JP2007322615A - 基板の加工方法 - Google Patents
基板の加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007322615A JP2007322615A JP2006151375A JP2006151375A JP2007322615A JP 2007322615 A JP2007322615 A JP 2007322615A JP 2006151375 A JP2006151375 A JP 2006151375A JP 2006151375 A JP2006151375 A JP 2006151375A JP 2007322615 A JP2007322615 A JP 2007322615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoresist
- pattern
- mask
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】露光マスクパターンに忠実なパターンが設けられた基板の加工方法を提供する。
【解決手段】基板の上にフォトレジストを設け、該フォトレジストにパターンを有するマスクを用いて露光し、現像し、エッチング処理することで、前記基板に前記マスクに基づいたパターンを加工する基板の加工方法において、前記露光する光が透過する前記基板の上に、前記露光する光を反射する反射膜を設ける反射膜形成工程と、前記反射膜の上に前記フォトレジストを設けるフォトレジスト形成工程と、前記フォトレジストに前記パターンを有するマスクを用いて露光し、現像してフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターンに基づいて前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工する基板エッチング工程と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】基板の上にフォトレジストを設け、該フォトレジストにパターンを有するマスクを用いて露光し、現像し、エッチング処理することで、前記基板に前記マスクに基づいたパターンを加工する基板の加工方法において、前記露光する光が透過する前記基板の上に、前記露光する光を反射する反射膜を設ける反射膜形成工程と、前記反射膜の上に前記フォトレジストを設けるフォトレジスト形成工程と、前記フォトレジストに前記パターンを有するマスクを用いて露光し、現像してフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターンに基づいて前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工する基板エッチング工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板の加工方法に関する。
近年、インクジェット記録方法での画質の高精細化の進展および工業用途における適用範囲の拡大に伴い、微細パターン形成および高粘度のインク吐出の要請がますます強まっている。これらの課題を従来のインクジェット記録方法で解決しようとすると、ノズルの微小化や高粘度のインク吐出による液吐出力の向上を図る必要が生じ、それに伴ってインクの吐出のための駆動電圧が高くなり、ヘッドや装置のコストが非常に高価になってしまうため、実用に適う装置は実現されていない。
上記要請に応え、微小化されたノズルから低粘度のみならず高粘度の液滴を吐出させる技術として、ノズル内の液体を帯電させ、ノズルと液滴の着弾を受ける対象物となる各種の基材との間に形成される電界から受ける静電吸引力により吐出させるいわゆる静電吸引方式の液滴吐出技術が知られている(特許文献1参照)。
この液滴吐出技術と、ピエゾ素子の変形や液体内部での気泡の発生による圧力を利用して液滴を吐出する技術とを組み合わせることで効率よく液滴を吐出する、いわゆる電界アシスト法を用いた液滴吐出装置の開発が進んでいる(例えば、特許文献2〜5参照)。
電界アシスト法は、メニスカス形成手段と静電吸引力を用いてノズルの吐出孔に液体のメニスカスを隆起させることにより、メニスカスに対する静電吸引力を高め、液表面張力に打ち勝ってメニスカスを液滴化し吐出する方法である。
電界アシスト法で用いられるノズル部は、インクの吐出口の形状を凸状として絶縁性の板に設けてあり、静電吸引型インクジェット記録ヘッドでは、この形状とすることによって、電界の集中がよくなり、低電圧でのインクの吐出を可能とすることができる(特許文献4参照)。
