JP2007318027A - ヒューズ回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】銅ヒューズを用いたヒューズ回路の抵抗値の経時変化を抑制するとともに、ヒューズ初期不良を検出する。
【解決手段】電源ノードと判定ノードの間にヒューズ素子(FE)と第1のスイッチング素子(PQ1)を直列に接続し、ヒューズ素子と並列に、第2のスイッチング素子(PQ0)を接続する。判定ノード(ND1)と接地ノードとの間に、抵抗値が可変なスイッチ回路(NQ1,NQ2,NQ3,NQ4)を設ける。判定ノードをクロックドインバータ(CV1)で受け、ヒューズ素子リセット信号(FERST)とその遅延信号とで判定ノードを所定電圧(接地電圧)にリセットした後、ヒューズ素子、第1のスイッチング素子およびスイッチ回路で抵抗分圧回路を形成し、判定ノード(ND1)にヒューズ素子の抵抗値に応じた中間電位を生成する。クロックドインバータ(CV1)により、この判定ノード電位を2値判定する。
【選択図】図27
【解決手段】電源ノードと判定ノードの間にヒューズ素子(FE)と第1のスイッチング素子(PQ1)を直列に接続し、ヒューズ素子と並列に、第2のスイッチング素子(PQ0)を接続する。判定ノード(ND1)と接地ノードとの間に、抵抗値が可変なスイッチ回路(NQ1,NQ2,NQ3,NQ4)を設ける。判定ノードをクロックドインバータ(CV1)で受け、ヒューズ素子リセット信号(FERST)とその遅延信号とで判定ノードを所定電圧(接地電圧)にリセットした後、ヒューズ素子、第1のスイッチング素子およびスイッチ回路で抵抗分圧回路を形成し、判定ノード(ND1)にヒューズ素子の抵抗値に応じた中間電位を生成する。クロックドインバータ(CV1)により、この判定ノード電位を2値判定する。
【選択図】図27
Description
この発明は、ヒューズ回路に関し、特に、銅などのメタル配線をヒューズ素子として利用するヒューズ回路の構成に関する。
半導体集積回路装置においては、種々の用途に対して、ヒューズプログラム回路が用いられる。このヒューズプログラム回路においては、ヒューズ素子の切断/非切断により、その出力信号の状態が固定的に設定される。たとえば、アナログ回路の定数を微調整(トリミング)するために、このようなヒューズ素子が用いられる。具体的に、トランジスタ素子の電流駆動力の調整、基準電流源の供給電流量の調整、または基準電圧源の生成する基準電圧のレベルの調整などを行なうために、ヒューズ素子のプログラミング(切断/非切断)が行なわれる。また、抵抗素子の抵抗値を微調整する場合においても、このようなヒューズプログラム回路が用いられる。また、半導体記憶装置においては、不良セルを冗長セルで置換するために、不良アドレスを格納するためにヒューズプログラム回路が用いられる。このようなヒューズプログラム回路を利用することにより、回路動作特性の最適化および不良セルの救済による歩留りの改善を図る。
従来、このようなヒューズプログラム回路においては、レーザビーム照射により溶断されるLT(レーザトリミング)ヒューズが広く用いられている。レーザ装置を用いてプログラム情報に従って、LTヒューズを溶断して、ヒューズプログラミングを実行する。このようなヒューズプログラム回路におけるヒューズ素子として、従来ポリシリコンが多く用いられていたものの、近年、メタル配線が用いられ、アルミニウムまたは銅等の金属が多く用いられる。
金属で形成されるヒューズ素子は、ポリシリコンに比べ、熱伝導度が高く、溶断しにくく、1回のレーザ照射で完全に切断されない場合がある。このようなヒューズ素子が完全に切断されない状態においても、このヒューズ素子の抵抗が、所定値を超えたときには、このヒューズは溶断されたと判断される。
しかしながら、ヒューズ素子が金属で形成されている場合、ヒューズ素子が完全に切断されていない場合、このヒューズ素子の両端にかかる電圧差により、グローバック現象が発生する。グローバック現象は、エレクトロマイグレーションなどにより、アルミニウムまたは銅の金属イオンが移動し、ヒューズの抵抗値が徐々に低下する現象をいう。
この金属ヒューズ素子を利用するヒューズ回路の構成が、特許文献1(特開2002−74979号公報)および特許文献2(米国特許第6320802号明細書)に示されている。特許文献2は、特許文献1の対応の米国特許であり、同一内容を開示する。これらの特許文献1および特許文献2においては、アルミニウムで形成されるヒューズ素子を、PチャネルMOSトランジスタを介して電源ノードに接続し、また、このヒューズ素子の他方端をNチャネルMOSトランジスタを介して接地ノードに結合する。このヒューズ素子とNチャネルMOSトランジスタの間の判定ノードを、トランスミッションゲートを介してインバータラッチに結合する。リセット信号に従って、判定ノードを接地電圧レベルにプリチャージした後、ヒューズ素子をPチャネルMOSトランジスタを介して電源ノードに結合する。このリセット信号の遅延信号に従って、判定ノードの電圧レベルをラッチする。ラッチ状態においては、トランスミッションゲートがオフ状態である。判定動作時において、インバータラッチのインバータが判定ノードに結合される。したがって、判定ノードの電圧レベルは、ヒューズ素子およびヒューズ素子に接続されるPチャネルMOSトランジスタと、インバータラッチのインバータのPチャネルMOSトランジスタの合成抵抗と、接地ノードに結合されるNチャネルMOSトランジスタのオン抵抗による抵抗分割により決定される中間電圧レベルに維持される。
通常動作状態においては、判定ノードは、ヒューズ素子およびPチャネルMOSトランジスタを介して電源ノードに結合される。したがって、通常動作時においては、ヒューズ素子が高抵抗状態の場合、判定ノードの電圧レベルは、電源電圧よりも低い電圧レベルであり、このヒューズ素子両端に電圧差が生じる。アルミニウムヒューズ素子の場合、このような電圧差によるグローバック現象は小さいものの、銅ヒューズ素子が用いられる場合、エレクトロマイグレーションによるグローバック現象の影響が大きく、切断状態(高抵抗状態)のヒューズ素子が低抵抗状態へ移動する。
上述のようなグローバック現象を防止することを図る構成が、特許文献3(特開2003−157693号公報)に示されている。この特許文献3に示される構成においては、電源ノードと判定ノードとの間にPチャネルMOSトランジスタおよびヒューズ素子を直列に接続し、判定ノードと接地ノードとの間にNチャネルMOSトランジスタを接続する。判定ノードの電圧レベルをラッチした後、ヒューズ素子を電源ノードから分離し、かつヒューズ素子の両端を接地ノードに結合する。これにより、ヒューズ素子の両端の電圧差をなくすことを図り、応じて、グローバック現象発生を防止することを図る。
また、このような金属ヒューズ素子の切断/非切断を確実に判定することを図る構成が、特許文献4(特開2001−319499号公報)に示されている。この特許文献4に示される構成においては、ヒューズ素子と直列に接続される判定用のMOSトランジスタのゲート電圧のレベルを調整し、ヒューズ素子と判定トランジスタとの抵抗分割比を変化させる。ヒューズ素子の切断/非切断の判定基準のしきい値抵抗を変化させて、切断/非切断を判定する。
また、ヒューズ素子の切断/非切断の判定を高精度で行なうことを目的とする構成が、特許文献5(特開平10−62477号公報)に示されている。この特許文献5に示される構成においては、ヒューズ素子に対しプルダウン抵抗およびプルアップ抵抗を接続し、この抵抗分割比を変更して、ヒューズ素子の切断不良を検出する。
また、金属ヒューズ素子の切断状態の誤認識を防止することを図る構成が、特許文献6(特開2001−210087号公報)に示されている。この特許文献6に示される構成においては、ヒューズ素子が接続される判定ノードに対し、インバータとMOSトランジスタで構成されるハーフラッチを設ける。高抵抗状態のヒューズ素子に対する判定ノードの電圧レベルに応じて、その判定ノードを強制的にハーフラッチのMOSトランジスタを介してその電圧レベルを設定する。これにより、たとえば、ヒューズ素子が電源ノードに接続されており、判定ノードがローレベルの切断状態に対応する電圧レベルのとき、強制的に、このハーフラッチのMOSトランジスタにより、判定ノードを接地電圧レベルに駆動する。
さらに、金属ヒューズ素子のグローバック現象の発生を防止することを図る構成が、特許文献7(特開2002−298594号公報)に示されている。この特許文献7に示される構成においては、ヒューズ素子が接続されるプログラムノードを充電した後、このプログラムノードをヒューズ素子と接続して、このプログラムノードの電位を判定してラッチする。この後、判定期間完了後、ヒューズ素子とプログラムノードを分離するとともに、ヒューズ素子の両端を短絡する。
特開2002−74979号公報
米国特許第6320802号明細書
特開2003−157693号公報
特開2001−319499号公報
特開平10−62477号公報
特開2001−210087号公報
特開2002−298594号公報
前述の特許文献1および2に示される構成においては、通常動作時、ヒューズ素子が電源および接地ノードから分離されており、通常動作時のリーク電流は低減することができる。しかしながら、このヒューズ素子の両端には電圧差が発生しており、銅ヒューズ素子などにおいて、グローバック現象による抵抗値の変化を防止するのは困難である。
特許文献3に示される構成においては、通常動作時、ヒューズ素子の一端が、電源ノードから分離されて接地ノードに接続される。しかしながら、このヒューズ素子の他端が接続される判定ノードは、フローティング状態にあり、ヒューズ素子が高抵抗状態のときに、必ずしも、ヒューズ素子両端の電圧が同一電圧レベルとならず、グローバック現象が発生する可能性がある。
また、特許文献4に示される構成においては、切断判定用のMOSトランジスタのゲート電圧を調整してそのオン抵抗を制御し、ヒューズ素子と判定用MOSトランジスタで構成される抵抗分割回路の判定しきい値を変化させている。このゲート電圧制御のために、ダイオード接続されたMOSトランジスタを用いており、製造プロセスのバラツキによりこのMOSダイオードのしきい値電圧が変化した場合、応じて、ゲート制御電圧が変化し、判定しきい値抵抗値が変化するため、正確な判定動作ができなくなるという問題が生じる。
特許文献5に示される構成においては、ヒューズ素子の判定のために、プルアップ/プルダウン抵抗素子を用いており、ヒューズ素子を含む抵抗分圧回路の抵抗分割比を変更している。したがって、これらの抵抗素子には、比較的大きな抵抗値が必要とされるため、金属抵抗を用いた場合、ヒューズ回路のレイアウト面積が大きくなるという問題がある。また、抵抗素子としてポリシリコン抵抗層を用いた場合、専用のポリシリコン層を形成することが必要とされ、応じて、製造ばらつきが発生し、正確な判定動作が困難となるという問題が生じる。また、抵抗素子を介してのプルアップ/プルダウンであり、この判定ノードの電圧レベルの変化が遅く、高速で判定を行なうことができなくなるという問題が生じる。
