JPH07168196A - Laminated transparent electrically conductive base material and its production - Google Patents

Laminated transparent electrically conductive base material and its production

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JPH07168196A
JPH07168196A JP6132258A JP13225894A JPH07168196A JP H07168196 A JPH07168196 A JP H07168196A JP 6132258 A JP6132258 A JP 6132258A JP 13225894 A JP13225894 A JP 13225894A JP H07168196 A JPH07168196 A JP H07168196A
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transparent conductive
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insulating layer
film
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一吉 井上
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暁 海上
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Abstract

PURPOSE:To provide a laminated transparent electrically conductive base material suitable for forming a transparent electrode having a transparent insulating layer on the surface by etching, capable of easily preventing the change of electric resistance of a transparent electrically conductive film in a production process and easily attaining relatively high surface precision and having the surface of transparent insulating layer high in electrical insulation. CONSTITUTION:The laminated transparent electrically conductive base material is provided at least with a transparent base material, the transparent electrically conductive film on one main surface of the transparent base material directly or with an under coating layer and the transparent insulating layer formed on the transparent electrically conductive film and the transparent insulating layer is composed of an acid soluble-alkali resistant inorganic compound.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子用等の透
明電極を作製するための材料として好適な積層型透明導
電基材に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated transparent conductive substrate suitable as a material for producing transparent electrodes for liquid crystal display devices and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子やエレクトロルミネッセン
ス表示素子(以下、EL表示素子と略記する)等の駆動
電極、あるいはカラーフィルターを電着法により製造す
る際の電極等としては、従来よりITO等からなる透明
電極が利用されている。これらの透明電極は、一般に、
ガラス基板や透明高分子フィルム等の透明基材の上に透
明電極用の透明導電膜を成膜した後、この透明導電膜を
所定のマスク(レジスト膜)を用いたエッチング法によ
り所望形状に成形することで製造される。そして、この
ような透明電極を得るのに好適な材料として、透明ガラ
ス基板上に透明導電膜を成膜したしたものや(以下、積
層型透明導電ガラスという)、透明高分子フィルム(シ
ートを含む)上に透明導電膜を成膜したもの(以下、積
層型透明導電フィルムという)が開発されている(以
下、これらを積層型透明導電基材と総称する)。
2. Description of the Related Art As a drive electrode for a liquid crystal display element, an electroluminescence display element (hereinafter abbreviated as an EL display element), or an electrode for manufacturing a color filter by an electrodeposition method, ITO or the like has been conventionally used. Transparent electrodes are used. These transparent electrodes are generally
After forming a transparent conductive film for transparent electrodes on a transparent substrate such as a glass substrate or transparent polymer film, this transparent conductive film is formed into a desired shape by an etching method using a predetermined mask (resist film) It is manufactured by doing. Then, as a material suitable for obtaining such a transparent electrode, a material obtained by forming a transparent conductive film on a transparent glass substrate (hereinafter, referred to as laminated transparent conductive glass), a transparent polymer film (including a sheet) ) A film having a transparent conductive film formed thereon (hereinafter referred to as a laminated transparent conductive film) has been developed (hereinafter, these are collectively referred to as a laminated transparent conductive substrate).

【0003】積層型透明導電基材は、上述のように透明
基材と透明導電膜とを必須部材とするものであるが、必
要に応じて、透明導電膜の上には無機酸化物、有機高分
子等からなる透明保護膜が設けられる。この透明保護膜
は、透明導電膜(透明電極)の耐磨耗性や耐擦過傷性の
向上、あるいは、エッチング時に透明導電膜(透明電
極)に微細なクラックが生じることの防止や、エッチン
グに使用したマスク(レジスト膜)をアルカリ性溶液を
用いて剥離するのに起因して透明導電膜(透明電極)の
導電性が低下することの防止等を目的として設けられる
ものである。
As described above, the laminated transparent conductive base material has the transparent base material and the transparent conductive film as essential members, but if necessary, an inorganic oxide, an organic compound or an organic compound may be provided on the transparent conductive film. A transparent protective film made of a polymer or the like is provided. This transparent protective film is used to improve the abrasion resistance and scratch resistance of the transparent conductive film (transparent electrode), prevent the generation of fine cracks in the transparent conductive film (transparent electrode) during etching, and are used for etching. The mask (resist film) is provided for the purpose of preventing the conductivity of the transparent conductive film (transparent electrode) from being lowered due to peeling using the alkaline solution.