発明者らにより、インクの吐出口がノズル面から突出していないか、インクの吐出口が凸状に突出していてもその突出の程度が小さい(30μm以下)フラットな吐出面を有するヘッドとして構成し、電界アシスト法を用いた液滴吐出に関する精力的な実験・検討の結果、液滴を吐出するノズルから液滴を安定に吐出させるためにはメニスカス先端部の電界強度が1.5×107V/m以上であることが必要であることが得られ、そのためには、ノズル穴を有するノズルプレートの体積抵抗率は1015Ω・m以上であることが好ましいことが分かった。上記の高い体積抵抗率を有する材料として、高抵抗ガラスである石英がある。
一方、更なる高解像度化と高画質化が求められていることから、インクヘッド部材の熱、湿度、更には外的負荷による変形が問題となっている。又、高画質化のために種々の成分のインクが開発されているが、熱、湿度、変形に耐性があると考えられる金属材料と化学反応を起こすことが考えられ、インクヘッドに金属材料の使用は好ましくない状況にある。
そこで、熱や湿度変化による変形が少なく、高強度でインクとの反応性の悪い材料としてガラスが注目されている。ガラス製ノズルプレートの製造方法に関して、ノズル穴が連続して形成されたノズルプレートの製造方法であって、加熱軟化したガラス素材の金型によるプレス成形によってガラス製ノズルプレートを得る方法がある(特許文献6)。
国際公開第03/070381号パンフレット
特開平5−104725号公報
特開平5−278212号公報
特開平6−134992号公報
特開2003−53977号公報
特開2002−205388号公報
しかしながら、特許文献6に記載のガラス製ノズルプレートを得る方法は、例えば、直径30μm、長さ0.2mm程度の微細突起をピッチ70μmで24個を有する上型と、この微細突起に嵌合することで粘度を109.5Pa・sとする温度(620℃)に加熱したガラス素材に穴を設けるための微細穴を有する下型とを用いているが、上型及び下型は微細形状を有することで製造が容易でなく、それぞれの型の使用に際しては微細突起の欠損、微細穴の目詰まりが懸念され、またガラス素材の粘度を加熱等により微細形状がプレス成形にて十分に形成することができるように精密に制御する必要があると考えられる。従って、容易にガラス製ノズルプレートを得ることは、困難であると予想される。また、ガラス素材を石英とする場合、石英の軟化点が約1600℃であることから、粘度にもよるが、プレス成形するためには1000℃以上の高温とする必要があると考えられ高価な成形装置が必要になる。
一方、微細加工方法として半導体プロセスとして確立されているフォトリソグラフィ−処理及びエッチング処理により石英等のガラスを加工する方法がある。図3に示す様に、ガラス基板30にフォトレジスト32を塗布し(図3(a))、ガラス基板30に設けるパターンを有するフォトマスク34を用いて露光(図3(b))・現像する、いわゆるフォトリソグラフィ−処理を行うことで、フォトレジストパターン32aを得る(図3(c))。このフォトレジストパターン32aをマスクとしてエッチング処理、例えば、ドライエッチング処理を行うことでマスクパターンが転写されたガラス基板30aを得ることができる(図3(d))。
フォトリソグラフィ−の露光で用いられる光は、マスクパターンをできるだけ忠実にフォトレジストに対して露光できるようにフォトレジスト面にほぼ垂直に入射するようにされている。しかしながら、フォトレジストに入射する光を露光面の全面において完全に垂直入射させ、また、基板が露光される光を透過することから生じる反射面となる基板の裏面の状態を理想的な平面で且つ散乱を生じない鏡面とすることは容易でない。
従って、フォトレジスト32に入射する光Aは、フォトレジスト32の状態を含めて多少の傾きを持って入射し、基板30の裏面に達した光は、裏面への入射角及び面の状態による散乱等に依存した反射光となって本来フォトマスク34により遮光されて露光しない部分のフォトレジスト32へ戻る、回り込み露光が生じることになる。
回り込み露光に関して具体的に以下に説明する。図3(b)で示すフォトマスク34が有するパターンをフォトレジスト32に露光する際、基板30が透明であるため、フォトレジスト32を露光する光が基板30を透過して、基板30の裏面で反射された光がフォトレジスト32まで戻りフォトマスク34で遮光されている部分のフォトレジスト32が感光してしまう、回り込み露光が生じる。こうした露光が行われて現像を行うと、例えば図3(c)で示すようにフォトマスク34のパターンより大きな開口となるといった、フォトマスク34が有するパターンが忠実にフォトレジストパターン32aとして転写されなくなり、この結果フォトレジストパターン32aをマスクとして基板30に加工されたパターンは、フォトマスク34が有するパターンと異なったパターンになってしまうという問題がある。
