JP2007316399A

JP2007316399A - 液晶表示素子の製造方法

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Publication number: JP2007316399A
Application number: JP2006146559A
Authority: JP
Inventors: Hideo Oura; 秀男大浦
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2006-05-26
Filing date: 2006-05-26
Publication date: 2007-12-06

Abstract

【課題】特に、青色帯域、例えば４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲における光透過率が向上する液晶表示素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、この半導体基板に対向する透明基板１０と、半導体基板と透明基板との間ｄ１に介在する液晶２０とを有する構成の液晶表示素子５０の製造方法において、透明基板における半導体基板に対向する対向面Ａ側に、酸化アルミニウムからなる透明膜１１を形成し、この透明膜上にＩＴＯからなる透明電極１３を形成する。そして、透明膜を形成する際の成膜ガスを、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスとして、この混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．０１％〜１．１２％の範囲内とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示素子の製造方法に関する。

近年、液晶表示素子は、プロジェクタやプロジェクションテレビ等の大画面ディスプレイ装置に用いられている。また、大画面ディスプレイ装置は、さらなる大画面化が進み、この大画面化に伴って画像を表示するための光源の高輝度化が望まれている。
そこで、この光源として、従来から用いられていたメタルハライドランプに加えて、このメタルハライドランプよりも低消費電力で高輝度が得られる超高圧水銀（ＵＨＰ：Ultra High Performance）ランプが用いられるようになった。
この超高圧水銀ランプは、周知のように、可視光域において特定波長の輝線を有している。この特定波長は、一般的に、約４４０ｎｍ、約５４０ｎｍ、及び約５８０ｎｍである。そして、この輝線により干渉が発生し、干渉縞（フリンジともいう）や輝度むら等の表示不良が発生する場合がある。

この表示不良は、液晶表示素子の液晶層の厚さが１０ミクロン以下と薄いため、透明基板と液晶層との界面で反射が起こると、液晶層のわずかな厚みむらによって位相ずれが生じ、この位相ずれにより発生するものと考えられる。特に反射型液晶表示素子では、液晶層を入射光及び反射光が通過するため、投射型液晶表示素子に比べ干渉縞が目立ちやすい。
この解決手段として光源の輝線を除去する方法が考えられるが、光量が減少するといった不具合が生じる。また、他の解決手段として液晶層の厚みむらをなくすことが考えられるが、透明基板の表面の平坦性を向上させるための工数等が増えるため、生産性が著しく低下するといった不具合が生じる。

そこで、上述した干渉縞を低減する他の手段の一つが特許文献１に記載されている。
この特許文献１の記載によれば、透明基板の一面側に、膜厚λ／４の第１のＡｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）膜、膜厚λ／２のＩＴＯ(Indium Tin Oxide)膜、及び膜厚λ／４の第２のＡｌ_２Ｏ_３膜が順次積層されてなる３層構造の透明電極層を形成することにより、干渉縞の発生を抑えられるとするものである。なお、λは入射光及び反射光の中心波長である。
特開２００２−１４３２７号公報

Ａｌ_２Ｏ_３膜以外の光学膜としてＳｉＯ_２（二酸化シリコン）膜があり、Ａｌ_２Ｏ_３膜やＳｉＯ_２膜は、一般的に、真空成膜法、例えばスパッタ法により成膜される。Ａｌ_２Ｏ_３膜やＳｉＯ_２膜をスパッタ法により成膜する場合、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２は酸化度が安定的であり、これらの材料からなる焼結ターゲットはその密度が高くかつ酸化物生成の自由エネルギーが大きい。そこで、通常、これらの焼結ターゲットを用いたＡｌ_２Ｏ_３膜やＳｉＯ_２膜の成膜は、Ａｒ（アルゴン）ガス雰囲気中にて行われる。

また、ＩＴＯ膜は、一般的に、真空成膜法、例えばスパッタ法により成膜される。ＩＴＯ焼結ターゲットを用いたスパッタ法によりＩＴＯ膜を成膜する場合、ＡｒガスとＯ_２（酸素）ガスとの流量比が所定の値となる混合ガス雰囲気中で行うことによって、成膜されたＩＴＯ膜は、Ｏ（酸素）原子が若干欠損した膜となる。このようにＯ原子が若干欠損したＩＴＯ膜は、Ｏ原子が欠損していない膜に対して、より低抵抗の膜、換言すれば高導電性を有する膜となる。