【0004】透明保護層を有する積層型透明導電基材は
上述の目的を達成するうえで有用ではあるが、その一方
で、酸によるエッチングが困難であるためにエッチング
不良等の原因になるという難点を有しているものが多
い。このような難点を有していないものとしては、透明
導電膜上に酸可溶でかつ耐アルカリ性を有する1μ以下
の高分子薄膜からなる保護層(トップコート層)を塗布
法により形成した積層型透明導電基材が知られている
(特開昭61−16851号公報参照)。
The laminated transparent conductive substrate having a transparent protective layer is useful for achieving the above-mentioned objects, but on the other hand, it is difficult to etch with an acid, which causes a problem such as etching failure. Many have. One that does not have such drawbacks is a laminated type in which a protective layer (top coat layer) made of a polymer thin film of 1 μm or less that is acid-soluble and has alkali resistance is formed on a transparent conductive film by a coating method. A transparent conductive substrate is known (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-16851).

【0005】ところで、近年の液晶表示装置の発達は目
覚ましく、現在ではCRT(ブラウン管)に替わる表示
装置としてパーソナルコンピュータやワードプロセッサ
等のOA機器等へ活発に導入されている。この液晶表示
装置においては今日でもその応答性の向上が望まれてお
り、応答性を向上させるための一法として、最近では液
晶セルのセルギャップを小さくする試みがなされてい
る。
By the way, the recent development of the liquid crystal display device is remarkable, and nowadays it is actively introduced to OA equipments such as personal computers and word processors as a display device replacing the CRT (CRT). In this liquid crystal display device, improvement in response is still desired today, and as one method for improving the response, attempts have recently been made to reduce the cell gap of the liquid crystal cell.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】液晶表示素子において
互いに対向する2つの透明電極各々の内側(液晶側)に
は、通常、配向膜が配設されており、また、液晶セルの
セルギャップはスペーサー(高分子粒子等)を液晶セル
中に導入することで維持されているが、このスペーサー
を液晶セル内に均一に配置することは困難である。この
ためセルギャップを小さくした場合には、液晶表示素子
において互いに対向する2つの透明電極が直接または配
向膜を介して局所的に互いに接触するということが起き
易くなる。そして、このような接触があった場合には、
配向膜が介在していたとしても前記2つの透明電極間に
無用の導通が生じて、表示不良が起き易くなる。
In the liquid crystal display element, an alignment film is usually disposed inside each of the two transparent electrodes facing each other (on the liquid crystal side), and the cell gap of the liquid crystal cell is a spacer. Although it is maintained by introducing (polymer particles and the like) into the liquid crystal cell, it is difficult to uniformly dispose this spacer in the liquid crystal cell. Therefore, when the cell gap is reduced, it is likely that two transparent electrodes facing each other in the liquid crystal display element locally contact each other directly or through the alignment film. And if there is such contact,
Even if the alignment film is interposed, unnecessary conduction is generated between the two transparent electrodes, and a display defect is likely to occur.

