JP2007322715A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極の外側面をほぼ平坦な面にする。
【解決手段】基板11上にアルミニウムを主成分とする第1金属膜13Aを成膜し、第1金属膜13A上にモリブデンを主成分とする第2金属膜13Bを成膜し、第2金属膜13B上にレジスト21を形成し、エッチング用の薬液により第2金属膜13Bを除去した後、第1金属膜13Aを除去する。エッチング進行速度の速いアルミニウムを主成分とする第1金属膜13Aの除去が済めば、エッチングが完了するので、第1金属膜13Aが過剰に除去されることがなく、ゲート電極13の第1層13aの外側面と第2層13bの外側面は、ほぼ面一状に連なる。
【選択図】図1
【解決手段】基板11上にアルミニウムを主成分とする第1金属膜13Aを成膜し、第1金属膜13A上にモリブデンを主成分とする第2金属膜13Bを成膜し、第2金属膜13B上にレジスト21を形成し、エッチング用の薬液により第2金属膜13Bを除去した後、第1金属膜13Aを除去する。エッチング進行速度の速いアルミニウムを主成分とする第1金属膜13Aの除去が済めば、エッチングが完了するので、第1金属膜13Aが過剰に除去されることがなく、ゲート電極13の第1層13aの外側面と第2層13bの外側面は、ほぼ面一状に連なる。
【選択図】図1
Description
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。
液晶表示装置は、透光性を有する一対の基板の隙間に液晶を封入し、一方の基板に、TFT(Thin Film Transistor)に接続されるゲート電極とソース電極を形成している。
ゲート電極としては、特許文献1に記載されているように、基板上に積層したTiを主成分とする第1層と、第1層上に積層されたAlを主成分とする第2層と、第2層上に積層されたTiを主成分とする第3層とからなる3層構造のものがある。
このような3層構造のゲート電極の形成手順としては、スパッタリング法等により、第1層となる金属膜と、第2層となる金属膜と、第3層となる金属膜を順に積層して成膜した後、第3層上にレジストを形成した状態で、エッチングによりゲート電極をパターン形成する。
ゲート電極としては、特許文献1に記載されているように、基板上に積層したTiを主成分とする第1層と、第1層上に積層されたAlを主成分とする第2層と、第2層上に積層されたTiを主成分とする第3層とからなる3層構造のものがある。
このような3層構造のゲート電極の形成手順としては、スパッタリング法等により、第1層となる金属膜と、第2層となる金属膜と、第3層となる金属膜を順に積層して成膜した後、第3層上にレジストを形成した状態で、エッチングによりゲート電極をパターン形成する。
ゲート電極がTiを含む場合、ウエットエッチング法は利用できないため、ドライエッチング法が用いられるが、ドライエッチング法はエッチングに要する時間が長くかかるだけでなく、設備コストも高くつく。
そこで、Tiとは異なる材質を用いた3層構造の採用が考えられる。このような3層構造の電極の一例としては、特許文献2に開示されているように、Moを主成分とした第1層と、Alを主成分として第2層と、Moを主成分とした第3層とから構成されているものが知られている。
Moは、ウエットエッチング法を適用することができる材質であり、ウエットエッチング法は、ドライエッチング法に比べて、エッチングに要する時間が短く、接続コストも低く抑えられるという利点がある。
特開2000−223716公報
特開2005−121908公報
そこで、Tiとは異なる材質を用いた3層構造の採用が考えられる。このような3層構造の電極の一例としては、特許文献2に開示されているように、Moを主成分とした第1層と、Alを主成分として第2層と、Moを主成分とした第3層とから構成されているものが知られている。
Moは、ウエットエッチング法を適用することができる材質であり、ウエットエッチング法は、ドライエッチング法に比べて、エッチングに要する時間が短く、接続コストも低く抑えられるという利点がある。
上記の3層構造の電極をウエットエッチング法で形成する場合、図9に示すように、基板100上に3層に積層した金属膜101a,101b,101cの表面にレジスト102を形成し、エッチング用の薬液により第3層101c、第2層101b、第1層101aの順に金属膜を除去していくのであるが、第2層101bを構成するAlのエッチング進行速度は、第1層101aを構成するMoに比べて速いため、第1層101aの除去が進む間に、第2層101bの除去が過剰に進むことになる。