しかしながら、上述した真空成膜法により形成された透明電極層は、青色帯域、例えば４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲における光透過率が青色帯域以外の波長範囲における光透過率に比べて低く、その改善が望まれている。
例えば、光透過率の差によって発生する色むらを改善するためには、青色帯域における光透過率を９９％以上にすることが好ましく、より好ましくは９９．５％以上である。

そこで、本発明が解決しようとする課題は、特に、青色帯域、例えば４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲における光透過率を向上させる透明電極層を形成するための液晶表示素子の製造方法を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本願各発明は次の手段を有する。
１）半導体基板（１）と、該半導体基板に対向する透明基板（１０）と、前記半導体基板と前記透明基板との間（ｄ１）に介在する液晶（２０）とを有する構成の液晶表示素子（５０）の製造方法において、前記透明基板における前記半導体基板に対向する対向面（Ａ）側に、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる透明膜（１１）を形成する透明膜形成工程と、前記透明膜上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極（１３）を形成する透明電極形成工程とを有し、前記透明膜形成工程において、前記透明膜を形成する際の成膜ガスを、酸素（Ｏ_２）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスとの混合ガスとすると共に、該混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．０１％〜１．１２％の範囲内とすることを特徴とする液晶表示素子の製造方法である。
２）半導体基板（１）と、該半導体基板に対向する透明基板（１０）と、前記半導体基板と前記透明基板との間（ｄ１）に介在する液晶（２０）とを有する構成の液晶表示素子（５０）の製造方法において、前記透明基板における前記半導体基板に対向する対向面（Ａ）側に、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる透明膜（１２）を形成する透明膜形成工程と、前記透明膜上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極（１３）を形成する透明電極形成工程とを有し、前記透明膜形成工程において、前記透明膜を形成する際の成膜ガスを、酸素（Ｏ_２）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスとの混合ガスとすると共に、該混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．０３％〜０．３２％の範囲内とすることを特徴とする液晶表示素子の製造方法である。
３）前記透明電極形成工程において、前記透明電極を形成する際の成膜ガスを、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスとすると共に、該混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．１４％〜０．４８％の範囲内とすることを特徴とする１）項または２）項記載の液晶表示素子の製造方法である。

本発明によれば、特に、透明基板上に、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる透明膜を成膜する際に、成膜ガスを酸素（Ｏ_２）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスとの混合ガスとして、この混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．０１％〜１．１２％の範囲内とすることにより、特に、青色帯域、例えば４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲における光透過率が向上するという効果を奏する。

また、本発明によれば、特に、透明基板上に、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる透明膜を成膜する際に、成膜ガスを酸素（Ｏ_２）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスとの混合ガスとして、この混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．０３％〜０．３２％の範囲内とすることにより、特に、青色帯域、例えば４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲における光透過率が向上し、この青色帯域における光透過率のばらつきが低減するという効果を奏する。

また、本発明によれば、上述の透明膜上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極を形成する際に、成膜ガスを酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスとして、この混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．１４％〜０．４８％の範囲内とすることにより、特に、青色帯域、例えば４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲における光透過率が向上し、この青色帯域における光透過率のばらつきが低減するという効果を奏する。

本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図５を用いて説明する。
図１〜図５は、本発明の液晶表示素子の製造方法の実施例を説明するための図である。

＜実施例＞
まず、実施例における液晶表示素子５０の構成について、図１を用いて説明する。

液晶表示素子５０は、半導体基板であるＳｉ（シリコン）基板１の表面に、後述する読み出し光（入射光という場合がある）Ｌ１を反射する画素電極２がマトリクス状に複数形成されている。画素電極２の材料として、Ａｌ（アルミニウム）やＡｕ（金）等の金属材料を用いることができる。
Ｓｉ基板１の表面には、画素電極２への電源供給を制御するスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）３が、各画素電極２に対応して形成されており、また、これら画素電極２及び薄膜トランジスタ３を覆うように第１の配向膜４が形成されている。

また、光透過性を有する透明基板であるガラス基板１０の一面Ａ側には、第１の屈折率ｎ１を有する第１の透明膜１１と、第１の屈折率ｎ１よりも小さい第２の屈折率ｎ２（ｎ１＞ｎ２）を有する第２の透明膜１２と、第２の屈折率ｎ２よりも大きい第３の屈折率ｎ３（ｎ２＜ｎ３）を有する導電性の透明電極１３とが順次積層されてなる透明多層膜１５が形成されている。

