JP2007296683A - パターンの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ナノインプリントの剥離工程において、ライン方向に平行に凹凸状のパターンが形成されたモールドを使用した場合、モールドのパターンのライン方向と剥離方向とのなす角度をθとすると、−5°≦θ≦5°であることが好ましい。また、同様に、交差するような凹凸状のパターンが形成されたモールドを使用した場合、転写・固化工程後にモールドを樹脂層から剥離する工程において、パターンそれぞれのラインが交わる角度θのうち、パターンに対する剥離方向のなす角をαとすると0.9×θ/2≦α≦1.1×θ/2であることが好ましい。以上のような剥離方法により、欠けなどの欠陥のないパターン形成方法を提供することができる。
【選択図】図2
Description
以上のような剥離方法により、モールド1によって作製された転写パターンは欠けの生じることのない凹凸の形状を再現することができる。
以上のような剥離方法により、モールド9によって作製された転写パターンは欠けの生じることのない凹凸の形状を再現することができる。
150mm×150mmで、厚さが6mmの合成石英の片面に、パターンエリアが10mm×10mm、幅0.1μm、深さ0.5μm、ピッチ0.2μmの凹部をドライエッチングにより形成し、モールドを作製した。
紫外線硬化型樹脂組成物
・ウレタンアクリレート 35部
(日本合成イヒ学工業(株)製、ゴーセラックUV−7500B)
・1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(日本化薬(株)製) 35部
・ペンタエリスリトールトリアクリレート(東亜合成(株)製) 10部
・ビニルピロリドン(東亜合成(株)製) 15部
・1−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン 2部
(チパ・スペシャルテイ・ケミカルズ(株)製、「イルガキュア184」を使用)
・ベンゾフェノン(日本化薬(株)製) 2部
・ポリエーテル変性シリコーン 1部
(GE東芝シリコーン(株)製、TSF4440)
[比較例1]
150mm×150mmで、厚さが6mmの合成石英の片面に、パターンエリアが10mm×10mm、幅0.2μm、深さ0.5μm、ピッチ1.0μm、90°で交差する凹部をドライエッチング法により形成し、モールドを作製した。
また、150mm×150mmで、厚さが6mmの合成石英の片面に、パターンエリアが10mm×10mm、幅0.2μm、深さ0.5μm、ピッチ1.0μm、90°で接する凹部をドライエッチング法により形成し、モールドを作製した。
[比較例2]
モールドの型面のひとつの凹部を基準として、凹部と剥離方向の角度αが35°の方向に剥離すると、凹部が交差する部分、凹部が接する部分はモールドに硬化した紫外線硬化型樹脂組成物が残存し、ポリカーボネートで裏打ちされた転写パターンはモールドの型面の凹凸が再現されなかった。
3、11……パターン
5、15………樹脂層
7、17………基板
Claims (2)
- 基板上に樹脂層を形成し、パターンを有するモールドで前記樹脂層を賦型し、前記モールドを剥離させて、前記基板上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記モールドを剥離する場合、前記モールドのパターンのライン方向と剥離方向とのなす角度θは−5°≦θ≦5°であることを特徴とするパターン形成方法。 - 基板上に樹脂層を形成し、パターンを有するモールドで前記樹脂層を賦型し、前記モールドを剥離させて、前記基板上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記モールドの2つのラインパターンが交差するモールドを剥離する場合、前記2つのパターンが交わる角度をθとした場合、パターンに対する剥離方向のなす角αは0.9×θ/2≦α≦1.1×θ/2であることを特徴とするパターン形成方法。
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