特許文献6に示される構成においては、インバータとMOSトランジスタで構成されるハーフラッチが設けられている。ヒューズ素子は常時、電源または接地ノードに結合される。したがって、この場合、高抵抗状態のヒューズ素子の両端に電圧差が生じ、グローバック現象が発生するのを回避することが困難である。
また、特許文献7に示される構成においては、電源投入後、ヒューズ素子の両端に電源電圧が印加され、判定期間経過後に、ヒューズ素子両端が同電位とされる。したがって、この電源投入後、判定動作完了後まで、ヒューズ素子両端間に、電源電圧が印加されるため、電源投入ごとに、このヒューズ素子両端間に電源電圧が印加され、グローバック現象が発生する可能性が大きくなる。
それゆえ、この発明の目的は、グローバック現象を確実に抑制して、高精度でヒューズ素子の抵抗状態を検出することのできるヒューズ回路を提供することである。
この発明に係るヒューズ回路は、第1の電源ノードと第1の内部ノードの間に接続されるヒューズ素子と、第1の制御信号に応答して、この第1の内部ノードを判定ノードに電気的に結合する第1のスイッチング素子と、第1の制御信号に応答して、第1のスイッチング素子と相補的に導通し、導通時、判定ノードを第2の電源ノードに電気的に結合する第2のスイッチング素子と、第2の制御信号に応答して導通して、ヒューズ素子の両端を短絡する第3のスイッチング素子と、第2の制御信号に応答して、第3のスイッチング素子の非導通時に活性化され、判定ノードの電圧レベルに応じた信号を生成する判定回路と、第2の制御信号に応答して、この判定回路と相補的に活性化され、判定回路の出力信号をラッチするラッチ回路と、第2の制御信号と判定回路の出力信号とに応答して、選択的に判定ノードを第2の電源ノードに電気的に結合するスイッチ回路とを備える。
第1および第2の制御信号に従ってヒューズ素子の切断状態が判定される。この判定動作時においては、第2の制御信号に応答して活性化される判定回路で判定ノードの電圧レベルを判定する。したがって、この判定ノードの電圧レベルは、第1および第2のスイッチング素子とヒューズ素子の抵抗分割で決定される中間電位レベルが、判定回路の入力論理しきい値に基づいて決定される。この判定ノードの電圧レベルは、第1および第2のスイッチング素子とヒューズ素子の抵抗分割回路の分圧比で決定される電圧レベルであり、用いられるスイッチング素子の数は必要最小限であり、抵抗分割回路のヒューズ素子の抵抗値に対する感度を高くすることができる。また、スイッチング素子のみを用いており、抵抗素子は用いられていないため、ヒューズ回路のレイアウト面積を低減することができる。
また、第3のスイッチング素子により、判定ノードの電圧レベル判定動作時以外には、ヒューズ素子の両端は同一電圧レベルに維持される。したがって、ヒューズ素子の両端に電圧差が生じる期間を短くすることができ、ヒューズ素子のグローバック現象に起因する抵抗値の変化を小さくすることができる。
また、ラッチ回路が、第2の制御信号に応答して選択的に活性化される構成としており、判定動作時、このラッチ回路の構成要素のスイッチング素子(MOSトランジスタ)のオン抵抗が判定ノードの電圧レベルに影響を及ぼすのを抑制することができる。従って、MOSトランジスタのしきい値電圧のプロセス変動に起因する変動が生じても、その影響を抑制することができ、製造パラメータの変動に起因する誤動作(誤判定)を防止することができる。
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1に従うヒューズ回路の構成を示す図である。図1において、ヒューズ回路は、電源ノードと内部ノードND0の間に接続されるヒューズ素子FEと、電源ノードと内部ノードND0の間に接続されるPチャネルMOSトランジスタPQ0と、内部ノードND0と判定ノードND1の間に接続されかつそのゲートにヒューズリセット信号FERSTを受けるPチャネルMOSトランジスタPQ1と、判定ノードND1と接地ノードの間に接続され、かつそのゲートにヒューズリセット信号FERSTを受けるNチャネルMOSトランジスタNQ0と、ヒューズリセット遅延信号FERSTDを受ける2段の縦続接続されるインバータIV0およびIV1と、インバータIV0およびIV1の出力信号に従って選択的に活性化され、活性化時、判定ノードND1上の信号を反転するクロックドインバータ(判定回路)CV1と、クロックドインバータCV1の出力信号を受ける2段の縦続接続されるインバータIV2およびIV3と、インバータIV0およびIV1の出力信号に従って、クロックドインバータCV1と相補的に活性化されて、活性化時インバータIV2とラッチ回路を構成するクロックドインバータCV2と、判定ノードND1と接地ノードの間に直列に接続されるNチャネルMOSトランジスタNQ1およびNQ2を含む。
図1は、この発明の実施の形態1に従うヒューズ回路の構成を示す図である。図1において、ヒューズ回路は、電源ノードと内部ノードND0の間に接続されるヒューズ素子FEと、電源ノードと内部ノードND0の間に接続されるPチャネルMOSトランジスタPQ0と、内部ノードND0と判定ノードND1の間に接続されかつそのゲートにヒューズリセット信号FERSTを受けるPチャネルMOSトランジスタPQ1と、判定ノードND1と接地ノードの間に接続され、かつそのゲートにヒューズリセット信号FERSTを受けるNチャネルMOSトランジスタNQ0と、ヒューズリセット遅延信号FERSTDを受ける2段の縦続接続されるインバータIV0およびIV1と、インバータIV0およびIV1の出力信号に従って選択的に活性化され、活性化時、判定ノードND1上の信号を反転するクロックドインバータ(判定回路)CV1と、クロックドインバータCV1の出力信号を受ける2段の縦続接続されるインバータIV2およびIV3と、インバータIV0およびIV1の出力信号に従って、クロックドインバータCV1と相補的に活性化されて、活性化時インバータIV2とラッチ回路を構成するクロックドインバータCV2と、判定ノードND1と接地ノードの間に直列に接続されるNチャネルMOSトランジスタNQ1およびNQ2を含む。
MOSトランジスタNQ1は、そのゲートに、クロックドインバータCV1の出力信号を受け、MOSトランジスタNQ2は、そのゲートにインバータIV1の出力信号を受ける。ヒューズ素子FEは、たとえば銅(Cu)配線で構成され、図示しない電流ドライバにより電流が供給され、この電流による発熱により溶断される。このヒューズ素子FEは、その抵抗値が所定値たとえば数MΩ以上のときに切断状態と判定される。このヒューズ素子FEは、電流溶断型ヒューズ素子でなく、レーザビームなどのエネルギ線の照射により溶断されてもよい。
MOSトランジスタPQ1、NQ1およびNQ2は、それぞれ導通時、有限の大きさのオン抵抗を有する。
図2は、図1に示すヒューズ回路の動作を示す信号波形図である。以下、図2を参照して、図1に示すヒューズ回路の動作について説明する。
電源投入後の期間(i)においては、ヒューズリセット信号FERSTおよびヒューズリセット遅延信号FERSTDは、ともにLレベルである。したがって、図3に示すように、MOSトランジスタPQ10が電源電圧VCCの上昇に伴って導通し、ヒューズ素子FEの両端を同一電圧レベルに維持する。このとき、MOSトランジスタPQ1も、内部ノードND0の電位上昇に従って導通する。この状態において、クロックドインバータCV1が出力ハイインピーダンス状態であり、また、MOSトランジスタNQ2が、インバータIV1の出力信号に従ってオフ状態である。従って、判定ノードND1は、オープン状態にあり、MOSトランジスタPQ0およびPQ1により、電源電圧VCCレベルにプリチャージされる(MOSトランジスタNQ0はオフ状態)。ここで、図3においてMOSトランジスタPQ0およびPQ1を、それぞれ抵抗素子で表わしているのは、それぞれのオン抵抗を示している。
この電源投入後、所定期間が経過すると、判定ノードの条件設定が期間(ii)において行なわれる。この初期設定開始期間(リセット開始期間)(ii)においては、ヒューズリセット信号FERSTがHレベルに立上げられ、一方、ヒューズリセット遅延信号FERSTDは、Lレベルに維持される。
この状態では、図4に示すように、PチャネルMOSトランジスタPQ1がオフ状態、NチャネルMOSトランジスタNQ0がオン状態となり、判定ノードND1が接地電圧レベルに駆動される。一方、MOSトランジスタPQ0は、ヒューズリセット遅延信号ESRSTDがLレベルであり、オン状態にある。したがって、この状態においても、ヒューズ素子FEの両端は同一電圧レベルに維持される。クロックドインバータCV1は非活性状態であり、判定ノードND1の電圧レベルは、インバータIV2およびクロックドインバータCV2で構成されるラッチ回路へは伝達されない。
次いで、期間(iii)において、ヒューズリセット遅延信号FERSTDがHレベルに立上げられる。このヒューズリセット遅延信号FERSTDは、ヒューズリセット信号FERSTの遅延信号である。リセット期間(iii)においては、図5に示すように、クロックドインバータCV1が活性化され、判定ノードND1上の接地電圧レベルに従って、出力信号(判定信号)FSOUTをHレベルに設定する。一方、クロックドインバータCV2は、まだ出力ハイインピーダンス状態である。
また、このヒューズリセット遅延信号FERSTDの立上がりに従って、MOSトランジスタPQ0がオフ状態となる。したがって、内部ノードND0は、フローティング状態となるものの、ヒューズ素子FEは、その両端の電位差はほとんど生じない。すなわち、内部ノードND0がフローティング状態であり、その電圧レベルが、リーク電流により低下するものの、このリセット期間(iii)の期間は極めて短時間であり、その電圧レベル低下は、ほとんど問題を生じさせない。
また、クロックドインバータCV1の出力信号がHレベルとなり、また、インバータIV1の出力信号がHレベルであり、MOSトランジスタNQ1およびNQ2がともに導通し、判定ノードND1が、これらのMOSトランジスタNQ1−NQ2を介して接地ノードに結合される。
次いで、判定期間(iv)において、ヒューズリセット信号FERSTがLレベルに駆動される。ヒューズリセット遅延信号FERSTDは、Hレベルである。したがって、図6に示すように、MOSトランジスタPQ1がオン状態、MOSトランジスタNQ0がオフ状態となる。また、MOSトランジスタPQ0は、オフ状態を維持する。
