JP2007296645A - Transparent conductive laminate - Google Patents
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Description
本発明は、透明導電性積層体に関する。特に、透明導電性薄膜を積層してなる高透過率の積層体に関する。 The present invention relates to a transparent conductive laminate. In particular, the present invention relates to a high transmittance laminate formed by laminating transparent conductive thin films.
近年、タッチパネルやフラットパネルディスプレイの開発が進み、透明で導電性のある膜の需要が高まっている。また、表示画像の高画質化や高輝度化によって透明導電膜の品質要求も高くなっている。具体的には、鮮明な画像のため高透過率が求められ、電流を多く流すため低抵抗化が要求されている。特許文献1によると、導電性を有する透明導電体と基板の間に、透明誘電体を2層追加することによって導電性を有する多層反射防止膜付透明基板を実現し高透過率を達成することが記載されている。しかし、低抵抗化については言及されておらず、高透過率かつ低抵抗化が求められている。
本発明は、従来から用いられてきた製造設備を大幅に変更することなく、高い透明性と導電性の両面を具備した透明導電性積層体を得ることを目的とする。 An object of this invention is to obtain the transparent conductive laminated body which comprised both high transparency and electroconductivity, without changing the manufacturing equipment used conventionally.
請求項1に記載の発明は、透明基材上に、該基材側より透明導電性薄膜からなる第1層、第1層および第3層よりも屈折率が低い低屈折率薄膜からなる第2層、および、透明導電性薄膜からなる第3層を積層してなる透明導電性積層体であり、標準光源Cにおける透過色をL*a*b*系で表したときのb*の値が2.5以下となるように光学膜厚(屈折率×膜厚)を調整し、かつ前記透明導電性積層体の最表面の表面抵抗値が、前記第3層単独の表面抵抗値よりも低抵抗であることを特徴とする透明導電性積層体である。
請求項2に記載の発明は、前記第3層の光学膜厚が、前記第1層の光学膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の透明導電性積層体である。
請求項3に記載の発明は、前記第1層または第3層のいずれかが錫含有インジウム酸化物であることを特徴とする請求項1または2記載の透明導電性積層体である。
請求項4に記載の発明は、前記透明基材が、高分子樹脂による透明プラスチック基材であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電性積層体である。
請求項5に記載の発明は、前記透明基材が、ホウケイ酸ガラスであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電性積層体である。
請求項6に記載の発明は、標準光源Cにおける透過色をL*a*b*系で表したときのb*の値が1.0以下となるように光学膜厚を調製したことを特徴とする請求項4または5に記載の透明導電性積層体である。
請求項7に記載の発明は、ホウケイ酸ガラスからなる透明基材上に、該基材側より錫含有インジウム酸化物からなる第1層、SiO2からなる第2層、および、錫含有インジウム酸化物からなる第3層を積層してなり、前記第1層の光学膜厚(屈折率×膜厚)が70nmであり、前記第2層の光学膜厚が20nmであり、前記第3層の光学膜厚が100nmであることを特徴とする請求項6に記載の透明導電性積層体である。
請求項8に記載の発明は、ポリエチレンテレフタレートフィルムからなる透明基材上に、該基材側より錫含有インジウム酸化物からなる第1層、SiO2からなる第2層、および、錫含有インジウム酸化物からなる第3層を積層してなり、前記第1層の光学膜厚(屈折率×膜厚)が70nmであり、前記第2層の光学膜厚が20nmであり、前記第3層の光学膜厚が100nmであることを特徴とする請求項6に記載の透明導電性積層体である。
In the first aspect of the invention, the first layer made of a transparent conductive thin film from the side of the base material, the low refractive index thin film having a lower refractive index than the first layer and the third layer are formed on the transparent base material. The value of b * when the transparent color in the standard light source C is expressed in L * a * b * system, which is a transparent conductive laminate formed by laminating two layers and a third layer made of a transparent conductive thin film. The optical film thickness (refractive index × film thickness) is adjusted such that the surface resistance value of the transparent conductive laminate is more than the surface resistance value of the third layer alone. A transparent conductive laminate characterized by low resistance.
