールドシート１０は、比誘電率の大きさが異なるという基準で選ばれ、順次積層された、シート状の内側誘電体層２１とシート状の外側誘電体層２６とからなる２層構造を有する。

ＥＭＩシールドシート１０は、内側誘電体層２１から外側誘電体層２６に向かって比誘電率の小さい順に積層されている。

換言すると、ＥＭＩシールドシート１０は、外側誘電体層２６から内側誘電体層２１に向かって比誘電率の大きい順に積層されている。

図３は、ＥＭＩシールドシート１０とＩＣパッケージ６０との断面の一部を模式的に示す断面図である。ＩＣパッケージ６０は、本体６０ａと、複数の電極６０ｂとから構成されている。図３に示すように、ＥＭＩシールドシート１０の内側誘電体層２１が本体６０ａの一方の面対向するようにＩＣパッケージ６０上に配置される。

ＥＭＩシールドシート１０のＩＣパッケージ６０上への配置方法は、本体６０ａ上にＥＭＩシールドシート１０を直接載置してもよいし、本体６０ａから離間してＥＭＩシールドシート１０を配置してもよい。ＥＭＩシールドシート１０をＩＣパッケージ６０から離間して配置する方法としては、たとえば、ＩＣパッケージ６０が電子機器１の筐体２内に配置される場合に、ＥＭＩシールドシート１０を筐体２の内面に貼り付ける等により固定する方法が挙げられる。

次に、ＥＭＩシールドシート１０の作用について説明する。

ＩＣパッケージ６０を動作させると、ＩＣパッケージ６０の表面から図３中の上方に電磁波が放出される。ＩＣパッケージ６０から放出された電磁波は、ＥＭＩシールドシート１０の内側誘電体層２１中に入ると屈折して吸収され、たとえば、図３中の矢印で示した電磁波Ｅ１１に示すように内側誘電体層２１中を伝播する。

内側誘電体層２１中を伝播した電磁波Ｅ１１は、内側誘電体層２１よりも比誘電率の高い材料で形成された外側誘電体層２６との界面で更に屈折され、伝播方向を外側誘電体層２６との界面の水平方向に近づくように変える（図３中の矢印で示した電磁波Ｅ１２）。

外側誘電体層２６中の電磁波Ｅ１２は、矢印の向きに伝播して外側誘電体層２６の端部２８に集約され、この端部２８に設けた図示しないグランド接続手段でグランド接続される等の処理が行われ、ＥＭＩシールドシート１０外への電磁波の放出が防止または抑制される。

内側誘電体層２１中を伝播した電磁波Ｅ１１が、内側誘電体層２１よりも比誘電率の高い材料で形成された外側誘電体層２６との界面で屈折されるメカニズムとしては、以下のメカニズムが考えられる。

図４は、比誘電率ε１の誘電体Ａと、比誘電率ε２の誘電体Ｂとが接した配線基板の接合状態を示す概念図である。図４において、誘電体Ａの電束密度がＤ１で電束の方向が境界の法線に対して角度θ１、誘電体Ｂの電束密度がＤ２で電束の方向が境界の法線に対して角度θ２としたとき、境界面で電荷が存在しないと仮定すると、誘電体Ａの電束密度の法線成分Ｄ１ｎと誘電体Ｂの電束密度の法線成分Ｄ２ｎとの間には、
［数１］
Ｄ１ｎ＝Ｄ２ｎ・・・（１）
の関係が成り立ち、電束密度の法線成分が連続となる。

一方、図示しない電場については接線成分が連続となり、誘電体Ａの電界の接線成分Ｅ１ｔと誘電体Ｂの電界の接線成分Ｅ２ｔとの間には、
［数２］
Ｅ１ｔ＝Ｅ２ｔ・・・（２）
の関係が成り立つ。

このため、電束密度Ｄ１、電束密度Ｄ２および電界Ｅ２の間には、以下の関係が成り立つ。
［数３］
Ｄ２＝Ｄ１｛ｃｏｓ^２θ１＋（ε２／ε１）ｓｉｎ^２θ２｝^１／２ ・・・（３）
［数４］
Ｅ２＝Ｄ１｛ｃｏｓ^２θ１＋（ε２／ε１）ｓｉｎ^２θ２｝^１／２／ε２・・・（４）
［数５］
θ２＝ｔａｎ^−１｛（ε２／ε１）ｔａｎθ１｝ ・・・（５）

そこで、誘電体Ａを高誘電体、誘電体Ｂを低誘電体として、比誘電率ε１が比誘電率ε２よりも十分に大きいと仮定すると（ε１＞＞ε２）、以下の関係が成り立ち、配線基板から放射される電場を高誘電体層Ａ内で閉じ込めることができるようになると考えられる。
［数６］
Ｄ２＝Ｄ１ｃｏｓθ１ ・・・（６）
［数７］
Ｅ２＝Ｄ１ｃｏｓθ１／ε２ ・・・（７）
［数８］
θ１≒９０° ・・・（８）
［数９］
θ２＝０° ・・・（９）

なお、電場と磁場は相互作用があるため、電場を外へ放出させないことにより、結果的に電磁場を配線基板の外へ放出する（ＥＭＩ）ことを抑制することができると考えられる。

ＥＭＩシールドシート１０の具体的な作用について、図５および図６を参照して説明する。

図５は、ＥＭＩシールドシート１０の外側誘電体層２６（誘電体の比誘電率は５０）のみをＩＣパッケージ６０上に配置した場合の電磁場解析結果の例を示す図である。図６は、ＥＭＩシールドシート１０の内側誘電体層２１（誘電体の比誘電率は３）のみをＩＣパッケージ６０上に配置した場合の電磁場解析結果の例を示す図である。

図５に示す電磁場解析結果は、以下のようにして得た。すなわち、初めに、ＩＣパッケージ６０上にＥＭＩシールドシート１０の外側誘電体層２６を配置したものを２組用い、これらをＩＣパッケージ６０の背面同士で組み合わせて、上下方向に外側誘電体層２６／ＩＣパッケージ６０／ＩＣパッケージ６０／外側誘電体層２６の４層構造のテストピース（テストピースＪ）を作成した。外側誘電体層２６を形成する誘電体の比誘電率は５０とした。

次に、テストピースＪの２つのＩＣパッケージ６０、６０を３００ＭＨｚの条件で動作させて、ＩＣパッケージ６０、６０から上下方向のそれぞれに電磁波を放出させ、電磁場を解析した。

図５中、大きな円の中心部にある符号Ｊで示される横長の長方形の模様は、テストピースＪの影を示す。また、符号Ｊから左右に三方ずつおよび上下方向の計八方に延びたアスタリスク状の影は、所定の電界強度の及ぶ範囲を示す。

