JP2007324230A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 55
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 12
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 arsenic ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical group [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
- H01L21/823857—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate insulating layers, e.g. different gate insulating layer thicknesses, particular gate insulator materials or particular gate insulator implants
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
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- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
- H01L21/823828—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
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- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
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- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
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Abstract
【課題】本発明は、「Pn<Pp」の関係を満たすデュアルメタルゲート電極構造の半導体装置及びデュアルメタルゲート電極構造の半導体装置を容易に製造する製造方法を提供するものである。
【解決手段】ゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第一の金属膜を成膜することによりnMOSトランジスタのゲート電極を形成し、pMOSトランジスタ領域の前記第一の金属膜を剥離し、シリコン膜を成膜し、前記第一の金属膜より大きい仕事関数を有する第二の金属膜と前記シリコン膜とを反応させてpMOSトランジスタのゲート電極となる金属シリコン化合物を形成する。
【選択図】図1
【解決手段】ゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第一の金属膜を成膜することによりnMOSトランジスタのゲート電極を形成し、pMOSトランジスタ領域の前記第一の金属膜を剥離し、シリコン膜を成膜し、前記第一の金属膜より大きい仕事関数を有する第二の金属膜と前記シリコン膜とを反応させてpMOSトランジスタのゲート電極となる金属シリコン化合物を形成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に、金属膜をゲート電極に用いたデュアルメタルゲート構造の半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
近年、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)の高性能化を実現するために、デバイスの微細化が追求されてきている。しかし、デバイスの微細化には限界がある。従って、次世代デバイスにおいてはゲート酸化膜のスケーリングが困難である。また、デバイスの微細化によってゲート電極の空乏化を無視できなくなる。
ゲート電極の空乏化に対しては、メタルゲート電極構造を採用することが提案されている。しかし、メタルゲート電極構造の場合、トランジスタの閾値は、チャネル領域の不純物濃度とゲート電極の仕事関数に依存する。従って、nMOS(n−channel MOS)とpMOS(p−channel MOS)のそれぞれに異なる仕事関数を有する導電体材料を用いること(デュアルメタルゲート電極構造)が必要となる。ここで、nMOSトランジスタとpMOSトランジスタのゲート電極の仕事関数が式1の関係を満たしている必要がある。
Pn < Pp ・・・ (式1)
(Pn:nMOSトランジスタのゲート電極の仕事関数)
(Pp:pMOSトランジスタのゲート電極の仕事関数)
Pn < Pp ・・・ (式1)
(Pn:nMOSトランジスタのゲート電極の仕事関数)
(Pp:pMOSトランジスタのゲート電極の仕事関数)
式1の関係を満たす金属材料の一例として、nMOSトランジスタのゲート電極はエルビウム(Er)、イットリウム(Y)等が、pMOSトランジスタのゲート電極は貴金属(プラチナ(Pt)、ルテニウム(Ru)等)が考えられる。
ここで、半導体装置の製造方法の一つとして化学気相成長(CVD)法又は特許文献1に開示されているフルシリサイド(FUSI)法が知られている。しかし、これらの方法を用いてデュアルメタルゲート構造の半導体装置を製造する場合、特性が劣化する点、加工が困難である点等が問題となっていた。従って、これらの方法は、デュアルメタルゲート電極構造の半導体装置の製造方法に適しているとはいえなかった。
特開2005−123625号公報
本発明は、式1の関係を満たすデュアルメタルゲート電極構造の半導体装置及びデュアルメタルゲート電極構造の半導体装置を容易に製造する製造方法を提供するものである。