The invention according to
The invention according to
The invention according to claim 4 is the transparent conductive laminate according to any one of
The invention according to
The invention according to claim 6 is characterized in that the optical film thickness is adjusted so that the b * value is 1.0 or less when the transmitted color in the standard light source C is expressed by the L * a * b * system. The transparent conductive laminate according to
The invention according to claim 7 is the following: a transparent substrate made of borosilicate glass, a first layer made of tin-containing indium oxide, a second layer made of SiO 2 , and tin-containing indium oxide on the substrate side A third layer made of a material, the optical thickness of the first layer (refractive index × film thickness) is 70 nm, the optical thickness of the second layer is 20 nm, 7. The transparent conductive laminate according to claim 6, wherein the optical film thickness is 100 nm.
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a transparent substrate made of a polyethylene terephthalate film, a first layer made of tin-containing indium oxide from the substrate side, a second layer made of SiO 2 , and tin-containing indium oxide. A third layer made of a material, the optical thickness of the first layer (refractive index × film thickness) is 70 nm, the optical thickness of the second layer is 20 nm, 7. The transparent conductive laminate according to claim 6, wherein the optical film thickness is 100 nm.
本発明によれば、透明導電性の積層体に光学的膜厚調整を行い高い透明性を備え、第1層と第3層の透明導電性膜によって1つの層では達成できない抵抗値低下を行うことが出来るため、従来から用いられてきた製造設備に特別な改良を加えなくても、標準光源Cにおける透過色をL*a*b*系で表したときのb*の値が2.5以下となり、より好ましくは1.0以下となり無色透明で低抵抗の透明導電性積層体を得ることができる。 According to the present invention, the transparent conductive laminate is optically adjusted to have high transparency, and the first and third transparent conductive films reduce resistance that cannot be achieved by one layer. Therefore, the value of b * when the transmitted color of the standard light source C is expressed in the L * a * b * system is 2.5 without adding any special improvement to the manufacturing equipment that has been used conventionally. It becomes below, More preferably, it becomes 1.0 or less, and a transparent conductive laminated body of colorless and transparent and low resistance can be obtained.
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
一般に透明導電膜と言われるものは、透過率の高い可視光領域があり、電気伝導度が高いという2つの性質をもつ薄膜である。具体的には、透明導電性薄膜としては、インジウム、亜鉛、錫、チタン等の金属を含む酸化物、窒化物、酸窒化物、複合化合物の薄膜が挙げられる。具体的には、酸化亜鉛、錫含有インジウム酸化物(ITO)、窒化チタンなどが挙げられる。特に、錫含有インジウム酸化物は可視光透過率が高く抵抗値も低いため、好ましい。
反射率を減少させることで透過率を向上させることができる。そのためには、光の干渉を利用し、反射光が位相差π/4(ラジアン)となるように光学膜厚(屈折率×膜厚)を調整し、低反射の条件を決めることが出来る。最も基本となる構成は基材よりも低屈折率の膜を付けることである。これにより、基材単独より反射が抑えられ透過率が高くなる。さらに、基材側から高屈折率層と低屈折率層と順に重ねる方式や、基材側から高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層と4層つける事でさらに低反射な条件を得られる。
透明導電性薄膜は一般的に高屈折率な膜であるため、前記の低反射を得る条件のなかでは高屈折率層として利用することが出来る。また、基材よりも屈折率が高いため見方を変えれば基材を低屈折率層とみなせば、基材(低屈折率層)、透明導電性薄膜(高屈折率層)、低屈折率層、透明導電性薄膜(高屈折率層)といった構成になり、低反射による高透過率の条件を適応することができる。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
What is generally called a transparent conductive film is a thin film having two properties of having a visible light region with high transmittance and high electric conductivity. Specifically, examples of the transparent conductive thin film include oxide, nitride, oxynitride, and composite compound thin films containing metals such as indium, zinc, tin, and titanium. Specific examples include zinc oxide, tin-containing indium oxide (ITO), and titanium nitride. In particular, tin-containing indium oxide is preferable because it has high visible light transmittance and low resistance.