また、リフトオフを利用した場合、上記と反転したパターンを基板に転写することができる。この場合、図4に示す様に、ガラス基板40にフォトレジスト42を塗布し(図4(a))、ガラス基板40に設けるパターンを有するフォトマスク44を用いて露光(図4(b))・現像する、いわゆるフォトリソグラフィ−処理を行うことで、フォトレジストパターン42aを得る(図4(c))。フォトレジストパターン42aは、上記と同じ回り込み露光により大きな開口を持つため、フォトレジスト42aは、本来のパターンより細くなってしまう。
フォトレジストパターン42aの上に、リフトオフ法により基板をエッチングするためのエッチングマスクとなる膜43を設け(図4(d))、リフトオフによりエッチングマスク43aを設けると(図4(e))、基板40をエッチングするためのエッチングマスク43aの開口部がほとんどなくなってしまい基板40を十分にエッチングできなくなってしまうことになる(図4(f))。従って、フォトマスクが有するパターンが忠実にフォトレジストパターン42aとして転写されなくなり、この結果フォトレジストパターン42aを用いてリフトオフにより反転転写されたエッチングマスク43aで加工された基板40aが有するパターンは、フォトマスク44が有するパターンと異なったパターンになってしまうという問題がある。尚、図4(b)は、基板40の裏面側に加工された部分からの反射光を示している。
フォトマスクが有するパターン形状が単純な場合は、上記の回り込み露光量を見込んだマスクパターンを作製して用いることで上記の問題に対応することが考えられる。しかし、パターン形状が複雑であったり、基板の裏面が単純な平面ではなく、図4に示す様に、加工された部分がある場合、回り込み露光量を見込んだマスクパターンを作製することは、試行錯誤を余儀なくされ、実用的なマスクパターンを得ることは困難であると考えられる。
本発明は、上記の問題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、露光されるマスクが有するパターンに忠実なパターンを基板に設けることができる基板の加工方法を提供することである。
上記の課題は、以下の構成により解決される。
1. 基板の上にフォトレジストを設け、該フォトレジストにパターンを有するマスクを用いて露光し、現像し、エッチング処理することで、前記基板に前記マスクに基づいたパターンを加工する基板の加工方法において、
前記露光する光が透過する前記基板の上に、前記露光する光を反射する反射膜を設ける反射膜形成工程と、
前記反射膜の上に前記フォトレジストを設けるフォトレジスト形成工程と、
前記フォトレジストに前記パターンを有するマスクを用いて露光し、現像してフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、
前記フォトレジストパターンに基づいて前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工する基板エッチング工程と、を含むことを特徴とする基板の加工方法。
前記露光する光が透過する前記基板の上に、前記露光する光を反射する反射膜を設ける反射膜形成工程と、
前記反射膜の上に前記フォトレジストを設けるフォトレジスト形成工程と、
前記フォトレジストに前記パターンを有するマスクを用いて露光し、現像してフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、
前記フォトレジストパターンに基づいて前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工する基板エッチング工程と、を含むことを特徴とする基板の加工方法。
2. 前記基板エッチング工程において、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工することを特徴とする1に記載の基板の加工方法。
3. 前記基板エッチング工程において、前記フォトレジストパターンに基づいてリフトオフ法により形成したパターンをエッチングマスクとして前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工することを特徴とする1に記載の基板の加工方法。
4. 前記反射膜は、金属膜であることを特徴とする1乃至3の何れか一つに記載の基板の加工方法。
