JP2019039943A

JP2019039943A - 電気光学装置、電子機器

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Publication number: JP2019039943A
Application number: JP2017159118A
Authority: JP
Inventors: 河田　英徳; Hidenori Kawada; 英徳河田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2017-08-22
Filing date: 2017-08-22
Publication date: 2019-03-14

Abstract

【課題】画素のトランジスターにおける光リーク電流の発生を抑制可能な遮光層を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、透光性の基板としての基材１０ｓに設けられた遮光層３に下地絶縁膜１１ａを介して画素ごとに設けられたスイッチング素子としての薄膜トランジスター３０を備え、遮光層３は、基材１０ｓ側に設けられた無酸素系の金属化合物からなる第１バリア層３１と、第１バリア層３１上に設けられた金属からなるメタル層３３と、少なくともメタル層３３を覆う上記金属化合物からなる第２バリア層３２と、を含み、基材１０ｓの法線方向における平面視において、遮光層３のうち、半導体層３０ａの少なくともチャネル領域３０ｃと重なる第１の部分３ａと、第１の部分３ａ以外の第２の部分３ｂとでは、メタル層３３の膜厚が異なり、第１の部分３ａに比べて第２の部分３ｂの遮光性が低い。
【選択図】図６

Description

本発明は、電気光学装置、該電気光学装置を備えた電子機器に関する。

電気光学装置として、例えばアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。アクティブ駆動型の液晶装置は、画素ごとに設けられたスイッチング素子により画素電極に印加される電位を制御して表示を行わせるものである。このようなアクティブ駆動型の液晶装置を例えば投射型表示装置の光変調手段として用いる場合、光源から画素に強い光が入射することから、画素に入射した光によってスイッチング素子に光リーク電流が流れ、動作が不安定になることを防ぐ必要がある。

例えば、特許文献１には、絶縁基板上に、単結晶シリコンからなる半導体層が設けられ、半導体層に対向する位置には、高融点の金属単体または金属化合物からなるメタル層と、メタル層の少なくとも一方の面に積層された無酸素系の高融点の金属単体または金属化合物からなるバリア層とを有する遮光膜が設けられた電気光学装置用基板を備えた電気光学装置が提案されている。

上記特許文献１の電気光学装置によれば、遮光膜を形成した後に高温処理が行われても、無酸素系の高融点の金属単体または金属化合物から成るバリア層が、メタル層の酸化現象を抑制する。したがって、メタル層の酸化現象で遮光膜の遮光性能が低下することを防いで、遮光膜における遮光性を確保できるとしている。ゆえに、単結晶シリコンからなる半導体層を有する素子に入射する光を遮光膜で遮光して、光リーク電流の発生を抑制できるとしている。

特開２００２−１３１７７８号公報

上記特許文献１では、透光性の絶縁基板上にメタル層とバリア層とを積層した遮光膜を形成し、当該遮光膜に対して絶縁膜を介して半導体層を形成する例が挙げられている。しかしながら、遮光膜は、金属単体または金属化合物を用いて構成されるため、遮光膜における遮光性は、入射した光を吸収したり反射したりすることで確保される。それゆえに、絶縁基板の法線方向に対して遮光膜と半導体層との間に斜め方向から入射した光が遮光膜で反射して半導体層に入射するおそれがある。画素に入射する光の強度が強いほどこのような斜め光による光リーク電流の発生を防ぐ必要があるという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、透光性の基板と、前記基板に設けられた遮光層と、前記遮光層に絶縁膜を介して画素ごとに設けられたスイッチング素子としてのトランジスターと、を備え、前記遮光層は、前記基板側に設けられた無酸素系の金属化合物からなる第１バリア層と、前記第１バリア層上に設けられた金属からなるメタル層と、少なくとも前記メタル層を覆う金属化合物からなる第２バリア層と、を含み、前記基板の法線方向における平面視において、前記遮光層のうち、前記トランジスターの半導体層の少なくともチャネル領域と重なる第１の部分と、前記第１の部分以外の第２の部分とでは、前記遮光層の層構成または前記メタル層の膜厚が異なり、前記第１の部分に比べて前記第２の部分の遮光性が低い。

トランジスターにおける光リーク電流の発生は、主にトランジスターの半導体層のチャネル領域に光が入射することで生ずる。
本適用例によれば、遮光層において、半導体層の少なくともチャネル領域と平面視で重なる第１の部分に比べて、第１の部分以外の第２の部分の遮光性を低くすることで第２の部分に入射した光の一部を透過させる。これによって、第１の部分と第２の部分とで反射率が異なることになり、第２の部分で反射してチャネル領域に入射する光を低減することができる。このように、遮光層における第２の部分の遮光性を低くすることは、遮光層の層構成やメタル層の膜厚を第１の部分と異ならせることで可能である。つまり、従来に比べて、画素に入射した光による光リーク電流の発生を抑制して、安定した駆動状態が得られる電気光学装置を提供することができる。
なお、金属からなるメタル層は、無酸素系の金属化合物からなる第１バリア層と第２バリア層とに挟まれているため、高温プロセスでトラジスターを形成する際の熱処理によって第１メタル層が酸化し、その影響で、遮光層の遮光性が低下することを防ぐことができる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記半導体層は、前記チャネル領域と、第１ソース・ドレイン領域と、第２ソース・ドレイン領域と、を含み、前記基板の法線方向における平面視において、前記遮光層の前記第１の部分は、前記半導体層の前記チャネル領域及び第２ソース・ドレイン領域と重なり、前記遮光層の前記第２の部分は、前記半導体層の第１ソース・ドレイン領域と重なり、前記第２の部分における前記メタル層の膜厚は、前記第１の部分における前記メタル層の膜厚よりも薄いことが好ましい。
半導体層における第２ソース・ドレイン領域をトランジスターにおけるドレインとし、半導体層における第１ソース・ドレイン領域をトランジスターのソースとするとき、ソースには電位が変化する画像信号が入力されるため、第１ソース・ドレイン領域に光が入射しても光リーク電流が生じ難い。一方、トランジスターのドレインは出力側となることから光リーク電流によって電位が変動することを避けることが好ましい。
この構成によれば、半導体層の第１ソース・ドレイン領域に重なる遮光層の第２の部分におけるメタル層の膜厚を第１の部分に比べて薄くすることで、第１の部分に比べて第２の部分の遮光性が低くなる。よって、遮光層の第１の部分における遮光性を確保しつつ、第２の部分で反射した光によるトランジスターの光リーク電流の発生を抑制することができる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記半導体層は、前記チャネル領域と、第１ソース・ドレイン領域と、第２ソース・ドレイン領域と、を含み、前記基板の法線方向における平面視において、前記遮光層の前記第１の部分は、前記半導体層の前記チャネル領域及び前記第２ソース・ドレイン領域と重なり、前記遮光層の前記第２の部分は、前記半導体層の前記第１ソース・ドレイン領域と重なり、前記第１の部分は前記第１バリア層と前記メタル層と前記第２バリア層とからなり、前記第２の部分は前記第１バリア層と前記第２バリア層とからなることが好ましい。
この構成によれば、遮光層の第１の部分と第２の部分とでは層構成が異なっている。具体的には、第２の部分は、メタル層を含んでいないことから、第２の部分の遮光性が低くなる。よって、遮光層の第２の部分で反射した光によるトランジスターの光リーク電流の発生を抑制することができる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記半導体層は、前記チャネル領域と、第１ソース・ドレイン領域と、第２ソース・ドレイン領域と、を含み、前記基板の法線方向における平面視において、前記遮光層の前記第１の部分は、前記半導体層の前記チャネル領域及び前記第２ソース・ドレイン領域と重なり、前記遮光層の前記第２の部分は、前記半導体層の前記第１ソース・ドレイン領域と重なり、前記第１の部分は、前記第１バリア層と、前記第１バリア層上に設けられた金属からなる第１メタル層と、少なくとも前記第１メタル層を覆う前記第２バリア層と、前記第２バリア層上に設けられた金属からなる第２メタル層と、少なくとも前記第２メタル層を覆う前記金属化合物からなる第３バリア層とからなり、前記第２の部分は、前記第１バリア層と、前記第１メタル層と、前記第２バリア層と、前記第２バリア層を覆う前記第３バリア層とからなり、前記第２メタル層の膜厚は、前記第１メタル層の膜厚よりも薄いことが好ましい。