そのため、エッチングが完了したときには、図10に示すように、電極101の外側面が、3つの層101a,101b,101cに亘って平坦な面にならず、Alからなる第2層101bの部分が凹んだ歪な面になってしまう。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、電極の外側面をほぼ平坦な面にすることを目的とする。
そのため、エッチングが完了したときには、図10に示すように、電極101の外側面が、3つの層101a,101b,101cに亘って平坦な面にならず、Alからなる第2層101bの部分が凹んだ歪な面になってしまう。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、電極の外側面をほぼ平坦な面にすることを目的とする。
上記の目的を達成するための手段として、請求項1の発明は、表示パネルを構成する基板の表面に沿って電極が形成された液晶表示装置であって、前記電極が、前記基板上に積層されたアルミニウムを主成分とする第1層と、前記第1層上に積層されたモリブデンを主成分とする第2層とにより構成された2層構造とされ、前記第1層と前記第2層がウエットエッチング法によりパターン形成されているところに特徴を有する。
請求項2の発明は、請求項1に記載のものにおいて、前記第2層が、窒素ガスを用いたスパッタリング法により成膜された窒化モリブデンからなるところに特徴を有する。
請求項2の発明は、請求項1に記載のものにおいて、前記第2層が、窒素ガスを用いたスパッタリング法により成膜された窒化モリブデンからなるところに特徴を有する。
請求項3の発明は、表示パネルを構成する基板の表面に沿って電極が形成された液晶表示装置を製造する方法であって、前記基板上に、アルミニウムを主成分とする第1金属膜を成膜し、前記第1金属膜上に、モリブデンを主成分とする第2金属膜を成膜し、前記第2金属膜上に、レジストを形成し、ウエットエッチング法により前記第1金属膜と前記第2金属膜を除去することで、前記基板上に積層されたアルミニウムを主成分とする第1層と、前記第1層上に積層されたモリブデンを主成分とする第2層とにより構成された2層構造の前記電極をパターン形成するところに特徴を有する。
請求項4の発明は、請求項3に記載のものにおいて、前記第2金属膜を、窒素ガスを用いたスパッタリング法により成膜するところに特徴を有する。
請求項4の発明は、請求項3に記載のものにおいて、前記第2金属膜を、窒素ガスを用いたスパッタリング法により成膜するところに特徴を有する。
<請求項1の発明>
エッチングに際しては、予め、基板上にアルミニウムを主成分とする第1金属膜を成膜し、第1金属膜上にモリブデンを主成分とする第2金属膜を成膜し、第2金属膜上にレジストを形成しておき、その状態で、エッチング用の薬液により第2金属膜を除去した後、第1金属膜を除去する。第1金属膜を構成するアルミニウムはエッチング進行速度が比較的速いのであるが、この第1金属膜の除去が済めば、エッチングが完了するので、第1金属膜が過剰に除去されることがなく、第1層の外側面と第2層の外側面は、ほぼ面一状に連なった形態となる。これにより、電極の外側面をほぼ平坦な面にすることができる。
エッチングに際しては、予め、基板上にアルミニウムを主成分とする第1金属膜を成膜し、第1金属膜上にモリブデンを主成分とする第2金属膜を成膜し、第2金属膜上にレジストを形成しておき、その状態で、エッチング用の薬液により第2金属膜を除去した後、第1金属膜を除去する。第1金属膜を構成するアルミニウムはエッチング進行速度が比較的速いのであるが、この第1金属膜の除去が済めば、エッチングが完了するので、第1金属膜が過剰に除去されることがなく、第1層の外側面と第2層の外側面は、ほぼ面一状に連なった形態となる。これにより、電極の外側面をほぼ平坦な面にすることができる。
<請求項2の発明>
第1層はアルミニウムが主成分であるため、第2層を突き破るヒロックの発生が懸念されるが、本発明では、第2層が、窒素ガスを用いたスパッタリング法により成膜された窒化モリブデンからなっていて、硬度が高いので、ヒロックの発生を防止することができる。
第1層はアルミニウムが主成分であるため、第2層を突き破るヒロックの発生が懸念されるが、本発明では、第2層が、窒素ガスを用いたスパッタリング法により成膜された窒化モリブデンからなっていて、硬度が高いので、ヒロックの発生を防止することができる。
<請求項3の発明>