The transmittance can be improved by reducing the reflectance. For this purpose, the optical film thickness (refractive index × film thickness) is adjusted so that the reflected light has a phase difference of π / 4 (radian) by using the interference of light, and the conditions for low reflection can be determined. The most basic configuration is to attach a film having a lower refractive index than the base material. Thereby, reflection is suppressed and the transmittance is higher than that of the base material alone. In addition, the high refractive index layer and the low refractive index layer are stacked in order from the base material side, and the high refractive index layer, the low refractive index layer, the high refractive index layer, and the low refractive index layer are attached in four layers from the base material side. Furthermore, low reflection conditions can be obtained.
Since the transparent conductive thin film is generally a film having a high refractive index, it can be used as a high refractive index layer under the above conditions for obtaining low reflection. Also, since the refractive index is higher than the base material, if the view is changed, the base material (low refractive index layer), transparent conductive thin film (high refractive index layer), low refractive index layer can be regarded as a low refractive index layer. In addition, the transparent conductive thin film (high refractive index layer) is configured, and the high transmittance condition by low reflection can be applied.
透明基材の上に、第1の透明導電性薄膜を成膜する(第1層)。形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、化学気相蒸着法(CVD法)、イオンプレーティング法等が挙げられるが、これに限るものではない。 A first transparent conductive thin film is formed on the transparent substrate (first layer). Examples of the forming method include, but are not limited to, a vacuum deposition method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method (CVD method), an ion plating method, and the like.
次に、第1層上に、低屈折率薄膜層を成膜する(第2層)。第1層および第3層よりも屈折率が低い薄膜であれば良く、屈折率の低い薄膜の例をあげるとMgF2、LaF2などのフッ化化合物、SiO2、SiO、Al2O3などの金属酸化物が挙げられる。特に、金属酸化物は安定しているため好ましい。低屈折率薄膜層の成膜方法は、真空蒸着法、スパッタリング法、化学気相蒸着法(CVD法)、イオンプレーティング法、ゾルゲル法が挙げられるがこれに限るものではない。 Next, a low refractive index thin film layer is formed on the first layer (second layer). A thin film having a lower refractive index than the first layer and the third layer may be used. Examples of the thin film having a low refractive index include fluoride compounds such as MgF 2 and LaF 2 , SiO 2 , SiO, Al 2 O 3 and the like. These metal oxides can be mentioned. In particular, a metal oxide is preferable because it is stable. Examples of the method for forming the low refractive index thin film layer include, but are not limited to, vacuum deposition, sputtering, chemical vapor deposition (CVD), ion plating, and sol-gel.
第2層上の最表面となる、透明導電性薄膜層(第3層)は第1層と同様であり、透過率と抵抗値の関係から錫含有インジウム酸化物が好ましく、形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、化学気相蒸着法(CVD法)、イオンプレーティング法等が挙げられるが、これに限るものではない。第3層の光学膜厚は、第1層の光学膜厚よりも大きいことが好ましい。 The transparent conductive thin film layer (third layer) which is the outermost surface on the second layer is the same as the first layer, and a tin-containing indium oxide is preferable from the relationship between transmittance and resistance value. Examples include, but are not limited to, vacuum deposition, sputtering, chemical vapor deposition (CVD), and ion plating. The optical thickness of the third layer is preferably larger than the optical thickness of the first layer.