ヒューズ素子FEとPチャネルMOSトランジスタPQ1のオン抵抗とMOSトランジスタNQ1およびNQ2のオン抵抗とで構成される抵抗分割回路により、電源電圧VCCが抵抗分割されて、判定ノードND1の電圧レベルが決定される。この判定ノードND1の電圧レベルが、クロックドインバータCV1の入力論理しきい値よりも高い場合には、クロックドインバータCV1の出力信号の電圧レベルがLレベルとなる。この判定ノードND1の判定期間における電圧V(ND1)は、次式で表される。
V(ND1)
=(R(NQ1)+R(NQ2))・VCC
・1/(R(FE)+R(PQ1)+R(NQ1)+R(NQ2))
ここで、R(NQ1)、R(NQ2)、およびR(PQ1)、それぞれ、MOSトランジスタNQ1、NQ2、およびPQ1のオン抵抗を示し、R(FE)は、ヒューズ素子FEの抵抗値を示す。
=(R(NQ1)+R(NQ2))・VCC
・1/(R(FE)+R(PQ1)+R(NQ1)+R(NQ2))
ここで、R(NQ1)、R(NQ2)、およびR(PQ1)、それぞれ、MOSトランジスタNQ1、NQ2、およびPQ1のオン抵抗を示し、R(FE)は、ヒューズ素子FEの抵抗値を示す。
ヒューズ素子FEが未切断状態のときには、ヒューズ素子FEの抵抗値は十分小さく、従って、判定ノードND1の電圧レベルは、クロックドインバータCV1の入力論理しきい値よりも高くなり、クロックドインバータCV1の出力信号がLレベルとなり、応じて、判定信号FSOUTがLレベルとなる。この状態においては、また、クロックドインバータCV1の出力信号に従ってMOSトランジスタNQ1がオフ状態となり、判定ノードND1と接地ノードとが分離され、ヒューズ回路において電源ノードから接地ノードへ貫通電流が流れるのを防止して、消費電流を低減する。
一方、このヒューズ素子FSが切断状態であり、高抵抗状態の場合には、判定ノードND1の電圧レベルは、クロックドインバータCV1の入力論理しきい値よりも低くなり、クロックドインバータCV1の出力信号がHレベルとなり、応じて、判定信号FSOUTはHレベルに維持される。従って、この判定期間(iv)においてのみ、ヒューズ素子FEの両端に電位差が生じる。
ヒューズ素子FEの抵抗値に対する感度を高くするためには、MOSトランジスタPQ1のオン抵抗を小さくする必要がある。電源ノードと判定ノードND1の間に、ヒューズ素子FEと直列に1つのPチャネルMOSトランジスタPQ1が接続されるだけである。このMOSトランジスタPQ1のオン抵抗は、チャネルドープなどの処理により、容易に調整することができる。従って、ヒューズ素子の抵抗値に対する感度を充分に高くすることができる。
また、ヒューズ素子FSが未切断状態のときには、ノードND1の出力信号はHレベルとクロックドインバータCV1により判定され、MOSトランジスタNQ1が、クロックドインバータCV1の出力信号によりオフ状態となる。したがって、この判定動作後早いタイミングで、MOSトランジスタNQ1が、未切断状態のヒューズ素子FSに対してオフ状態となり、この未切断状態のヒューズ素子FSから接地ノードへ流れる電流経路は遮断することができ、消費電流を低減することができる。
次いで、この判定動作後、期間(v)において、ヒューズリセット遅延信号FERSTDがLレベルに立下がる。この状態において、図7に示すように、MOSトランジスタPQ0およびPQ1がオン状態、クロックドインバータCV1が出力ハイインピーダンス状態となる。また、MOSトランジスタNQ2が、ヒューズリセット遅延信号FERSTDに従ってオフ状態となる。したがって、判定ノードND1は、MOSトランジスタPQ1およびPQ2を介して電源ノードに接続される。またヒューズ素子FEは、その両端が、MOSトランジスタPQ0により短絡され、その両端の電位差が生じない。
また、クロックドインバータCV2が、活性化され、インバータIV2とインバータラッチを構成する。したがって、ヒューズ判定結果信号FSOUTは、この期間(iv)において判定されたヒューズの切断/未切断状態に応じた電圧レベルに維持される。
また、クロックドインバータCV1によりヒューズ素子の状態判定を行なって、その出力信号を、インバータIV2およびクロックドインバータCV2で構成されるラッチ回路でラッチしている。従って、このラッチ回路のラッチ状態は、確実にクロックドインバータCV1により設定することができ、クロックドインバータCV1に代えてトランスミッションゲートを用いる場合に比べて、正確にヒューズ素子の抵抗状態に応じた判定信号FSOUTを生成してラッチすることができる。すなわち、トランスミッションゲートを用いて判定ノードND1の中間電圧をラッチ回路へ転送した場合、ラッチ回路のラッチ状態が反転せず、正確な判定信号を生成できない場合がある。
また、ヒューズ回路においては、電流が流れる経路は存在せず、またヒューズ素子FSの両端の電位差もほぼ0に維持される。したがって、単に、判定期間(iv)において判定ノードND1を、ヒューズ素子FSの状態に応じた電位レベルに設定するときのみ、ヒューズ素子FEが切断状態のときに、その両端に電位差が生じるだけであり、グローバック現象が成立するのを十分に抑制することができる。
図8は、この図1に示すヒューズ回路の動作波形のシミュレーション結果を示す図である。この図8に示すシミュレーションにおいては、電源電圧VCCとして、1.2Vが用いられる。横軸に、時間(単位ns)を示す。
時刻t1(たとえば1ns)に、ヒューズリセット信号FERSTがHレベルに立上げられる。この時刻t1までの時間が、先の図2に示す信号波形図の電源投入期間または初期状態期間(i)に対応する。
このヒューズリセット信号FERSTの立上がりに応答して、判定ノードND1の電圧レベルが、MOSトランジスタNQ0により放電され、その電圧レベルが時刻t2において接地電圧レベルに立下がる。時刻t1から時刻t2までの時間は、たとえば1nsである。
時刻t3において、ヒューズリセット遅延信号FERSTDがHレベルに立上げられる。この時刻t1から時刻t3までの期間が、先の図2に示す内部リセット開始期間(ii)に対応し、たとえば6ns経過後に期間(ii)が開始される。
この時刻t3におけるヒューズリセット遅延信号FERSTDの立上がりに応答して、ヒューズ判定信号FSOUTが、クロックドインバータCV1の出力信号に従って時刻t4においてHレベルに立上がる。この時刻t4は、たとえば8nsである。
次いで、時刻t5(例えば16ns経過後)において、ヒューズリセット信号FERSTがLレベルに立下げられる。この時刻t3から時刻t5までが、期間(iii)に対応する。このヒューズリセット信号FERSTの立下がりに応答して、時刻t6において、判定ノードND1の電圧レベルが、ヒューズ素子が未切断状態の場合、Hレベルに立上がる。この時刻t6は、たとえば、18nsである。
この判定ノードND1の電圧レベルが上昇すると、応じて、ヒューズ判定信号FSOUTが、時刻t7において接地電圧レベルに高速で立下がる。この時刻t6およびt7の間は、たとえば.4ns程度の時間である。
ヒューズ素子が切断状態の場合には、判定ノードND1の電圧レベルはLレベルである。時刻t8において、ヒューズリセット遅延信号FERSTDの立下がりに応答して、切断状態のヒューズ素子に接続される判定ノードND1の電圧レベルが、時刻t9において上昇する。
この時刻t5から時刻t8の期間が、判定期間(iv)に対応し、時刻t8以降が、ラッチ期間(v)に対応する。時刻t8は、約22.8nsである。
ヒューズリセット信号RERSTに対するヒューズリセット遅延信号FERSTDの遅延時間は、ほぼ5ns程度であり、この判定期間の間だけ、ヒューズ素子が切断状態のときにその両端に電圧が印加され、その時間は十分に短くすることができる。
なお、図8に示すシミュレーションにおいて、切断状態のヒューズ素子として、十分にその抵抗値が低いたとえば400Ω以下のヒューズ素子を用い、また、切断状態の抵抗素子としては、抵抗3.5kΩ以上のヒューズ素子を用いている。
図9は、判定期間における時間Tpdのヒューズ抵抗依存性を示す図である。図9においては、縦軸に、時間Tpdを示して、横軸に、ヒューズ素子の抵抗値を示す。時間Tpdは、図8に示す時刻t5から時刻t7の間の時間であり、ヒューズリセット信号FERSTがLレベルに立下がってから、その出力信号FSOUTがLレベルに立下がるまでの時間を示す。
このヒューズ素子については、電源電圧が0.8Vおよび1.Vの場合と、動作温度が125℃および−40℃の場合の測定結果を示す。
また、このヒューズ素子の製造パラメータとして、SS、SF、FS、およびFFの条件が用いられる。条件SSは、PチャネルMOSトランジスタおよびNチャネルMOSトランジスタの動作特性がともに遅い状態となる場合を示す。条件SFは、PチャネルMOSトランジスタの動作特性が遅く、NチャネルMOSトランジスタの動作特性が早い状態を示す。条件FSは、PチャネルMOSトランジスタの動作特性が早く、NチャネルMOSトランジスタの動作特性が遅い状態を示す。条件FFは、PおよびNチャネルMOSトランジスタがともに動作特性が早くなる状態を示す。MOSトランジスタの動作速度は、電流駆動力に対応する。チャネル幅が広いほど電流駆動力が速くなり、また、しきい値電圧の絶対値が小さいほど電流駆動力が大きくなる。
また、電源電圧が高いほど、MOSトランジスタの電流駆動力が大きくなり、動作温度が高いほど、駆動電流量も大きくなる。電流駆動力が大きい場合には、等価的にオン抵抗が小さくなる。
図9において、各特性曲線と、対応の曲線の符号を、一覧にして示す。例えば、特性曲線Aのように、動作電源電圧0.8Vであり、動作温度が125℃であり、条件がSFの場合、NチャネルMOSトランジスタの駆動力が大きくなり、判定ノードND1の電位が上昇するのが、一番遅くなる。一方、特性曲線Pのように、条件FSで、電源電圧が1、4Vで動作温度が−40℃の場合には、PチャネルMOSトランジスタの電流駆動力が大きくなり、高速で判定ノードND1の電圧レベルが上昇する。
図9に示すように、動作温度が低い場合、NチャネルMOSトランジスタNQ1およびNQ2のオン抵抗は、高温時よりも大きくなるため、一般に、早い時刻で、ヒューズ判定信号FSOUTが、切断状態に対応する値に設定される。ここで、未切断状態のヒューズ素子の場合、時刻Tpdは、無限大となっており、図9において、曲線が垂直方向に立上がっている時間である。
この図9から明らかなように、動作温度、製造プロセスパラメータ条件および電源電圧にかかわらず、ヒューズ素子の抵抗値が400Ω以下では、常に、ヒューズが未切断状態と判定される。また、ヒューズ素子の抵抗値が3.5KΩ以上の場合には、プロセス、温度および電源電圧にかかわらず、ヒューズは、切断状態と判定される。
