JP2007300265A - 圧電デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた圧電デバイスを提供する。
【解決手段】セラミック基板10と、セラミック基板10に固着された金属シールリング12と、セラミック基板10と金属シールリング12によって画定された収容凹部15に収容された水晶振動片16と、金属シールリング12と接合され収容凹部15内を気密に封止する金属蓋体20と、を備えた水晶振動子1であって、金属蓋体20が金属シールリング12の外形より大きな外形を有し、金属蓋体20の外周縁が金属シールリング12の側壁面に向かって曲折され、金属シールリング12上面の外周縁にて金属蓋体20とシーム溶接されており、この溶接状態は金属シールリング12上面および側壁面と金属蓋体20との間に形成されたAuとNiとを含む共晶合金にて接合されている。
【選択図】図1
【解決手段】セラミック基板10と、セラミック基板10に固着された金属シールリング12と、セラミック基板10と金属シールリング12によって画定された収容凹部15に収容された水晶振動片16と、金属シールリング12と接合され収容凹部15内を気密に封止する金属蓋体20と、を備えた水晶振動子1であって、金属蓋体20が金属シールリング12の外形より大きな外形を有し、金属蓋体20の外周縁が金属シールリング12の側壁面に向かって曲折され、金属シールリング12上面の外周縁にて金属蓋体20とシーム溶接されており、この溶接状態は金属シールリング12上面および側壁面と金属蓋体20との間に形成されたAuとNiとを含む共晶合金にて接合されている。
【選択図】図1
Description
本発明は電子機器などに用いられる圧電デバイスに関し、特に気密封止を必要とする圧電デバイスの構造に関する。
従来より水晶振動片などの圧電素子がパッケージに収納された圧電デバイスにおいて、圧電素子の特性および信頼性を確保するために、パッケージ内部を気密に封止する構造がとられている。
パッケージ内部を気密封止する方法として様々な方法が検討され、その一つにパッケージに固着された金属シールリングと金属蓋体とをシーム溶接する方法が知られている。
パッケージ内部を気密封止する方法として様々な方法が検討され、その一つにパッケージに固着された金属シールリングと金属蓋体とをシーム溶接する方法が知られている。
図7は金属シールリングと金属蓋体とをシーム溶接する圧電デバイスとしての水晶振動子の構成を示す模式断面図である。凹部が形成されたセラミック基板60に、この凹部を取り囲むように金属シールリング62が固着されている。セラミック基板60と金属シールリング62によって画定される収容凹部65の底面に、水晶振動片66が導電性接着剤68にて固定されている。そして、金属シールリング62と金属蓋体70とをシーム溶接することで、収容凹部65内を気密に封止し水晶振動子5が構成されている。なお、金属シールリング62の表面にはNi、Auの順にメッキが施され、金属蓋体70の表面にはNiメッキが施されている。シーム溶接において、両側よりローラ電極78が金属蓋体70の外周縁に当接し、一定の圧力の下で通電を行うことで接合部75に熱が発生し、AuとNiとの共晶合金が形成されて接合がなされている。
また、金属蓋体70は、その搭載位置が金属シールリング62に対してずれた場合にも接合領域を確保できるように、金属シールリング62の外形よりも小さいサイズのものが用いられている。
上記のシーム溶接の構成は他の方法に比べて溶接時のガスの発生が少なく、また、溶融した接合金属の一部が金属屑となって内部に飛散すること(スプラッシュ)が少ないことから、圧電デバイスの信頼性および特性を確保するための良好な方法として知られている。
また、金属蓋体70は、その搭載位置が金属シールリング62に対してずれた場合にも接合領域を確保できるように、金属シールリング62の外形よりも小さいサイズのものが用いられている。
上記のシーム溶接の構成は他の方法に比べて溶接時のガスの発生が少なく、また、溶融した接合金属の一部が金属屑となって内部に飛散すること(スプラッシュ)が少ないことから、圧電デバイスの信頼性および特性を確保するための良好な方法として知られている。
また、特許文献1に示すように、金属シールリングの外形以上のサイズを有する金属蓋体にクラッド化した銀ろう層を形成し、金属シールリングと金属蓋体をシーム溶接にて銀ろう層を溶融させて気密接合した圧電デバイスが知られている。この構成ではシーム溶接時の溶接温度の低減が図られ、金属蓋体の搭載位置がずれた場合でも接合領域の確保がなされている。
上記前者に示す構造の圧電デバイスでは、図8に示すように、金属蓋体70の搭載位置が金属シールリング62に対してずれた場合、接合位置の片側では金属シールリング62の外周縁付近で接合がなされ、もう一方では金属シールリング62の内周縁付近で接合がなされる。