この構成によれば、遮光層の第１の部分と第２の部分とで構成が異なり、第２の部分は第２メタル層を含まずに構成されている。したがって、遮光層の第１の部分に比べて第２の部分の遮光性が低くなる。また、トランジスターに近い側に配置された第２メタル層の膜厚は、第１メタル層の膜厚よりも薄いことから、遮光層にトランジスター側から入射する光は、その一部が第２メタル層を透過しやすくなる。つまり、遮光層とトランジスターとの間に入射して遮光層の第１の部分に入射した光の反射率を低下させることができるので、第１の部分の光の反射によるトランジスターの光リーク電流の発生を抑制できる。
なお、金属からなる第１メタル層は、無酸素系の金属化合物からなる第１バリア層と第２バリア層とに挟まれ、同じく金属からなる第２メタル層は、無酸素系の金属化合物からなる第２バリア層と第３バリア層とに挟まれているため、高温プロセスでトラジスターを形成する際の熱処理によって第２メタル層が酸化しても第１メタル層の遮光性は維持される。また、第２メタル層の酸化が進んで遮光性が低下すると、第２メタル層を含む遮光層の第１の部分の反射率も低下するので、第１の部分の光の反射によるトランジスターの光リーク電流の発生を抑制できる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記半導体層は、前記チャネル領域と前記第２ソース・ドレイン領域との間に、前記第２ソース・ドレイン領域よりも不純物の濃度が低い低濃度領域を含み、前記第１の部分は、少なくとも前記チャネル領域及び前記低濃度領域並びに前記第２ソース・ドレイン領域と重なることが好ましい。
この構成によれば、遮光層とトランジスターとの間に入射して遮光層の第１の部分によって反射した光が半導体層のチャネル領域及び低濃度領域並びに第２ソース・ドレイン領域に入射することによるトランジスターの光リーク電流の発生を抑制できる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記金属化合物は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの中から選ばれる金属のシリサイドであり、前記金属は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれることが好ましい。
この構成によれば、Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆはＳｉに比べて酸素（Ｏ）と結合し易い。これに対して、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒは酸素（Ｏ）に比べてＳｉと結合し易いことから、金属を金属のシリサイドで覆うことによって、金属が酸化することを抑制することができる。つまり、金属が酸化することで遮光層の透過率が向上し遮光性が低下することを防ぐことができる。

［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、画素に強い光が入射しても動作が不安定になり難い電気光学装置を備えているので、安定した表示動作が得られる電子機器を提供することができる。

第１実施形態の電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図。図１のＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図。液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。液晶装置の画素の構造を示す概略断面図。画素の主要な構成と開口領域及び非開口領域との関係を示す概略平面図。図５のＡ−Ａ’線に沿った第１実施形態におけるトランジスター及び遮光層の構造を示す概略断面図。第１実施形態のトランジスターに向かって入射する光の一例を示す概略断面図。遮光層の形成方法を示す概略断面図。遮光層の形成方法を示す概略断面図。遮光層の形成方法を示す概略断面図。遮光層の形成方法を示す概略断面図。第２実施形態におけるトランジスター及び遮光層の構造を示す概略断面図。第２実施形態のトランジスターに向かって入射する光の一例を示す概略断面図。第２実施形態の遮光層の形成方法を示す概略断面図。第３実施形態におけるトランジスター及び遮光層の構造を示す概略断面図。第３実施形態のトランジスターに向かって入射する光の一例を示す概略断面図。比較例の遮光層の反射分光特性を示すグラフ。実施例１の遮光層の反射分光特性を示すグラフ。実施例２の遮光層の反射分光特性を示すグラフ。実施例３の遮光層の反射分光特性を示すグラフ。第４実施形態の電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

本実施形態では、電気光学装置として、スイッチング素子である薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素ごとに備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図である。図３は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。

図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを備えた液晶パネル１１０を有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。素子基板１０の基材１０ｓは、本発明における透光性の基板の一例である。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール部４０を介して間隔を置いて貼り合わされている。額縁状に配置されたシール部４０の内側に液晶が注入され液晶層５０が構成されている。なお、上記間隔に液晶を注入する方法は、例えば、額縁状に配置されたシール部４０の内側に液晶を滴下して、減圧下で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるＯＤＦ（One Drop Fill）法が挙げられる。
シール部４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を用いることができる。本実施形態では、紫外線硬化型のエポキシ樹脂が採用されている。シール部４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール部４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅ１が設けられている。また、シール部４０と表示領域Ｅ１との間に表示領域Ｅ１を取り囲んで遮光性の見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、表示領域Ｅ１は表示に寄与する有効な画素Ｐ以外に、有効な画素Ｐを囲む複数のダミー画素を含んでいてもよい。

素子基板１０には、複数の外部接続用端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１の辺部とシール部４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール部４０と表示領域Ｅ１との間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール部４０と表示領域Ｅ１との間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール部４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線（図示省略）が設けられている。

これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線（図示省略）は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅ１との間のシール部４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、対向基板２０側から素子基板１０側に向かう方向に沿って見ることを「平面視」または「平面的に」と言う。

図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。素子基板１０の詳しい構成については、後述する。

素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、基材２０ｓのほぼ全面に亘って設けられ共通電極として機能する対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。

見切り部２１は、図１に示すように表示領域Ｅ１を取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅ１に入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅ１の表示における高いコントラストを確保している。なお、本実施形態では紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いてシール部４０が形成されているため、見切り部２１は平面視でシール部４０と重ならないように配置されている。よって、素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせにおける位置精度とシール部４０の紫外線硬化性とを考慮して、わずかではあるが隙間がある（図１参照）。

平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極１５を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。

次に図３を参照して、液晶装置１００（液晶パネル１１０）の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅ１において互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３及び複数のデータ線６と、データ線６に沿って平行に配置された容量線７とを有する。走査線３が延在する方向がＸ方向であり、データ線６が延在する方向がＹ方向である。

走査線３、データ線６及び容量線７と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。

データ線６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３は走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７との間に設けられている。

なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６が接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では図示を省略している。

本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６に供給するサンプリング回路、データ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。

＜画素の構造＞
次に、本実施形態の液晶装置１００（液晶パネル１１０）における画素Ｐの構造について説明する。図４は、液晶装置の画素の構造を示す概略断面図である。

図４に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３が形成される。走査線３は、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）の中から選ばれる金属の無酸素系の金属化合物としての金属シリサイドを用いて形成されたバリア層と、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）の中から選ばれる金属を用いて形成されたメタル層とを含んで構成されている。走査線３は本発明における遮光層の一例である。したがって、走査線３を遮光層３と呼ぶこともある。走査線（遮光層）３の詳しい構成については、後述する。

走査線３を覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１１ａが形成され、下地絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第１ソース・ドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、第２ソース・ドレイン領域を有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が形成されている。
半導体層３０ａは、遮光性を有する走査線３の上方に設けられているため、基材１０ｓ側から半導体層３０ａに入射する光は遮光される。これにより、当該入射光によってＴＦＴ３０に光リーク電流が発生し、動作が不安定になることが防止される。

半導体層３０ａを覆うようにゲート絶縁膜１１ｂが形成される。さらにゲート絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。

ゲート電極３０ｇとゲート絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第１層間絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置にゲート絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。

そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第１層間絶縁膜１１ｃを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物、不純物をドープしたポリシリコンなどの遮光性の導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域（ＴＦＴ３０のソース）に繋がるデータ線６が形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域（ＴＦＴ３０のドレイン）に繋がる第１中継電極６ｂが形成される。

次に、データ線６及び第１中継電極６ｂと第１層間絶縁膜１１ｃを覆って第２層間絶縁膜１２が形成される。第２層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物からなる。そして、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。

第１中継電極６ｂと重なる位置に第２層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に第２層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａと第２中継電極１６ｄとが形成される。

第１容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体層１６ｃを介して第２容量電極１６ｂと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜１３ａがパターニングされて形成される。また、第２中継電極１６ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ４と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜１３ａがパターニングされて形成される。絶縁膜１３ａは、この後に形成される第２容量電極１６ｂのパターニング時に第１容量電極１６ａがエッチングされることを防ぐために設けられるものである。

次に、絶縁膜１３ａと第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１６ｃが成膜される。誘電体層１６ｃとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）などの単層膜、又はこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第２中継電極１６ｄと重なる部分の誘電体層１６ｃはエッチングされて除かれる。誘電体層１６ｃを覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、第２中継電極１６ｄに繋がる第２容量電極１６ｂが形成される。誘電体層１６ｃと、誘電体層１６ｃを挟んで対向配置された第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとにより蓄積容量１６が構成される。