本発明の第一の態様によれば、ゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第一の金属膜を成膜することによりnMOSトランジスタのゲート電極を形成し、pMOSトランジスタ領域の前記第一の金属膜を剥離し、シリコン膜を成膜し、前記第一の金属膜より大きい仕事関数を有する第二の金属膜と前記シリコン膜とを反応させてpMOSトランジスタのゲート電極となる金属シリコン化合物を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の第二の態様によれば、nMOSトランジスタのゲート電極が第一の金属膜と該第一の金属膜より大きい仕事関数を有する金属シリコン化合物の積層電極であり、pMOSトランジスタのゲート電極が前記金属シリコン化合物であることを特徴とする半導体装置が提供される。
本発明によれば、nMOS及びpMOSのゲート電極に金属材料を用いたデュアルメタルゲート電極構造の半導体装置を容易に製造することができる。
以下に、本発明についての具体的な実施例を説明する。なお、以下の内容は、本発明の実施の一態様であって、本発明は、これに限られるものではない。
<実施例1>
以下に、本発明に係るデュアルメタルゲート電極構造の半導体装置の製造方法についての実施例を、図1及び図2を用いて説明する。
以下に、本発明に係るデュアルメタルゲート電極構造の半導体装置の製造方法についての実施例を、図1及び図2を用いて説明する。
はじめに、図1(a)が示すように、素子分離102を有した単結晶シリコン基板101上にハフニウム(Hf)を含むゲート絶縁膜103(膜厚=2nm)を形成する。次に、ゲート絶縁膜103上にバリアメタル(TiSiN)膜104(膜厚=10nm)を成膜する。ゲート絶縁膜の形成及びTiSiN膜104の成膜方法の一例としてCVD法が考えられる。
図1(a)が示す工程の次に、図1(b)が示すように、nMOS領域のTiSiN膜104を剥離する。TiSiN膜を剥離する方法の一例として、HFを含んでいる水溶液を利用することが考えられる。
図1(b)が示す工程の次に、図1(c)が示すように、例えば、多結晶シリコン膜105を堆積した後、さらにその上に、シリコン窒化膜106(膜厚=100nm)を堆積する。なお、シリコン窒化膜を成膜する前に、多結晶シリコン膜中のnMOS領域にヒ素(As+)イオンを、pMOS領域にホウ素(B+)イオンをイオン注入しても良い。イオン注入が実行されることによって、低抵抗化することができる。イオン注入を実行する際には、多結晶シリコン膜を突き抜けることがない限り、低抵抗化することができる範囲の条件を任意に設定して良い。
図1(a)〜(c)が示す工程を実行することによって、nMOS領域のゲート絶縁膜103はTiSiN膜104と接し、pMOS領域のゲート絶縁膜103はシリコン膜105と接する構造が生成される。
図1(c)が示す工程の次に、図1(d)が示すように、例えば、30nmのゲート幅パターンにシリコン窒化膜106、多結晶シリコン膜105及びTiSiN膜104を異方性エッチングし、ゲート電極パターンを形成する。
図1(d)が示す工程の次に、図1(e)が示すように、シリコン窒化膜(膜厚=5nm)を堆積した後、反応性イオンエッチング(RIE)法によりエッチバックすることによって、電極パターンの側壁部分を囲むシリコン窒化膜107を形成する。次に、浅い拡散層108(接合の深さ=15nm、ピーク濃度>1E21/cm3)を形成する。浅い拡散層108を形成する方法の一例として、nMOS領域にヒ素イオン(As+)を、pMOS領域にホウ素イオン(B+)をイオン注入し、800℃、5secの加熱処理を施す方法が考えられる。
図1(e)が示す工程の次に、図2(f)が示すように、シリコン窒化膜(膜厚=15nm)及びシリコン酸化膜(膜厚=15nm)を堆積した後、RIE法によりエッチバックすることによって、電極パターンの側壁部分を囲むシリコン窒化膜109(膜厚=15nm)及びシリコン酸化膜110(膜厚=15nm)を形成する。次に、深い拡散層111(接合の深さ=45nm、ピーク濃度>1E21/cm3)を形成する。深い拡散層111を形成する方法の一例として、nMOS領域にリンイオン(P+)を、pMOS領域にホウ素イオン(B+)をイオン注入し、1040℃、5secの加熱処理を施す方法が考えられる。次に、浅い拡散層108上にシリサイド層112を形成する。シリサイド層112を形成する方法の一例として、ニッケル膜(膜厚=10nm)を全面に堆積し、350℃、30secの加熱処理を施してニッケル膜とシリコン基板101を反応させ、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて未反応のニッケル膜を除去し、500℃、30secの加熱処理を施す方法が考えられる。
図2(f)が示す工程の次に、図2(g)が示すように、第一の層間膜113(膜厚=250nm)を成膜した後、シリコン窒化膜106の表面が露出するまで平坦化する。平坦化する方法の一例として、化学的機械研磨(CMP)法が考えられる。次に、RIE法によりエッチバックすることによって、ゲート電極表面のシリコン膜105が露出するようにシリコン窒化膜106を除去する。なお、CMP法によって、シリコン窒化膜106を除去しても良い。
次に、図2(h)が示すように、ゲート電極上に、例えば、プラチナ膜114(膜厚=50nm)を全面に堆積する。
図2(h)が示す工程の次に、図2(i)が示すように、シリコン膜105をシリサイド化して、プラチナシリサイド層115にする。シリサイド化する方法の一例として、450℃、60secの加熱処理を施し、シリコン膜105とプラチナ膜114を反応させる方法が考えられる。なお、nMOS領域は、シリコン膜105の下層に、プラチナの拡散を抑制するTiSiN膜104が存在するので、TiSiN膜104よりも下層にプラチナが拡散することはない。
図1及び図2(f)〜(i)が示す工程を実行することによって、nMOS領域のゲート絶縁膜103はTiSiN膜104と接し、pMOS領域のゲート絶縁膜103はプラチナシリサイド層115と接する構造が生成される。