透明多層膜１５の表面には第２の配向膜１６が形成されており、ガラス基板１０の他面Ｂ側には、ＡＲ（Anti Reflection）膜（反射防止膜ともいう）１７が形成されている。
第１の配向膜４及び第２の配向膜１６の各材料として、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）等を用いることができる。

上述したシリコン基板１及びガラス基板１０は、シリコン基板１の第１の配向膜４とガラス基板１０の第２の配向膜１６とが互いに向き合うように所定の間隙ｄ１を有して配置されており、この間隙ｄ１には、負の誘電異方性を有するネマティック液晶２０が充填されている。

そして、この液晶表示素子５０は、薄膜トランジスタ３により各画素電極２への電源供給を制御して、所定の画素電極２に対応した範囲における液晶２０を駆動させ、外部からＡＲ膜１７を透過して入射した読み出し光Ｌ１を、この所定の画素電極２で表示光Ｌ２として反射させ、所定の画像を得るものである。

次に、上述した液晶表示素子５０の製造方法、特に、透明多層膜１５の形成方法を第１工程〜第３工程として、図２を用いて説明する。
図２（ａ）〜図２（ｃ）は、本発明の液晶表示素子の製造方法の実施例における第１工程〜第３工程をそれぞれ説明するための模式的断面図である。
また、ガラス基板１０の一面Ａ側を、図１では下側としたが、図２では、説明をわかりやすくするために上側として上下逆にして表している。

（第１工程）［図２（ａ）参照］
ガラス基板（例えばコーニング社製ガラス基板“商品名１７３７”）１０の一面Ａ側に、スパッタ法により、Ａｌ_２Ｏ_３膜を上述した第１の透明膜１１として成膜する。
詳しくは、Ａｌ_２Ｏ_３からなる焼結ターゲットを用いて、Ａｒ（アルゴン）ガスとＯ_２（酸素）ガスとの流量比を所定の値とする混合ガス雰囲気中でスパッタを行い、光学膜厚ＮＤ１が０．５１となるようにＡｌ_２Ｏ_３膜（第１の透明膜１１）を成膜する。
実施例では、上述の混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．５％とした。
上述の成膜条件により成膜されたＡｌ_２Ｏ_３膜の屈折率ｎ１は１．６８である。
なお、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．５％とした理由については後述することとする。

（第２工程）［図２（ｂ）参照］
次に、第１工程で成膜したＡｌ_２Ｏ_３膜上に、スパッタ法により、ＳｉＯ_２（二酸化シリコン）膜を上述した第２の透明膜１２として成膜する。
詳しくは、ＳｉＯ_２からなる焼結ターゲットを用いて、ＡｒガスとＯ_２ガスとの流量比を所定の値とする混合ガス雰囲気中でスパッタを行い、光学膜厚ＮＤ２が０．５０となるようにＳｉＯ_２膜（第２の透明膜１２）を成膜する。
実施例では、上述の混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．２％とした。
上述の成膜条件により成膜されたＳｉＯ_２膜の屈折率ｎ２は１．４６である。
なお、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．２％とした理由については後述することとする。

（第３工程）［図２（ｃ）参照］
次に、第２工程で成膜したＳｉＯ_２膜上に、スパッタ法により、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)膜を上述した透明電極１３として成膜する。
詳しくは、ＩＴＯからなる焼結ターゲットを用いて、ＡｒガスとＯ_２ガスとの流量比を所定の値とする混合ガス雰囲気中でスパッタを行い、光学膜厚ＮＤ３が０．２２となるようにＩＴＯ膜（透明電極１３）を成膜する。
実施例では、上述の混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．３％とした。
上述の成膜条件により成膜されたＩＴＯ膜の屈折率ｎ３は１．９４である。
なお、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．３％とした理由については後述することとする。

上述した第１工程〜第３工程により、Ａｌ_２Ｏ_３膜である第１の透明膜１１と、ＳｉＯ_２膜である第２の透明膜１２と、ＩＴＯ膜である透明電極１３とが順次積層されてなる透明多層膜１５がガラス基板１０の一面Ａ上に形成される。
また、上述の第１の透明膜１１，第２の透明膜１２，及び透明電極１３を成膜する際、ガラス基板１０を加熱する温度を、ＩＴＯ膜の結晶化温度(約１５０℃)よりも高い温度である２２０℃とした。

そして、透明多層膜１５の表面に上述の第２の配向膜１６を形成し、ガラス基板１０の他面Ｂ側にＡＲ膜１７を形成する。
また、Ｓｉ基板１の表面に、画素電極２，ＴＦＴ３，及び第１の配向膜４を形成する。
第２の配向膜１６，ＡＲ膜１７，画素電極２，ＴＦＴ３，及び第１の配向膜４は周知の方法により形成することができる。