このように、金属蓋体70の内周縁付近で接合がなされた部分では、接合の際、スプラッシュが発生して容易に収容凹部65内に多くの屑が飛散することになる。このため、水晶振動片66に飛散した屑が付着することや、また、収容凹部65内に一度飛散した屑が振動などにより移動して水晶振動片66に付着するなど、水晶振動子の特性および信頼性に悪影響を与えることがある。
特許文献1に示す圧電デバイスの構成では、接合材料としてAuとNiの共晶合金に比べて、銀ろう層が溶融するときのガス放出が多く、また、溶接温度が低いことから銀ろう層が溶けすぎてスプラッシュが発生しやすく、圧電デバイスの信頼性および特性に悪い影響を与えることが予想される。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた圧電デバイスを提供することにある。
このように、金属蓋体70の内周縁付近で接合がなされた部分では、接合の際、スプラッシュが発生して容易に収容凹部65内に多くの屑が飛散することになる。このため、水晶振動片66に飛散した屑が付着することや、また、収容凹部65内に一度飛散した屑が振動などにより移動して水晶振動片66に付着するなど、水晶振動子の特性および信頼性に悪影響を与えることがある。
特許文献1に示す圧電デバイスの構成では、接合材料としてAuとNiの共晶合金に比べて、銀ろう層が溶融するときのガス放出が多く、また、溶接温度が低いことから銀ろう層が溶けすぎてスプラッシュが発生しやすく、圧電デバイスの信頼性および特性に悪い影響を与えることが予想される。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた圧電デバイスを提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明はセラミック基板と、前記セラミック基板に固着された金属シールリングと、前記セラミック基板と前記金属シールリングによって画定された収容凹部に収容された圧電素子と、前記金属シールリングと接合され前記収容凹部内を気密に封止する金属蓋体と、を備えた圧電デバイスであって、前記金属蓋体が前記金属シールリングの外形より大きな外形を有し、前記金属蓋体の外周縁が前記金属シールリングの側壁面に向かって曲折され、前記金属シールリング上面の外周縁にて前記金属蓋体とシーム溶接されており、この溶接状態は前記金属シールリング上面および側壁面と前記金属蓋体との間に形成されたAuとNiとを含む共晶合金にて接合されていることを特徴とする。
この構成によれば、金属蓋体が金属シールリングの外形より大きな外形を有し、金属蓋体の外周縁が金属シールリングの側壁面に向かって曲折されている。このことから、金属シールリング上面の外周縁にてシーム溶接することで、金属シールリング上面と金属蓋体の平面部との間、および金属シールリング側壁面と金属蓋体の外周縁の曲折された部分との間がAuとNiとを含む共晶合金にて接合され、金属シールリングと金属蓋体との接合強度を確保できる。
また、AuとNiの共晶合金による接合であることから接合時のガス放出が少なく、さらに金属蓋体の搭載位置がずれても、接合が金属シールリングの外周縁でなされることから、接合部と収容凹部との距離が確保でき、収容凹部内に飛散する金属屑を低減することができる。
このように、本発明の圧電デバイスは、気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた圧電デバイスを提供することができる。
また、AuとNiの共晶合金による接合であることから接合時のガス放出が少なく、さらに金属蓋体の搭載位置がずれても、接合が金属シールリングの外周縁でなされることから、接合部と収容凹部との距離が確保でき、収容凹部内に飛散する金属屑を低減することができる。
このように、本発明の圧電デバイスは、気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた圧電デバイスを提供することができる。
また本発明の圧電デバイスは、前記収容凹部内に前記圧電素子を発振させる発振機能を有する回路素子がさらに収納されていても良い。
この構成によれば、圧電素子およびこの圧電素子を励振させる発振機能を有する回路素子を備えており、気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた圧電デバイスを提供することができる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。以下の実施形態では、圧電デバイスとして水晶振動子を例示して説明する。
(第1の実施形態)
(第1の実施形態)
図1は本実施形態の水晶振動子の構成を示し、図1(a)は模式平面図、図1(b)は同図(a)のA−A断線に沿う模式断面図である。
水晶振動子1は、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミック材料からなるセラミック基板10と、コバール材(Fe−Ni−Co合金)、42アロイなどの材料からなる金属シールリング12と、水晶振動片16と、コバール材、42アロイなどの材料からなる金属蓋体20とを備えている。