本発明によれば、露光する光が透過する基板の上に、露光する光を反射する反射膜を設け、この反射膜の上にフォトレジストを設け、このフォトレジストに対してパターンを有するマスクを用いて露光し、現像してフォトレジストパターンを設け、このフォトレジストパターンに基づいてエッチング処理することで基板にパターンを加工することができる。
よって、フォトレジストの直下にフォトレジストを透過し露光する光を反射することができる金属膜を設け、このフォトレジストに対して露光し、現像することができることになる。このため、フォトレジストを露光するために入射した光は、金属膜の下に位置する基板に入射することなく金属膜のフォトレジスト側の表面にて反射され、入射位置より離れた位置に反射して戻ることで露光領域を広げることなく、入射位置に近い位置に反射されて戻ることになるため、マスクが有するパターンに忠実な露光をフォトレジストに対して行うことができる。この露光したフォトレジストを現像することで得られるフォトレジストパターンに基づいて反射膜及び基板のエッチング処理を行うことができる。
従って、露光されるマスクが有するパターンに忠実なパターンを基板に設けることができる基板の加工方法を提供することができる。
本発明に係わる基板の加工方法に関して、基板に円筒穴を加工することを例にして図を参照しながら以下に説明する。基板は、後述するフォトレジストを露光する光が透過することができ、エッチング加工可能であれば、特に限定されることはなく、ガラス、石英が挙げられる。以降では、基板を石英基板として説明する。
石英基板に円筒形の穴を加工する工程を図1示す。材料が石英である基板10の上に、後で設けるフォトレジスト14を露光するための光を反射する反射膜12を設ける(図1(a))。反射膜12を設ける方法は、特に限定されるものではなく、公知の方法、例えば蒸着法またはマグネトロンスパッタ法でよいが、基板10に強固に固着させる必要がないため、基板10をヒーター等を用いた加熱をしないのが好ましい。
反射膜12の厚みは、フォトレジスト14を感光させるために必要な強度を有する、例えば、紫外線等の光を十分に反射させることができればよく、剥離のための処理に長時間費やすことがないように必要以上に厚くしないことが好ましい。
反射膜12は、薄い膜でありながら十分に光を反射することができる金属膜とするのが好ましい。必要以上に厚くしない反射膜12は、反射膜12が設けられた基板10に作用する応力が大きくならないため、基板10が反る等の変形を生じないので好ましい。この金属膜12の厚みは、0.05μm以上0.3μm以下の範囲が好ましく、0.1μm以上0.2μm以下の範囲とするのがより好ましい。金属膜12となる材料は、成膜、パターニング及び除去が容易な材料が好ましく、Ti、Ni、Cr、Al、Cuを挙げることができる。
次に、反射膜12の上にフォトレジスト14を設ける(図1(b))。設ける方法は、特に限定されることはなく、公知のものでよい。例えば、半導体プロセスで使用される紫外線感光性樹脂をフォトレジストとして、これをスピンコート法で反射膜12の上に塗布しても良いし、又は、ドライフィルムフォトレジストを反射膜12の上に貼り付けてもよい。フォトレジスト14の厚みは、特に限定されるものではなく、以降に行うフォトレジストの現像、フォトレジストをマスクとしたエッチング処理等を考慮した厚みとすれば良い。
次に、フォトマスク18と基板10との配置を決めて露光することを可能とする装置であるマスクアライナーを用いて基板10に設けたフォトレジスト14に対してマスクアライナーに予めセットされているフォトマスク18のパターンの露光を行う(図1(c))。引き続き、現像処理を行うことでフォトレジストパターン14aを得ることができる(図1(d))。
図1(c)に示す様に、基板10の上でフォトレジスト14の直下に金属膜12を設けたことで、フォトマスク18を通過した露光する光A、例えば紫外線、は、フォトレジスト14を露光した後、反射膜12に到達後、反射膜12の表面で反射される。金属膜12で反射される光は、フォトレジストの厚みが1μm程度と薄いこともあって、入射位置より離れた位置に反射して戻ることで露光領域を広げることなく、入射位置に近い位置に反射されて戻ることになるため、十分に許容される範囲で、フォトマスクが有するパターンに忠実にフォトレジスト14を露光することができる。このように、金属膜12は、フォトレジストを露光する光に、基板10に設けられた金属膜12による反射光以外、例えば基板10の裏面に溝が加工されているとか、散乱状態であるとかといった外乱により生じる光を含むことがないようにすることができる。