図６に示す電磁場解析結果は、以下のようにして得た。すなわち、初めに、図５のテストピースＪの作成と同様にして、ＩＣパッケージ６０上にＥＭＩシールドシート１０の内側誘電体層２１を配置したものを２組用い、上下方向に内側誘電体層２１／ＩＣパッケージ６０／ＩＣパッケージ６０／内側誘電体層２１の４層構造のテストピース（テストピースＫ）を作成した。内側誘電体層２１を形成する誘電体の比誘電率は３とした。

次に、テストピースＪと同じ条件でテストピースＫの２つのＩＣパッケージ６０、６０を動作させて、ＩＣパッケージ６０、６０から上下方向のそれぞれに電磁波を放出させ、電磁場を解析した。

図６中、大きな円の中心部にある符号Ｋで示される横長の長方形の模様は、テストピースＫの影を示す。また、符号Ｋから左右に三方ずつおよび上下方向の計八方に延びたアスタリスク状の影は、図５と同じ所定の電界強度の及ぶ範囲を示す。

図５および図６を比較すると、所定の電界強度のＩＣパッケージ６０の表面の垂直方向に及ぶ範囲の大きさは、図５に示すテストピースＪの長さＰのほうが、図６に示すテストピースＫの長さＱよりも短くなっており、外側誘電体層２６を配置したテストピースＪのほうが、ＩＣパッケージ６０の表面の垂直方向への電磁波の放出が抑制されていることが分かる。

また、所定の電界強度のＩＣパッケージ６０の表面の水平方向に及ぶ範囲の大きさは、図５に示すテストピースＪの長さＶのほうが、図６に示すテストピースＫの長さＷよりも長くなっており、外側誘電体層２６を配置したテストピースＪのほうが、ＩＣパッケージ６０の表面の水平方向への電磁波の放出が助長されていることが分かる。

ＥＭＩシールドシート１０によれば、ＩＣパッケージ６０の表面の垂直方向に放出される電磁波の伝播方向を、ＩＣパッケージ６０の表面に対する水平方向に近づくように変え、電磁波を外側誘電体層２６の端部２８に集約させることができる。

これにより、ＥＭＩシールドシート１０によれば、ＩＣパッケージ６０から放出される電磁波を、軽量かつ低コストで作製することができるＥＭＩシールドシート１０で遮蔽し、ＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

また、ＥＭＩシールドシート１０によれば、電磁波を外側誘電体層２６の端部２８に集約させることができるため、ＥＭＩシールドシート１０を屈曲自在な薄いフィルム状とすると、ＥＭＩシールドシート１０内の電磁波の伝播方向の制御が可能になる。

ＥＭＩシールドシート１０は、内側誘電体層２１および外側誘電体層２６の少なくともいずれかに、磁性体や導電材を含有させてもよい。

磁性体としては、たとえば、フェライト粉、酸化鉄粉、酸化クロム粉、およびコバルト粉等が用いられる。

また、導電材としては、たとえば、鉄粉、銀粉、およびニッケル粉等が用いられる。

磁性体や導電材を含有させると、内側誘電体層２１や外側誘電体層２６中を伝播する電磁波が、磁性体や導電材により熱に変換され、ＥＭＩシールドシート１０中の電磁波の強度を減少または消失させることにより、グランド接続手段等を適宜省略することができるため好ましい。

磁性体や導電材は、内側誘電体層２１や外側誘電体層２６の層中に均等に分散するように含有させてもよいし、層中の一部に集中して含有させてもよい。集中して含有させる場合は、たとえば、内側誘電体層２１や外側誘電体層２６、特に外側誘電体層２６の層の端部２８に集中させて含有させると、図３中の矢印Ｅ１２のように外側誘電体層２６の層の端部２８に集約された電磁波を効率よく熱に変換することができるため好ましい。

また、ＥＭＩシールドシート１０は、内側誘電体層２１がＩＣパッケージ６０側に対向するようにＩＣパッケージ６０上に配置して、ＥＭＩシールドシート１０とＩＣパッケージ６０とからなる実装構造体を形成してもよい。ＥＭＩシールドシート１０のＩＣパッケージ６０上への配置方法は、直接載置し固定する方法が挙げられる。

ＥＭＩシールドシート１０を含む電子機器１によれば、ＥＭＩシールドシート１０が、ＩＣパッケージの表面の垂直方向に放出される電磁波の伝播方向を、ＩＣパッケージの表面に対する水平方向に近づくように変え、電磁波を外側誘電体層２６の端部２８に集約させることができる。これにより、ＩＣパッケージから放出される電磁波を、軽量かつ低コストで作製することができるＥＭＩシールドシート１０で遮蔽し、ＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

また、このＥＭＩシールドシート１０を含む電子機器１によれば、ＥＭＩシールドシート１０が、電磁波を外側誘電体層２６の端部２８に集約させることができるため、ＥＭＩシールドシート１０を屈曲自在な薄いフィルム状とすると、ＥＭＩシールドシート１０内の電磁波の伝播方向の制御が可能になる。

［第２の実施形態］
次に本発明に係る電子機器の第２の実施形態について添付図面を参照して説明する。

第２の実施形態の電子機器１Ａの外観構成は、図１に示された電子機器１と同様であるため説明を省略する。

電子機器１Ａには、本発明に係るＥＭＩシールド装置として図７に示すＥＭＩシールドシート１０Ａが内蔵されている。

図７は、ＥＭＩシールドシート１０Ａの層構造を模式的に示す断面図である。

ＥＭＩシールドシート１０Ａは、ＥＭＩシールドシート１０に対し、内側誘電体層２１と外側誘電体層２６との間にさらに誘電体層を２層積層して４層構造とした点で異なり、他の点の構成および作用は、ＥＭＩシールドシート１０と同様であるため、同一部材には同一符号を付して説明を簡略化または省略する。

ＥＭＩシールドシート１０Ａは、内側誘電体層２１と外側誘電体層２６との間に、第２誘電体層２２および第３誘電体層２３が積層され、内側誘電体層２１／第２誘電体層２２／第３誘電体層２３／外側誘電体層２６の４層構造を有する。

ＥＭＩシールドシート１０Ａは、シート状の複数の誘電体層を積層したシート状構造になっている。

ＥＭＩシールドシート１０Ａは、比誘電率の大きさが異なるという基準で選ばれ、順次積層された、シート状の内側誘電体層２１／シート状の第２誘電体層２２／シート状の第３誘電体層２３／シート状の外側誘電体層２６の４層構造を有する。