エッチング用の薬液により第2金属膜が除去された後、第1金属膜が除去され、エッチング進行速度の速いアルミニウムを主成分とする第1金属膜の除去が済めば、エッチングが完了する。したがって、第1金属膜が過剰に除去されることがなく、第1層の外側面と第2層の外側面は、ほぼ面一状に連なった形態となる。これにより、電極の外側面をほぼ平坦な面にすることができる。
エッチング用の薬液により第2金属膜が除去された後、第1金属膜が除去され、エッチング進行速度の速いアルミニウムを主成分とする第1金属膜の除去が済めば、エッチングが完了する。したがって、第1金属膜が過剰に除去されることがなく、第1層の外側面と第2層の外側面は、ほぼ面一状に連なった形態となる。これにより、電極の外側面をほぼ平坦な面にすることができる。
<請求項4の発明>
第1層はアルミニウムが主成分であるため、第2層を突き破るヒロックの発生が懸念されるが、本発明では、窒素ガスを用いたスパッタリング法により第2金属膜を成膜したので、第2層は硬度の高い窒化モリブデンとなる。したがって、ヒロックの発生を防止することができる。
第1層はアルミニウムが主成分であるため、第2層を突き破るヒロックの発生が懸念されるが、本発明では、窒素ガスを用いたスパッタリング法により第2金属膜を成膜したので、第2層は硬度の高い窒化モリブデンとなる。したがって、ヒロックの発生を防止することができる。
<実施形態1>
以下、本発明を具体化した実施形態1を図1乃至図8を参照して説明する。本実施形態の液晶表示装置は、透光性を有する一対(本実施形態では一方のみを図示する)の基板11の隙間に液晶を封入してなる表示パネル10を有し、一方の基板11には、逆スタガ型のチャネルエッチ形のa−Si形TFT12(Thin Film Transistor)が形成されている。
以下、本発明を具体化した実施形態1を図1乃至図8を参照して説明する。本実施形態の液晶表示装置は、透光性を有する一対(本実施形態では一方のみを図示する)の基板11の隙間に液晶を封入してなる表示パネル10を有し、一方の基板11には、逆スタガ型のチャネルエッチ形のa−Si形TFT12(Thin Film Transistor)が形成されている。
TFT12は、図1に示すように、ガラス等の透光性を有する基板11の表面(上面)に形成されたゲート電極13と、このゲート電極13から基板11の表面に亘って形成されたゲート絶縁膜14と、ゲート絶縁膜14の表面(即ち、ゲート電極13の表面側)に積層して形成された半導体層15と、半導体層15の表面に積層して形成されたソース電極16S及びドレイン電極16Dとを備えて構成される。尚、ソース電極16Sとドレイン電極16Dの表面には保護膜18が積層して形成され、保護膜18の表面には絶縁層19が積層して形成されている。
ゲート電極13は、基板11上に積層したアルミニウムを主成分とする第1層13aと、第1層13a上に積層されたモリブデンを主成分とする第2層13bとからなる2層構造となっている。第2層13bは、窒化モリブデン(MoNx)からなり、窒化されていないモリブデンに比べて硬度が高いものとなっている。
半導体層15は、ゲート絶縁膜14の表面に重なるa−Si層15a(以下、i層15aという)と、このi層15aの表面に重なるn+a−Si層15b(以下、n+層15bという)とから構成される。半導体層15には、その表面側を凹ませた形態の凹部20がチャネル領域と対応して形成されている。この凹部20においては、n+層15bがその表面(上面)から裏面(下面)まで除去された形態であり、したがって、n+層15bは凹部20(チャネル領域との対応部分)で分断されている。同じく凹部20において、i層15aは、その表面側のみが凹んだ形態となっているだけであり、チャネル領域において分断されてはいない。
ソース電極16Sとドレイン電極16Dは、チタンを主成分とする第1層17aとアルミニウムを主成分とする第2層17bとからなる2層構造となっており、凹部20と対応する領域、即ちチャネル領域を挟んで水平方向に間隙を空けて対応するように配置されている。
保護膜18は、ソース電極16Sとドレイン電極16Dの表面を覆うとともに、凹部20内を埋める形態であり、保護膜18によってソース電極16Sとドレイン電極16Dとの隙間が絶縁されている。絶縁層19の表面には、ITO(Indium tin Oxide)からなる図示しない表示電極が積層されるようになっており、この絶縁層19は、表示電極とソース電極16Sとがラップする部分において短絡するのを防止するために設けられている。