したがって、このヒューズ素子FEを、未切断時400Ω以下に設定し、ヒューズ切断のしきい値抵抗として、3.5KΩ以上に設定することにより、ヒューズが切断状態にあると正確に判定することができる。
また、この動作電源電圧VCCの電圧レベルの0.8Vおよび1.4Vに応じて、ヒューズ素子の切断/未切断の状態の判定基準となるしきい抵抗値が異なる。これは、判定ノードに接続されるNチャネルMOSトランジスタNQ1およびNQ2のオン抵抗が、そのゲート電圧に応じて変化するためである。すなわち、これらのNチャネルMOSトランジスタは、電源電圧VCCの電圧レベルが高い場合には、それらのオン抵抗が低くなり、電源電圧が低い場合には、それらのオン抵抗が高くなるためである。このヒューズ素子の抵抗値判定基準の電源電圧依存性を、図10に示す。
図10(A)においては、電源電圧1.4Vのときに、製造プロセスパラメータが条件SF、FS、SS、およびFFであり、それぞれ動作温度が−40℃および125℃の場合の時間Tpdとヒューズ素子の抵抗素子依存性を示す。この図10(A)においては、曲線A−Dは、それぞれ、図9に示すシミュレーション結果における曲線を抽出している(ただし、、特性曲線に付される符号は異なっている)。
図10(B)においても、同じ製造パラメータおよび動作条件で、電源電圧が0.8Vの場合のヒューズ素子の抵抗値と時間Tpdの関係を示す。また、この図10(B)においても、曲線A−Dは、この図9に示すシミュレーション結果の対応の測定条件の特性曲線を表わしている。図10(A)および図10(B)各々において、横軸にヒューズ素子の抵抗値を対数目盛りで示し、縦軸に時間Tpdを示す。
図10(A)に示すように、ヒューズ素子の抵抗が約2KΩ以下の場合には、ヒューズ素子は、すべてヒューズ未切断状態と判定され、一方、ヒューズ素子の抵抗値が5KΩ以上の場合において、ヒューズ素子は切断状態にあると判定される。
一方、図10(B)に示すように、ヒューズ素子は、抵抗値が5KΩ以下のときに、ヒューズ未切断状態と判定され、20KΩ以上のときに、ヒューズ切断状態と判定される。
すなわち、電源電圧VCCの電圧レベルが低くなると、判定ノード放電用のNチャネルMOSトランジスタのオン抵抗が高くなるため、応じて、ヒューズ抵抗素子の切断/非切断の判定基準のしきい抵抗値が高い方へシフトする。
図11は、このヒューズ回路の判定時の判定ノードND1に対する抵抗分割回路の構成を示す図である。電源ノードと判定ノードND1の間に、ヒューズ素子FEとPチャネルMOSトランジスタPQ1が直列に接続され、判定ノードND1と接地ノードの間に、NチャネルMOSトランジスタNQ1およびNQ2が直列に接続される。この場合、判定ノードND1の電圧レベルV(ND1)は、次式で表わされる。
VCC・(Rn1+Rn2)/(R(FE)+Rp+Rn1+Rn2)
ここで、ヒューズ素子FEの抵抗値をR(FE)、MOSトランジスタPQ1、NQ1、およびNQ2のオン抵抗を、それぞれRp、Rn1、およびRn2として表わしている。
ここで、ヒューズ素子FEの抵抗値をR(FE)、MOSトランジスタPQ1、NQ1、およびNQ2のオン抵抗を、それぞれRp、Rn1、およびRn2として表わしている。
MOSトランジスタNQ1およびNQ2が導通しているときには、それらのゲートに、電源電圧VCCレベルの電圧が与えられる。MOSトランジスタPQ1は、導通時、接地電圧レベルの電圧をゲートに受け、そのゲート/ソース間電圧が動作電源電圧の変化の影響を受ける。しかしながら、PチャネルMOSトランジスタPQ1のオン抵抗はヒューズ素子の抵抗値に対する感度を高くするために、充分に小さくされ、そのオン抵抗の変化の影響は小さい。したがって、電源電圧VCCが低くなると、MOSトランジスタNQ1およびNQ2のオン抵抗Rn1およびRn2が大きくなり、判定ノードND1の電圧レベルが相対的に高くなる。クロックドインバータCV1の入力論理しきい値が、たとえばVCC/2であると考える。この入力論理しきい値VCC/2の条件が満たされる場合の抵抗分割回路の抵抗比は、次式を満たす。
Rn1+Rn2=R(FE)+Rp
MOSトランジスタNQ1およびNQ2のオン抵抗Rn1およびRn2が大きくなると、判定ノードND1の電圧V(ND1)は、VCC/2よりも高くなる。したがって、ヒューズ素子FEが、切断状態にあると判定されるためには、合成オン抵抗Rn1+Rn2の上昇分、さらにヒューズ素子の抵抗値を高くする必要があり、ヒューズ素子FEの抵抗値R(FE)がさらに高くなったときに切断状態であると判定される。したがって、電源電圧VCCが低くなると、ヒューズ素子FEの切断状態/非切断状態の判定しきい抵抗値は、高くなる。
MOSトランジスタNQ1およびNQ2のオン抵抗Rn1およびRn2が大きくなると、判定ノードND1の電圧V(ND1)は、VCC/2よりも高くなる。したがって、ヒューズ素子FEが、切断状態にあると判定されるためには、合成オン抵抗Rn1+Rn2の上昇分、さらにヒューズ素子の抵抗値を高くする必要があり、ヒューズ素子FEの抵抗値R(FE)がさらに高くなったときに切断状態であると判定される。したがって、電源電圧VCCが低くなると、ヒューズ素子FEの切断状態/非切断状態の判定しきい抵抗値は、高くなる。
したがって、たとえばテスト時においてヒューズ素子が切断状態にあるか否かの検出動作時、電源電圧VCCの電圧レベルを変更して、ヒューズ素子の状態検出動作を行なうことにより、確実に、ヒューズ素子の状態を識別することができる。
[変更例]
図12は、この発明の実施の形態1の変更例のヒューズ回路の構成を示す図である。図12において、ヒューズ回路は、ヒューズリセット信号FERSTを受けるインバータIV10と、電源ノードと判定ノードND11の間に接続されかつそのゲートにインバータIV10の出力信号を受けるPチャネルMOSトランジスタPT0と、内部ノードND10と判定ノードND11の間に接続されかつそのゲートにインバータIV10の出力信号を受けるNチャネルMOSトランジスタNT1と、内部ノードND10と接地ノードの間に接続されるヒューズ素子FEEと、電源ノードと判定ノードND11の間に直列に接続されるPチャネルMOSトランジスタPT2およびPT1と、ヒューズリセット遅延信号FSRSTDを受ける2段の縦続接続されるインバータIV11およびIV12と、インバータIV11およびIV12の出力信号に従って選択的に活性化され、活性化時、判定ノードND11の信号を反転して出力するクロックドインバータCV10と、クロックドインバータCV10の出力信号を受けて、ヒューズ判定信号FSOUTを生成するインバータIV13と、インバータIV11およびIV12の出力信号に従って、クロックドインバータCV10と相補的に活性化され、活性化時、インバータIV13とラッチ回路を構成するクロックドインバータCV11を含む。
図12は、この発明の実施の形態1の変更例のヒューズ回路の構成を示す図である。図12において、ヒューズ回路は、ヒューズリセット信号FERSTを受けるインバータIV10と、電源ノードと判定ノードND11の間に接続されかつそのゲートにインバータIV10の出力信号を受けるPチャネルMOSトランジスタPT0と、内部ノードND10と判定ノードND11の間に接続されかつそのゲートにインバータIV10の出力信号を受けるNチャネルMOSトランジスタNT1と、内部ノードND10と接地ノードの間に接続されるヒューズ素子FEEと、電源ノードと判定ノードND11の間に直列に接続されるPチャネルMOSトランジスタPT2およびPT1と、ヒューズリセット遅延信号FSRSTDを受ける2段の縦続接続されるインバータIV11およびIV12と、インバータIV11およびIV12の出力信号に従って選択的に活性化され、活性化時、判定ノードND11の信号を反転して出力するクロックドインバータCV10と、クロックドインバータCV10の出力信号を受けて、ヒューズ判定信号FSOUTを生成するインバータIV13と、インバータIV11およびIV12の出力信号に従って、クロックドインバータCV10と相補的に活性化され、活性化時、インバータIV13とラッチ回路を構成するクロックドインバータCV11を含む。
インバータIV11の出力信号が、MOSトランジスタNT0のゲートへ与えられ、クロックドインバータCV12の出力信号が、MOSトランジスタPT1へ与えられ、インバータIV11の出力信号が、MOSトランジスタPT2のゲートへ与えられる。
ヒューズリセット信号FERSTおよびヒューズリセット遅延信号FERSTDは、図1に示すヒューズ回路に対する信号と同じである。
この図12に示すヒューズ回路の構成において、ヒューズリセット信号FERSTおよびFERSTDがともにLレベルのとき、インバータIV10およびIV11の出力信号がHレベルとなる。応じて、MOSトランジスタPT0がオフ状態、MOSトランジスタNT1およびNT0がオン状態であり、判定ノードND11は、接地電圧レベルに維持される。ヒューズ素子FEEの両端は、ともに接地電圧レベルであり、電位差は生じない。クロックドインバータCV10は、非活性状態であり、出力ハイインピーダンス状態に維持される。また、インバータIV11の出力信号に従って、MOSトランジスタPT2が、オフ状態であり、内部判定ノードND11は、接地電圧レベルに維持される。
次いで、ヒューズ素子リセット信号FERSTがHレベルに立上がると、インバータIV10の出力信号がLレベルとなり、MOSトランジスタPT0がオン状態、MOSトランジスタNT1がオフ状態となる。したがって、判定ノードND11が、MOSトランジスタPT0により、電源電圧レベルに駆動される。ヒューズリセット遅延信号FERSTDは、Lレベルであるため、MOSトランジスタNT0はインバータIV11の出力信号に従ってオン状態であり、ヒューズ素子FEEは、その両端の電位はともに接地電圧レベルに維持される。
次いで、ヒューズリセット信号遅延信号FERSTDがHレベルに立上がると、MOSトランジスタNT0が、インバータIV11の出力信号に従ってオフ状態となり、一方、MOSトランジスタPT2がオン状態となる。また、クロックドインバータCV10が活性化され、この判定ノードND11の電圧レベルに従って、ヒューズ判定信号FSOUTが、Hレベルに駆動される。このとき、またMOSトランジスタPT1およびPT2が、クロックドインバータCV10およびインバータIV11の出力信号に従ってともにオン状態となる。