【0007】上述した表示不良は、透明電極上に無機系
または有機系の透明電気絶縁層を設けることにより防止
することが可能であるが、エッチング法により所望形状
の透明電極を得た後にこの透明電極上に透明電気絶縁層
を設けたのでは、エッチング時に透明導電膜(透明電
極)に微細なクラックが生じることや、エッチングに使
用したマスク(レジスト膜)をアルカリ性溶液を用いて
剥離するのに起因して透明導電膜(透明電極)の導電性
が低下することを防止することができない。
The above-mentioned display failure can be prevented by providing an inorganic or organic transparent electrically insulating layer on the transparent electrode. However, after the transparent electrode having a desired shape is obtained by an etching method, this transparent Providing a transparent electrical insulation layer on the electrodes is useful for producing fine cracks in the transparent conductive film (transparent electrode) during etching and for removing the mask (resist film) used for etching with an alkaline solution. It is not possible to prevent the conductivity of the transparent conductive film (transparent electrode) from being lowered due to this.

【0008】また、透明導電膜の上に無機酸化物、有機
高分子等からなる透明保護層を設けた従来の積層型透明
導電基材(前記特開昭61−16851号公報に開示の
発明を除く)は、この透明保護層が透明電気絶縁層とし
ても機能し得るという点で好ましいものではあるが、前
述したように酸によるエッチングが困難であるためにエ
ッチング不良等を起し易いという難点を有している。こ
のため、この積層型透明導電基材を用いて上記の表示不
良を防止し得る透明電極(表面に透明電気絶縁層を有す
るもの)を得ることは困難である。
Further, a conventional laminated type transparent conductive substrate having a transparent protective layer made of an inorganic oxide, an organic polymer or the like on a transparent conductive film (see the invention disclosed in the above-mentioned JP-A-61-16851). Except) is preferable in that this transparent protective layer can also function as a transparent electric insulating layer, but as described above, it is difficult to etch with an acid, so that it is easy to cause etching defects and the like. Have Therefore, it is difficult to obtain a transparent electrode (having a transparent electric insulating layer on the surface) capable of preventing the above-mentioned display failure by using this laminated transparent conductive substrate.

【0009】前記特開昭61−16851号公報に開示
されている積層型透明導電基材には、保護層(トップコ
ート層)が塗布法により形成されることに起因する難点
として、保護層(トップコート層)形成用のコーティン
グ溶液中に存在するイオン性不純物等により透明導電膜
の電気抵抗値が変化してしまったり、駆動中に透明導電
膜が着色してしまい易いという難点や、保護層(トップ
コート層)中にゲルや異物等が不可避的に存在すること
となるために表面精度が比較的低く、液晶表示素子の透
明電極に利用した場合には液晶セルのセルギャップを局
所的に変化させて表示ムラを引き起こし易いという難点
がある。
In the laminated transparent conductive substrate disclosed in the above-mentioned JP-A-61-16851, a protective layer (top coat layer) is formed by a coating method. The electric resistance value of the transparent conductive film is changed by ionic impurities present in the coating solution for forming the top coat layer), and the transparent conductive film is easily colored during driving, and the protective layer Since gel and foreign substances are inevitably present in the (top coat layer), the surface accuracy is relatively low, and when used as a transparent electrode of a liquid crystal display element, the cell gap of the liquid crystal cell is locally reduced. There is a drawback that it is easy to change and cause display unevenness.

【0010】本発明の目的は、表面に透明電気絶縁層を
有する透明電極をエッチング法により作製するのに好適
な積層型透明導電基材であって、製造過程での透明導電
膜の電気抵抗値の変化を容易に防止することができ、表
面精度の比較的高いものが得易く、かつ透明電気絶縁層
表面の電気絶縁性が高い積層型透明導電基材およびその
製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is a laminated transparent conductive substrate suitable for producing a transparent electrode having a transparent electrically insulating layer on the surface by an etching method, and having an electric resistance value of the transparent conductive film in the manufacturing process. To provide a laminated transparent conductive base material which can easily prevent the change of the above, can easily obtain a material having a relatively high surface accuracy, and has a high electric insulation property of the surface of the transparent electric insulation layer, and a method for producing the same. .