保護膜18は、ソース電極16Sとドレイン電極16Dの表面を覆うとともに、凹部20内を埋める形態であり、保護膜18によってソース電極16Sとドレイン電極16Dとの隙間が絶縁されている。絶縁層19の表面には、ITO(Indium tin Oxide)からなる図示しない表示電極が積層されるようになっており、この絶縁層19は、表示電極とソース電極16Sとがラップする部分において短絡するのを防止するために設けられている。
次に、TFT12を製造する工程を説明する。
まず、基板11の表面に、スパッタリング法とエッチング法によりゲート電極13をパターン形成する。即ち、基板11の表面に、スパッタリング法によりアルミニウムを主成分とする第1層13aとなる第1金属膜13Aを成膜し、次に、第1金属膜13Aの表面に、スパッタリング法によりモリブデンを主成分とする第2金属膜13Bを成膜する。本実施形態では、第1金属膜13A(第1層13a)の厚さは2700Åであり、第2金属膜13B(第2層13b)の厚さは1000Åである。
まず、基板11の表面に、スパッタリング法とエッチング法によりゲート電極13をパターン形成する。即ち、基板11の表面に、スパッタリング法によりアルミニウムを主成分とする第1層13aとなる第1金属膜13Aを成膜し、次に、第1金属膜13Aの表面に、スパッタリング法によりモリブデンを主成分とする第2金属膜13Bを成膜する。本実施形態では、第1金属膜13A(第1層13a)の厚さは2700Åであり、第2金属膜13B(第2層13b)の厚さは1000Åである。
第2金属膜13Bの成膜時には、ターゲット物質であるモリブデンと基板11が収容されている真空室内に、不活性ガスと共に窒素ガスを流入させ、これにより、反応性スパッタリングを行い、第1金属膜13Aの表面に窒化モリブデンの膜(第2金属膜13B)を成膜する。本実施形態では、1500mm×1800mmの大きさの基板11に対して、窒素ガスの流入量を300sccm以上としている。
この後、第2金属膜13Bの表面に、ゲート電極13として残す領域にレジスト21を形成する(図2を参照)。そして、エッチングにより両金属膜13A,13Bのうち不要の部分を除去する。この除去に際しては、ウエットエッチング法が用いられ、その薬液としては、硝酸・酢酸等が用いられる。ウエットエッチング法は、ドライエッチング法に比べて、エッチングに要する時間が短いだけでなく、設備コストが安価で納まるという利点がある。ウエットエッチングの工程では、第2金属膜13Bが除去され、その後、第1金属膜13Aが除去される。
第1金属膜13Aを構成するアルミニウムはエッチング進行速度が比較的速いため、この第1金属膜13Aの後にさらにエッチングで除去する金属膜が存在する場合には、この金属膜のエッチングが進む間に、第1金属膜13Aが過剰に除去されることが懸念される。しかし、本実施形態では、第1金属膜13Aの除去が済めば、エッチング工程が完了するので、第1金属膜13Aが過剰に除去されることがない。したがって、図3に示すように、第1層13aの外側面と第2層13bの外側面は、ほぼ面一状に連なった形態となり、ゲート電極13の外側面をほぼ平坦な面にすることができる。尚、ゲート電極13の断面は台形であるため、その外側面は、基板11に対して直角ではなく、直角に対して少し傾いた面となる。
エッチング工程が完了した後は、レジスト21を除去すれば、ゲート電極13の形成が完了する(図3を参照)。
エッチング工程が完了した後は、レジスト21を除去すれば、ゲート電極13の形成が完了する(図3を参照)。
この後は、プラズマCVD法またはスパッタリング法によりゲート絶縁膜1413を形成し、さらにプラズマCVD法とエッチング法によりi層15aとn+層15bを順に成膜し、n+層15bの表面にレジスト22を形成する(図4を参照)。そして、エッチングによりi層15aとn+層15bの不要部分を除去するとともに、レジストを除去すれば、半導体層15の形成が完了する(図5を参照)。この後、半導体層15(n+層15b)の表面に、ソース電極16S及びドレイン電極16Dとなる電極膜17、即ちチタンを主成分とする第1層17aとアルミニウムを主成分とする第2層17bとをスパッタリング法により順に成膜し、その後、電極膜17(第2層13b)の表面にレジスト23を形成する(図6を参照)。
レジスト23を形成した後は、エッチング法により、電極膜17(第1層17aと第2層17bの両方)がその表面(上面)から裏面(下面)に亘って除去されるとともに、n+層15bもその表面(上面)から裏面(下面)に亘って除去され、さらにi層15aの表面部分のみが除去される。これにより、チャネル領域と対応する逆台形状の凹部20が形成され、この凹部20が形成されることにより、チャネル領域と対応する間隙を空けたソース電極16Sとドレイン電極16Dとが形成される。両電極16D,16Sが形成された後は、レジスト23を除去する(図7を参照)。