次に、第２容量電極１６ｂと誘電体層１６ｃとを覆う第３層間絶縁膜１３ｂが形成される。第３層間絶縁膜１３ｂも例えばシリコンの酸化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第３層間絶縁膜１３ｂの膜厚に比べて、絶縁膜１３ａや誘電体層１６ｃの膜厚は薄い。また、絶縁膜１３ａ及び誘電体層１６ｃは、必ずしも基材１０ｓの全面に亘って形成する必要はなく、蓄積容量１６の構成に係るようにパターニングしてもよい。

第２容量電極１６ｂのうち第２中継電極１６ｄと接する部分に至るように第３層間絶縁膜１３ｂを貫通するコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。

このコンタクトホールＣＮＴ４を被覆すると共に第３層間絶縁膜１３ｂを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、配線８ａと、コンタクトホールＣＮＴ４を介して第２中継電極１６ｄに電気的に接続される第３中継電極８ｂとが形成される。配線８ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６及び蓄積容量１６と重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。

配線８ａと第３中継電極８ｂとを覆うように第４層間絶縁膜１４が形成される。第４層間絶縁膜１４も、例えばシリコンの酸化物を用いて形成することができる。第４層間絶縁膜１４を貫通して第３中継電極８ｂに至るコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。

このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆し、第４層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ５を介して第３中継電極８ｂに電気的に繋がる画素電極１５が形成される。

第３中継電極８ｂは、コンタクトホールＣＮＴ４、第２容量電極１６ｂ、第２中継電極１６ｄ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域（ドレイン）と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１５と電気的に接続している。

第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図３参照）における容量線７として機能している。第１容量電極１６ａには固定電位が与えられる。これにより、ＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域（ドレイン）を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとの間において保持することができる。

画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の対向電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長させた柱状体１８ａ，２４ａの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対して柱状体１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical Alignment）する。画素電極１５と対向電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と対向電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。

次に、画素Ｐにおける主要な構成の平面的な配置について、図５を参照して説明する。図５は画素の主要な構成と開口領域及び非開口領域との関係を示す概略平面図である。

図５に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面視で略四角形（略正方形）の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。

Ｘ方向に延在する非開口領域には、図３及び図４に示した走査線３が設けられている。走査線３は遮光性の導電部材が用いられており、走査線３によって非開口領域の一部が構成されている。

同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図３及び図４に示したデータ線６や容量線７（第１容量電極１６ａ）が設けられている。データ線６や容量線７（第１容量電極１６ａ）もまた遮光性の導電膜が用いられており、これらによって非開口領域の一部が構成されている。

非開口領域の交差部には、図３及び図４に示したＴＦＴ３０が設けられている。本実施形態では、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、非開口領域の交差部においてＹ方向に延在して配置されている。半導体層３０ａとデータ線６との接続を図るコンタクトホールＣＮＴ１や、半導体層３０ａと第１中継電極６ｂとの接続を図るコンタクトホールＣＮＴ２もまた非開口領域に設けられている。このように遮光性を有する非開口領域の交差部にＴＦＴ３０を設けることにより、開口領域における開口率を確保している。交差部にＴＦＴ３０を設ける関係上、交差部の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。なお、非開口領域の交差部において半導体層３０ａはＹ方向に延在して配置されることに限定されず、Ｘ方向に延在して配置されてもよい。したがって、非開口領域の交差部の形状は、ＴＦＴ３０の配置に対応したものであればよく、Ｘ方向とＹ方向とに均等に開口領域側にはみ出していなくてもよい。

画素Ｐごとに画素電極１５が設けられている。画素電極１５は平面視で略正方形であり、画素電極１５の外縁が非開口領域と重なるようにして開口領域に設けられている。なお、図５には図示していないが、図４に示した蓄積容量１６や配線８ａなども非開口領域に配置されている。

本実施形態の液晶装置１００は、透過型であって、対向基板２０側から光が入射することを前提として、素子基板１０には、画素ＰのＴＦＴ３０に入射する光を遮光する遮光構造が取り入れられている。以降、素子基板１０におけるＴＦＴ３０の遮光構造について詳しく説明する。

＜トランジスターの遮光構造＞
図６は、図５のＡ−Ａ’線に沿った第１実施形態におけるトランジスター及び遮光層の構造を示す概略断面図、図７は第１実施形態のトランジスターに向かって入射する光の一例を示す概略断面図である。図６及び図７を参照してＴＦＴ３０の遮光構造について説明する。なお、図５のＡ−Ａ’線は、画素Ｐの開口領域からＴＦＴ３０の半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域、チャネル領域、第２ソース・ドレイン領域を通過し、再び開口領域に至る線分である。

図６及び図７に示すように、素子基板１０は、基材１０ｓ上に、走査線として機能する遮光層３と、遮光層３に対して下地絶縁膜１１ａを介して配置された半導体層３０ａを有するＴＦＴ３０とを有している。なお、下地絶縁膜１１ａは、本発明における絶縁膜の一例である。

ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、第１ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、第２ソース・ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造となっている。半導体層３０ａはゲート絶縁膜１１ｂによって覆われ、チャネル領域３０ｃに対してゲート絶縁膜１１ｂを介してゲート電極３０ｇが対向配置されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｇとを含んで構成される。なお、接合領域３０ｅ，３０ｆは、本発明における不純物（不純物イオン）の低濃度領域の一例である。

遮光層３は、基材１０ｓ側から、第１バリア層３１、メタル層３３、第２バリア層３２が積層された構造となっている。第１バリア層３１及び第２バリア層３２は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの中から選ばれる金属の無酸素系の金属化合物としての金属シリサイドが用いられている。本実施形態では、第１バリア層３１及び第２バリア層３２は、Ｗ−Ｓｉ（タングステンシリサイド）であって、膜厚は例えば５０ｎｍである。メタル層３３は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれる金属の単体であって、本実施形態ではＴｉが用いられている。遮光層３のうち、平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃ及び接合領域３０ｆ、並びに第２ソース・ドレイン領域３０ｄの一部と重なる第１の部分３ａのメタル層３３の膜厚は例えば１００ｎｍである。これに対して、遮光層３のうち、平面視で半導体層３０ａの接合領域３０ｅ及び第１ソース・ドレイン領域３０ｓと重なる第２の部分３ｂのメタル層３３の膜厚は上記第１の部分３ａよりも薄く例えば５０ｎｍである。また、上記第２ソース・ドレイン領域３０ｄの一部を除く他の部分と重なる第３の部分３ｃのメタル層３３の膜厚は、上記第１の部分３ａよりも薄く例えば５０ｎｍである。第２の部分３ｂ及び第３の部分３ｃは、メタル層３３の端部を構成する部分である。遮光層３の第１の部分３ａ、第２の部分３ｂ、第３の部分３ｃを除いた端部を構成する部分が第４の部分３ｄであって、第４の部分３ｄは、第１バリア層３１により構成されている。

第２バリア層３２は、メタル層３３を覆うように設けられ、開口領域と非開口領域との境では、第１バリア層３１と接するように設けられている。なお、メタル層３３の直下に第１バリア層３１を設け、メタル層３３を第２バリア層３２で覆うことにより、遮光層３の上記第４の部分３ｄを第２バリア層３２により構成するとしてもよい。

第１バリア層３１及び第２バリア層３２の膜厚や、メタル層３３の膜厚は、上述した値に限定されるものではない。遮光層３の第２の部分３ｂにおけるメタル層３３の膜厚が第１の部分３ａのメタル層３３の膜厚よりも薄い状態であればよい。

Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒは、酸化物となるよりもシリサイドになり易い金属である。一方で、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆは、シリサイドとなるよりも酸化物となり易い金属である。本実施形態の遮光層３の詳しい形成方法については後述するが、例えば、遮光層３をメタル層３３のみで構成した場合、酸化シリコンからなる下地絶縁膜１１ａでメタル層３３を覆い、下地絶縁膜１１ａ上にポリシリコンからなる半導体層３０ａを加熱温度が６００℃以上の高温プロセスで形成すると、メタル層３３が酸化されて金属酸化物に変化するおそれがある。メタル層３３が金属の単体から金属酸化物に変化すると、光の透過率が上昇して遮光性が低下する。本実施形態のように、メタル層３３を金属シリサイドである第１バリア層３１と第２バリア層３２とで挟むように被覆すると、メタル層３３は酸化され難くなる。つまり、遮光層３は半導体層３０ａの形成過程で遮光性が低下し難い構造となっている。