例えば、基板10の裏面側に何らかの加工を施した基板では、フォトレジストが設けてある面から入射した光が裏面側に加工されている形状や加工面の状態により様々な反射角度や散乱状態で反射されてフォトレジストに戻ってくることからフォトレジストの露光状態は複雑で様々な変化を生じ、基板10に加工されるパターンが不安定になってしまう。この場合、金属膜12を設けることで、裏面に設けられている形状に左右されることなく露光する光がフォトレジストの直下に設けてある金属膜12で反射されるため、上記の回り込み露光現象を避けることができ、安定したフォトレジストパターンを設けることができる。
露光後、フォトレジスト14を現像してフォトレジストパターン14aを得て、フォトレジストパターン14aをエッチングマスクとして金属膜12及び基板10のエッチング処理を行う(図1(e))。金属膜12のエッチングは、金属材料に応じた公知の方法を用いれば良く、例えば、エッチング液に浸漬、ドライエッチング法等が挙げられ、基板10のエッチングは、ガラスであればフッ化水素酸溶液を用いたウエットエッチング法、石英であればCHF3を反応ガスとするドライエッチング法が挙げられる。次に、残ったフォトレジストパターン14a及び反射膜12aを除去して基板の加工(パターニング)が完了する(図1(f))。フォトレジストパターン14aに対しては、例えば、有機溶剤に浸漬または酸素プラズマによるアッシング、反射膜12aに対しては上記と同じエッチング液、ドライエッチング法等により除去することができる。フォトレジストパターン14aや金属膜12aの除去の際、基板10aに設けられたパターン形状に対して問題となる影響が生じることはない。
上記の例とネガポジの関係となる、図2に示す様な、フォトレジストで露光されない部分をエッチング加工するためにリフトオフ法を利用する場合も、上記と同じ金属膜を設けることで容易にフォトマスクに忠実なパターンを有する基板に加工することができる。
基板20の上に金属膜22を設け(図2(a))、更にフォトレジスト24を重ねて設けて(図2(b))、マスクアライナーに基板20をセットし、フォトマスク28を用いて露光を行い(図2(c))、現像を行うことでフォトレジストパターン24aを得ることができる(図2(d))。このフォトレジストパターン24aは、金属膜22が直下にあることで、図1を用いて説明した上記と例と同様にフォトマスク28に忠実なパターンとすることができる。
次に、基板20のエッチングマスクとなる膜26、例えばNi膜等を設ける(図2(e))。エッチングマスクの材料及び作製方法は、特に限定されるものではなく、エッチングマスク材として公知のものから適宜選べば良く、また作製方法も真空蒸着、スパッタ法等の公知の方法から適宜選んで用いれば良い。
次に、フォトレジストパターン24aを有機溶剤に浸漬する等により除去(リフトオフ)して、フォトレジストパターン24aに対して反転したエッチングマスク26aを得ることができる(図2(f))。このエッチングマスク26aに基づいて金属膜22及び基板20のエッチング処理を行うことで、反転したパターンが加工された基板20aを得ることができる(図2(g))。次に、金属膜22a、エッチングマスク26aをドライエッチング等を用いて除去して基板の加工(パターニング)が完了する(図2(h))。この除去の際、基板20aに設けられたパターン形状に対して問題となる影響が生じることはない。
(実施例1)
厚さ200μm、大きさ3インチの白板ガラスに直径500μm、深さ50μmの穴を2mm間隔で1列に30個を以下の通り作製した。図1に示す工程に沿って説明する。
(1)マグネトロンスパッタ法で基板10を300℃に加熱した状態で、膜厚0.1μmのCr膜12を設けた(図1(a))。
(2)Cr膜12の上にフォトレジスト14をスピンコート法で厚み0.5μm塗布した(図1(b))。
(3)フォトマスク18を備えたマスクアライナーを用いてCr膜12とフォトレジスト14が設けてある基板10に露光し(図1(c))、現像することで、フォトレジストパターン14aを形成した(図1(d))。
(4)フォトレジストパターン14aをマスクとして、ECR2(Crエッチング液)を用いてCr膜を除去し、続いてフッ化水素で白板ガラスを深さ100μmまでエッチングした(図1(e))。
(5)フォトレジストを酸素プラズマによるアッシングで除去し、ECR2(Crエッチング液)を用いてCr膜を除去することで形状加工が完了した(図1(f))。
厚さ200μm、大きさ3インチの白板ガラスに直径500μm、深さ50μmの穴を2mm間隔で1列に30個を以下の通り作製した。図1に示す工程に沿って説明する。
(1)マグネトロンスパッタ法で基板10を300℃に加熱した状態で、膜厚0.1μmのCr膜12を設けた(図1(a))。