図2(i)が示す工程の次に、図2(j)が示すように、コンタクト117を形成する。コンタクト117を形成する方法の一例として、第二の層間膜116(膜厚=50nm)を堆積し、その上に所望のコンタクトパターンを形成し、コンタクトパターンの内部にチタン膜(膜厚=15nm)、窒化チタン膜(膜厚=20nm)又はタングステン膜(膜厚=250nm)を埋め込み、CMP法によって平坦化する方法が考えられる。次に、コンタクト117を電気的につなぐ銅配線119を形成する。コンタクト117を形成する方法の一例として、第三の層間膜118(膜厚150nm)を堆積し、所望の溝パターンを形成し、窒化タンタル膜(膜厚=10nm)又は銅膜(膜厚=150nm)を埋め込み、CMP法によって平坦化する方法が考えられる。
図1及び図2の工程を実行することによって、式1の関係を満たすデュアルメタルゲート構造の半導体装置を容易に製造することができる。
なお、デュアルメタルゲート構造の半導体装置の仕事関数は、Pn=4.3[eV]程度、Pp=4.8[eV]程度が目安となる。
実施例1では、nMOSトランジスタのゲート電極材料をCVD法によって形成した後、pMOS電極材料をFUSI法によって形成した。ここで、pMOSトランジスタのゲート電極の材料となる貴金属は、CVD法による加工が難しく、かつ、仕事関数が熱に依存して変動するという特性を持っている。また、nMOSトランジスタのゲート電極の材料となる金属は、ゲート絶縁膜を容易に還元するという特性を持っている。上述の方法によれば、これらの特性に起因する問題を回避することができ、結果的に、デュアルメタルゲート構造の半導体装置を容易に製造することができる。なお、式1の関係を満たす金属膜を生成する方法は、CVD法及びFUSI法に限られるものではない。
<実施例2>
実施例1では、nMOSトランジスタのゲート電極の材料としてTiSiNを用いた例を示したが、III族(チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf))又はIV族(バナウジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta))を含む金属(仕事関数=4.0〜4.3eV)を用いても良い。これらの金属は、TiSiNと同様に、デュアルメタルゲートにおけるnMOSトランジスタに好適な仕事関数を有しているからである。
実施例1では、nMOSトランジスタのゲート電極の材料としてTiSiNを用いた例を示したが、III族(チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf))又はIV族(バナウジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta))を含む金属(仕事関数=4.0〜4.3eV)を用いても良い。これらの金属は、TiSiNと同様に、デュアルメタルゲートにおけるnMOSトランジスタに好適な仕事関数を有しているからである。
<実施例3>
実施例1,2では、pMOSトランジスタのゲート電極の材料としてプラチナシリサイドを用いた例を示したが、ニッケル(Ni)、レニウム(Re)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)又はこれらの組み合わせを含むシリコン化合物(仕事関数=4.7〜5.2eV)でも良い。これらの金属は、デュアルメタルゲートにおけるnMOSトランジスタのゲート電極に好適な仕事関数を有しているとともに、実施例2で説明した金属に対して、式1の関係を満たしているからである。
実施例1,2では、pMOSトランジスタのゲート電極の材料としてプラチナシリサイドを用いた例を示したが、ニッケル(Ni)、レニウム(Re)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)又はこれらの組み合わせを含むシリコン化合物(仕事関数=4.7〜5.2eV)でも良い。これらの金属は、デュアルメタルゲートにおけるnMOSトランジスタのゲート電極に好適な仕事関数を有しているとともに、実施例2で説明した金属に対して、式1の関係を満たしているからである。
<実施例4>
その他の例としては、トランジスタのゲート電極をバリアメタル材料との積層構造にしても良い。このような積層構造は、トランジスタのゲート電極の材料となる金属が高い仕事関数を有する金属の拡散を抑制できない場合に有効である。また、上記実施例1〜3では、ゲート絶縁膜の材料としてHf系酸化膜を用いた例を示したが、例えば、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、ストロンチウム(Sr)、イットリウム(Y)、ランタン(La)等の酸化物、又はZrSixOyなどそれら元素とシリコンの酸化物でも良い。さらには、上記酸化物の積層膜でも良い。
その他の例としては、トランジスタのゲート電極をバリアメタル材料との積層構造にしても良い。このような積層構造は、トランジスタのゲート電極の材料となる金属が高い仕事関数を有する金属の拡散を抑制できない場合に有効である。また、上記実施例1〜3では、ゲート絶縁膜の材料としてHf系酸化膜を用いた例を示したが、例えば、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、ストロンチウム(Sr)、イットリウム(Y)、ランタン(La)等の酸化物、又はZrSixOyなどそれら元素とシリコンの酸化物でも良い。さらには、上記酸化物の積層膜でも良い。
101 単結晶シリコン基板
102 素子分離
103 ゲート絶縁膜
104 バリアメタル(TiSiN)膜
105 多結晶シリコン膜
106 シリコン窒化膜
107,109 電極パターンの側壁部分を囲むシリコン窒化膜
108 浅い拡散層
110 シリコン酸化膜
111 深い拡散層
112 シリサイド層
113 第一の層間膜
114 プラチナ膜
115 プラチナシリサイド層
116 第二の層間膜
117 コンタクト
118 第三の層間膜
119 銅配線
102 素子分離
103 ゲート絶縁膜
104 バリアメタル(TiSiN)膜
105 多結晶シリコン膜
106 シリコン窒化膜
107,109 電極パターンの側壁部分を囲むシリコン窒化膜