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の積層型透明導電基材は、透明基材と、この透明基材
の一主表面上に直接またはアンダーコート層を介して形
成された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成された
透明電気絶縁層とを少なくとも備え、かつ、前記透明電
気絶縁層が酸可溶−耐アルカリ性無機化合物からなるこ
とを特徴とするものである。
A laminated transparent conductive substrate of the present invention which achieves the above object is formed by a transparent substrate and one main surface of the transparent substrate directly or through an undercoat layer. And a transparent electric insulating layer formed on the transparent conductive film, and the transparent electric insulating layer is made of an acid-soluble alkali-resistant inorganic compound. .

【0012】また、上記目的を達成する本発明の積層型
透明導電基材の製造方法は、透明基材の一主表面上に直
接またはアンダーコート層を介して物理気相堆積法また
は化学気相堆積法により透明導電膜を形成する工程と、
この透明導電膜上に酸可溶−耐アルカリ性無機化合物か
らなる透明電気絶縁層を物理気相堆積法または化学気相
堆積法により形成する工程とを少なくとも含み、かつ、
前記透明電気絶縁層を形成する工程での雰囲気の酸素分
圧が、前記透明電気絶縁層の相対酸素含有比が0.9〜
0.99の範囲内になるように制御されていることを特
徴とするものである。
Further, the method for producing a laminated transparent conductive substrate of the present invention which achieves the above object is a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method directly on one main surface of a transparent substrate or through an undercoat layer. A step of forming a transparent conductive film by a deposition method,
At least including a step of forming a transparent electric insulating layer made of an acid-soluble alkali-resistant inorganic compound on the transparent conductive film by a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method, and
The oxygen partial pressure of the atmosphere in the step of forming the transparent electrically insulating layer has a relative oxygen content ratio of the transparent electrically insulating layer of 0.9 to
It is characterized in that it is controlled to fall within the range of 0.99.

【0013】以下、本発明を詳細に説明する。まず、本
発明の積層型透明導電基材について説明すると、この積
層型透明導電基材は前述のように透明基材と、この透明
基材の一主表面上に直接またはアンダーコート層を介し
て形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成さ
れた透明電気絶縁層とを少なくとも備えている。
The present invention will be described in detail below. First, the laminated transparent conductive substrate of the present invention will be described. This laminated transparent conductive substrate is, as described above, the transparent substrate and directly or through an undercoat layer on one main surface of this transparent substrate. At least the formed transparent conductive film and the transparent electrically insulating layer formed on the transparent conductive film are provided.

【0014】ここで、前記透明基材は所望の透明性およ
び電気絶縁性を有するものであれば特に限定されるもの
ではなく、透明高分子フィルムや透明高分子シート、あ
るいは透明ガラス基板等を用いることができる。透明高
分子フィルムや透明高分子シートの材質の具体例として
は、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリ
エーテルスルホン系樹脂、アモルファスポリオレフィン
樹脂等が挙げられる。また、透明ガラス基板の材質の具
体例としては、青板ガラス、白板ガラス、無アルカリガ
ラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。
透明基材の厚さは特に限定されるものではなく、透明基
材自体の強度や目的とする積層型透明導電基材の用途等
に応じて適宜選択される。
The transparent substrate is not particularly limited as long as it has desired transparency and electric insulation, and a transparent polymer film, a transparent polymer sheet, a transparent glass substrate or the like is used. be able to. Specific examples of the material of the transparent polymer film or the transparent polymer sheet include polycarbonate resin, polyarylate resin, polyether sulfone resin, amorphous polyolefin resin and the like. Specific examples of the material of the transparent glass substrate include soda-lime glass, white-plate glass, non-alkali glass, quartz glass and borosilicate glass.
The thickness of the transparent substrate is not particularly limited and is appropriately selected depending on the strength of the transparent substrate itself, the intended use of the laminated transparent conductive substrate, and the like.