(2)Cr膜12の上にフォトレジスト14をスピンコート法で厚み0.5μm塗布した(図1(b))。
(3)フォトマスク18を備えたマスクアライナーを用いてCr膜12とフォトレジスト14が設けてある基板10に露光し(図1(c))、現像することで、フォトレジストパターン14aを形成した(図1(d))。
(4)フォトレジストパターン14aをマスクとして、ECR2(Crエッチング液)を用いてCr膜を除去し、続いてフッ化水素で白板ガラスを深さ100μmまでエッチングした(図1(e))。
(5)フォトレジストを酸素プラズマによるアッシングで除去し、ECR2(Crエッチング液)を用いてCr膜を除去することで形状加工が完了した(図1(f))。
(比較例1)
厚さ200μm、大きさ3インチの白板ガラスに直径500μm、深さ50μmの穴を2mm間隔で1列に30個を実施例1の(1)を除いた同じ方法で作製した。
厚さ200μm、大きさ3インチの白板ガラスに直径500μm、深さ50μmの穴を2mm間隔で1列に30個を実施例1の(1)を除いた同じ方法で作製した。
(実施例1と比較例1との結果)
実施例1と比較例1とで製作した直径500μmを目標とする穴径と比較した。実施例1では目標の穴径に対して5%以内に収まっていた。比較例1の場合は目標の穴径より20%大きくなっていた。Cr膜を設けることで光の回り込みによる露光が抑えられていることが確認出来た。
実施例1と比較例1とで製作した直径500μmを目標とする穴径と比較した。実施例1では目標の穴径に対して5%以内に収まっていた。比較例1の場合は目標の穴径より20%大きくなっていた。Cr膜を設けることで光の回り込みによる露光が抑えられていることが確認出来た。
(実施例2)
厚さ250μm、直径3インチの石英基板に直径5μm、深さ50μmの穴を250μm間隔で1列に128個を以下の通り作製した。この基板には、裏面に先の直径5μmの穴にそれぞれに同軸となる様に対応した直径100μm、深さ200μmの穴が予め設けてある。図2に示す工程に沿って説明する。
(1)マグネトロンスパッタ法で無加熱にて、石英基板20に膜厚0.25μmのTi膜22を設けた(図2(a))。
(2)フォトレジスト24をスピンコート法で1.2μm塗布した(図2(b))。
(3)フォトマスク28を用いて両面マスクアライナーを用いて表裏の整合を取りながらTi膜22とフォトレジスト24が設けてある基板面に露光し(図2(c))、現像することで、フォトレジストパターン24aを形成した(図2(d))。
(5)フォトレジスト24aを除去せずに、マグネトロンスパッタで無加熱にて、膜厚0.7μmのNi膜26を設けた(図2(e))。
(6)フォトレジスト24aをレジスト剥離液で除去することでフォトレジスト24aに位置するNi膜も同時に除去(リフトオフ)した(図2(f))。
(7)加工済みの基板20の裏面が加工されないように保護膜としてポリイミドフィルム(図示しない)を貼って、CHF3プラズマ雰囲気でNi膜26aをエッチングマスクとしてTi膜22及び石英基板20を、穴が貫通するように深さ60μm程度までエッチングした(図2(g))。このとき、Ti膜はCHF3により石英と同様にエッチングすることができる。
(8)Ni膜26aを硫酸で除去し、CHF3プラズマ雰囲気でTi膜を除去することで加工が完了した。
厚さ250μm、直径3インチの石英基板に直径5μm、深さ50μmの穴を250μm間隔で1列に128個を以下の通り作製した。この基板には、裏面に先の直径5μmの穴にそれぞれに同軸となる様に対応した直径100μm、深さ200μmの穴が予め設けてある。図2に示す工程に沿って説明する。
(1)マグネトロンスパッタ法で無加熱にて、石英基板20に膜厚0.25μmのTi膜22を設けた(図2(a))。
(2)フォトレジスト24をスピンコート法で1.2μm塗布した(図2(b))。
(3)フォトマスク28を用いて両面マスクアライナーを用いて表裏の整合を取りながらTi膜22とフォトレジスト24が設けてある基板面に露光し(図2(c))、現像することで、フォトレジストパターン24aを形成した(図2(d))。
(5)フォトレジスト24aを除去せずに、マグネトロンスパッタで無加熱にて、膜厚0.7μmのNi膜26を設けた(図2(e))。
(6)フォトレジスト24aをレジスト剥離液で除去することでフォトレジスト24aに位置するNi膜も同時に除去(リフトオフ)した(図2(f))。
(7)加工済みの基板20の裏面が加工されないように保護膜としてポリイミドフィルム(図示しない)を貼って、CHF3プラズマ雰囲気でNi膜26aをエッチングマスクとしてTi膜22及び石英基板20を、穴が貫通するように深さ60μm程度までエッチングした(図2(g))。このとき、Ti膜はCHF3により石英と同様にエッチングすることができる。