さらに、Ｓｉ基板１とガラス基板１０とを、第１の配向膜４と第２の配向膜１６とが互いに向き合うように間隙ｄ１を有して配置させ、間隙ｄ１に液晶２０を充填させる。
その後、Ｓｉ基板１とガラス基板１０とをシール材等を用いて接着固定することにより、上述した液晶表示素子５０を得る。

ここで、まず、上述の第１工程で、ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．５％とした理由について図３を用いて説明する。
図３は、第１の透明膜１１であるＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜する際の混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比と、測定波長４５０ｎｍ（青色帯域の波長）における透明多層膜１５の光透過率との関係を示したものである。

発明者は、特に、青色帯域、例えば４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲における光透過率を向上させるべく鋭意実験した結果、上述の透明多層膜１５の第１の透明膜１１であるＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜する際の成膜ガスによって光透過率が向上することを見出した。
そこで、この成膜ガスをＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとして、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比と透明多層膜１５の光透過率との関係について調べた。
なお、第２の透明膜１２であるＳｉＯ_２膜を成膜する際の成膜ガスをＡｒガスとし、透明電極１３であるＩＴＯ膜を成膜する際の成膜ガスをＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとしてこの混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．３％とした。

図３に示す結果から、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．０１％〜１．１２％の範囲内にして第１の透明膜１１であるＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜することにより、青色帯域における光透過率が９９％以上である透明多層膜１５が得られることを確認した。
また、このときの赤色帯域及び青色帯域における光透過率もそれぞれ９９％以上であることを確認した。

また、図３に示す結果から、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．２５％〜０．７５％の範囲内にして第１の透明膜１１であるＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜することにより、青色帯域における光透過率が９９．５％以上である透明多層膜１５が得られることを確認した。
また、このときの赤色帯域及び青色帯域における光透過率もそれぞれ９９．５％以上であることを確認した。

そこで、実施例では、上述の結果を鑑みて、第１の透明膜１１であるＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜する際に、ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．５％とした。

次に、上述の第２工程で、ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．２％とした理由について図４を用いて説明する。
図４は、第２の透明膜１２であるＳｉＯ_２膜を成膜する際の混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比と、測定波長４５０ｎｍ（青色帯域の波長）における透明多層膜１５の光透過率との関係を示したものである。

発明者は、特に、青色帯域、例えば４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲における光透過率を向上させるべく鋭意実験した結果、上述の透明多層膜１５の第２の透明膜１２であるＳｉＯ_２膜を成膜する際の成膜ガスによって光透過率が向上することを見出した。
そこで、この成膜ガスをＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとして、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比と透明多層膜１５の光透過率との関係について調べた。
なお、第１の透明膜１１であるＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜する際の成膜ガスをＡｒガスとし、透明電極１３であるＩＴＯ膜を成膜する際の成膜ガスをＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとしてこの混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．３％とした。

図４に示す結果から、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．０３％〜０．３２％の範囲内にして第２の透明膜１２であるＳｉＯ_２膜を成膜することにより、青色帯域における光透過率が９９％以上である透明多層膜１５が得られることを確認した。
また、このときの赤色帯域及び青色帯域における光透過率もそれぞれ９９％以上であることを確認した。

そこで、実施例では、上述の結果を鑑みて、第２の透明膜１２であるＳｉＯ_２膜を成膜する際に、ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．２％とした。

次に、上述の第３工程で、ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．３％とした理由について図５を用いて説明する。
図５は、透明電極１３であるＩＴＯ膜を成膜する際の混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比と、測定波長４５０ｎｍ（青色帯域の波長）における透明多層膜１５の光透過率との関係を示したものである。

発明者は、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．０１％〜１．１２％の範囲内として第１の透明膜１１であるＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜し、その後にＩＴＯ膜１３を成膜する際の成膜条件について検討を行った。
その結果、ＩＴＯ膜を成膜する際の成膜ガスをＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとし、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．１４％〜０．４８％とすることにより、青色帯域における光透過率が９９％以上である透明多層膜１５が得られることを確認した。
また、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．１９％〜０．３８％とすることにより、青色帯域における光透過率が９９．５％以上である透明多層膜１５が得られることを確認した。