図４に示したように、素子基板１０の基材１０ｓ上において、ＴＦＴ３０の上層には、遮光性の導電材料を用いて形成されたデータ線６及び第１中継電極６ｂを含む配線層や、同じく遮光性の導電材料を用いて形成された第１容量電極１６ａ及び第２容量電極１６ｂを含む蓄積容量１６や、配線８ａが配置されて非開口領域が構成されている。つまり、本実施形態のように液晶装置１００において対向基板２０側から画素Ｐに光が入射する構成では、液晶層５０を透過した光は、開口領域を透過するものの、非開口領域に配置されたＴＦＴ３０には入射し難い構造となっている。

ところが、液晶装置１００を後述するような投射型表示装置の光変調手段として用いる場合、画素Ｐの開口領域を透過して素子基板１０側から射出された光（表示光）の一部が、投射型表示装置内の構造物（例えば、偏光素子など）の表面で反射して、素子基板１０に入射する迷光（戻り光とも言う）となることがある。このような迷光がＴＦＴ３０に入射すると光リーク電流が生ずるため、基材１０ｓとＴＦＴ３０との間に遮光層３が設けられている。

液晶装置１００を上記光変調手段として用いることを考慮すると、光源から画素Ｐに入射する光の強度にもよるが、遮光層３のＯＤ（Optical Density）値を少なくとも３以上、好ましくは４以上とするように、遮光層３が設計される。なお、ＯＤ値は、遮光層３の遮光性を示す値であって、透過率Ｔ（Ｔ≦１）の逆数の常用対数値（Ｌｏｇ₁₀（１／Ｔ））である。よって、ＯＤ値が３であることは、透過率Ｔが０．００１（０．１％）であることを示すものである。

図７に示すように、上述した迷光のうち、基材１０ｓに対して法線方向からチャネル領域３０ｃや接合領域３０ｆへ向かう光Ｌ１ａは、遮光層３の第１の部分３ａによって遮光される。第１の部分３ａに対して第２の部分３ｂは、メタル層３３の膜厚が薄いことから、第１の部分３ａに比べて第２の部分３ｂの遮光性が低下し、基材１０ｓに対して法線方向から第２の部分３ｂに入射した光Ｌ１ｂの一部は、遮光層３を透過するおそれがある。

また、対向基板２０側から入射して素子基板１０の画素Ｐにおける開口領域を透過する光は、必ずしも光軸に沿って直進するだけでなく、屈折率が異なる透光性の層の界面や非開口領域を構成する配線などの端部で反射し、光軸に対して斜め方向に進行する斜め光にもなる。

図７に示すように、例えば、半導体層３０ａの第２ソース・ドレイン領域３０ｄ（ＴＦＴ３０のドレイン）側の開口領域から遮光層３に入射する斜め光Ｌ２は、遮光層３を透過できないものの、遮光層３の第２バリア層３２の表面で反射して接合領域３０ｆやチャネル領域３０ｃに入射するおそれがある。同様に、半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓ（ＴＦＴ３０のソース）側の開口領域から遮光層３に入射する斜め光Ｌ３は、遮光層３の第２バリア層３２の表面で反射して接合領域３０ｅやチャネル領域３０ｃに入射するおそれがある。第２の部分３ｂにおけるメタル層３３の膜厚が薄いため、遮光層３の第２の部分３ｂに入射した斜め光Ｌ３の一部は、遮光層３を透過する。

ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生は、主にチャネル領域３０ｃやチャネル領域３０ｃに接する接合領域３０ｅ，３０ｆに光が入射することによって励起される。一方で、ＴＦＴ３０の第１ソース・ドレイン領域３０ｓには、画像情報に基づいて電位が時間の経過と共に変化する画像信号（Ｄ１，Ｄ２，・・・Ｄｎ）が印加されることから、第１ソース・ドレイン領域３０ｓやこれに接する接合領域３０ｅに光が入射してもＴＦＴ３０のソース・ドレイン間に光リーク電流が発生し難い。つまり、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａにおけるチャネル領域３０ｃやこれに接する接合領域３０ｆに光が入射したときに光リーク電流が発生し易いという傾向がある。

したがって、上述したように、基材１０ｓ側からＴＦＴ３０に向かう迷光のうち、チャネル領域３０ｃや接合領域３０ｆに向かう光Ｌ１ａを遮光層３の第１の部分３ａで確実に遮光する。一方で、遮光層３の第２の部分３ｂにおけるメタル層３３の膜厚を薄くして遮光性を低下させることで、基材１０ｓ側からＴＦＴ３０に向かう光Ｌ１ｂの一部を透過させるものの、開口領域から遮光層３の第２の部分３ｂに入射する斜め光Ｌ３の反射光の強度を弱くすることにより、ＴＦＴ３０における斜め光や迷光に起因する光リーク電流の発生を抑制する。

また、図７には図示していないが、遮光層３の端部を構成する第４の部分３ｄは、メタル層３３を含んで構成されていないので、第４の部分３ｄの遮光性は、他の部分に比べて低い。したがって、第４の部分３ｄに開口領域から斜め光が入射すると、当該斜め光の一部は、第４の部分３ｄを透過する。よって、第４の部分３ｄで反射してチャネル領域３０ｃや接合領域３０ｅ，３０ｆに向かう反射光の強度が弱くなる。つまり、遮光層３の端部である第４の部分３ｄで反射した光によるＴＦＴ３０の光リーク電流の発生も抑制される。

上述した斜め光や迷光の強度は、液晶装置１００の画素Ｐに入射する光の強度が強くなるほど、やはり強くなる。したがって、このような斜め光や迷光に配慮した遮光層３の構造は、画素Ｐに入射する光の強度が強くなるほど有効である。

＜遮光層の形成方法＞
次に、遮光層３の形成方法について、図８〜図１１を参照して説明する。図８〜図１１は遮光層の形成方法を示す概略断面図である。なお、図８〜図１１は、図６の概略断面図に対応するものである。

本実施形態の遮光層３の形成方法は、まず、図８に示すように、基材１０ｓ上に、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの中から選ばれる金属の金属化合物としての金属シリサイドであるバリア膜３１ａを成膜し、続いて、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれる金属であるメタル膜３３ａを成膜して積層する。本実施形態では、膜厚が例えばおよそ５０ｎｍのＷ−Ｓｉからなるバリア膜３１ａと、膜厚が例えば１００ｎｍのＴｉからなるメタル膜３３ａとを成膜する。バリア膜３１ａの成膜方法としては、例えば、ＷとＳｉとをターゲットとするスパッタ法や、反応ガスとして６フッ化タングステン（ＷＦ₆）と、シラン（ＳｉＨ₄）やジクロロシラン（ＤＣＳ）とを用いるＣＶＤ法などが挙げられる。メタル膜３３ａの成膜方法としては、例えば、Ｔｉをターゲットとするスパッタ法や、塩化チタン（ＴｉＣｌ₄）と水素Ｈ₂とアルゴン（Ａｒ）とを含む反応ガスを用いるプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。

次に、図９に示すように、メタル膜３３ａ上にレジストパターン６０をフォトリソグラフィ法により形成する。レジストパターン６０は、上述した遮光層３の第１の部分３ａに対応する位置に形成する。そして、ドライエッチングによりメタル膜３３ａを部分的にエッチングして、上述した遮光層３の第２の部分３ｂや第３の部分３ｃに対応するメタル膜３３ａの膜厚を例えばおよそ５０ｎｍとする。なお、ドライエッチング後にレジストパターン６０は剥離される。

次に、図１０に示すように、ドライエッチング後のメタル膜３３ａを覆うようにレジストパターン７０を形成する。レジストパターン７０は、上述した遮光層３の第１の部分３ａ及び第２の部分３ｂ並びに第３の部分３ｃに対応する位置に形成する。そして、ドライエッチングによりメタル膜３３ａをエッチングする。これにより、メタル層３３が形成される。なお、ドライエッチング後にレジストパターン７０は剥離される。

次に、図１１に示すように、メタル層３３を覆うように膜厚が例えばおよそ５０ｎｍのＷ−Ｓｉからなるバリア膜を成膜し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして第１バリア層３１と第２バリア層３２とを形成する。これにより、基材１０ｓ側から順に積層された、第１バリア層３１、メタル層３３、第２バリア層３２からなる遮光層３が形成される。

上記第１実施形態の液晶装置１００によれば、以下の効果が得られる。
（１）素子基板１０において、基材１０ｓとＴＦＴ３０との間に設けられた遮光層３は、無酸素系の金属化合物であるＷ−Ｓｉ（タングステンシリサイド）を用いて形成された第１バリア層３１及び第２バリア層３２と、Ｔｉ（チタン）を用いて形成されたメタル層３３とを含んで構成されている。メタル層３３は、第１バリア層３１と第２バリア層３２とにより挟まれているため、半導体層３０ａを形成する際の高温プロセスで、メタル層３３が酸化され難い。つまり、メタル層３３の酸化により遮光層３の遮光性が低下することを防ぐことができる。