次いで、ヒューズリセット信号FERSTがHレベルからLレベルに立下がり、MOSトランジスタPT0がオフ状態、MOSトランジスタNT1がオン状態となる。応じて、ヒューズ素子FEE、MOSトランジスタNT1、PT1およびPT2により、抵抗分圧回路が形成され、判定ノードND11の電圧レベルが、中間電圧レベルに設定される。この判定ノードND11の電圧レベルが、クロックドインバータCV10の入力論理しきい値よりも高い場合には、クロックドインバータCV10の出力信号がLレベルとなり、応じてヒューズ判定信号FSOUTはHレベルを維持する。一方、判定ノードND11の電圧レベルが、クロックドインバータCV10の入力論理しきい値よりも低い場合には、クロックドインバータCV10の出力信号がHレベルとなり、応じて、ヒューズ判定信号FSOUTがLレベルとなる。
ヒューズ素子FEEが未切断状態の場合にはその抵抗値は低く、判定ノードND11の電圧レベルは、クロックドインバータCV10の入力論理しきい値よりも低い電圧レベルとなる。したがって、先の図2に示す動作波形と同様の2値判定動作を行なうことができる。
なお、判定動作時において、判定ノードND11の電圧レベルがLレベルと判定されると、クロックドインバータCV10の出力信号がHレベルとなり、MOSトランジスタPT1がオフ状態となり、電源ノードと判定ノードND11は分離され、消費電流が低減される。
この図12に示すヒューズ回路においても、電源電圧VCCの電圧レベルが低い場合、MOSトランジスタPT2およびPT1のゲート電圧が接地電圧レベルであっても、そのゲート−ソース間電圧の絶対値が小さくなり、オン抵抗が大きくなり、同様、このヒューズ素子FEEの抵抗値判定についてのしきい値電圧抵抗値についても電源電圧依存性が存在する。MOSトランジスタNT1のオン抵抗は、ヒューズ素子FEEの抵抗値に対する感度を高くするため、十分小さくされる。したがって、MOSトランジスタPT1およびPT2のオン抵抗が高くなった場合、ヒューズ抵抗素子FEEの抵抗値が、このMOSトランジスタPT1およびPT2のオン抵抗の上昇分を補償する値だけ高くなったときに、判定ノードND11の電圧レベルは、クロックドインバータCV11の入力論理しきい値よりも高いと判定される。したがって、電源電圧が低い場合には、ヒューズ素子の抵抗値に対するしきい抵抗値が、高い方にシフトする。
この図12に示すヒューズ回路は、実質的に、図1に示すヒューズ回路において、電源電圧の極性およびMOSトランジスタの極性を反転したものと等価であり、したがって、先の図1に示すヒューズ回路と同様の作用効果を得ることができる。
図13は、ヒューズリセット信号FERSTおよびヒューズリセット遅延信号FERSTDを発生する部分の構成の一例を示す図である。図13において、リセット信号発生部は、電源電圧VCCの投入時、電源電圧が安定化した後に、電源投入検出信号PORをHレベルに駆動する電源投入検出回路10と、この電源投入検出信号PORの立上がりまたはテストモード指示信号TESTの立上りに応答してワンショットパルス信号の形態でヒューズリセット信号FERSTを発生するワンショットパルス発生回路12と、このワンショットパルス発生回路12からのヒューズリセット信号FERSTを所定時間遅延する遅延回路14と、遅延回路14の出力信号とバッファ回路18を介して与えられるテストモード指示信号TESTとを受けて、ヒューズリセット遅延信号FERSTDを生成するOR回路16を含む。
図14および図15は、図13に示すリセット信号発生部の動作を示す信号波形図である。先ず、図14を参照して、図13に示すリセット信号発生部の通常動作時の動作について簡単に説明する。
電源が投入されると、電源電圧VCCの電圧レベルが上昇する。この電源電圧VCCが所定の電圧レベル以上に到達するかまたは安定化すると、電源投入検出回路10からの電源投入検出信号PORがHレベルに立上がる。この電源投入検出信号PORの立上がりに応答して、所定のパルス幅を有するワンショットのパルスの形態で、ワンショットパルス発生回路12が、ヒューズリセット信号FERSTを発生する。テストモード指示信号TESTが、Lレベルときには、OR回路16が、この遅延回路14の出力信号に従って、ヒューズリセット遅延信号FERSTDを生成する。
次に、図15を参照して、テストモード時の動作について説明する。図15に示すように、テストモード時においては、電源電圧VCCは、安定に維持されており、電源投入検出信号PORはHレベルである。このとき、テストモード指示信号TESTの立上がりに応答して、ワンショットパルス発生回路12が、ワンショットパルスの形態で、ヒューズリセット信号FERSTを生成する。このとき、先ず、遅延回路18の出力信号に従って、OR回路からのヒューズリセット遅延信号FERSTDがHレベルとなる。このヒューズリセット遅延信号FERSTは、テストモード指示信号TESTがHレベルの期間、Hレベルに維持される。したがって、このヒューズリセット遅延信号FERSTDのHレベルの期間を長く設定することにより、図2に示す判定期間(iv)を長くすることができ、ヒューズ素子両端に電圧を印加することができ、ヒューズ素子の電圧加速試験を行なうことができる。この状態において、ヒューズ素子が未切断状態の時には、判定ノードND1またはND11は、接地ノードまたは電源ノードから分離されており、電流経路は遮断される。従って、未切断状態のヒューズ素子において電流を流すことなく、切断状態のヒューズ素子に対してのみ電圧ストレスを印加することができる。これにより切断状態のヒューズ素子の抵抗値の経時変化をモニタして、ヒューズ素子の寿命などを測定することができる。
なお、図13に示すリセット信号発生部の構成において、電源投入検出回路10からの電源投入検出信号またはテストモード指示信号TESTに従ってワンショットパルスの形態で、ヒューズリセット信号FERSTを生成している。しかしながら、このヒューズ回路が用いられる半導体集積回路装置において、たとえばBIST(ビルトイン・セルフテスト回路)が設けられている場合、このBISTの制御の下に、リセット信号FERSTおよびFERSTDが生成されてもよい。
また、ワンショットパルス発生回路12の構成としては、電源投入検出信号PORの立上がりおよびテストモード指示信号TESTの立上がりそれぞれに応答してワンショットのパルスを生成するワンショットパルス発生器が設けられ、それぞれのワンショットパルス発生器からのパルス信号のOR演算を行なった信号が、ヒューズリセット信号FERSTとして用いられればよい。
また、遅延回路14および18の遅延時間は、等しくなくてもよい。
以上のように、この発明の実施の形態1に従えば、ヒューズ素子を、判定ノードの電圧レベルを判定するサイクルにおいてのみ、ヒューズ素子の両端間に電圧差を生成しており、電源投入後および判定結果ラッチ後においては、ヒューズ両端の電圧差を0としている。したがって、ヒューズ素子の両端に電圧が印加される期間を短くすることができ、グローバック現象の発生を抑制することができ、ヒューズ素子の特性変化を防止することができる。
以上のように、この発明の実施の形態1に従えば、ヒューズ素子を、判定ノードの電圧レベルを判定するサイクルにおいてのみ、ヒューズ素子の両端間に電圧差を生成しており、電源投入後および判定結果ラッチ後においては、ヒューズ両端の電圧差を0としている。したがって、ヒューズ素子の両端に電圧が印加される期間を短くすることができ、グローバック現象の発生を抑制することができ、ヒューズ素子の特性変化を防止することができる。
[実施の形態2]
図16は、この発明の実施の形態2に従うヒューズ回路の構成を示す図である。この図16に示すヒューズ回路は、図1に示すヒューズ回路と、以下の点でその構成が異なる。すなわち、NチャネルMOSトランジスタNQ2と接地ノードの間に、NチャネルMOSトランジスタNQ3およびNQ4が並列に設けられる。MOSトランジスタNQ3はそのゲートが電源ノードに接続され、また、MOSトランジスタNQ4は、そのゲートにシフト制御信号SFAを受ける。MOSトランジスタNQ4は、その電流駆動力が、MOSトランジスタNQ3よりも大きくされる。従って、MOSトランジスタNQ4のオン抵抗は、MOSトランジスタNQ3のオン抵抗よりも低い。
図16は、この発明の実施の形態2に従うヒューズ回路の構成を示す図である。この図16に示すヒューズ回路は、図1に示すヒューズ回路と、以下の点でその構成が異なる。すなわち、NチャネルMOSトランジスタNQ2と接地ノードの間に、NチャネルMOSトランジスタNQ3およびNQ4が並列に設けられる。MOSトランジスタNQ3はそのゲートが電源ノードに接続され、また、MOSトランジスタNQ4は、そのゲートにシフト制御信号SFAを受ける。MOSトランジスタNQ4は、その電流駆動力が、MOSトランジスタNQ3よりも大きくされる。従って、MOSトランジスタNQ4のオン抵抗は、MOSトランジスタNQ3のオン抵抗よりも低い。
ヒューズ素子FEが、銅ヒューズなどのメタルヒューズの場合、高抵抗の切断状態にあっても、電界ストレスによるマイグレーションによる銅イオン等の金属イオンの移動により、その抵抗値が小さくなることが知られている。このようなマイグレーションによる抵抗値変化により、切断状態のヒューズが未切断状態と判定された場合、誤動作が生じる。このようなヒューズ素子の状態の誤判定を防止するために、ヒューズ素子FEの切断直後のテスト時においては、シフト制御信号SFAを、Lレベルに設定する。この場合、判定ノードND1と接地ノードの間には、MOSトランジスタNQ1−NQ3のオン抵抗の合成抵抗が接続される。したがって、この判定ノードND1のヒューズの抵抗状態の判定基準のしきい抵抗値は大きい状態に設定される。この状態においては、ヒューズ素子FEの切断が不十分であり、比較的抵抗値が小さい場合、低抵抗のヒューズ素子FEを、切断不良と判断することができ、テスト時に、その不良を検出することができる。
一方、通常動作時においては、シフト制御信号SFAをHレベルに設定する。応じて、このMOSトランジスタNQ2と接地ノードの間に、MOSトランジスタNQ3およびNQ4が並列に接続され、これらのMOSトランジスタNQ3およびNQ4の合成オン抵抗は、MOSトランジスタNQ3のオン抵抗よりも小さくなる。これにより、判定ノードND1と接地ノードの間の判定時の抵抗値を、テスト時よりも低くすることができる。この状態においては、ヒューズ素子FEの切断状態/非切断状態の判定基準のしきい抵抗値は、低くすることができる。したがって、このシフト制御信号SFAによるしきい抵抗値の差分値だけ、ヒューズ素子FEの抵抗値が減少しても、そのヒューズ素子FEは、切断状態と判定され、回路誤動作を防止することができる。