平板状のセラミック基板10には、金属層11がリング状に形成されている。この金属層11は、セラミック基板10上に形成されたタングステンまたはモリブデンなどからなるメタライズ層と、その上に形成されたNiなどのメッキ層から構成されている。
金属層11の上部にはリング状の金属シールリング12が、銀ろうなどのろう材19によりセラミック基板10に接合されている。そして、金属シールリング12の表面にはNi、Auの順にメッキが施されている。
水晶振動子1は、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミック材料からなるセラミック基板10と、コバール材(Fe−Ni−Co合金)、42アロイなどの材料からなる金属シールリング12と、水晶振動片16と、コバール材、42アロイなどの材料からなる金属蓋体20とを備えている。
平板状のセラミック基板10には、金属層11がリング状に形成されている。この金属層11は、セラミック基板10上に形成されたタングステンまたはモリブデンなどからなるメタライズ層と、その上に形成されたNiなどのメッキ層から構成されている。
金属層11の上部にはリング状の金属シールリング12が、銀ろうなどのろう材19によりセラミック基板10に接合されている。そして、金属シールリング12の表面にはNi、Auの順にメッキが施されている。
そして、セラミック基板10と金属シールリング12によって画定された収容凹部15に水晶振動片16が収容されている。水晶振動片16の表裏には励振電極17が形成され、導電性接着剤18を介してセラミック基板10に形成された接続パッド13と導通するように固定されている。また、セラミック基板10の裏面には外部接続電極14が形成され、その一部はセラミック基板10を貫通する配線により接続パッド13と導通するように構成されている。
金属シールリング12の上方には、この金属シールリング12の外形よりも大きな外形を有しNiメッキが施された金属蓋体20が配置され、シーム溶接により金属シールリング12と金属蓋体20とが接合部25にて接合されている。このようにして、水晶振動子1の収容凹部15内を気密に保つことができる。
ここで、このシーム溶接における金属シールリング12と金属蓋体20の溶接状態について詳しく説明する。
図2は、金属蓋体20を金属シールリング12上に載置したシーム溶接前の状態を示す模式部分断面図であり、図3はシーム溶接後の状態を示す模式部分断面図である。
図2において、平板状の金属蓋体20が金属シールリング12上に載置され、ローラ電極28が金属蓋体20の外周縁に当接し、一定の圧力の下で通電を行うことでシーム溶接が行われる。このとき、金属蓋体20は金属シールリング12より大きな外形を有していることから、ローラ電極28の圧力で金属蓋体20の外周縁が圧接され、金属シールリング12の側壁面に向かって斜面状に曲折される。そして、ローラ電極28より通電することで図3に示すように接合部25に熱が発生し、金属蓋体20にメッキされたNiと金属シールリング12にメッキされたAu,Niとが共晶合金を形成し、この共晶合金が溶融して接合がなされる。
この接合は、金属シールリング12上面の外周縁側で行われており、金属シールリング12の上面の平面部と金属蓋体20の平面部および、金属シールリング12の側壁面と金属蓋体20の外周縁の曲折部において、AuとNiの共晶合金が形成されている。
なお、本実施形態では、金属シールリング12の最表面にAuメッキを施したが、金属シールリング12にNiメッキを施し、金属蓋体20にNi、Auメッキを順次施して実施しても良い。
図2は、金属蓋体20を金属シールリング12上に載置したシーム溶接前の状態を示す模式部分断面図であり、図3はシーム溶接後の状態を示す模式部分断面図である。
図2において、平板状の金属蓋体20が金属シールリング12上に載置され、ローラ電極28が金属蓋体20の外周縁に当接し、一定の圧力の下で通電を行うことでシーム溶接が行われる。このとき、金属蓋体20は金属シールリング12より大きな外形を有していることから、ローラ電極28の圧力で金属蓋体20の外周縁が圧接され、金属シールリング12の側壁面に向かって斜面状に曲折される。そして、ローラ電極28より通電することで図3に示すように接合部25に熱が発生し、金属蓋体20にメッキされたNiと金属シールリング12にメッキされたAu,Niとが共晶合金を形成し、この共晶合金が溶融して接合がなされる。
この接合は、金属シールリング12上面の外周縁側で行われており、金属シールリング12の上面の平面部と金属蓋体20の平面部および、金属シールリング12の側壁面と金属蓋体20の外周縁の曲折部において、AuとNiの共晶合金が形成されている。
なお、本実施形態では、金属シールリング12の最表面にAuメッキを施したが、金属シールリング12にNiメッキを施し、金属蓋体20にNi、Auメッキを順次施して実施しても良い。