【0015】この透明基材上に直接またはアンダーコー
ト層を介して設けられる透明導電膜としては、主要カチ
オン元素としてインジウム(In)および亜鉛(Zn)
を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、
Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9
0の範囲内であるものが好ましい。ここで、Inの原子
比In/(In+Zn)を前記の範囲に限定する理由
は、0.55未満では膜の導電性が低くなり、0.9を
超えると膜のエッチング特性あるいは耐湿熱性が低下す
るからである。Inの原子比In/(In+Zn)の好
ましい範囲は0.65〜0.90であり、特に好ましい
範囲は0.82〜0.90である。
The transparent conductive film provided on this transparent substrate directly or through the undercoat layer has indium (In) and zinc (Zn) as main cation elements.
A transparent conductive film made of an amorphous oxide containing
In atomic ratio In / (In + Zn) is 0.55 to 0.9
Those in the range of 0 are preferable. Here, the reason for limiting the atomic ratio In / (In + Zn) of In to the above range is that the conductivity of the film becomes low when the ratio is less than 0.55, and the etching property or wet heat resistance of the film decreases when the ratio exceeds 0.9. Because it does. A preferable range of the atomic ratio In / (In + Zn) of In is 0.65 to 0.90, and a particularly preferable range is 0.82 to 0.90.

【0016】また、上記の非晶質酸化物からなる透明導
電膜の相対酸素含有比は、0.6以上0.99未満であ
ることが好ましい。相対酸素含有比がこの範囲外になる
と、組成にもよるが、導電性や光透過率が低下し易い。
ここで、本明細書でいう「相対酸素含有比」とは、次式
によって定義されるものである。
The relative oxygen content ratio of the transparent conductive film made of the amorphous oxide is preferably 0.6 or more and less than 0.99. When the relative oxygen content ratio is out of this range, the conductivity and the light transmittance tend to be lowered, though it depends on the composition.
Here, the “relative oxygen content ratio” in the present specification is defined by the following equation.

【数1】 透明導電膜として上述の非晶質酸化物を用いることによ
り、導電性や透明性、エッチング特性、耐湿熱性に優れ
た積層型透明導電基材を得ることが容易になる。
[Equation 1] By using the above-mentioned amorphous oxide as the transparent conductive film, it becomes easy to obtain a laminated transparent conductive substrate having excellent conductivity, transparency, etching characteristics and resistance to moist heat.

【0017】透明導電膜の膜厚は100〜10000オ
ングストロームとすることが好ましい。100オングス
トローム未満では十分な導電性を得ることが困難であ
り、10000オングストロームを超えると得られた積
層型透明導電基材を取り扱う際に透明導電膜にクラック
等が発生し易くなる。透明導電膜のより好ましい膜厚は
300〜7500オングストロームであり、特に好まし
い膜厚は500〜6000オングストロームである。
The thickness of the transparent conductive film is preferably 100 to 10,000 angstroms. If it is less than 100 Å, it is difficult to obtain sufficient conductivity, and if it exceeds 10,000 Å, cracks and the like are likely to occur in the transparent conductive film when handling the obtained laminated transparent conductive substrate. A more preferable film thickness of the transparent conductive film is 300 to 7500 angstroms, and a particularly preferable film thickness is 500 to 6000 angstroms.