ＥＭＩシールドシート１０Ａは、内側誘電体層２１から外側誘電体層２６に向かって、内側誘電体層２１、第２誘電体層２２、第３誘電体層２３および外側誘電体層２６の順番で、前者ほど比誘電率の小さくなるように積層されている。

換言すると、ＥＭＩシールドシート１０Ａは、外側誘電体層２６から内側誘電体層２１に向かって比誘電率の大きい順に積層されている。

ＥＭＩシールドシート１０Ａの各誘電体層のうち、内側誘電体層２１は低誘電体で形成され、外側誘電体層２６は高誘電体で形成される。

ＥＭＩシールドシート１０Ａの各誘電体層のうち、第２誘電体層２２、第３誘電体層２３等の、内側誘電体層２１および外側誘電体層２６以外の中間誘電体層を形成する誘電体は、比誘電率が低誘電体と高誘電体との間の値を有する誘電体（以下、「中誘電体」と称する。）であってもよいが、低誘電体または高誘電体であってもよい。

たとえば、ＥＭＩシールドシート１０Ａの各誘電体層を構成する誘電体の比誘電率は、内側誘電体層２１の比誘電率が３、第２誘電体層２２の比誘電率が５、第３誘電体層２３の比誘電率が１０、および外側誘電体層２６の比誘電率が２０のように形成される。

図８は、ＥＭＩシールドシート１０ＡとＩＣパッケージ６０との断面の一部を模式的に示す断面図である。図８に示すように、ＥＭＩシールドシート１０Ａは、内側誘電体層２１がＩＣパッケージ６０側に対向するようにＩＣパッケージ６０上に配置される。

ＥＭＩシールドシート１０ＡのＩＣパッケージ６０上への配置方法は、ＥＭＩシールドシート１０のＩＣパッケージ６０上への配置方法と同様であるため説明を省略する。

ＥＭＩシールドシート１０Ａの作用について、図８を参照して説明する。

ＩＣパッケージ６０を動作させ、ＩＣパッケージ６０の表面から図８中の上方に放出された電磁波は、ＥＭＩシールドシート１０Ａの内側誘電体層２１中に吸収され、たとえば、図８中の矢印Ｅ２１に示すように内側誘電体層２１中を伝播する。

内側誘電体層２１中を伝播した電磁波Ｅ２１は、誘電体の比誘電率が順次高くなる第２誘電体層２２との界面、第３誘電体層２３との界面、および外側誘電体層２６との界面で伝播方向が、それぞれの界面の水平方向に近づくようにそれぞれ屈折される（図８中の矢印Ｅ２２、Ｅ２３、およびＥ２４）。

外側誘電体層２６中の電磁波は、矢印Ｅ２４の向きに伝播して外側誘電体層２６の端部２８に集約され、この端部２８に設けた図示しないグランド接続手段等で処理され、ＥＭＩシールドシート１０Ａ外への電磁波の放出が防止または抑制される。

ＥＭＩシールドシート１０Ａによれば、ＩＣパッケージ６０の表面の垂直方向に放出される電磁波の伝播方向を、ＩＣパッケージ６０の表面に対する水平方向に近づくように変え、電磁波を外側誘電体層２６の端部２８に集約させることができる。

また、ＥＭＩシールドシート１０Ａによれば、電磁波を外側誘電体層２６の端部２８に集約させることができるため、ＥＭＩシールドシート１０Ａを屈曲自在な薄いフィルム状とすると、ＥＭＩシールドシート１０Ａ内の電磁波の伝播方向の制御が可能になる。

さらに、ＥＭＩシールドシート１０Ａによれば、ＥＭＩシールドシート１０よりも誘電体を多く積層し、ＥＭＩシールドシート１０Ａ内を伝播する電磁波の屈折を細分化しているため、比誘電率の差が大きい誘電体層間の界面で電磁波が過剰に屈折して反射してしまうおそれが少なくなる。

これにより、ＥＭＩシールドシート１０Ａによれば、ＥＭＩシールドシート１０よりも確実に、ＩＣパッケージ６０から放出される電磁波を、軽量かつ低コストで作製することができるＥＭＩシールドシート１０Ａで遮蔽し、ＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

また、ＥＭＩシールドシート１０Ａは、内側誘電体層２１、第２誘電体層２２、第３誘電体層２３および外側誘電体層２６の少なくともいずれかに、磁性体や導電材を含有させてもよい。

また、ＥＭＩシールドシート１０Ａは、内側誘電体層２１がＩＣパッケージ６０側に対向するようにＩＣパッケージ６０上に配置して、ＥＭＩシールドシート１０ＡとＩＣパッケージ６０とからなる実装構造体を形成してもよい。ＥＭＩシールドシート１０ＡのＩＣパッケージ６０上への配置方法は、直接載置し固定する方法が挙げられる。

ＥＭＩシールドシート１０Ａを含む電子機器１Ａによれば、ＥＭＩシールドシート１０Ａが、ＩＣパッケージ６０の表面の垂直方向に放出される電磁波の伝播方向を、ＩＣパッケージ６０の表面に対する水平方向に近づくように変え、電磁波を外側誘電体層２６の端部２８に集約させることができる。

また、ＥＭＩシールドシート１０Ａを含む電子機器１Ａによれば、ＥＭＩシールドシート１０Ａが、電磁波を外側誘電体層２６の端部２８に集約させることができるため、ＥＭＩシールドシート１０Ａを屈曲自在な薄いフィルム状とすると、ＥＭＩシールドシート１０Ａ内の電磁波の伝播方向の制御が可能になる。

さらに、ＥＭＩシールドシート１０Ａを含む電子機器１Ａによれば、ＥＭＩシールドシート１０Ａが、ＥＭＩシールドシート１０よりも誘電体を多く積層し、ＥＭＩシールドシート１０Ａ内を伝播する電磁波の屈折を細分化しているため、比誘電率の差が大きい誘電体層間の界面で電磁波が過剰に屈折して反射してしまうおそれが少なくなる。

これにより、ＥＭＩシールドシート１０Ａを含む電子機器１Ａによれば、ＥＭＩシールドシート１０を含む電子機器１よりも確実に、ＩＣパッケージ６０から放出される電磁波を、軽量かつ低コストで作製することができるＥＭＩシールドシート１０Ａで遮蔽し、ＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