以上、本実施形態の水晶振動子1によれば、金属蓋体20が金属シールリング12の外形より大きな外形を有し、金属蓋体20の外周縁が金属シールリング12の側壁面に向かって曲折されている。このことから、金属シールリング12上面の外周縁にてシーム溶接がなされ、金属シールリング12上面と金属蓋体20の平面部との間、および金属シールリング12側壁面と金属蓋体20の外周縁の曲折された部分との間がAuとNiとを含む共晶合金にて接合され、金属シールリング12と金属蓋体20との接合強度を確保することができる。
また、金属蓋体20の搭載位置が金属シールリング12に対してずれた場合においても、図4の模式断面図に示すように、接合が金属シールリング12の外周縁でなされることから、接合部25と収容凹部15との距離を確保でき、収容凹部15内に飛散する金属屑を低減することが可能である。
このように、本実施形態の水晶振動子1は、気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた水晶振動子1を提供することができる。
(変形例)
また、金属蓋体20の搭載位置が金属シールリング12に対してずれた場合においても、図4の模式断面図に示すように、接合が金属シールリング12の外周縁でなされることから、接合部25と収容凹部15との距離を確保でき、収容凹部15内に飛散する金属屑を低減することが可能である。
このように、本実施形態の水晶振動子1は、気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた水晶振動子1を提供することができる。
(変形例)
次に、上記第1の実施形態の変形例について説明する。この変形例では、第1の実施形態とはセラミック基板の構成が異なり、第1の実施形態と同じ構成については同符号を付し説明する。
図5は第1の実施形態における変形例を示す水晶振動子の模式断面図である。
水晶振動子2は、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミック材料からなるセラミック基板30と、コバール材、42アロイなどの材料からなる金属シールリング32と、水晶振動片16と、コバール材、42アロイなどの材料からなる金属蓋体20とを備えている。
図5は第1の実施形態における変形例を示す水晶振動子の模式断面図である。
水晶振動子2は、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミック材料からなるセラミック基板30と、コバール材、42アロイなどの材料からなる金属シールリング32と、水晶振動片16と、コバール材、42アロイなどの材料からなる金属蓋体20とを備えている。
セラミック基板30には凹部が形成され、この凹部を取り囲むように金属層31がリング状に形成されている。この金属層31は、セラミック基板30上に形成されたタングステンまたはモリブデンなどからなるメタライズ層と、その上に形成されたNiなどのメッキ層から構成されている。
金属層31の上部にはリング状の金属シールリング32が銀ろうなどのろう材39により、セラミック基板30に接合されている。そして、金属シールリング32の表面にはNi、Auの順にメッキが施されている。
金属層31の上部にはリング状の金属シールリング32が銀ろうなどのろう材39により、セラミック基板30に接合されている。そして、金属シールリング32の表面にはNi、Auの順にメッキが施されている。
そして、セラミック基板30と金属シールリング32によって画定された収容凹部35に水晶振動片16が収容されている。水晶振動片16は収容凹部の接続パッド33に導電性接着剤18により固定されている。また、セラミック基板30の裏面には外部接続電極34が形成され、その一部はセラミック基板30を貫通する配線により接続パッド33と導通するように構成されている。
金属シールリング32の上方には、この金属シールリング32の外形よりも大きな外形を有しNiメッキが施された金属蓋体20が配置されている。ローラ電極(図示せず)の圧力で金属蓋体20の外周縁が圧接され、金属シールリング32の側壁面に向かって斜面状に曲折され、シーム溶接により金属シールリング32と金属蓋体20とが接合部25にて接合されている。この接合は、金属シールリング32上面の外周縁側で行われており、金属シールリング32の上面の平面部と金属蓋体20の平面部および、金属シールリング32の側壁面と金属蓋体20の外周縁の曲折部において、AuとNiの共晶合金が形成されている。
このように、セラミック基板30に凹部を形成した構成においても、接合の構成は同様であり、第1の実施形態と同様な効果を享受することができる。
(第2の実施形態)
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態として、収容凹部に回路素子と圧電素子とを収納した圧電デバイスについて説明する。本実施形態では水晶発振器を例示して説明する。
図6は、水晶発振器の構成を示す模式断面図である。
水晶発振器3は、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミック材料からなるセラミック基板40と、コバール材、42アロイなどの材料からなる金属シールリング42と、水晶振動片16と、コバール材、42アロイなどの材料からなる金属蓋体20とを備えている。