108 浅い拡散層
110 シリコン酸化膜
111 深い拡散層
112 シリサイド層
113 第一の層間膜
114 プラチナ膜
115 プラチナシリサイド層
116 第二の層間膜
117 コンタクト
118 第三の層間膜
119 銅配線
Claims (5)
- ゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第一の金属膜を成膜することによりnMOSトランジスタのゲート電極を形成し、pMOSトランジスタ領域の前記第一の金属膜を剥離し、シリコン膜を成膜し、前記第一の金属膜より大きい仕事関数を有する第二の金属膜と前記シリコン膜とを反応させてpMOSトランジスタのゲート電極となる金属シリコン化合物を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の半導体の製造方法において、前記第一の金属膜は、III族又はIV族を含む化合物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1又は2に記載の半導体の製造方法において、前記第二の金属膜は、プラチナ、ニッケル、パラジウム、レニウム、ロジウム、及びイリジウムの少なくとも一つを含む化合物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- nMOSトランジスタのゲート電極が第一の金属膜と該第一の金属膜より大きい仕事関数を有する金属シリコン化合物の積層電極であり、pMOSトランジスタのゲート電極が前記金属シリコン化合物であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の半導体装置において、前記第一の金属膜は、III族又はIV族を含む化合物であり、前記金属シリコン化合物は、プラチナ、ニッケル、パラジウム、レニウム、ロジウム、及びイリジウムの少なくとも一つを含む化合物であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006150411A JP2007324230A (ja) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US11/806,173 US20070278588A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-05-30 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006150411A JP2007324230A (ja) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
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---|---|
JP2007324230A true JP2007324230A (ja) | 2007-12-13 |
Family
ID=38789121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006150411A Abandoned JP2007324230A (ja) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
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US (1) | US20070278588A1 (ja) |
JP (1) | JP2007324230A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9837507B1 (en) * | 2016-09-30 | 2017-12-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6894353B2 (en) * | 2002-07-31 | 2005-05-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Capped dual metal gate transistors for CMOS process and method for making the same |
BE1015723A4 (nl) * | 2003-10-17 | 2005-07-05 | Imec Inter Uni Micro Electr | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen met gesilicideerde elektroden. |
US7045456B2 (en) * | 2003-12-22 | 2006-05-16 | Texas Instruments Incorporated | MOS transistor gates with thin lower metal silicide and methods for making the same |
JP2007019129A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2006
- 2006-05-30 JP JP2006150411A patent/JP2007324230A/ja not_active Abandoned
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2007
- 2007-05-30 US US11/806,173 patent/US20070278588A1/en not_active Abandoned
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---|---|
US20070278588A1 (en) | 2007-12-06 |
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