図17(A)および図17(B)は、シフト制御信号SFAがLレベルおよびHレベルの場合の、ヒューズ素子の抵抗値と判定ノードの電位変化時間Tpdとの関係を示す図である。これらの図17(A)および図17(B)においても、電源電圧が0.8Vおよび1.4Vの場合と、パラメータがSFおよびFSの場合と、動作温度が−40℃および125℃の場合を示す。また、図17(A)および図17(B)において、横軸にヒューズ素子の抵抗値を対数目盛りで示し、縦軸に、時間Tpdを示す。また、各特性曲線の条件については、図17(A)および図17(B)において一覧にして示す。図17(A)および図17(B)において同一符号の特性曲線は、同一の動作電源電圧、動作温度およびプロセス条件についての特性を示す。条件FS等は、図9に示した特性曲線の場合と同じである。
図17(A)において、シフト制御信号SFAがLレベルの場合、ヒューズ素子の抵抗値は、たとえば10KΩ以上のときに、製造条件および動作条件に係らず、すべて、切断状態と判定される。一方、2KΩ以下のとき、ヒューズ素子は、そのプロセス、電源電圧および動作温度にかかわらず、未切断状態と判定される。いま、一例として、抵抗値が20KΩのヒューズ素子が、存在した場合を考える。この場合、テスト時においては、ヒューズは切断状態であると判定される。しかしながら、経時変化で抵抗値が低くなり、たとえば10KΩに変化した場合、この10KΩにおいては、曲線CおよびAと交差しており、その製造または動作条件によっては、このヒューズ素子は未切断状態と判定される場合が生じる。
そこで、図17(B)に示すように、シフト制御信号SFAを、Hレベルに設定する。この場合、図17(B)に示すように、ヒューズ素子の状態判定条件としては、たとえば抵抗値が4KΩ以上のときにヒューズ素子は切断状態と判定され、また、たとえば400Ω以下で、ヒューズ素子は、未切断状態と判定される。したがって、ヒューズ素子の抵抗値が、上述のように20KΩから10KΩに変化しても、確実にヒューズ素子は切断状態にあると判定することができ、回路誤動作を抑制することができる。
並列接続されるMOSトランジスタNQ3およびNQ4合成抵抗を、制御信号により切換えている。従って、これらのMOSトランジスタNQ3およびNQ4に、しきい値電圧の変動が生じても、これらのしきい値電圧の変動が、これらのオン抵抗切換用MOSトランジスタにおいて共通に発生し、合成抵抗においてそのしきい値電圧の変化を相殺することができ、正確に、判定ノードのしきい値抵抗を切り替えることができる。
以上のように、ヒューズ回路において、MOSトランジスタNQ3およびNQ4の合成抵抗の切換により、その抵抗値がΔRシフトした場合、このシフト量ΔRだけ、ヒューズ素子の抵抗値の経時変化を許容することができ、回路誤動作を抑制することができる。
なお、MOSトランジスタNQ3およびNQ4のオン抵抗は、ヒューズ素子の経時結果の許容値に応じて適切な値に定められればよい。
また、制御信号SFAは、単にテスト時にLレベル、通常動作モード時にHレベルに設定されればよく、たとえばボンディングオプションにより、その電圧レベルが設定されてもよい。
[変更例]
図18は、この発明の実施の形態2の変更例に従うヒューズ回路の構成を示す図である。この図18に示すヒューズ回路は、図12に示すヒューズ回路と以下の点でその構成が異なる。すなわち、PチャネルMOSトランジスタPT2と電源ノードの間に、PチャネルMOSトランジスタPT3およびPT4が、並列に設けられる。PチャネルMOSトランジスタPT3は、そのゲートが接地ノードに結合され、常時導通状態となり、オン抵抗により抵抗素子として機能する。一方、MOSトランジスタPT4は、そのゲートにシフト制御信号SFAZを受ける。このシフト制御信号SFAZは、図16に示すシフト制御信号SFAの反転信号である。また、MOSトランジスタPT4の電流駆動力は、MOSトランジスタPT3のそれよりも大きくされる。
図18は、この発明の実施の形態2の変更例に従うヒューズ回路の構成を示す図である。この図18に示すヒューズ回路は、図12に示すヒューズ回路と以下の点でその構成が異なる。すなわち、PチャネルMOSトランジスタPT2と電源ノードの間に、PチャネルMOSトランジスタPT3およびPT4が、並列に設けられる。PチャネルMOSトランジスタPT3は、そのゲートが接地ノードに結合され、常時導通状態となり、オン抵抗により抵抗素子として機能する。一方、MOSトランジスタPT4は、そのゲートにシフト制御信号SFAZを受ける。このシフト制御信号SFAZは、図16に示すシフト制御信号SFAの反転信号である。また、MOSトランジスタPT4の電流駆動力は、MOSトランジスタPT3のそれよりも大きくされる。
この図18に示すヒューズ回路の他の構成は、図12に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
この図18に示すヒューズ回路においても、テスト時において、シフト制御信号SFAZがHレベルに設定され、MOSトランジスタPT4はオフ状態に維持される。この状態においては、判定ノードND11と電源ノードの間の抵抗値は、MOSトランジスタPT1−PT3のオン抵抗の合成抵抗で与えられる。ヒューズ素子FEEの抵抗値が高いときに、判定ノードND11の電圧レベルが高くなり、ヒューズ素子が切断状態であると判定される。
一方、通常動作時において、シフト制御信号SFAZがLレベルに設定され、MOSトランジスタPT4がオン状態に維持される。したがってこの場合、判定ノードND11と電源ノードの間の抵抗値が低くなり、ヒューズ素子FEEの判定しきい抵抗値が低くされる。したがって、先の図16に示すヒューズ回路と同様、ヒューズ素子FEEの抵抗値が、エレクトロマイグレーションにより、低い状態に移動しても、MOSトランジスタPT3およびPT4のオン抵抗の合成抵抗とMOSトランジスタPT3のオン抵抗の差に対応する抵抗値分の経時変化を許容することができる。
以上のように、この発明の実施の形態2に従えば、動作モードに応じて、判定ノードに結合されるMOSトランジスタの合成オン抵抗を変更可能としており、実施の形態1の効果に加えて、さらに、ヒューズ素子の抵抗値のエレクトロマイグレーションによる経時変化を許容することができ、回路誤動作を防止することができる。
[実施の形態3]
図19は、この発明の実施の形態3に従うヒューズ回路の構成を示す図である。この図19に示すヒューズ回路は、以下の点で、図1に示すヒューズ回路とその構成が異なる。すなわち、ヒューズ素子FEと並列に、PチャネルMOSトランジスタPQ2が設けられる。このMOSトランジスタPQ2のゲートに、インバータIV4を介して、ヒューズリセット信号FSRSTが与えられる。また、MOSトランジスタPQ1およびNQ0のゲートへは、2段の縦続接続されるインバータで構成されるバッファ回路BF1を介してヒューズリセット信号FSRSTが与えられる。
図19は、この発明の実施の形態3に従うヒューズ回路の構成を示す図である。この図19に示すヒューズ回路は、以下の点で、図1に示すヒューズ回路とその構成が異なる。すなわち、ヒューズ素子FEと並列に、PチャネルMOSトランジスタPQ2が設けられる。このMOSトランジスタPQ2のゲートに、インバータIV4を介して、ヒューズリセット信号FSRSTが与えられる。また、MOSトランジスタPQ1およびNQ0のゲートへは、2段の縦続接続されるインバータで構成されるバッファ回路BF1を介してヒューズリセット信号FSRSTが与えられる。
この図19に示すヒューズ回路の他の構成は、図1に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
バッファ回路BF1は、インバータIV4を介してMOSトランジスタPQ2のオン/オフを制御するために、MOSトランジスタPQ1およびNQ0の動作タイミングの調整のために設けられる。以下、図2に示す信号波形図を参照して、図19に示すヒューズ回路の動作について説明する。
図2に示す期間(i)においては、インバータIV2の出力信号がハイレベルであり、MOSトランジスタPQ2は、オフ状態である。しかしながら、このときには、MOSトランジスタPQ0が、インバータIV1の出力信号に従ってオン状態にある。したがって、ヒューズ素子FEは、その両端が同一電位に維持される。
図2に示す期間(ii)において、ヒューズリセット信号FERSTがHレベルに立上がると、インバータIV4の出力信号がLレベルとなる。この期間(ii)においては、ヒューズリセット遅延信号FERSTDはLレベルである。したがって、内部ノードND0は、MOSトランジスタPQ0およびPQ2により、電源ノードに結合され、ヒューズ素子FEの両端は、同一電位に維持される。
図2に示す期間(iii)において、ヒューズリセット信号FERSTがHレベルであり、また、ヒューズリセット遅延信号FERSTDがHレベルに立上げられると、MOSトランジスタPQ0がオフ状態となる。この状態においても、図20に示すように、MOSトランジスタPQ2が、インバータIV4の出力信号に従ってオン状態である。応じて、内部ノードND0は、MOSトランジスタPQ2により電源ノードに結合され、ヒューズ素子FEの両端は、同一電位に維持される。従って、MOSトランジスタPQ1およびPQ0がともにオフ状態であっても、ノードND0は、MOSトランジスタPQ2により、電源ノードに結合され、フローティング状態に入るのを防止することができる。応じて、ノードND0が、リーク電流などにより、その電圧レベルが低下するのを抑制することができ、確実にヒューズ素子の両端を同一電位に維持することができる。
次に、図2に示す期間(iv)において、ヒューズリセット信号FERSTがLレベルに立下がると、MOSトランジスタPQ2がオフ状態となり、一方、MOSトランジスタPQ1がオン状態となる。判定ノードNT1において、このヒューズ素子FE、MOSトランジスタPQ1、NQ1およびNQ2の抵抗分圧回路の分圧比に応じたレベルの電圧が生成され、クロックドインバータCV1により、この状態判定結果を示す信号が出力され、インバータIV2およびIV3を介してヒューズ判定信号FSOUTが生成される。
また、図20に示すように、期間(iii)においては、MOSトランジスタNQ0は、オン状態にあり、クロックドインバータCV2は、非活性状態にある。
したがって、ヒューズ素子FEにおいては、確実に、期間(iv)における判定期間においてのみ、その両端に、該ヒューズ素子FEの抵抗値に応じて電圧差が生じ、それ以外の期間は確実に、ヒューズ素子FEの両端を同一電位に維持することができ、グローバック現象が発生するのを抑制することができる。
なお、バッファ回路BF1は、この判定期間(iv)移行時において、MOSトランジスタPQ1およびPQ2がともにオン状態となるのを防止するために設けられる。すなわち、MOSトランジスタPQ2がオフ状態に移行した後に,MOSトランジスタPQ1が、バッファ回路BF1の出力信号に従ってオン状態に移行する。