また、発明者は、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．０３％〜０．３２％の範囲内として第２の透明膜１２であるＳｉＯ_２膜を成膜し、その後にＩＴＯ膜１３を成膜する際の成膜条件について検討を行った。
その結果、ＩＴＯ膜を成膜する際の成膜ガスをＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとし、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．１４％〜０．４８％とすることにより、青色帯域における光透過率が９９％以上である透明多層膜１５が得られることを確認した。
また、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．１９％〜０．３８％とすることにより、青色帯域における光透過率が９９．５％以上である透明多層膜１５が得られることを確認した。

図５にその一例として、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を１．１２％として第１の透明膜１１であるＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜し、Ａｒガスで第２の透明膜１２であるＳｉＯ_２膜を成膜した場合の、透明電極１３であるＩＴＯ膜を成膜する際の混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比と、測定波長４５０ｎｍ（青色帯域の波長）における透明多層膜１５の光透過率との関係を示す。

上述した結果から、従来は、スパッタの際に焼結ターゲットからＡｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，ＩＴＯが飛散して成膜する際に、飛散途中でこれらの酸化化合物中の酸素が離脱して成膜された膜中の酸素原子の欠落により膜質が悪化して光透過率が低かったものと考えられる。
そこで、上述したように、本発明では、成膜の際の成膜ガスを従来のＡｒガスからＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスにすることにより、スパッタの際に焼結ターゲットからＡｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，ＩＴＯが飛散して成膜する際に、飛散途中でこれらの酸化化合物中の酸素が離脱することを防止できるので、所望の膜質が得られるため、光透過率が向上したものと考えられる。
また、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比が高すぎると、成膜された膜の膜質が悪化するので光透過率が低くなるものと考えられる。

また、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．０１％〜１．１２％の範囲内として第１の透明膜１１であるＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜することにより、良好な膜質のＡｌ_２Ｏ_３膜が得られるため、透明多層膜１５の光透過率のばらつきを低減することができる。

また、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．０３％〜０．３２％の範囲内として第２の透明膜１２であるＳｉＯ_２膜を成膜することにより、良好な膜質のＳｉＯ_２膜が得られるため、透明多層膜１５の光透過率のばらつきを低減することができる。

また、上述のＡｌ_２Ｏ_３膜の成膜条件、または、ＳｉＯ_２膜の成膜条件において、混合ガスにおけるＯ_２ガスの流量比を０．１４％〜０．４８％の範囲内として透明電極１３であるＩＴＯ膜を成膜することにより、良好な膜質のＩＴＯ膜が得られるため、透明多層膜１５の光透過率のばらつきを低減することができる。

本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。

本発明の液晶表示素子の実施例を説明するための模式的断面図である。本発明の液晶表示素子の実施例を説明するための模式的断面図である。本発明の液晶表示素子の実施例を説明するための図である。本発明の液晶表示素子の実施例を説明するための図である。本発明の液晶表示素子の実施例を説明するための図である。

符号の説明

１Ｓｉ基板、２画素電極、３ＴＦＴ、４，１６配向膜、１０ガラス基板、１１，１２透明膜、１３透明電極、１５透明多層膜、１７ＡＲ膜、２０液晶、５０液晶表示素子、Ａ，Ｂ面、Ｌ１読み出し光、Ｌ２表示光、ｄ１間隙

Claims

半導体基板と、該半導体基板に対向する透明基板と、前記半導体基板と前記透明基板との間に介在する液晶とを有する構成の液晶表示素子の製造方法において、
前記透明基板における前記半導体基板に対向する対向面側に、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる透明膜を形成する透明膜形成工程と、
前記透明膜上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極を形成する透明電極形成工程とを有し、
前記透明膜形成工程において、前記透明膜を形成する際の成膜ガスを、酸素（Ｏ_２）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスとの混合ガスとすると共に、該混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．０１％〜１．１２％の範囲内とすることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
半導体基板と、該半導体基板に対向する透明基板と、前記半導体基板と前記透明基板との間に介在する液晶とを有する構成の液晶表示素子の製造方法において、
前記透明基板における前記半導体基板に対向する対向面側に、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる透明膜を形成する透明膜形成工程と、
前記透明膜上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極を形成する透明電極形成工程とを有し、
前記透明膜形成工程において、前記透明膜を形成する際の成膜ガスを、酸素（Ｏ_２）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスとの混合ガスとすると共に、該混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．０３％〜０．３２％の範囲内とすることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
前記透明電極形成工程において、前記透明電極を形成する際の成膜ガスを、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスとすると共に、該混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．１４％〜０．４８％の範囲内とすることを特徴とする請求項１または請求項２記載の液晶表示素子の製造方法。