本発明の透明導電性積層体は、標準光源Cにおける透過色をJIS-Z8729-1994に記載されたL*a*b*系で表したとき、波長550nm付近の透過率が高いとb*は大きくなり、波長450nm付近の透過率が高いとb*が小さくなる。SiO2などに比べ、インジウムや錫の酸化物が僅かに可視光の透過率は減衰するのだが、b*の値が大きいと透過光は黄色くなる。b*の値を2.5以下にすることによって透明導電性積層体の透過光が無色に近づく。 In the transparent conductive laminate of the present invention, when the transmission color in the standard light source C is expressed by the L * a * b * system described in JIS-Z8729-1994, b * When the transmittance is high and the transmittance around the wavelength of 450 nm is high, b * becomes small. Compared to SiO 2 or the like, indium or tin oxide slightly attenuates the transmittance of visible light, but if the value of b * is large, the transmitted light becomes yellow. By setting the value of b * to 2.5 or less, the transmitted light of the transparent conductive laminate is nearly colorless.
透明導電性薄膜は、可視光範囲の透過率は高いがバンド間遷移による吸収のため紫外領域の透過率は下がる。反射率が最低となる波長が紫外領域では意味がないため、可視光領域で反射光が低くなるように設定する必要がある。具体的には、透明基材の屈折率を1.49としたなら、各層の光学膜厚(屈折率×膜厚)について第1層を70nm程度、第2層を20nm程度、第3層を100nm程度にすることで波長450nm付近で反射率が最低となり、b*値が0に近づき無色透明となる。 The transparent conductive thin film has a high transmittance in the visible light range, but the transmittance in the ultraviolet region decreases due to absorption due to interband transition. Since the wavelength with the lowest reflectance is meaningless in the ultraviolet region, it is necessary to set the reflected light to be low in the visible light region. Specifically, if the refractive index of the transparent substrate is 1.49, the optical thickness (refractive index × film thickness) of each layer is about 70 nm for the first layer, about 20 nm for the second layer, and about 100 nm for the third layer. As a result, the reflectance becomes the lowest in the vicinity of a wavelength of 450 nm, and the b * value approaches 0 and becomes colorless and transparent.
本発明の透明導電性積層体は、その最表面の表面抵抗値が、第3層単独の表面抵抗値よりも低抵抗である。例えば、第2層の低屈折率薄膜は10nm程度の膜厚(物理膜厚)で完全な絶縁体ではないため、最表面の表面抵抗値は第3層が単独のときよりも低下する。これはリーク電流が流れるためであると考えられる。 The surface resistance value of the outermost surface of the transparent conductive laminate of the present invention is lower than the surface resistance value of the third layer alone. For example, since the low refractive index thin film of the second layer is about 10 nm thick (physical film thickness) and is not a perfect insulator, the surface resistance value of the outermost surface is lower than when the third layer is single. This is presumably because a leak current flows.
透明基材として用いる高分子樹脂による透明プラスチック基材は、特に限定されるものではなく公知のものを使用することができる。例えばポリオレフィン系(ポリエチレン、ポリプロピレン等)、ポリエステル系(ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等)、ポリアミド系(ナイロン−6、ナイロン−66等)、ポリスチレン、エチレンビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリカーボネイト、ポリエーテルスルホン、アクリル、セルロース系(トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース等)などが挙げられるが特に限定されない。また、透明プラスチック基材を用いた場合、ロール・トゥ・ロールによって大量生産に適するため、好ましい。
また、透明基材としてホウケイ酸ガラスを用いることができる。ホウケイ酸ガラスは、線膨張係数が低く、硬度が高く、化学的耐久性に優れている面から工業的に多く使用されている。
The transparent plastic substrate made of a polymer resin used as the transparent substrate is not particularly limited, and a known one can be used. For example, polyolefin (polyethylene, polypropylene, etc.), polyester (polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc.), polyamide (nylon-6, nylon-66, etc.), polystyrene, ethylene vinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyimide, polyvinyl alcohol, Polycarbonate, polyethersulfone, acrylic, cellulose-based (triacetyl cellulose, diacetyl cellulose, etc.) and the like are exemplified, but not particularly limited. In addition, the use of a transparent plastic substrate is preferable because it is suitable for mass production by roll-to-roll.
Further, borosilicate glass can be used as the transparent substrate. Borosilicate glass is industrially used because it has a low coefficient of linear expansion, high hardness, and excellent chemical durability.