（２）平面視で、遮光層３の第１の部分３ａは、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃ及び接合領域３０ｆ並びに第２ソース・ドレイン領域３０ｄと重なり、遮光層３の第２の部分３ｂは、半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓ及び接合領域３０ｅと重なり、第２の部分３ｂにおけるメタル層３３の膜厚は、第１の部分３ａにおけるメタル層３３の膜厚よりも薄い。
したがって、開口領域から遮光層３の第２の部分３ｂに入射する斜め光Ｌ３の一部は、第２の部分３ｂを透過する。ゆえに、第２の部分３ｂにおける反射光の強度を、第１の部分３ａにおける反射光の強度に比べて弱くすることができることから、遮光層３に斜め方向から入射して反射した反射光によるＴＦＴ３０の光リーク電流の発生を抑制できる。

（３）遮光層３の開口領域側の端部（第４の部分３ｄ）は、メタル層３３を含まず、第１バリア層３１により構成されていることから、開口領域から遮光層３の端部に入射した斜め光の一部は、遮光層３の端部を透過する。したがって、遮光層３の端部の反射光の強度を、遮光層３の第１の部分３ａにおける反射光の強度よりも弱くすることができる。つまり、遮光層３の端部で反射した反射光によるＴＦＴ３０の光リーク電流の発生を抑制できる。

（４）遮光層３の第１の部分３ａは、平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃ及び接合領域３０ｆ並びに第２ソース・ドレイン領域３０ｄと重なるように形成され、第１の部分３ａのメタル層３３の膜厚は、第１の部分３ａ以外の第２の部分３ｂのメタル層３３の膜厚よりも厚い。したがって、基材１０ｓ側から半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃ及び接合領域３０ｆ並びに第２ソース・ドレイン領域３０ｄに向かって入射する迷光を遮光層３の第１の部分３ａにより確実に遮光することができる。つまり、当該迷光によるＴＦＴ３０の光リーク電流の発生を防ぐことができる。

（５）メタル層３３をＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれる金属を用いて形成する場合、ＴＦＴ３０の形成プロセスにおける熱処理などの影響でメタル層３３にクラックが生じ易い。本実施形態では、メタル層３３のうち第２の部分３ｂの膜厚を第１の部分３ａに比べて薄く形成することから、上述した熱処理などによる応力が分散してクラックが生じ難くなり、素子基板１０を歩留りよく形成することができる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の電気光学装置について、上記第１実施形態と同様に液晶装置を例に挙げ、図１２及び図１３を参照して説明する。第２実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００と基本的に同じ構成を有するものであって、ＴＦＴ３０の下層に配置される遮光層の層構成を異ならせたものである。したがって、上記第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図１２は第２実施形態におけるトランジスター及び遮光層の構造を示す概略断面図、図１３は第２実施形態のトランジスターに向かって入射する光の一例を示す概略断面図である。なお、図１２及び図１３は、上記第１実施形態の図５のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図に対応するものである。

図１２及び図１３に示すように、素子基板１０は、基材１０ｓ上に、走査線として機能する遮光層１３０と、遮光層１３０に対して下地絶縁膜１１ａを介して配置された半導体層３０ａを有するＴＦＴ３０とを有している。

ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、第１ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、第２ソース・ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造となっている。半導体層３０ａはゲート絶縁膜１１ｂによって覆われ、チャネル領域３０ｃに対してゲート絶縁膜１１ｂを介してゲート電極３０ｇが対向配置されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｇとを含んで構成される。

遮光層１３０は、基材１０ｓ側から、第１バリア層１３１、メタル層１３３、第２バリア層１３２が積層された構造となっている。第１バリア層１３１及び第２バリア層１３２は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの中から選ばれる金属の無酸素系の金属化合物である金属シリサイドであって、本実施形態ではＷ−Ｓｉ（タングステンシリサイド）が用いられている。メタル層１３３は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれる金属の単体であって、本実施形態ではＴｉが用いられている。遮光層１３０のうち、平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃ及び接合領域３０ｆ並びに第２ソース・ドレイン領域３０ｄと重なる第１の部分１３０ａにメタル層１３３が設けられている。メタル層１３３の膜厚は例えば１００ｎｍである。これに対して、遮光層１３０のうち、平面視で半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓ及び接合領域３０ｅと重なる第２の部分１３０ｂは、第１バリア層１３１と第２バリア層１３２とにより構成されている。すなわち、遮光層１３０の第１の部分１３０ａと第２の部分１３０ｂとでは構成が異なり、第２の部分１３０ｂの遮光性は、第１の部分１３０ａに比べて低くなる。

第１バリア層１３１の膜厚は例えば２５ｎｍである。第２バリア層１３２は、メタル層１３３と第１バリア層１３１とを覆うように設けられ、その膜厚は例えば２５ｎｍである。なお、第１バリア層１３１及び第２バリア層１３２の膜厚や、メタル層１３３の膜厚は上述した値に限定されるものではない。

図１３に示すように、基材１０ｓ側から入射して半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃ及び接合領域３０ｆに向かう光Ｌ１ａは、遮光層１３０の第１の部分１３０ａによって遮光される。基材１０ｓ側から遮光層１３０の第２の部分１３０ｂに入射した光Ｌ１ｂの一部は、第２の部分１３０ｂにメタル層１３３が含まれていないため、第２の部分１３０ｂを透過して、第１ソース・ドレイン領域３０ｓ及び接合領域３０ｅに入射する。

一方で、開口領域から遮光層１３０の第２の部分１３０ｂに斜め方向から入射する斜め光Ｌ４の一部もまた、第２の部分１３０ｂにメタル層１３３が含まれていないため、第２の部分１３０ｂを透過する。これにより、開口領域から遮光層１３０の第２の部分１３０ｂに斜め方向から入射する斜め光Ｌ４の反射光の強度を弱くすることができる。

図１４は第２実施形態の遮光層の形成方法を示す概略断面図である。本実施形態の遮光層１３０の形成方法としては、まず、基材１０ｓ上に膜厚が例えば２５ｎｍのＷ−Ｓｉからなるバリア膜１３１ａと、膜厚が例えば１００ｎｍのＴｉからなるメタル膜１３３ａとを成膜して積層する。そして、図１４に示すように、前述した第１の部分１３０ａに対応する位置にフォトリソグラフィ法によりレジストパターン８０を形成し、ドライエッチングにより、メタル膜１３３ａをエッチングする。レジストパターン８０を剥離した後に、膜厚が例えば２５ｎｍのＷ−Ｓｉからなるバリア膜を成膜して、同じくフォトリソグラフィ法によりパターニングすることで、図１３に示したような、第１バリア層１３１、メタル層１３３、第２バリア層１３２が積層された遮光層１３０を形成する。

なお、図１４に示したドライエッチング工程で、バリア膜１３１ａをエッチングして取り除いてから、膜厚が例えば５０ｎｍのバリア膜を成膜してパターニングしてもよい。これによれば、遮光層１３０の第２の部分１３０ｂは、第２バリア層１３２だけで構成されることになる。したがって、遮光層１３０の第２の部分１３０ｂに入射した斜め光Ｌ４は、遮光層１３０の端部を透過し易くなり、端部で反射され難くなる。

上記第２実施形態の遮光層１３０によれば、上記第１実施形態の効果（１）に加えて、以下の効果が得られる。
（６）基材１０ｓ側から半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃ及び接合領域３０ｆ並びに第２ソース・ドレイン領域（ＴＦＴ３０のドレイン）に入射する迷光の一例である光Ｌ１ａは、遮光層１３０の第１の部分１３０ａによって遮光される。また、遮光層１３０の端部を構成する第２の部分１３０ｂに開口領域から入射した斜め光Ｌ４は、その一部が第２の部分１３０ｂを透過することから、第２の部分１３０ｂで反射し難くなる。すなわち、迷光の一例である光Ｌ１ａや斜め光Ｌ４の反射光によるＴＦＴ３０の光リーク電流の発生が防止あるいは抑制される。なお、基材１０ｓ側から遮光層１３０の第２の部分１３０ｂに入射する迷光である光Ｌ１ｂの一部は、第２の部分１３０ｂを透過して、半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓ（ＴＦＴ３０のソース）及び接合領域３０ｅに入射するが、上記第１実施形態で説明したようにＴＦＴ３０のソース側では光リーク電流が生じ難い。