[変更例]
図21は、この発明の実施の形態3に従うヒューズ回路の変更例の構成を示す図である。この図21に示すヒューズ回路は、図12に示すヒューズ回路と以下の点でその構成が異なる。すなわち、ヒューズ素子FEEと並列に、ノードND10と接地ノードの間に、NチャネルMOSトランジスタNT2が設けられる。このMOSトランジスタNT2のゲートには、ヒューズリセット信号FERSTが与えられる。この図21に示すヒューズ回路の他の構成は、図12に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。以下、図2に示す信号波形図を参照して、この図21に示すヒューズ回路の動作について説明する。
図21は、この発明の実施の形態3に従うヒューズ回路の変更例の構成を示す図である。この図21に示すヒューズ回路は、図12に示すヒューズ回路と以下の点でその構成が異なる。すなわち、ヒューズ素子FEEと並列に、ノードND10と接地ノードの間に、NチャネルMOSトランジスタNT2が設けられる。このMOSトランジスタNT2のゲートには、ヒューズリセット信号FERSTが与えられる。この図21に示すヒューズ回路の他の構成は、図12に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。以下、図2に示す信号波形図を参照して、この図21に示すヒューズ回路の動作について説明する。
MOSトランジスタNT2は、ヒューズリセット信号FERSTがHレベルの期間オン状態となり、ヒューズリセット信号FERSTがLレベルの期間オフ状態となる。他の構成要素の動作は、図12に示すヒューズ回路の動作と同じである。すなわち、内部ノードND10は、図2に示す期間(i)においては、MOSトランジスタNT0を介して接地ノードに結合され、期間(ii)においては、MOSトランジスタNT0およびNT2により接地ノードに結合される。
ヒューズリセット信号FERSTがHレベルにあり、かつヒューズリセット遅延信号FERSTDがHレベルにある内部リセット期間(iii)において、ノードND10が、MOSトランジスタNT2を介して接地ノードに結合される。したがって、期間(iii)においてMOSトランジスタNT0がオフ状態となっても、ノードND10がフローティング状態となって、リーク電流によりヒューズ素子FEEの両端に電圧差が生じるのを防止することができる。
図2に示す判定期間(iv)においては、MOSトランジスタNT0およびNT2がともにオフ状態となり、ヒューズ素子FEEの抵抗値に応じたレベルに内部ノードの電圧が設定される。この判定後のラッチ期間(v)においては、内部ノードND10は、MOSトランジスタNT0を介して接地ノードに結合される。
以上のように、この発明の実施の形態3に従えば、判定ノードのリセット期間(期間(iii))中に、ヒューズ素子の両端を短絡するMOSトランジスタを設けており、ヒューズ素子が、このリセット期間に、一方端がフローティング状態となるのを防止することができ、リーク電流などにより、電圧差がヒューズ素子の両端に生じるのを防止することができる。従って、判定サイクル期間のみ、ヒューズ素子の両端に電位差を生じさせることができ、ヒューズ素子両端に電位差が生じる期間を短くすることができる。
[実施の形態4]
図22は、この発明の実施の形態4に従うヒューズ回路の構成を示す図である。図22に示すヒューズ回路は、以下の点で、図1に示すヒューズ回路と、その構成が異なる。すなわち、判定ノードND1が、バッファBF2を介してクロックドインバータCV1に結合される。このバッファ回路BF2は、所定の遅延時間を有し、判定ノードND1の信号電圧変化を遅延させてクロックドインバータCV1へ伝達する。この図22に示すヒューズ回路の他の構成は、図1に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
図22は、この発明の実施の形態4に従うヒューズ回路の構成を示す図である。図22に示すヒューズ回路は、以下の点で、図1に示すヒューズ回路と、その構成が異なる。すなわち、判定ノードND1が、バッファBF2を介してクロックドインバータCV1に結合される。このバッファ回路BF2は、所定の遅延時間を有し、判定ノードND1の信号電圧変化を遅延させてクロックドインバータCV1へ伝達する。この図22に示すヒューズ回路の他の構成は、図1に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
図23は、図22に示すヒューズ回路の動作を示す信号波形図である。以下、図23を参照して、図22に示すヒューズ回路の動作について説明する。製造プロセスのばらつきにより、PチャネルMOSトランジスタおよびNチャネルMOSトランジスタのバランス(レシオ)が極端にずれた場合および配線の抵抗/容量の変動により、インバータIV0およびIV1とMOSトランジスタPQ0の信号伝播経路における信号伝播遅延時間によるMOSトランジスタPQ0のオン状態移行タイミングと、クロックドインバータCV1が活性/非活性化されるタイミングとが異なる状態が生じる。
今、図23に示すように、時刻t10において、期間(iii)から判定期間(iv)に移行し、判定サイクルに移行した場合を考える。この場合、ヒューズリセット信号FERSTに従ってMOSトランジスタPQ1がオン状態となり、ノードND1の電圧レベルが、ヒューズ素子FE、MOSトランジスタPQ1、NQ1およびNQ2の抵抗回路の分圧比に応じた電圧レベルに駆動される。MOSトランジスタPQ0は、ヒューズリセット遅延信号FERSTによりオフ状態にある。
判定期間(iv)が経過すると、時刻t11においてラッチ期間(v)に移行する。このとき、ヒューズリセット遅延信号FERSTがLレベルに立下がる。MOSトランジスタのレシオのバランスが悪く、また配線の容量などにより、クロックドインバータCV1が、インバータIV1の出力信号に従って非活性化されるまでに、時刻t11直後において、MOSトランジスPQ0が、インバータIV1の出力信号に従ってオン状態となった場合を考える。この状態においては、MOSトランジスタPQ1の電流駆動力に従って、判定ノードND1の電圧レベルがさらに上昇する。この後、時刻t12において、クロックドインバータCV1が、インバータIV0の出力信号に従って完全に非活性状態となり、出力ハイインピーダンス状態となる。この場合、時刻t11から時刻t12の間に、判定ノードND1は、MOSトランジスタPQ0を介して電荷が供給され、この電圧レベルは、しきい抵抗値Rthよりも高くなり、判定ノードND1がクロックドインバータCV1に接続されている場合、Lレベルと判定すべき判定ノードND1の電圧レベルは、Hレベルと判定される可能性がある。
バッファBF2を設けることにより、この判定ノードND1の電圧レベルが、バッファBF2を介して遅延してクロックドインバータCV1に伝達される。したがって、クロックドインバータCV1が時刻t12においてディスエーブル状態(非活性状態)とされた後に、バッファBF2の出力信号が、判定ノードND1の出力信号に従ってHレベルに立上がる。このときに、クロックドインバータCV1は既に非活性状態で出力ハイインピーダンス状態にあり、この判定ノードND1の電圧レベル上昇は、ラッチされた判定信号SFOUTに対して影響を及ぼさない。
したがって、プロセスパラメータのばらつきにより、リセット信号FERSTDおよびFERSTに従って、MOSトランジスタPQ0がオン状態となった後に、クロックドインバータCV1がディスエーブル状態(非活性状態)に駆動されるような状態が生じても、バッファBF2により、確実に、判定ノードND1の電圧レベル変化を、非活性状態とされたクロックドインバータCV1へ転送することができる。これにより、ラッチ期間(v)移行時において、MOSトランジスタPQ0の供給電荷の影響を受けることなく、ヒューズ素子の抵抗値に応じた判定信号FSOUTを生成することができ、判定結果の反転を防止することができる。
[変更例1]
図24は、この発明の実施の形態4のヒューズ回路の変更例1の構成を示す図である。この図24に示すヒューズ回路は、図12に示すヒューズ回路と、以下の点でその構成が異なる。すなわち、判定ノードND11を、バッファBF3を介してクロックドインバータCV10に結合される。この図24に示すヒューズ回路の他の構成は、図12に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
図24は、この発明の実施の形態4のヒューズ回路の変更例1の構成を示す図である。この図24に示すヒューズ回路は、図12に示すヒューズ回路と、以下の点でその構成が異なる。すなわち、判定ノードND11を、バッファBF3を介してクロックドインバータCV10に結合される。この図24に示すヒューズ回路の他の構成は、図12に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
この図24に示すヒューズ回路の構成において、先の図22に示すヒューズ回路と同様、ラッチ期間(v)移行時において、クロックドインバータCV10の非活性化よりも早いタイミングで、MOSトランジスタNT0がオン状態となる状態を考える。この場合、判定ノードND11の電圧レベルは、MOSトランジスタNT0を介して放電されて低下し、高抵抗状態のヒューズ素子FEEが、低抵抗状態すなわち未切断状態と判定される可能性がある。この場合、ノードND11の電圧レベルは、ヒューズ素子FEEの抵抗状態に応じた電位レベルであり、この判定ノードND11の電圧レベルに応じた信号をバッファBF3が生成しかつ遅延して、クロックドインバータCV10に伝達する。したがって、MOSトランジスタNT0がオン状態となり、判定ノードND11の電圧レベルが、変化しても、その電圧レベルの変化は、バッファBF3を介して、クロックドインバータCV10が非活性化された後に伝達される。したがって、ラッチ出力信号FSOUTは、正確に、ヒューズ素子FEEの抵抗状態に応じた電圧レベルに維持することができ、誤判定を防止することができる。
[変更例2]
図25は、この発明の実施の形態4に従うヒューズ回路の変更例2の構成を示す図である。この図25に示すヒューズ回路は、図22に示すヒューズ回路と以下の点でその構成が異なる。すなわち、判定ノードND1にバッファBF2を設ける代わりに、インバータIV1の出力信号をバッファBF4を介してPチャネルMOSトランジスタPQ0のゲートへ伝達する。バッファBF4は、ある遅延時間を有する。クロックドインバータCV1は、活性化時、判定ノードND1上の電位に従って、出力信号を生成する。この図25に示すヒューズ回路の他の構成は、図22に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