以下に本発明の実施例を示す。
実施例1
透明基材としてホウケイ酸ガラス(schott製 D263 サイズ100mm×100mm厚さ1.1mm)を用いて、インライン式スパッタリング装置(キヤノンアネルバ製ILC-803)によって第1層目のITOを成膜した。アルゴンガス100sccm、酸素ガス3sccmを導入し圧力を0.27Paとし、ITOターゲット(Sn含有量10%)には電力密度0.97W/cm2の直流電力を印加し、スパッタリングを行った。光学膜厚がおおよそ70nmとなるように搬送速度を設定し、第1層の透明導電性薄膜ITOを得た。その上に、真空蒸着装置(シンクロン製BMC-750)を用いて、ペレット状のSiO2材料(キヤノンオプトロン製SiO2)を電子ビーム加熱式真空蒸着法によってSiO2膜を成膜した。光学膜厚が20nmとなるように電子ビーム電流値と成膜時間を設定し、第2層の低屈折率薄膜層SiO2を得た。その上に、先ほどの第1層のITOを同様に成膜し、光学膜厚が100nmとなるように搬送速度を設定し、第3層の透明導電性薄膜ITOを得た。このように基材上に成膜された3層の積層体は、図1に示すように、透明基材(11)上に透明導電性薄膜からなる第1層(12)、その上に第1層および第3層よりも屈折率が低い低屈折率薄膜からなる第2層(13)、さらにその上に透明導電性薄膜からなる第3層(14)を積層してなる透明導電性積層体である。この透明導電性積層体を四端子法によって表面抵抗値を測定し、JIS-Z8729-1994に基づき、分光光度計によって標準光源CにおけるL*a*b*系透過色を測定し、b*値を得た。なお、第3層の透明導電性薄膜ITO単独の表面抵抗値は98.8[Ω/□]であった。
Examples of the present invention are shown below.
Example 1
Using a borosilicate glass (D263 size 100 mm × 100 mm thickness 1.1 mm manufactured by Schott) as a transparent substrate, ITO of the first layer was formed by an inline sputtering apparatus (ILC-803 manufactured by Canon Anelva). Argon gas 100 sccm and
比較例1
実施例1と同様に、透明基材としてホウケイ酸ガラス(schott製 D263 サイズ100mm×100mm厚さ1.1mm)を用いて、インライン式スパッタリング装置(キヤノンアネルバ製ILC-803)によってITOを成膜した。そのときの光学膜厚は100nmに設定し、そのITOを1層だけ成膜したものを透明導電性積層体として、実施例1と同様の測定を行った。
Comparative Example 1
In the same manner as in Example 1, ITO was formed using an in-line sputtering apparatus (ILC-803 manufactured by Canon Anelva) using borosilicate glass (D263 size 100 mm × 100 mm thickness 1.1 mm manufactured by Schott) as a transparent substrate. The optical film thickness at that time was set to 100 nm, and the same measurement as in Example 1 was performed using a single layer of ITO as a transparent conductive laminate.
実施例2
透明基材にポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ製T60、200mm幅、100μ厚)を用い、図2に示すような巻取式成膜装置によって成膜を行った。ポリエチレンテレフタレートフィルム(17)は、真空容器(15)内で巻取巻出ロール(16)によって巻出しおよび巻取りが行われる。ポリエチレンテレフタレートフィルム(17)はまず、ITOのスパッタリングターゲット(19)が備えられた成膜室内で、成膜ロール(18)に沿って移動しながらDCスパッタリング法によりITOが成膜される。続いて、SiO2の蒸発源(20)が備えられた成膜室内で、電子ビーム加熱式真空蒸着法によりSiO2が成膜される。実施例1と同様の条件と光学膜厚で3層を成膜した。得られた3層の積層体を透明導電性積層体として、実施例1と同様の測定を行った。
Example 2
A polyethylene terephthalate film (T60, manufactured by Toray, 200 mm wide, 100 μm thick) was used as the transparent substrate, and film formation was performed using a winding film forming apparatus as shown in FIG. The polyethylene terephthalate film (17) is unwound and wound by a winding / unwinding roll (16) in a vacuum container (15). The polyethylene terephthalate film (17) is first deposited by DC sputtering while moving along the deposition roll (18) in the deposition chamber provided with the ITO sputtering target (19). Subsequently, SiO 2 is deposited by an electron beam heating vacuum deposition method in a deposition chamber equipped with a SiO 2 evaporation source (20). Three layers were formed under the same conditions and optical film thickness as in Example 1. The same measurement as in Example 1 was performed using the obtained three-layer laminate as a transparent conductive laminate.