（７）メタル層１３３をＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれる金属を用いて形成する場合、ＴＦＴ３０の形成プロセスにおける熱処理などの影響でメタル層１３３にクラックが生じ易い。本実施形態では、メタル層１３３を第１の部分１３０ａに対応させて形成した。これにより、メタル層１３３を第１の部分１３０ａと第２の部分１３０ｂとに亘って形成する場合に比べて、半導体層３０ａの直下におけるメタル層１３３の形成範囲を小さくすることができるので、上述した熱処理などによる応力が分散してクラックが生じ難くなり、素子基板１０を歩留りよく形成することができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態の電気光学装置について、上記第１実施形態と同様に液晶装置を例に挙げ、図１５及び図１６を参照して説明する。第３実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００と基本的に同じ構成を有するものであって、ＴＦＴ３０の下層に配置される遮光層の層構成を異ならせたものである。したがって、上記第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図１５は第３実施形態におけるトランジスター及び遮光層の構造を示す概略断面図、図１６は第３実施形態のトランジスターに向かって入射する光の一例を示す概略断面図である。なお、図１５及び図１６は、上記第１実施形態の図５のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図に対応するものである。

図１５及び図１６に示すように、素子基板１０は、基材１０ｓ上に、走査線として機能する遮光層２３０と、遮光層２３０に対して下地絶縁膜１１ａを介して配置された半導体層３０ａを有するＴＦＴ３０とを有している。

遮光層２３０は、基材１０ｓ側から、第１バリア層２３１、第１メタル層２３４、第２バリア層２３２、第２メタル層２３５、第３バリア層２３３が順に積層された構造となっている。第１バリア層２３１及び第２バリア層２３２並びに第３バリア層２３３は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの中から選ばれる金属の無酸素系の金属化合物である金属シリサイドであって、本実施形態ではＷ−Ｓｉ（タングステンシリサイド）が用いられている。第１メタル層２３４及び第２メタル層２３５は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれる金属の単体であって、本実施形態ではＴｉが用いられている。遮光層２３０のうち、平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃ及び接合領域３０ｆ並びに第２ソース・ドレイン領域３０ｄ（ＴＦＴ３０のドレイン）と重なる第１の部分２３０ａは、第１バリア層２３１と、第１メタル層２３４と、第２バリア層２３２と、第２メタル層２３５と、第３バリア層２３３とにより構成されている。第１メタル層２３４の膜厚は例えば１００ｎｍであり、第２メタル層２３５の膜厚は例えば４０ｎｍである。また、第１バリア層２３１の膜厚は例えば５０ｎｍであり、第２バリア層２３２の膜厚は例えば５０ｎｍである。第３バリア層２３３の膜厚は例えば２５ｎｍである。

遮光層２３０のうち、平面視で半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓ（ＴＦＴ３０のソース）及び接合領域３０ｅと重なる第２の部分２３０ｂは、第１バリア層２３１と、第１メタル層２３４と、第２バリア層２３２と、第３バリア層２３３とにより構成されている。遮光層２３０の端部を構成する第３の部分２３０ｃは、第１バリア層２３１と、第３バリア層２３３とにより構成されている。つまり、第１メタル層２３４は、遮光層２３０の第１の部分２３０ａと第２の部分２３０ｂとに亘って設けられている。第２メタル層２３５は、遮光層２３０の第１の部分２３０ａに設けられ、第２の部分２３０ｂには設けられていない。すなわち、遮光層２３０の第２の部分２３０ｂの遮光性は、第１の部分２３０ａの遮光性に比べて低くなる。遮光層２３０の端部を構成する第３の部分２３０ｃは、メタル層を含んでいないため他の部分に比べて遮光性が低くなる。
なお、第１バリア層２３１及び第２バリア層２３２並びに第３バリア層２３３の膜厚や、第１メタル層２３４及び第２メタル層２３５の膜厚は上述した値に限定されるものではない。また、本実施形態では、第１の部分２３０ａに２つのメタル層を平面視で重ねて配置したが、メタル層の数は、２つに限定されるものではない。基材１０ｓ上においてＴＦＴ３０側に位置する最上層のメタル層の膜厚が、最下層のメタル層の膜厚よりも薄い状態であればよい。

図１６に示すように、基材１０ｓ側から入射して半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃ及び接合領域３０ｅ，３０ｆに向かう光Ｌ１は、遮光層２３０の第１の部分２３０ａ及び第２の部分２３０ｂによって遮光される。

開口領域から遮光層２３０の第１の部分２３０ａに斜め方向から入射する斜め光Ｌ５は、第１の部分２３０ａを透過することはできず、その一部は反射する。ところが、第１メタル層２３４に比べて第２メタル層２３５の膜厚が薄いことから、第２メタル層２３５に入射した光の一部は第２メタル層２３５を透過する。したがって、同じ強度の光が、例えば、基材１０ｓ側から斜めに第１の部分２３０ａに入射して第１メタル層２３４によって反射した場合と、開口領域から入射して第２メタル層２３５で反射した場合とでは、第２メタル層２３５で反射してＴＦＴ３０側に向かう光の反射率は低くなる。

また、開口領域から遮光層２３０の第２の部分２３０ｂに斜め方向から入射する斜め光Ｌ６の反射光は、第２の部分２３０ｂに第２メタル層２３５が含まれていないため、第１の部分２３０ａで反射した斜め光Ｌ５の反射光に比べて強度が強くなる。一方で、斜め光Ｌ６の第２の部分２３０ｂにおける反射光が第１ソース・ドレイン領域３０ｓや接合領域３０ｅに入射したとしても、上記第１実施形態で説明したように、ＴＦＴ３０のソース側では光リーク電流が生じ難い。

上記第３実施形態の遮光層２３０によれば、以下の効果が得られる。
（８）基材１０ｓ側から半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃ及び接合領域３０ｅ，３０ｆに入射する迷光の一例である光Ｌ１は、遮光層２３０の第１の部分２３０ａ及び第２の部分２３０ｂによって遮光される。第１の部分２３０ａには、第１メタル層２３４と第２メタル層２３５とが含まれているため、上記第２実施形態に比べて基材１０ｓ側から入射する光に対する遮光性は向上する。一方で、第１の部分２３０ａに開口領域から入射した斜め光Ｌ５の一部は、第３バリア層２３３と第２メタル層２３５とを透過する。したがって、遮光層２３０の第１の部分２３０ａに開口領域から斜め方向に入射して反射する反射光の強度を低くすることができる。

また、遮光層２３０の第２の部分２３０ｂには、第２メタル層２３５が設けられていないので、開口領域から第２の部分２３０ｂに入射した斜め光Ｌ６の反射率は、第１の部分２３０ａの反射率に比べて大きくなるものの、ＴＦＴ３０の光リーク電流の発生には影響し難い。遮光層２３０の端部を構成する第３の部分２３０ｃは、第１メタル層２３４及び第２メタル層２３５を含まず、第１バリア層２３１と第３バリア層２３３とにより構成されている。すなわち、迷光の一例である光Ｌ１や斜め光Ｌ５，Ｌ６の反射光、遮光層２３０の端部で反射した反射光によるＴＦＴ３０の光リーク電流の発生が防止あるいは抑制される。

（９）ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに近い側の第２メタル層２３５の膜厚が、半導体層３０ａから遠い側の第１メタル層２３４の膜厚よりも薄いことから、半導体層３０ａの形成プロセスにおける高温プロセスで第２メタル層２３５が酸化されたとしても、第１メタル層２３４は酸化され難く、第１メタル層２３４の遮光性は確保される。そして、第２メタル層２３５が酸化されて遮光性が低下することは、第２メタル層２３５の反射率の低下に繋がるため、遮光層２３０の第１の部分２３０ａに開口領域から斜めに入射して反射する反射光の強度を低下させる。すなわち、当該反射光による光リーク電流の発生を防止または抑制できる。

（１０）第２メタル層２３５をＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれる金属を用いて形成する場合、ＴＦＴ３０の形成プロセスにおける熱処理などの影響で第２メタル層２３５にクラックが生じ易い。本実施形態では、第２メタル層２３５を第１の部分２３０ａに対応させて形成した。これにより、第２メタル層２３５を第１の部分２３０ａと第２の部分２３０ｂとに亘って形成する場合に比べて、半導体層３０ａの直下における第２メタル層２３５の形成範囲を小さくすることができるので、上述した熱処理などによる応力が分散してクラックが生じ難くなり、素子基板１０を歩留りよく形成することができる。