(8)Ni膜26aを硫酸で除去し、CHF3プラズマ雰囲気でTi膜を除去することで加工が完了した。
(比較例2)
厚さ250μm、大きさ3インチの石英に直径5μm、深さ50μmの穴を250μm間隔で1列に128個を実施例2の(1)を除いた同じ方法で作製した。この基板には、裏面に先の直径5μmの穴にそれぞれに同軸となる様に対応した直径100μm、深さ200μmの穴が予め設けてある。
厚さ250μm、大きさ3インチの石英に直径5μm、深さ50μmの穴を250μm間隔で1列に128個を実施例2の(1)を除いた同じ方法で作製した。この基板には、裏面に先の直径5μmの穴にそれぞれに同軸となる様に対応した直径100μm、深さ200μmの穴が予め設けてある。
(実施例2と比較例2との結果)
実施例2と比較例2とで製作した直径5μmを目標とする穴径と比較した。実施例2では目標の穴径に対して5%以内に収まっていた。比較例2の場合は目標の穴径より40%小さくなっていた。Ti膜を設けることで光の回り込みによる露光が抑えられていることが確認出来た。
実施例2と比較例2とで製作した直径5μmを目標とする穴径と比較した。実施例2では目標の穴径に対して5%以内に収まっていた。比較例2の場合は目標の穴径より40%小さくなっていた。Ti膜を設けることで光の回り込みによる露光が抑えられていることが確認出来た。
10 基板
10a パターン加工(パターニング)された基板
12 金属膜
12a 金属膜パターン
14 フォトレジスト
14a フォトレジストパターン
18 フォトマスク
A 露光用光
10a パターン加工(パターニング)された基板
12 金属膜
12a 金属膜パターン
14 フォトレジスト
14a フォトレジストパターン
18 フォトマスク
A 露光用光
Claims (4)
- 基板の上にフォトレジストを設け、該フォトレジストにパターンを有するマスクを用いて露光し、現像し、エッチング処理することで、前記基板に前記マスクに基づいたパターンを加工する基板の加工方法において、
前記露光する光が透過する前記基板の上に、前記露光する光を反射する反射膜を設ける反射膜形成工程と、
前記反射膜の上に前記フォトレジストを設けるフォトレジスト形成工程と、
前記フォトレジストに前記パターンを有するマスクを用いて露光し、現像してフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、
前記フォトレジストパターンに基づいて前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工する基板エッチング工程と、を含むことを特徴とする基板の加工方法。 - 前記基板エッチング工程において、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工することを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。
- 前記基板エッチング工程において、前記フォトレジストパターンに基づいてリフトオフ法により形成したパターンをエッチングマスクとして前記反射膜及び前記基板をエッチング処理してパターン加工することを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。
- 前記反射膜は、金属膜であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の基板の加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006151375A JP2007322615A (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006151375A JP2007322615A (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 基板の加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007322615A true JP2007322615A (ja) | 2007-12-13 |
Family