以上により、TFT12の製造が完了する。この後は、図8に示すように、保護膜18を形成するとともに、保護膜18の表面に絶縁層19を形成する。
上述のように本実施形態によれば、ゲート電極13の形成に際しては、エッチング進行速度の速いアルミニウムを主成分とする第1金属膜13Aの除去が済めば、ウエットエッチングが完了するので、第1金属膜13Aが過剰に除去されることがなく、ゲート電極13の第1層13aの外側面と第2層13bの外側面をほぼ平坦な面にすることができる。
また、ゲート電極13の第1層13aはアルミニウムが主成分であるため、第2層13bを突き破るヒロックの発生が懸念されるが、本実施形態では、第2層13bが、窒素ガスを用いたスパッタリング法により成膜された窒化モリブデンからなっていて、硬度が高められているので、ヒロックの発生を防止することができる。
また、ゲート電極13の第1層13aはアルミニウムが主成分であるため、第2層13bを突き破るヒロックの発生が懸念されるが、本実施形態では、第2層13bが、窒素ガスを用いたスパッタリング法により成膜された窒化モリブデンからなっていて、硬度が高められているので、ヒロックの発生を防止することができる。
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)本実施形態では電極がゲート電極である場合について説明したが、本発明は、ソース電極や蓄積容量の電極にも適用できる。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)本実施形態では電極がゲート電極である場合について説明したが、本発明は、ソース電極や蓄積容量の電極にも適用できる。
11…基板
13…ゲート電極
13A…第1金属膜
13a…第1層
13B…第2金属膜
13b…第2層
21…レジスト
13…ゲート電極
13A…第1金属膜
13a…第1層
13B…第2金属膜
13b…第2層
21…レジスト
Claims (4)
- 表示パネルを構成する基板の表面に沿って電極が形成された液晶表示装置であって、
前記電極が、前記基板上に積層されたアルミニウムを主成分とする第1層と、前記第1層上に積層されたモリブデンを主成分とする第2層とにより構成された2層構造とされ、前記第1層と前記第2層がウエットエッチング法によりパターン形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第2層が、窒素ガスを用いたスパッタリング法により成膜された窒化モリブデンからなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 表示パネルを構成する基板の表面に沿って電極が形成された液晶表示装置を製造する方法であって、
前記基板上に、アルミニウムを主成分とする第1金属膜を成膜し、
前記第1金属膜上に、モリブデンを主成分とする第2金属膜を成膜し、
前記第2金属膜上に、レジストを形成し、
ウエットエッチング法により前記第1金属膜と前記第2金属膜を除去することで、前記基板上に積層されたアルミニウムを主成分とする第1層と、前記第1層上に積層されたモリブデンを主成分とする第2層とにより構成された2層構造の前記電極をパターン形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2金属膜を、窒素ガスを用いたスパッタリング法により成膜することを特徴とする請求項3記載の液晶表示装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013044528A1 (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、液晶显示装置 |
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2006
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2013044528A1 (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、液晶显示装置 |
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