上記各実施形態の遮光層における遮光性及び反射性は、遮光層を構成するバリア層及びメタル層の構成による。以下、比較例と実施例とを挙げて説明する。

（比較例）
比較例の遮光層における反射性（反射率）について、図１７を参照して説明する。図１７は比較例の遮光層の反射分光特性を示すグラフである。比較例の遮光層は、基材１０ｓとしての石英基板上にスパッタ法でＷ−Ｓｉを成膜し、さらにＷ−Ｓｉの膜に膜厚が４００ｎｍの酸化シリコン膜を成膜して、窒素（Ｎ₂）ガス雰囲気下で６００℃以上、この場合は７００℃で２時間の熱処理が施されている。図１７のグラフは、リファレンス（ＲＥＦ）として単結晶シリコンウェハの反射率を１００％とし、比較例の遮光層におけるＷ−Ｓｉの膜厚の違いによる反射率の分光特性を示したものである。Ｗ−Ｓｉの膜厚が、２５ｎｍ、５０ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍｎ、２５０ｎｍの５水準において、反射率を測定した。

反射率の測定方法としては、石英基板の法線方向から光を入射させ、Ｗ−Ｓｉからなる遮光層で反射した光の強度を測定して、ＲＥＦと比較することで反射率を導いた。このような反射率の測定装置としては、例えば、大塚電子株式会社製のマルチチャンネル分光器ＭＣＰＤシリーズなどを挙げることができる。当該測定装置の入射光のスポット径は、例えばφ２ｍｍである。

図１７に示すように、Ｗ−Ｓｉの膜厚が２５ｎｍのときは、ＲＥＦに比べて可視光波長範囲（この場合、光の波長が４５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）で１００％以上の高い反射率が得られる。特に、緑色（５５０ｎｍ）や赤色（６５０ｎｍ）の波長では、１６０％以上の反射率となっている。反射率は光の波長が５５０ｎｍよりも短い短波長域、あるいは６５０ｎｍよりも長い長波長域で低くなっているが、ＲＥＦと比較すれば１００％よりも高い反射率となっている。

これに対して、Ｗ−Ｓｉの膜厚が５０ｎｍよりも厚くなると、可視光波長範囲で反射率は低下して行く。光の波長が上記短波長域、あるいは上記長波長域で反射率が低くなる傾向は変わらない。特に、短波長域では、反射率が急激に低下する傾向がある。短波長域では、Ｗ−Ｓｉの膜厚が５０ｎｍのときよりも、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍのほうが反射率が高くなる。長波長域では逆に、Ｗ−Ｓｉの膜厚が５０ｎｍのときよりも、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍのほうが反射率が低くなる。これは、反射率の分光特性が単に膜厚に依存するだけではなく、光が入射する側の表面状態にもよると考えられる。

Ｗ−Ｓｉをバリア層として用いる場合は、ある程度の膜厚が必要であるが、膜厚が５０ｎｍよりも薄くなると反射率が高くなり、膜厚が５０ｎｍよりも厚くなると、反射率が低下する。Ｗ−Ｓｉからなる遮光層における反射率が上昇すると、反射光がＴＦＴ３０の半導体層３０ａ（特にチャネル領域３０ｃあるいはＴＦＴ３０のドレイン側の接合領域３０ｆ）に入射して半導体層３０ａが励起され、光リーク電流が発生するおそれがある。

（実施例１）
実施例１は、上記第１実施形態における遮光層３の構成に対応するものであって、膜厚が５０ｎｍのＷ−Ｓｉからなる第１バリア層３１と、第１バリア層３１上に形成され、第１の部分３ａの膜厚が１００ｎｍであり、第２の部分３ｂの膜厚が５０ｎｍであるＴｉからなるメタル層３３と、メタル層３３上に形成され、膜厚が５０ｎｍのＷ−Ｓｉからなる第２バリア層３２とにより構成されている。さらに、遮光層３を覆うようにして膜厚が４００ｎｍの酸化シリコン膜を成膜し、窒素（Ｎ₂）ガス雰囲気下で６００℃以上、この場合は７００℃で２時間の熱処理が施されている。

図１８は実施例１の遮光層の反射分光特性を示すグラフである。図１８のグラフは、比較例の場合と同様にして、遮光層３の第１の部分３ａ（ＷＴＷ５０／１００／５０ｎｍとして示す）の反射率と、第２の部分３ｂ（ＷＴＷ５０／５０／５０ｎｍとして示す）の反射率とを測定したものである。図１８に示すように、メタル層３３の膜厚を薄くした第２の部分３ｂの反射率は、第１の部分３ａよりも低くなっている。さらに、例えば、遮光層をすべてＷ−Ｓｉとした比較例において、膜厚を１５０ｎｍ、あるいは２００ｎｍとした場合に比べて、実施例１では、短波長域の反射率が低くなっている。短波長域における反射率を低下させる目的では、比較例に示したように、遮光層を膜厚が５０ｎｍのＷ−Ｓｉからなる単層とすることが考えられるが、このような比較例の構成では、半導体層３０ａを形成する際の高温プロセスで遮光性が低下してしまうおそれがある。

なお、測定系が異なるが、実施例１の遮光層３における第１の部分３ａのＯＤ値は４．３であり、第２の部分３ｂのＯＤ値は３．８であった。

（実施例２）
実施例２は、上記第２実施形態における遮光層１３０の構成に対応するものであって、膜厚が２５ｎｍのＷ−Ｓｉからなる第１バリア層１３１と、第１バリア層１３１上に形成され、第１の部分１３０ａの膜厚が１００ｎｍであるＴｉからなるメタル層１３３と、メタル層１３３及び第１バリア層１３１を覆うように形成され、膜厚が２５ｎｍのＷ−Ｓｉからなる第２バリア層１３２とにより構成されている。さらに、遮光層１３０を覆うようにして膜厚が４００ｎｍの酸化シリコン膜を成膜し、窒素（Ｎ₂）ガス雰囲気下で６００℃以上、この場合は７００℃で２時間の熱処理が施されている。

図１９は実施例２の遮光層の反射分光特性を示すグラフである。図１９のグラフは、比較例の場合と同様にして、遮光層１３０の第１の部分１３０ａ（ＷＴＷ２５／１００／２５ｎｍとして示す）の反射率と、第２の部分１３０ｂ（ＷＳｉ_５０ｎｍとして示す）の反射率とを測定したものである。

図１９に示すように、第２の部分１３０ｂの反射率における分光特性は、図１７に示したＷ−Ｓｉの膜厚が５０ｎｍの比較例の反射率とほぼ同じであり、短波長側では反射率が６０％程度まで低下しているが、緑色（５５０ｎｍ）及び赤色（６５０ｎｍ）では、反射率が１２０％以上となっている。第１の部分１３０ａの反射率は、第２の部分１３０ｂよりも可視光波長範囲（４５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）で低下している。実施例２では、遮光層をすべてバリア層で構成する場合に比べて、第１の部分１３０ａの反射率が低くなる。また、上記実施例１の第１の部分３ａに比べて、実施例２の第１の部分１３０ａの方が短波長域での反射率が低下していることが分かる。言い換えれば、Ｔｉからなるメタル層上にＷ−Ｓｉからなるバリア層を形成すると、石英基板上にＷ−Ｓｉからなるバリア層を形成した場合に比べて、反射率が低くなる傾向がある。また、Ｔｉからなるメタル層上にＷ−Ｓｉからなるバリア層を形成する場合、Ｗ−Ｓｉのバリア層の膜厚によって、短波長域での反射率が変化する。これは、Ｔｉからなるメタル層上にＷ−Ｓｉからなるバリア層を形成したほうが表面におけるグレインサイズが小さくなって反射率に影響を及ぼしていると考えられる。

なお、実施例２の遮光層１３０における第１の部分１３０ａのＯＤ値は４．４であり、メタル層１３３を含まない第２の部分１３０ｂのＯＤ値は０．８７であった。

（実施例３）
実施例３は、上記第３実施形態における遮光層２３０の構成に対応するものであって、膜厚が５０ｎｍのＷ−Ｓｉからなる第１バリア層２３１と、第１バリア層２３１上に形成され、第１の部分２３０ａの膜厚が１００ｎｍであるＴｉからなる第１メタル層２３４と、第１メタル層２３４上に形成され、膜厚が５０ｎｍのＷ−Ｓｉからなる第２バリア層２３２と、第２バリア層２３２上に形成され、膜厚が４０ｎｍであるＴｉからなる第２メタル層２３５と、第２メタル層２３５及び第１バリア層２３１を覆うように形成され、膜厚が２５ｎｍのＷ−Ｓｉからなる第３バリア層２３３とにより構成されている。さらに、遮光層２３０を覆うようにして膜厚が４００ｎｍの酸化シリコン膜を成膜し、窒素（Ｎ₂）ガス雰囲気下で６００℃以上、この場合は７００℃で２時間の熱処理が施されている。なお、第２メタル層２３５をパターニングする際に、下層の第２バリア層２３２がエッチングされたため、遮光層２３０の第２の部分２３０ｂの第２バリア層２３２と第３バリア層２３３とが積層された部分の膜厚はおおよそ５０ｎｍであった。