［第３の実施形態］
次に本発明に係る電子機器の第３の実施形態について添付図面を参照して説明する。

第３の実施形態の電子機器１Ｂの外観構成は、図１に示された電子機器１と同様であるため説明を省略する。

電子機器１Ｂには、本発明に係るＥＭＩシールド装置として図９に示すＥＭＩシールドキャップ１１が内蔵されている。

図９は、ＥＭＩシールドキャップ１１の斜視図であり、図１０は、ＥＭＩシールドキャップ１１の層構造を模式的に示す断面図である。

ＥＭＩシールドキャップ１１は、内部に電子部品を収容可能な収容空間１６を有し、外形が略半球状に形成されたドーム状構造になっている。

収容空間１６に収容される電子部品は、たとえば、ＩＣパッケージ等である。

ＥＭＩシールドキャップ１１は、ドーム状構造の壁面部分２７が、比誘電率２０以上、好ましくは４０以上、より好ましくは８０以上の高誘電体で形成された高誘電体層になっている。

図１１は、ＥＭＩシールドキャップ１１とＩＣパッケージ６０との断面の一部を模式的に示す断面図である。図１１に示すように、ＥＭＩシールドキャップ１１は、収容空間１６内にＩＣパッケージ６０を収容するように配置される。

ＥＭＩシールドキャップ１１の作用について、図１１〜図１３を参照して説明する。

ＩＣパッケージ６０を動作させると、ＩＣパッケージ６０の表面から図１１中の上方に電磁波が放出される（図１１中、Ｅ３０）。ＩＣパッケージ６０から放出された電磁波は、ＥＭＩシールドキャップ１１の高誘電体で形成されたドーム状構造の壁面部分２７で大部分が反射され、ＥＭＩシールドキャップ１１外には実質的に放出されない。

図１２は、ＥＭＩシールドキャップ１１（ＥＭＩシールドキャップ１１Ｌ）のドーム状構造の壁面部分２７を比誘電率５０の高誘電体で形成した場合の電磁場解析結果の例を示す図である。図１３は、ＥＭＩシールドキャップ１１（ＥＭＩシールドキャップ１１Ｍ）のドーム状構造の壁面部分２７を比誘電率３の低誘電体で形成した場合の電磁場解析結果の例を示す図である。

図１２に示す電磁場解析結果は、以下のようにして得た。すなわち、ドーム状構造の壁面部分２７を比誘電率５０の高誘電体で形成したＥＭＩシールドキャップ１１ＬとＩＣパッケージ６０とを図１１に示すように配置し、ＩＣパッケージ６０を５００ＭＨｚの条件で動作させて、ＩＣパッケージ６０から電磁波を放出させ、電磁場を解析した。

ＥＭＩシールドキャップ１１ＭについてもＥＭＩシールドキャップ１１Ｌと同様に測定して、図１３に示す電磁場解析結果を得た。

図１２中、大きな円の中心部にある符号Ｌで示される半円形の模様は、ＥＭＩシールドキャップ１１Ｌを側方から見た影を示す。また、符号Ｌの中心部から周囲に延びた略円状の影は、所定の電界強度の及ぶ範囲を示す。

図１３中、大きな円の中心部から周囲に延びた略円状の影は、図１２と同じ所定の電界強度の及ぶ範囲を示す。

図１２および図１３を比較すると、所定の電界強度のＩＣパッケージ６０の表面の垂直方向に及ぶ範囲の大きさは、図１２に示すＥＭＩシールドキャップ１１Ｌの長さＲのほうが、図１３に示すＥＭＩシールドキャップ１１Ｍの長さＳよりも短くなっている。

このため、比誘電率５０の高誘電体で形成したＥＭＩシールドキャップ１１Ｌのほうが、比誘電率３の低誘電体で形成したＥＭＩシールドキャップ１１Ｍよりも、ＩＣパッケージ６０の表面の垂直方向への電磁波の放出が抑制されていることが分かる。

ＥＭＩシールドキャップ１１によれば、ＩＣパッケージ６０の表面から放出される電磁波を、ＥＭＩシールドキャップ１１内に封じ込めることができる。

これにより、ＥＭＩシールドキャップ１１によれば、ＩＣパッケージ６０から放出される電磁波を、軽量かつ低コストで作製することができるＥＭＩシールドキャップ１１で遮蔽し、ＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

また、ＥＭＩシールドキャップ１１は、内側誘電体層２１に、磁性体や導電材を含有させてもよい。磁性体や導電材の種類および磁性体や導電材を含有させる効果は、ＥＭＩシールドシート１０の場合と同じであるため説明を省略する。

図１４は、ＥＭＩシールドキャップ１１（ＥＭＩシールドキャップ１１Ｎ）のドーム状構造の壁面部分２７を、透磁率５０の高磁性体と比誘電率５０の高誘電体との混合物で形成した場合の電磁場解析結果の例を示す図である。ＥＭＩシールドキャップ１１Ｎのドーム状構造の壁面部分２７は、比誘電率５０の高誘電体に対して透磁率５０の高磁性体を少量含有させたもので形成した。

ＥＭＩシールドキャップ１１Ｎについて、ＥＭＩシールドキャップ１１Ｌと同様に測定して、図１４に示す電磁場解析結果を得た。

図１４中、大きな円の中心部にある符号Ｎで示される半円形の模様は、ＥＭＩシールドキャップ１１Ｎを側方から見た影を示す。また、符号Ｎの中心部から周囲に延びた長さがＴの略円状の影は、図１２と同じ所定の電界強度の及ぶ範囲を示す。

図１２および図１４を比較すると、所定の電界強度の及ぶ範囲は、図１２に示すＥＭＩシールドキャップ１１Ｌでは符号Ｌで示される半円形よりも大きい長さがＲの略円形になっているが、図１４に示すＥＭＩシールドキャップ１１Ｎでは符号Ｎで示される半円形の上方では半円形内に略収まり、半円形の下方にのみ少しはみ出した形状になっている。

すなわち、図１４に示すＥＭＩシールドキャップ１１Ｎのほうが、図１２に示すＥＭＩシールドキャップ１１Ｌよりも、ＩＣパッケージ６０の表面の垂直方向への電磁波の放出が抑制されており、特にＥＭＩシールドキャップ１１Ｎは、ＥＭＩシールドキャップ１１Ｎ外に電磁波を放出しないようになっていることが分かる。

また、ＥＭＩシールドキャップ１１は、収容空間１６内にＩＣパッケージ６０を収容するように配置して、ＥＭＩシールドキャップ１１とＩＣパッケージ６０とからなる実装構造体を形成してもよい。

ＥＭＩシールドキャップ１１を含む電子機器１Ｂによれば、ＩＣパッケージ６０の表面から放出される電磁波を、ＥＭＩシールドキャップ１１内に封じ込めることができる。

これにより、ＥＭＩシールドキャップ１１を含む電子機器１Ｂによれば、ＩＣパッケージ６０から放出される電磁波を、軽量かつ低コストで作製することができるＥＭＩシールドキャップ１１で遮蔽し、ＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