ID=38855498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006151375A Pending JP2007322615A (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 基板の加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007322615A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023175817A1 (ja) * | 2022-03-17 | 2023-09-21 | コニカミノルタ株式会社 | ノズルプレート、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及びノズルプレートの製造方法 |
-
2006
- 2006-05-31 JP JP2006151375A patent/JP2007322615A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023175817A1 (ja) * | 2022-03-17 | 2023-09-21 | コニカミノルタ株式会社 | ノズルプレート、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及びノズルプレートの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI592312B (zh) | 噴嘴板、噴嘴板製造方法、噴墨頭、以及噴墨列印裝置 | |
KR100538230B1 (ko) | 모놀리틱 잉크젯 프린트헤드의 제조방법 | |
US9090067B2 (en) | Method for manufacturing liquid discharge head | |
KR20030037772A (ko) | 일체형 잉크젯 프린트헤드의 제조 방법 | |
CN104669795A (zh) | 液体排出头的制造方法 | |
KR100517515B1 (ko) | 모놀리틱 잉크젯 프린트헤드의 제조방법 | |
KR20110003576A (ko) | 얇은 펠리클 빔 스플리터의 제조 | |
JP2007322615A (ja) | 基板の加工方法 | |
JP2007126692A (ja) | 凹部付き基板の製造方法および凹部付き基板 | |
JP2013248804A (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2013028110A (ja) | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 | |
TWI243102B (en) | Manufacturing method of ink jet recording head and ink jet recording head manufactured by manufacturing method | |
JP2014024267A (ja) | 液体吐出ヘッド及びその製造方法 | |
JP3245256B2 (ja) | 液状樹脂ドット形成装置及びパターン画像形成装置並びにこれらにより形成される基板及び基板上のドット状もしくはパターン状構造体 | |
KR101211735B1 (ko) | 액정표시장치용 고정세 인쇄판 및 그의 제조 방법 | |
US8070265B2 (en) | Heater stack in a micro-fluid ejection device and method for forming floating electrical heater element in the heater stack | |
JP2007227715A (ja) | パターニング基板の製造方法 | |
JP3245410B2 (ja) | パターン画像形成方法、膜パターン形成方法、ケミカルブランキング方法及びエレクトロフォーミング方法 | |
KR100509481B1 (ko) | 일체형 잉크젯 프린트헤드의 제조 방법 | |
KR20120087675A (ko) | 액정표시장치용 고정밀 인쇄판 및 그의 제조 방법 | |
JP2006019316A (ja) | パターン形成方法及び薄膜の作製方法 | |
JP2006035763A (ja) | インクジェット記録ヘッドの製造方法 | |
JP2007331968A (ja) | ガラス基板の加工方法 | |
JP3762696B2 (ja) | パターン形成システム及び基板へのパターン形成方法並びに基板の製造方法 | |
JP2014083823A (ja) | シリコン基板の加工方法 |