図２０は実施例３の遮光層の反射分光特性を示すグラフである。図２０のグラフは、比較例の場合と同様にして、遮光層２３０の第１の部分２３０ａ（ＷＴ／ＷＴＷ２５／４０／５０／１００／５０ｎｍとして示す）の反射率と、第２の部分２３０ｂ（ＷＴＷ５０／１００／５０ｎｍとして示す）の反射率とを測定したものである。

図２０に示すように、第２の部分２３０ｂの反射率における分光特性は、図１８に示した実施例１における第１の部分３ａ（ＷＴＷ５０／１００／５０ｎｍ）の反射率とほぼ同じであり、短波長側では反射率が６０％程度まで低下しているが、緑色（５５０ｎｍ）及び赤色（６５０ｎｍ）では、反射率が１００％以上となっている。第１の部分２３０ａの反射率は、第２の部分２３０ｂよりも可視光波長範囲（４５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）で低下している。言い換えれば、実施例３の第１の部分２３０ａの反射率は、実施例１の第１の部分３ａの反射率に比べて低下している。

なお、実施例３の遮光層２３０における第１の部分２３０ａのＯＤ値は４．５であり、第２の部分２３０ｂのＯＤ値は４．３であった。つまり、実施例３のほうが実施例１や実施例２に比べて遮光性が向上している。

これら実施例１〜実施例３の遮光層によれば、比較例の例えば膜厚が２５ｎｍのＷ−Ｓｉからなる単層の遮光層に比べて、可視光波長範囲における斜め光に対する反射率を低減できる。また、比較例の例えば膜厚が２００ｎｍのＷ−Ｓｉからなる単層の遮光層に比べて、短波長域での斜め光に対する反射率を低減できる。さらに、迷光に対して高い遮光性を実現することができる。

（第４実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器として、投射型表示装置を例に挙げて説明する。図２１は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図２１に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、画素Ｐに強い色光が入射したとしてもＴＦＴ３０における光リーク電流の発生が抑制されるため、明るい表示が可能であると共に、安定した表示状態を実現可能な投射型表示装置１０００を提供することができる。

なお、本実施形態の投射型表示装置１０００では、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）のそれぞれに対応した例えばレーザー光源やＬＥＤなどの固体光源を設けてもよい。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記各実施形態において、平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと重なるメタル層３３，１３３及び第２メタル層２３５のソース側の端部の位置は、チャネル領域３０ｃのソース側の端部の位置と同じであることに限定されない。平面視でメタル層３３，１３３及び第２メタル層２３５は、チャネル領域３０ｃと重なっていれば、ソース側の端部の位置は、チャネル領域３０ｃから接合領域３０ｅに掛かる位置であってもよい。

（変形例２）上記各実施形態の遮光層における端部の構成は、これに限定されない。例えば、上記第１実施形態では、遮光層３の端部に相当する第４の部分３ｄは、第１バリア層３１または第２バリア層３２で構成されるとしてが、第１バリア層３１と第２バリア層３２とで構成されるとしてもよい。同様に、上記第３実施形態では、遮光層２３０の端部に相当する第３の部分２３０ｃは、第１バリア層２３１と第３バリア層２３３とで構成されているが、第１バリア層２３１、第２バリア層２３２、第３バリア層２３３を含んで構成されるとしてもよい。これによれば、素子基板の構成に対応して様々な遮光層のパターニング形態を採用できる。

（変形例３）上記各実施形態における遮光層を適用可能な液晶装置は、透過型であることに限定されず、画素電極１５が光反射性を有する反射型や、半透過反射型の液晶装置においても適用することができる。

（変形例４）上記各実施形態における遮光層を適用可能な電気光学装置は、液晶装置に限定されない。例えば、画素に有機ＥＬ素子などの発光素子を備えた表示装置にも適用することができる。

（変形例５）上記各実施形態の液晶装置が適用される電子機器は、上記第４実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、液晶装置として画素に着色層を有するカラーフィルターを備える構成とすることで、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

３，１３０，２３０…遮光層としての走査線、３ａ，１３０ａ，２３０ａ…遮光層の第１の部分、３ｂ，１３０ｂ，２３０ｂ…遮光層の第２の部分、１０…素子基板、１０ｓ…透光性の基板としての基材、１１ａ…絶縁膜としての下地絶縁膜、３０…トランジスターとしての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…第２ソース・ドレイン領域、３０ｅ，３０ｆ…不純物の低濃度領域としての接合領域、３０ｓ…第１ソース・ドレイン領域、３１，１３１，２３１…第１バリア層、３２，１３２，２３２…第２バリア層、３３，１３３…メタル層、１００…電気光学装置としての液晶装置、２３４…第１メタル層、２３５…第２メタル層、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｐ…画素。

Claims

透光性の基板と、
前記基板に設けられた遮光層と、
前記遮光層に絶縁膜を介して画素ごとに設けられたスイッチング素子としてのトランジスターと、を備え、
前記遮光層は、前記基板側に設けられた無酸素系の金属化合物からなる第１バリア層と、前記第１バリア層上に設けられた金属からなるメタル層と、少なくとも前記メタル層を覆う前記金属化合物からなる第２バリア層と、を含み、
前記基板の法線方向における平面視において、前記遮光層のうち、前記トランジスターの半導体層の少なくともチャネル領域と重なる第１の部分と、前記第１の部分以外の第２の部分とでは、前記遮光層の層構成または前記メタル層の膜厚が異なり、前記第１の部分に比べて前記第２の部分の遮光性が低い、電気光学装置。
前記半導体層は、前記チャネル領域と、第１ソース・ドレイン領域と、第２ソース・ドレイン領域と、を含み、
前記基板の法線方向における平面視において、前記遮光層の前記第１の部分は、前記半導体層の前記チャネル領域及び第２ソース・ドレイン領域と重なり、前記遮光層の前記第２の部分は、前記半導体層の前記第１ソース・ドレイン領域と重なり、
前記第２の部分における前記メタル層の膜厚は、前記第１の部分における前記メタル層の膜厚よりも薄い、請求項１に記載の電気光学装置。
前記半導体層は、前記チャネル領域と、第１ソース・ドレイン領域と、第２ソース・ドレイン領域と、を含み、
前記基板の法線方向における平面視において、前記遮光層の前記第１の部分は、前記半導体層の前記チャネル領域及び前記第２ソース・ドレイン領域と重なり、前記遮光層の前記第２の部分は、前記半導体層の前記第１ソース・ドレイン領域と重なり、
前記第１の部分は前記第１バリア層と前記メタル層と前記第２バリア層とからなり、前記第２の部分は前記第１バリア層と前記第２バリア層とからなる、請求項１に記載の電気光学装置。
前記半導体層は、前記チャネル領域と、第１ソース・ドレイン領域と、第２ソース・ドレイン領域と、を含み、
前記基板の法線方向における平面視において、前記遮光層の前記第１の部分は、前記半導体層の前記チャネル領域及び前記第２ソース・ドレイン領域と重なり、前記遮光層の前記第２の部分は、前記半導体層の前記第１ソース・ドレイン領域と重なり、
前記第１の部分は、前記第１バリア層と、前記第１バリア層上に設けられた金属からなる第１メタル層と、少なくとも前記第１メタル層を覆う前記第２バリア層と、前記第２バリア層上に設けられた金属からなる第２メタル層と、少なくとも前記第２メタル層を覆う前記金属化合物からなる第３バリア層とからなり、
前記第２の部分は、前記第１バリア層と、前記第１メタル層と、前記第２バリア層と、前記第２バリア層を覆う前記第３バリア層とからなり、
前記第２メタル層の膜厚は、前記第１メタル層の膜厚よりも薄い、請求項１に記載の電気光学装置。
前記半導体層は、前記チャネル領域と前記第２ソース・ドレイン領域との間に、前記第２ソース・ドレイン領域よりも不純物の濃度が低い低濃度領域を含み、
前記第１の部分は、少なくとも前記チャネル領域及び前記低濃度領域並びに前記第２ソース・ドレイン領域と重なる、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
前記金属化合物は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの中から選ばれる金属のシリサイドであり、
前記金属は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれる、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
請求項１乃至６のいずれか一項の電気光学装置を備えた電子機器。