［第４の実施形態］
次に本発明に係る電子機器の第４の実施形態について添付図面を参照して説明する。

第４の実施形態の電子機器１Ｃの外観構成は、図１に示された電子機器１と同様であるため説明を省略する。

電子機器１Ｃには、本発明に係るＥＭＩシールド装置として図１５に示すＥＭＩシールドキャップ１１Ａが内蔵されている。

図１５は、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａの層構造とＩＣパッケージ６０との断面の一部を模式的に示す断面図である。

ＥＭＩシールドキャップ１１Ａは、ＥＭＩシールドキャップ１１に対し、ドーム状構造の壁面部分２７を内側誘電体層２１と外側誘電体層２６との２層構造とした点で異なり、他の点の構成および作用は、ＥＭＩシールドキャップ１１と同様であるため、同一部材には同一符号を付して説明を簡略化または省略する。

ＥＭＩシールドキャップ１１Ａは、ドーム状構造の壁面部分２７が、内面から外面に向けて比誘電率の異なる誘電体で形成された内側誘電体層２１と外側誘電体層２６とが積層された２層構造を有する。

内側誘電体層２１および外側誘電体層２６は、誘電体層を形成する誘電体がＥＭＩシールドシート１０で用いられるものと同じであるため説明を省略する。

ＥＭＩシールドキャップ１１Ａは、比誘電率の大きさが異なるという基準で選ばれ、順次積層された、ドーム状の内側誘電体層２１／ドーム状の外側誘電体層２６とからなる２層構造を有する。

ＥＭＩシールドキャップ１１Ａは、内側誘電体層２１から外側誘電体層２６に向かって内側誘電体層２１および外側誘電体層２６の順番で、前者の比誘電率が小さくなるように積層されている。

換言すると、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａは、外側誘電体層２６から内側誘電体層２１に向かって比誘電率の大きい順に積層されている。

図１５に示すように、ＥＭＩシールドキャップ１１は、収容空間１６内にＩＣパッケージ６０を収容するように配置される。

ＥＭＩシールドキャップ１１Ａの作用について、図１５を参照して説明する。

ＩＣパッケージ６０を動作させると、ＩＣパッケージ６０の表面から図１５中の上方に電磁波が放出される（図１５中、Ｅ４０）。ＩＣパッケージ６０から放出された電磁波は、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａの内側誘電体層２１中に吸収され、たとえば、図１５中の矢印Ｅ４１に示すように内側誘電体層２１中を伝播する。

内側誘電体層２１中を伝播した電磁波Ｅ４１は、内側誘電体層２１よりも比誘電率の高い材料で形成された外側誘電体層２６との界面で屈折され、伝播方向を外側誘電体層２６の局面の平行方向に近づくように変える（図１５中の矢印Ｅ４２）。

外側誘電体層２６中の電磁波は、矢印Ｅ４２の向きに伝播して外側誘電体層２６の端部２９に集約され、この端部２９に設けた図示しないグランド接続手段等で処理され、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａ外への電磁波の放出が防止または抑制される。

ＥＭＩシールドキャップ１１Ａによれば、ＩＣパッケージ６０の表面から放出される電磁波を、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａ内に封じ込めるとともに、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａの外側誘電体層２６の端部２９に集約させることができる。

これにより、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａによれば、ＩＣパッケージ６０から放出される電磁波を、軽量かつ低コストで作製することができるＥＭＩシールドキャップ１１Ａで遮蔽し、ＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

また、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａによれば、電磁波を外側誘電体層２６の端部２９に集約させることができるため、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａを屈曲自在な薄いフィルムで形成し、変形させると、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａ内の電磁波の伝播方向の制御が可能になる。

ＥＭＩシールドキャップ１１Ａは、内側誘電体層２１と外側誘電体層２６との間にさらに誘電体層を設けてもよい。この場合、各誘電体は、内側誘電体層２１から外面を構成する外側誘電体層２６に向けて、誘電体の比誘電率が順次高くなるように形成される。

また、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａは、内側誘電体層２１に、磁性体や導電材を含有させてもよい。

また、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａは、収容空間１６内にＩＣパッケージ６０を収容するように配置して、ＥＭＩシールドキャップ１１ＡとＩＣパッケージ６０とからなる実装構造体を形成してもよい。

また、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａを含む実装構造体によれば、電磁波を外側誘電体層２６の端部２９に集約させることができるため、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａを屈曲自在な薄いフィルムで形成し、変形させると、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａ内の電磁波の伝播方向の制御が可能になる。

ＥＭＩシールドキャップ１１を含む電子機器１Ｂによれば、ＩＣパッケージ６０の表面から放出される電磁波を、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａ内に封じ込めるとともに、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａの外側誘電体層２６の端部２９に集約させることができる。

これにより、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａを含む電子機器１Ｂによれば、ＩＣパッケージ６０から放出される電磁波を、軽量かつ低コストで作製することができるＥＭＩシールドキャップ１１Ａで遮蔽し、ＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

また、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａを含む電子機器１Ｂによれば、電磁波を外側誘電体層２６の端部２９に集約させることができるため、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａを屈曲自在な薄いフィルムで形成し、変形させると、ＥＭＩシールドキャップ１１Ａ内の電磁波の伝播方向の制御が可能になる。

［第５の実施形態］
次に本発明に係る電子機器の第５の実施形態について添付図面を参照して説明する。

第５の実施形態の電子機器１Ｄの外観構成は、図１に示された電子機器１と同様であるため説明を省略する。

電子機器１Ｄには、本発明に係るＥＭＩシールド装置として図１６に示すＥＭＩシールドシート１２が内蔵されている。

図１６は、ＥＭＩシールドシート１２を正面３７側から見て模式的に示す斜視図である。図１７は、図１６を背面３８側から見た斜視図である。

図１８は、図１７のＡ−Ａ線に沿って見た断面図である。図１９は、図１７のＢ−Ｂ線に沿って見た断面図である。図２０は、図１７のＣ−Ｃ線に沿って見た断面図である。

ＥＭＩシールドシート１２は、長球状の一形態である扁平な長球状の多層誘電体３３と、多層誘電体３３を内包してシート状に形成する絶縁体層３４とからなる。

多層誘電体３３は、扁平な長球状の内側誘電体部４１の周囲を、第２誘電体層４２、第３誘電体層４３、外側誘電体層４６の順番で被覆し、扁平な長球状に形成される。

扁平な長球状とは、ラグビーボールのような長球を、長軸方向の長さを維持したまま、短軸方向に圧縮した形状を意味する。ＥＭＩシールドシート１２は、内側誘電体部４１および多層誘電体３３が扁平な長球状に形成されているため、多層誘電体３３内の電磁波の伝播方向が扁平な長球状の長軸方向に向くようになっている。