図6は、水晶発振器の構成を示す模式断面図である。
水晶発振器3は、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミック材料からなるセラミック基板40と、コバール材、42アロイなどの材料からなる金属シールリング42と、水晶振動片16と、コバール材、42アロイなどの材料からなる金属蓋体20とを備えている。
セラミック基板40には凹部が形成され、この凹部を取り囲むように金属層41がリング状に形成されている。この金属層41は、セラミック基板40上に形成されたタングステンまたはモリブデンなどからなるメタライズ層と、その上に形成されたNiなどのメッキ層から構成されている。
金属層41の上部にはリング状の金属シールリング42が銀ろうなどのろう材49により、セラミック基板40に接合されている。そして、金属シールリング42の表面にはNi、Auの順にメッキが施されている。
金属層41の上部にはリング状の金属シールリング42が銀ろうなどのろう材49により、セラミック基板40に接合されている。そして、金属シールリング42の表面にはNi、Auの順にメッキが施されている。
そして、セラミック基板40と金属シールリング42によって画定された収容凹部45に、ICチップ46と水晶振動片16が固定され収容されている。ICチップ46はAu線などの金属ワイヤ47により収容凹部45に形成された接続パッド48に接続され、水晶振動片16は収容凹部の接続パッド43に導電性接着剤18により固定されている。また、セラミック基板40の裏面には外部接続電極44が形成され、その一部はセラミック基板40を貫通する配線により接続パッド43または接続パッド48と導通するように構成されている。
金属シールリング42の上方には、この金属シールリング42の外形よりも大きな外形を有しNiメッキが施された金属蓋体20が配置されている。ローラ電極(図示せず)の圧力で金属蓋体20の外周縁が圧接され、金属シールリング42の側壁面に向かって斜面状に曲折され、シーム溶接により金属シールリング42と金属蓋体20とが接合部25にて接合されている。この接合は、金属シールリング42上面の外周縁側で行われており、金属シールリング42の上面の平面部と金属蓋体20の平面部および、金属シールリング42の側壁面と金属蓋体20の外周縁の曲折部において、AuとNiの共晶合金が形成されている。
以上、本実施形態の水晶発振器3によれば、金属蓋体20が金属シールリング42の外形より大きな外形を有し、金属蓋体20の外周縁が金属シールリング42の側壁面に向かって曲折されている。このことから、金属シールリング42上面の外周縁にてシーム溶接がなされ、金属シールリング42上面と金属蓋体20の平面部との間、および金属シールリング42側壁面と金属蓋体20の外周縁の曲折された部分との間がAuとNiとを含む共晶合金にて接合され、金属シールリング42と金属蓋体20との接合強度を確保している。
また、金属蓋体20の搭載位置が金属シールリング42に対してずれた場合においても、接合が金属シールリング42の外周縁でなされることから、接合部25と収容凹部45との距離が確保でき、収容凹部45内に飛散する金属屑を低減することが可能である。
このように、本実施形態の水晶発振器3は、気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた水晶発振器3を提供することができる。
また、金属蓋体20の搭載位置が金属シールリング42に対してずれた場合においても、接合が金属シールリング42の外周縁でなされることから、接合部25と収容凹部45との距離が確保でき、収容凹部45内に飛散する金属屑を低減することが可能である。
このように、本実施形態の水晶発振器3は、気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた水晶発振器3を提供することができる。
なお、本実施形態では、シーム溶接時のローラ電極による圧接により金属蓋体を金属シールリングの側壁に向かって曲折させたが、予め金属蓋体の外周縁を曲げておき、外周縁が曲げられた金属蓋体を搭載してシーム溶接を行っても良い。このようにすれば、金属蓋体の搭載位置決めを容易にし、シーム溶接時の金属蓋体のずれを少なくすることが可能である。
また、本発明の圧電デバイスは金属シールリングの外周縁側でシーム溶接されることから、従来の構造のように金属蓋体がずれることを考えて金属シールリングの幅を広く形成することなく、金属シールリングの幅を必要最低限に形成することができる。特にスペースの限られた小型化された圧電デバイスにおいて本発明の構成を採用すれば、金属シールリング内側のスペースを大きく確保することが可能である。このことから、金属シールリング内側に収納される圧電素子のサイズを大きく採ることができ、小型化され特性および信頼性に優れた圧電デバイスを提供することが可能となる。