比較例2
実施例2と同様に、透明基材にポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ製T60 100μ厚)を用いて図2に示す巻取式成膜装置によって、ITOを成膜した。そのときの光学膜厚は100nmに設定し、そのITOを1層だけ成膜したものを透明導電性積層体として、実施例1と同様の測定を行った。
Comparative Example 2
In the same manner as in Example 2, ITO was formed into a film by a winding film forming apparatus shown in FIG. 2 using a polyethylene terephthalate film (T60 100 μ thickness made by Toray) as a transparent substrate. The optical film thickness at that time was set to 100 nm, and the same measurement as in Example 1 was performed using a single layer of ITO as a transparent conductive laminate.
以上の測定結果を表1に示す。 The above measurement results are shown in Table 1.
表1
table 1
これらの結果から、実施例のいずれも比較例より表面抵抗値が低下し、b*値が1.0以下となっている。よって、本発明の透明導電性積層体は、容易な手段によって、高透過率を維持しながら低抵抗化も実現できる。 From these results, in all of the examples, the surface resistance value is lower than that of the comparative example, and the b * value is 1.0 or less. Therefore, the transparent conductive laminate of the present invention can realize low resistance while maintaining high transmittance by an easy means.
本発明によれば、従来から用いられてきた製造設備を大幅に変更することなく、高い透明性と導電性の両面を具備した透明導電性積層体を得ることができ、タッチパネルやフラットパネルディスプレイ等に有用である。 According to the present invention, it is possible to obtain a transparent conductive laminate having both high transparency and conductivity without greatly changing the production equipment that has been used conventionally, such as touch panels and flat panel displays. Useful for.
11……透明基材、12……透明導電性薄膜からなる第1層、13……低屈折率薄膜からなる第2層、14……透明導電性薄膜からなる第3層、15……真空容器、16……巻取巻出ロール、17……透明プラスチック基材、18……成膜ロール、19……スパッタリングターゲット、20……蒸発源。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Transparent base material, 12 ... 1st layer which consists of a transparent conductive thin film, 13 ... 2nd layer which consists of a low refractive index thin film, 14 ... 3rd layer which consists of a transparent conductive thin film, 15 ... Vacuum Container, 16 ... winding and unwinding roll, 17 ... transparent plastic substrate, 18 ... film forming roll, 19 ... sputtering target, 20 ... evaporation source.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011076802A (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | Transparent conductive film |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07168196A (en) * | 1993-09-29 | 1995-07-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Laminated transparent electrically conductive base material and its production |
JPH11250756A (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Gunze Ltd | Electrode member for resistance film type transparent touch panel and its manufacture |
JPH11286066A (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-19 | Oike Ind Co Ltd | Transparent conductive film |
JP2004152727A (en) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Toyo Metallizing Co Ltd | Transparent conductive film |
-
2006
- 2006-04-27 JP JP2006123896A patent/JP4807503B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07168196A (en) * | 1993-09-29 | 1995-07-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Laminated transparent electrically conductive base material and its production |
JPH11250756A (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Gunze Ltd | Electrode member for resistance film type transparent touch panel and its manufacture |
JPH11286066A (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-19 | Oike Ind Co Ltd | Transparent conductive film |
JP2004152727A (en) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Toyo Metallizing Co Ltd | Transparent conductive film |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011076802A (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | Transparent conductive film |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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