内側誘電体部４１は低誘電体で形成される。ここで用いられる低誘電体は、ＥＭＩシールドシート１０を構成する内側誘電体層２１を形成する誘電体と同じであるため説明を省略する。

外側誘電体層４６は内側誘電体部４１を構成する低誘電体よりも比誘電率の高い誘電体で形成される。外側誘電体層４６とは、多層誘電体３３の外面を構成する誘電体層を意味する。外側誘電体層４６を形成する誘電体は、ＥＭＩシールドシート１０を構成する外側誘電体層２６を形成する誘電体と同じであるため説明を省略する。

多層誘電体３３を構成する内側誘電体部４１、第２誘電体層４２、第３誘電体層４３、および外側誘電体層４６は、誘電体の比誘電率が順次高くなるように形成される。

たとえば、多層誘電体３３の各誘電体層を構成する誘電体の比誘電率は、内側誘電体部４１の比誘電率が３、第２誘電体層４２の比誘電率が５、第３誘電体層４３の比誘電率が１０、および外側誘電体層４６の比誘電率が２０のように形成される。

多層誘電体３３の各誘電体層は、比誘電率の大きさが異なるという基準で選ばれ、順次積層された、内側誘電体部４１／第２誘電体層４２／第３誘電体層４３／外側誘電体層４６の４層構造を有する。

多層誘電体３３は、内側誘電体部４１から外側誘電体層４６に向かって、内側誘電体部４１、第２誘電体層４２、第３誘電体層４３および外側誘電体層４６の順番で、前者ほど比誘電率の小さくなるように積層されている。

換言すると、多層誘電体３３は、外側誘電体層４６から内側誘電体部４１に向かって比誘電率の大きい順に積層されている。

絶縁体層３４は、絶縁体で形成され、多層誘電体３３を内包してシート状に形成する。絶縁体層３４に用いられる絶縁体としては、たとえば、エポキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、クロロプレンゴム、および尿素樹脂等が挙げられる。

図１９および図２０に示すように、ＥＭＩシールドシート１２は、絶縁体層３４の一方の表面３７は平坦な形状になっているが、絶縁体層３４の他方の表面３８に収容凹部３５が形成される。

収容凹部３５は、絶縁体層３４の他方の表面３８に、多層誘電体３３の内側誘電体４１に達する深さで、かつ内部に電子部品を収容可能なように凹設される。

収容凹部３５に収容される電子部品としては、たとえば、ＩＣパッケージ等が挙げられる。

図２１は、ＥＭＩシールドシート１２とＩＣパッケージ６０との断面の一部を模式的に示す断面図である。図２１に示すように、ＥＭＩシールドシート１２は、収容空間３５内にＩＣパッケージ６０を収容するように配置される。

ＥＭＩシールドシート１２は、たとえば、ＩＣパッケージ６０が電子機器１の筐体２内に配置される場合に、ＥＭＩシールドシート１２を筐体２の内面に貼り付ける等により固定し、ＥＭＩシールドシート１２の収容空間３５内にＩＣパッケージ６０を収容するようにしてもよい。

ＥＭＩシールドシート１２の作用について、図２１および図２２を参照して説明する。

図２２は、ＥＭＩシールドシート１２をＩＣパッケージ６０上に配置し、ＥＭＩシールドシート１２の表面３７側から見た場合の電磁場の伝播方向を模式的に示す図である。

ＩＣパッケージ６０を動作させると、ＩＣパッケージ６０の表面から図２１中の上方に電磁波が放出され、電磁波はＥＭＩシールドシート１２の内側誘電体部４１中に吸収され伝播する（図２１および図２２中、矢印Ｅ５０）。

内側誘電体部４１中を伝播した電磁波Ｅ５１は、誘電体の比誘電率が順次高くなる第２誘電体層４２との界面、第３誘電体層４３との界面、および外側誘電体層４６との界面で伝播方向が、それぞれの界面の水平方向に近づくようにそれぞれ屈折される（図２１および図２２中の矢印Ｅ５２、Ｅ５３、およびＥ５４）。

外側誘電体層４６中の電磁波は、矢印Ｅ５２の向きに伝播して外側誘電体層４６の端部３９ｂに集約され、この端部３９ｂに設けた図示しないグランド接続手段等で処理され、ＥＭＩシールドシート１２外への電磁波の放出が防止または抑制される。

ＥＭＩシールドシート１２によれば、ＩＣパッケージ６０の表面の垂直方向に放出される電磁波の伝播方向を、ＩＣパッケージ６０の表面に対する水平方向に近づくように変え、電磁波を多層誘電体３３の外側誘電体層２６の端部３９ａや３９ｂに集約させることができる。

ＥＭＩシールドシート１２によれば、電磁波の集約が多層誘電体３３の外側誘電体層２６の端部３９ａおよび３９ｂの２箇所だけであるため、電磁波の集約が外側誘電体層２６の端部２９全体に広がりやすいＥＭＩシールドシート１０に比べて、電磁波の遮蔽がより容易になる。

たとえば、ＥＭＩシールドシート１２は、多層誘電体３３の外側誘電体層２６の端部３９ａおよび３９ｂの２箇所だけに磁性体や導電材を含有させるだけで、電磁波を効率よく熱に変換して消失させることができる。

また、ＥＭＩシールドシート１２によれば、電磁波を外側誘電体層２６の端部３９ａや３９ｂに集約させることができるため、ＥＭＩシールドシート１２を屈曲自在な薄いフィルム状とすると、ＥＭＩシールドシート１２内の電磁波の伝播方向の制御が可能になる。

ＥＭＩシールドシート１２は、内側誘電体部４１、第２誘電体層４２、第３誘電体層４３および外側誘電体層４６の少なくともいずれかに、磁性体や導電材を含有させてもよい。磁性体や導電材の種類および磁性体や導電材を含有させる効果は、ＥＭＩシールドシート１０の場合と同じであるため説明を省略する。

磁性体や導電材は、外側誘電体層２６の端部３９ａおよび３９ｂの両方または一方に含有させると、外側誘電体層２６の端部３９ａまたは３９ｂに集約された電磁波を少ない量の磁性体や導電材で効率よく熱変換することができるため好ましい。

また、ＥＭＩシールドシート１２は、収容空間３５内にＩＣパッケージ６０を収容するように配置して、ＥＭＩシールドシート１２とＩＣパッケージ６０とからなる実装構造体を形成してもよい。