図25は、この発明の実施の形態4に従うヒューズ回路の変更例2の構成を示す図である。この図25に示すヒューズ回路は、図22に示すヒューズ回路と以下の点でその構成が異なる。すなわち、判定ノードND1にバッファBF2を設ける代わりに、インバータIV1の出力信号をバッファBF4を介してPチャネルMOSトランジスタPQ0のゲートへ伝達する。バッファBF4は、ある遅延時間を有する。クロックドインバータCV1は、活性化時、判定ノードND1上の電位に従って、出力信号を生成する。この図25に示すヒューズ回路の他の構成は、図22に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
図25に示すヒューズ回路の構成においては、バッファBF4により、クロックドインバータCV1が非活性状態となった後に、MOSトランジスタPQ0が、オン状態へ駆動される。したがって、クロックドインバータCV1において、PチャネルMOSトランジスタおよびNチャネルMOSトランジスタのレシオがばらつくかまたは信号伝播経路の配線の容量のばらつきにより、クロックドインバータCV1の非活性化タイミングが、MOSトランジスタPQ0のオンタイミングよりも遅くなる可能性がある場合においても、バッファBF4により、確実に、クロックドインバータCV1の非活性化後、MOSトランジスタPQ0をオン状態に駆動することができる。
したがって、クロックドインバータCV1の活性化時、判定ノードND1は、正確に、ヒューズ素子FE、MOSトランジスタPQ1、NQ1およびNQ2のオン抵抗で構成される抵抗分圧回路による分圧比に応じた電圧レベルに維持することができる。ラッチ期間(v)への移行時において、MOSトランジスタPQ0がオン状態に移行したときには、確実に、クロックドインバータCV1は、非活性状態の出力インピーダンス状態であり、ラッチ出力信号FSOUTは、正確に、ヒューズ素子FEの抵抗状態に応じた電圧レベルに維持することができる。
[変更例3]
図26は、この発明の実施の形態4のヒューズ回路の変更例3の構成を示す図である。この図26に示すヒューズ回路は、以下の点で、図24に示すヒューズ回路とその構成が異なる。すなわち、判定ノードND11に対しては、バッファBF3は設けられず、NチャネルMOSトランジスタNP0のゲートに、バッファBF5を介して、インバータIV11の出力信号が与えられる。したがって、クロックドインバータCV10は、判定ノードND11に結合され、活性化時、判定ノードND11の電位に従って、出力信号を生成する。
図26は、この発明の実施の形態4のヒューズ回路の変更例3の構成を示す図である。この図26に示すヒューズ回路は、以下の点で、図24に示すヒューズ回路とその構成が異なる。すなわち、判定ノードND11に対しては、バッファBF3は設けられず、NチャネルMOSトランジスタNP0のゲートに、バッファBF5を介して、インバータIV11の出力信号が与えられる。したがって、クロックドインバータCV10は、判定ノードND11に結合され、活性化時、判定ノードND11の電位に従って、出力信号を生成する。
図26に示すヒューズ回路の他の構成は、図24に示すヒューズ回路の構成と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
この図26に示すヒューズ回路の構成においても、バッファBF5の遅延機能により、クロックドインバータCV10が非活性状態に駆動された後に、MOSトランジスタNT0をオン状態へ駆動する。したがって、クロックドインバータCV10の活性化時に、MOSトランジスタNT0が、オン状態へと駆動されるタイミング関係が発生するのを防止することができ、応じて誤判定を防止することができる。
以上のように、この発明の実施の形態4に従えば、判定ノードに対し、判定結果信号を生成するクロックドインバータが非活性状態とされた後に、ヒューズ素子が接続される内部ノードを所定電位に駆動するように構成しており、トランジスタ特性のばらつきおよび/または配線容量のばらつきに起因する誤判定を確実に防止することができる。また、実施の形態1から3の効果も奏する。
[実施の形態5]
図27は、この発明の実施の形態5に従うヒューズ回路の構成を示す図である。この図27に示すヒューズ回路は、図1、図16、図19および図22に示す実施の形態1から4に示すヒューズ回路の電源ノードにヒューズ素子が接続される構成の組合せに対応する。したがって、これらの構成要素において対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
図27は、この発明の実施の形態5に従うヒューズ回路の構成を示す図である。この図27に示すヒューズ回路は、図1、図16、図19および図22に示す実施の形態1から4に示すヒューズ回路の電源ノードにヒューズ素子が接続される構成の組合せに対応する。したがって、これらの構成要素において対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
したがって、この図27に示すヒューズ回路の構成の場合、実施の形態1から4に示す電源ノードにヒューズ素子が結合されるヒューズ回路の効果を、全て得ることができる。
なお、図27に示すヒューズ回路の構成において、バッファ回路BF2に代えて、インバータIV1の出力信号を受けるバッファBF4を設け、このバッファBF4の出力信号に従って、PチャネルMOSトランジスタPQ0のゲート電圧が制御されてもよい(図25を参照)。
[変更例]
図28は、この発明の実施の形態5のヒューズ回路の変更例の構成を示す図である。この図28に示すヒューズ回路は、図12、図19、図21、および図24に示すヒューズ回路の構成の組合せに対応し、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。この図28に示すヒューズ回路の構成においては、実施の形態1から4に示す接地ノードにヒューズ素子が結合されるヒューズ回路の効果を、全て得ることができる。
図28は、この発明の実施の形態5のヒューズ回路の変更例の構成を示す図である。この図28に示すヒューズ回路は、図12、図19、図21、および図24に示すヒューズ回路の構成の組合せに対応し、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。この図28に示すヒューズ回路の構成においては、実施の形態1から4に示す接地ノードにヒューズ素子が結合されるヒューズ回路の効果を、全て得ることができる。
なお、図28に示すヒューズ回路の構成において、バッファBF3に代えて、図26に示すように、バッファBF5を設け、MOSトランジスタNT1のゲート電圧がバッファBF5により駆動されてもよい。
この発明のヒューズ回路は、一般に、半導体集積回路装置において、内部制御信号生成用、トリミング用または不良セル置換用のヒューズプログラミングを行なう回路に適用することができる。特に、微細配線構造の銅配線を利用する半導体集積回路装置において電流溶断型ヒューズ素子を含むヒューズ回路に対して適用することにより、安定かつ高信頼性のヒューズ回路を実現することができる。
FE,FEE ヒューズ素子、PQ0−PQ2,PT0−PT2 PチャネルMOSトランジスタ、NT0−NT2,NQ0−NQ2 NチャネルMOSトランジスタ、BF1−BF5 バッファ。
Claims (4)
- 第1の電源ノードと第1の内部ノードの間に接続されるヒューズ素子、
第1の制御信号に応答して、前記第1の内部ノードを判定ノードに電気的に結合する第1のスイッチング素子、
前記第1の制御信号に応答して、前記第1のスイッチング素子と相補的に導通し、導通時、前記判定ノードを第2の電源ノードに電気的に結合する第2のスイッチング素子、
第2の制御信号に応答して導通し、前記ヒューズ素子の両端を短絡する第3のスイッチング素子、
前記第2の制御信号に応答して、前記第3のスイッチング素子の非導通時に活性化され、前記判定ノードの電圧レベルに応じた信号を生成する判定回路、
前記第2の制御信号に応答して、前記判定回路と相補的に活性化され、前記判定回路の出力信号をラッチするラッチ回路、および
前記第2の制御信号と前記判定回路の出力信号とに応答して選択的に前記判定ノードを前記第2の電源ノードに電気的に結合するスイッチ回路を備える、ヒューズ回路。 - 前記スイッチ回路は、
前記第2の制御信号および前記判定回路の出力信号それぞれに応答して導通し、導通時、有限の抵抗値を有する第1および第2のスイッチングトランジスタと、
第3の制御信号に応答して、抵抗値が変更される可変抵抗器とを備え、
前記第1および第2のスイッチングトランジスタと前記可変抵抗器が、前記判定ノードと前記第2の電源ノードの間に直列接続される、請求項1記載のヒューズ回路。 - 前記第2の制御信号は、前記第1の制御信号の遅延信号であり、テストモード時、前記第1のスイッチング素子が導通状態とされてから前記第3のスイッチング素子が導通状態とされるまでの期間が変更可能である、請求項1記載のヒューズ回路。
- 前記第1の制御信号に応答して前記第1のスイッチング素子と同相で導通し、導通時、前記第1の電源ノードと前記第1の内部ノードとを電気的に結合する第4のスイッチング素子をさらに備える、請求項1記載のヒューズ回路。
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Cited By (2)
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JP2012138443A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
CN109714039A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-05-03 | 北京中科银河芯科技有限公司 | 一种应用于超低功耗数模混合电路的熔丝修调方案 |
-
2006
- 2006-05-29 JP JP2006148529A patent/JP2007318027A/ja not_active Withdrawn
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CN109714039A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-05-03 | 北京中科银河芯科技有限公司 | 一种应用于超低功耗数模混合电路的熔丝修调方案 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090804 |