また、本発明の圧電デバイスは金属シールリングの外周縁側でシーム溶接されることから、従来の構造のように金属蓋体がずれることを考えて金属シールリングの幅を広く形成することなく、金属シールリングの幅を必要最低限に形成することができる。特にスペースの限られた小型化された圧電デバイスにおいて本発明の構成を採用すれば、金属シールリング内側のスペースを大きく確保することが可能である。このことから、金属シールリング内側に収納される圧電素子のサイズを大きく採ることができ、小型化され特性および信頼性に優れた圧電デバイスを提供することが可能となる。
さらに、本実施形態では圧電素子として水晶振動片を用いた水晶振動子、水晶発振器を例示して説明したが、本発明は、水晶振動片に代えてタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどを用いた圧電振動片を利用しても良い。また、本発明は、圧電素子としてSAW素子を用いたSAWフィルタ、SAW共振子、SAW発振器、また、振動ジャイロ素子を用いたジャイロセンサなどの圧電デバイスに利用が可能である。
1,2…圧電デバイスとしての水晶振動子、3…圧電デバイスとしての水晶発振器、10…セラミック基板、11…金属層、12…金属シールリング、15…収容凹部、16…圧電素子としての水晶振動片、17…励振電極、18…導電性接着剤、19…ろう材、20…金属蓋体、25…接合部、28…ローラ電極、30…セラミック基板、31…金属層、32…金属シールリング、35…収容凹部、40…セラミック基板、41…金属層、42…金属シールリング、45…収容凹部、46…回路素子としてのICチップ、47…金属ワイヤ。
Claims (2)
- セラミック基板と、
前記セラミック基板に固着された金属シールリングと、
前記セラミック基板と前記金属シールリングによって画定された収容凹部に収容された圧電素子と、
前記金属シールリングと接合され前記収容凹部内を気密に封止する金属蓋体と、を備えた圧電デバイスであって、
前記金属蓋体が前記金属シールリングの外形より大きな外形を有し、前記金属蓋体の外周縁が前記金属シールリングの側壁面に向かって曲折され、前記金属シールリング上面の外周縁にて前記金属蓋体とシーム溶接されており、この溶接状態は前記金属シールリング上面および側壁面と前記金属蓋体との間に形成されたAuとNiとを含む共晶合金にて接合されていることを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項1に記載の圧電デバイスにおいて、
前記収容凹部内に前記圧電素子を発振させる発振機能を有する回路素子がさらに収納されていることを特徴とする圧電デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006124927A JP2007300265A (ja) | 2006-04-28 | 2006-04-28 | 圧電デバイス |
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JP2006124927A JP2007300265A (ja) | 2006-04-28 | 2006-04-28 | 圧電デバイス |
Publications (1)
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ID=38769410
Family Applications (1)
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Country | Link |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022436A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Seiko Instruments Inc | 電子部品、及び電子装置 |
TWI667879B (zh) * | 2016-12-12 | 2019-08-01 | 日商村田製作所股份有限公司 | 壓電振動件和模組構件及其等之製造方法 |
-
2006
- 2006-04-28 JP JP2006124927A patent/JP2007300265A/ja not_active Withdrawn
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JP2014022436A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Seiko Instruments Inc | 電子部品、及び電子装置 |
TWI667879B (zh) * | 2016-12-12 | 2019-08-01 | 日商村田製作所股份有限公司 | 壓電振動件和模組構件及其等之製造方法 |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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