ＥＭＩシールドシート１２を含む電子機器１Ｄによれば、ＩＣパッケージ６０の表面の垂直方向に放出される電磁波の伝播方向を、ＩＣパッケージ６０の表面に対する水平方向に近づくように変え、電磁波を多層誘電体３３の外側誘電体層２６の端部３９ａや３９ｂに集約させることができる。

ＥＭＩシールドシート１２を含む電子機器１Ｄによれば、電磁波の集約が多層誘電体３３の外側誘電体層２６の端部３９ａおよび３９ｂの２箇所だけであるため、電磁波の集約が外側誘電体層２６の端部２９全体に広がりやすいＥＭＩシールドシート１０を含む電子機器１Ｄに比べて、電磁波の遮蔽がより容易になる。

たとえば、ＥＭＩシールドシート１２を含む電子機器１Ｄは、ＥＭＩシールドシート１２の多層誘電体３３の外側誘電体層２６の端部３９ａおよび３９ｂの２箇所だけに磁性体や導電材を含有させるだけで、電磁波を効率よく熱に変換して消失させることができる。

また、ＥＭＩシールドシート１２を含む電子機器１Ｄによれば、電磁波を外側誘電体層２６の端部３９ａや３９ｂに集約させることができるため、ＥＭＩシールドシート１２を屈曲自在な薄いフィルム状とすると、ＥＭＩシールドシート１２内の電磁波の伝播方向の制御が可能になる。

［第６の実施形態］
次に本発明に係る電子機器の第６の実施形態について添付図面を参照して説明する。

第６の実施形態の電子機器１Ｅの外観構成は、図１に示された電子機器１と同様であるため説明を省略する。

電子機器１Ｅには、本発明に係るＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０が内蔵されている。

図２３は、ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０の層構造を模式的に示す断面図である。

ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０は、リード５５を備えた配線基板５１と、配線基板５１上に搭載されたシリコンチップ５２と、シリコンチップ５２を封止する封止部５３とを備える。

封止部５３のうちシリコンチップ５２の表面を封止する部分５４は、内側誘電体層２１および外側誘電体層２６がこの順番に積層された２層構造を有し、比誘電率の異なる誘電体で形成された誘電体層が複数層積層された多層誘電体構造になっている。

シリコンチップ５２の表面を封止する部分５４を構成する内側誘電体層２１および外側誘電体層２６は、ＥＭＩシールドシート１０と同じであるため説明を省略する。

ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０は、たとえば、図示しないプリント配線板に実装して用いられる。

ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０の作用は、ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０中のシリコンチップ５２の表面を封止する部分５４が、ＥＭＩシールドシート１０と同じ作用を行うため説明を省略する。

ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０によれば、シリコンチップ５２の表面の垂直方向に放出される電磁波の伝播方向を、シリコンチップ５２の表面に対する水平方向に近づくように変え、電磁波を外側誘電体層２６の端部２８に集約させることができる。これにより、シリコンチップ５２から放出される電磁波を、軽量かつ低コストで作製することができる封止部で遮蔽し、ＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

また、ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０によれば、シリコンチップ５２の表面を封止する部分５４がＥＭＩシールドシート１０と同様の誘電体の層構成になっているため、ＩＣパッケージ５０とＥＭＩシールドシート１０とを組み合わせて用いる場合に比べて省スペース化が可能になる。

ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０は、内側誘電体部２１および外側誘電体層２６の少なくともいずれかに、磁性体や導電材を含有させてもよい。磁性体や導電材の種類および磁性体や導電材を含有させる効果は、ＥＭＩシールドシート１０の場合と同じであるため説明を省略する。

ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０は、シリコンチップ５２の表面を封止する部分５４を、内側誘電体層２１と外側誘電体層２６との間にさらに１層以上の誘電体層を形成した構成としてもよい。

内側誘電体層２１と外側誘電体層２６との間にさらに１層以上の誘電体層を形成する場合、シリコンチップ５２の表面を封止する部分５４の各誘電体層は、内側誘電体層２１からシリコンチップ５２と逆側の表面を構成する外側誘電体層２６に向けて、誘電体の比誘電率が順次高くなるように形成される。

また、ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０は、図示しないプリント配線板に実装して、図示しないプリント配線板とＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０とからなる実装構造体を形成してもよい。

ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０を含む電子機器１Ｅによれば、ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０が、シリコンチップ５２の表面の垂直方向に放出される電磁波の伝播方向を、シリコンチップ５２の表面に対する水平方向に近づくように変え、電磁波を外側誘電体層２６の端部２８に集約させることができる。これにより、プリント配線板に実装されたシリコンチップ５２から放出される電磁波を、軽量かつ低コストで作製することができる封止部で遮蔽し、ＥＭＩの発生を防止または抑制することができる。

また、ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０を含む電子機器１Ｅによれば、ＥＭＩシールドＩＣパッケージ５０のシリコンチップ５２の表面を封止する部分５４がＥＭＩシールドシート１０と同様の誘電体の層構成になっているため、ＩＣパッケージ５０とＥＭＩシールドシート１０とを組み合わせてプリント配線板に実装する場合に比べて、電子機器１Ｅ内の省スペース化が可能になる。

本発明に係る電子機器を示す斜視図。 第１の実施形態に示された電子機器に内蔵されたＥＭＩシールドシートの第１の実施形態の層構造を模式的に示す断面図。 ＥＭＩシールドシートの第１の実施形態とＩＣパッケージとの断面の一部を模式的に示す断面図。 比誘電率の異なる誘電体が接した状態を示す概念図。 ＥＭＩシールドシートの第１の実施形態の外側誘電体層のみをＩＣパッケージ上に配置した場合の電磁場解析結果の例を示す図。 ＥＭＩシールドシートの第１の実施形態の内側誘電体層のみをＩＣパッケージ上に配置した場合の電磁場解析結果の例を示す図。 ＥＭＩシールドシートの第２の実施形態の層構造を模式的に示す断面図。 ＥＭＩシールドシートの第２の実施形態とＩＣパッケージとの断面の一部を模式的に示す断面図。 ＥＭＩシールドキャップの第１の実施形態の斜視図。 ＥＭＩシールドキャップの第１の実施形態の層構造を模式的に示す断面図。 ＥＭＩシールドキャップの第１の実施形態とＩＣパッケージとの断面の一部を模式的に示す断面図。 ＥＭＩシールドキャップの第１の実施形態をＩＣパッケージ上に配置した場合の電磁場解析結果の例を示す図。 異なる材料で作成したＥＭＩシールドキャップをＩＣパッケージ上に配置した場合の電磁場解析結果の例を示す図。 異なる材料で作成したＥＭＩシールドキャップをＩＣパッケージ上に配置した場合の電磁場解析結果の例を示す図。 ＥＭＩシールドキャップの第２の実施形態の層構造とＩＣパッケージとの断面の一部を模式的に示す断面図。 ＥＭＩシールドシートの第３の実施形態を模式的に示す斜視図。 図１６を背面側から見た斜視図。 図１７のＡ−Ａ線に沿って見た断面図。 図１７のＢ−Ｂ線に沿って見た断面図。 図１７のＣ−Ｃ線に沿って見た断面図。 ＥＭＩシールドシートの第３の実施形態とＩＣパッケージとの断面の一部を模式的に示す断面図。 ＥＭＩシールドシートの第３の実施形態をＩＣパッケージ上に配置し、ＥＭＩシールドシート側から見た場合の電磁場の伝播方向を模式的に示す図。 ＥＭＩシールドＩＣパッケージの第１の実施形態を示す断面図。

符号の説明

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 電子機器
２ 筐体
３ ヒンジ手段
４ 表示手段
５ 蓋体
６ 入力手段
１０、１０Ａ、１２ ＥＭＩシールドシート（ＥＭＩシールド装置）
１１、１１Ａ、１１Ｌ、１１Ｍ、１１Ｎ ＥＭＩシールドキャップ（ＥＭＩシールド装置）
１３ ＥＭＩシールドＩＣパッケージ
１６ 収容空間
２１ 内側誘電体層
２２、４２ 第２誘電体層
２３、４３ 第３誘電体層
２４、４４ 第４誘電体層
２６ 外側誘電体層
２７ ドーム状構造の壁面部分
２８、２９、３９ 端部
３２ 多層誘電体シート
３３ 多層誘電体
３４ 絶縁体層
３５ 収容凹部
３７ 外側誘電体層側の表面
３８ 収容凹部側の表面
５０ ＩＣパッケージ
５１ ＩＣパッケージの配線基板
５２ シリコンチップ
５３ 封止部
５４ シリコンチップの表面を封止する部分
５５ リード
６０ ＩＣパッケージ
６０ａ ＩＣパッケージの本体
６０ｂ ＩＣパッケージの電極

Claims (16)

1. シート状の複数の誘電体層を積層したＥＭＩシールド装置であって、
   前記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、
   前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とするＥＭＩシールド装置。
2. 前記基準は、比誘電率の大きい順あるいは比誘電率の小さい順であることを特徴とする請求項１に記載のＥＭＩシールド装置。
3. 前記複数の誘電体層は少なくともその比誘電率が１０未満の比誘電率を有する誘電体層を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＥＭＩシールド装置。
4. ドーム状の誘電体層からなるＥＭＩシールド装置であって、
   前記誘電体層は、比誘電率が２０以上であることを特徴とするＥＭＩシールド装置。
5. ドーム状の複数の誘電体層を積層したＥＭＩシールド装置であって、
   前記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、
   前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とするＥＭＩシールド装置。
6. 長球状の内側誘電体部の周囲を少なくとも１個の誘電体層で被覆して形成した長球状の多層誘電体と、絶縁体で形成され、前記多層誘電体を内包してシート状に形成する絶縁体層とからなり、
   この絶縁体層の一方の表面に、前記多層誘電体の内側誘電体に達する深さで、かつ内部に電子部品を収容可能なように凹設された収容凹部を備えたＥＭＩシールド装置であって、
   前記多層誘電体の複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、
   前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とするＥＭＩシールド装置。
7. 前記基準は、比誘電率の大きい順あるいは比誘電率の小さい順であることを特徴とする請求項６に記載のＥＭＩシールド装置。
8. 前記複数の誘電体層は少なくともその比誘電率が１０未満の比誘電率を有する誘電体層を含むことを特徴とする請求項６または請求項７に記載のＥＭＩシールド装置。
9. 配線基板と、この配線基板上に搭載されたシリコンチップと、このシリコンチップを封止する封止部とを備えたＥＭＩシールドＩＣパッケージであって、
   この封止部のうち前記シリコンチップの表面を封止する部分は、複数の誘電体層を積層した多層誘電体構造を有し、
   前記多層誘電体構造における記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、
   前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とするＥＭＩシールドＩＣパッケージ。
10. 前記基準は、比誘電率の大きい順あるいは比誘電率の小さい順であることを特徴とする請求項９に記載のＥＭＩシールドＩＣパッケージ。
11. 前記複数の誘電体層は少なくともその比誘電率が１０未満の比誘電率を有する誘電体層を含むことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のＥＭＩシールドＩＣパッケージ。
12. ＩＣパッケージとＥＭＩシールド装置とを備え、
    このＥＭＩシールド装置は、シート状の複数の誘電体層を積層したＥＭＩシールド装置であって、
    前記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、
    前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されているものであることを特徴とする電子機器。
13. ＩＣパッケージとＥＭＩシールド装置とを備え、
    このＥＭＩシールド装置は、ドーム状の誘電体層からなるＥＭＩシールド装置であって、
    前記誘電体層は、比誘電率が２０以上であることを特徴とする電子機器。
14. ＩＣパッケージとＥＭＩシールド装置とを備え、
    このＥＭＩシールド装置は、ドーム状の複数の誘電体層を積層したＥＭＩシールド装置であって、
    前記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、
    前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする電子機器。
15. ＩＣパッケージとＥＭＩシールド装置とを備え、
    このＥＭＩシールド装置は、長球状の内側誘電体部の周囲を少なくとも１個の誘電体層で被覆して形成した長球状の多層誘電体と、絶縁体で形成され、前記多層誘電体を内包してシート状に形成する絶縁体層とからなり、
    この絶縁体層の一方の表面に、前記多層誘電体の内側誘電体に達する深さで、かつ内部に電子部品を収容可能なように凹設された収容凹部を備えたＥＭＩシールド装置であって、
    前記多層誘電体の複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、
    前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする電子機器。
16. プリント配線板と、このプリント配線板に実装したＥＭＩシールドＩＣパッケージとを備え、
    前記ＥＭＩシールドＩＣパッケージは、配線基板と、この配線基板上に搭載されたシリコンチップと、このシリコンチップを封止する封止部とを備えたＥＭＩシールドＩＣパッケージであって、
    この封止部のうち前記シリコンチップの表面を封止する部分は、複数の誘電体層を積層した多層誘電体構造を有し、
    前記多層誘電体構造における記複数の誘電体層の各比誘電率は少なくとも２つが異なっており、
    前記複数の誘電体層の積層は、各比誘電率の大きさを基準に順次積層されていることを特徴とする電子機器。

Images