【0018】上述した透明導電膜は、前述した透明基材
の一主表面上に直接形成することができるが、透明導電
膜と透明基材との間の接着性が低い場合には、アンダー
コート層を介して形成することが好ましい。このアンダ
ーコート層も所望の透明性および電気絶縁性を有してい
ることが必要であるが、その材質は透明基材および透明
導電膜としてそれぞれどのような物質を用いるかに応じ
て適宜選択される。アンダーコート層の材質の具体例と
しては、エポキシ樹脂、ポリフェノキシエーテル樹脂、
アクリル樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体、
ポリビニルアルコール、ポリアクリロニトリル、ポリ塩
化ビニリデンおよびポリフッ化ビニリデン等の有機化合
物の1種または複数種や、SiO2 およびTiO2 等の
無機化合物、あるいは、各種シランカップリング剤およ
び各種チタンカップリング剤等が挙げられる。アンダー
コート層の膜厚も特に限定されるものではなく、透明基
材および透明導電膜それぞれの材質ならびにアンダーコ
ート層自体の材質に応じて、また目的とする積層型透明
導電基材の用途等に応じて、適宜選択される。
The above-mentioned transparent conductive film can be directly formed on one main surface of the above-mentioned transparent substrate, but if the adhesiveness between the transparent conductive film and the transparent substrate is low, an undercoat is formed. It is preferably formed through layers. This undercoat layer also needs to have desired transparency and electrical insulation, but its material is appropriately selected depending on what kind of material is used as the transparent substrate and the transparent conductive film. It Specific examples of the material of the undercoat layer include epoxy resin, polyphenoxy ether resin,
Acrylic resin, ethylene-vinyl alcohol copolymer,
One or more of organic compounds such as polyvinyl alcohol, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride and polyvinylidene fluoride, inorganic compounds such as SiO 2 and TiO 2 , or various silane coupling agents and various titanium coupling agents Can be mentioned. The film thickness of the undercoat layer is also not particularly limited, depending on the material of each of the transparent substrate and the transparent conductive film, the material of the undercoat layer itself, and the intended use of the laminated transparent conductive substrate. It is selected accordingly.

【0019】本発明の積層型透明導電基材では、前述し
た透明基材上に直接または上述したアンダーコート層を
介して形成された前述の透明導電膜上に透明電気絶縁層
が設けられており、この透明電気絶縁層は酸可溶−耐ア
ルカリ性無機化合物からなる。ここで、「酸可溶−耐ア
ルカリ性」とは、前述した透明導電膜をエッチングする
ためのエッチング溶液として用いられる酸性溶液に対し
ては可溶であり、エッチング時に使用したマスク(レジ
スト膜)を剥離するためのアルカリ性溶液に対しては実
質的に不溶であることを意味する。
In the laminated transparent conductive substrate of the present invention, the transparent electrically insulating layer is provided directly on the transparent substrate or on the transparent conductive film described above formed via the undercoat layer. The transparent electrically insulating layer is made of an acid-soluble and alkali-resistant inorganic compound. Here, “acid-soluble-alkali resistance” means that the mask (resist film) used during etching is soluble in an acidic solution used as an etching solution for etching the transparent conductive film described above. It means that it is substantially insoluble in an alkaline solution for peeling.

【0020】酸可溶−耐アルカリ性無機化合物からなる
上述の透明電気絶縁層は、所望の透明性および電気絶縁
性を有していることが必要であり、特に電気絶縁性につ
いては表面抵抗が1×106 Ω/□以上であることが望
まれる。セルギャップを小さくした液晶表示素子を構成
する2つの透明電極(表面に透明電気絶縁層を有するも
の)の材料として利用する場合、透明電気絶縁層の表面
抵抗が1×106 Ω/□未満では、前記2つの透明電極
が直接または配向膜を介して互いに局所的に接触したと
きにこれらの電極間に電流が流れて表示不良を起こすお
それがある。
The above-mentioned transparent electric insulation layer made of an acid-soluble and alkali-resistant inorganic compound is required to have desired transparency and electric insulation, and particularly, the electric insulation has a surface resistance of 1 or less. It is desired that it be × 10 6 Ω / □ or more. When it is used as a material for two transparent electrodes (having a transparent electric insulation layer on the surface) constituting a liquid crystal display element with a small cell gap, if the surface resistance of the transparent electric insulation layer is less than 1 × 10 6 Ω / □ When the two transparent electrodes come into local contact with each other directly or through the alignment film, a current may flow between these electrodes to cause display failure.

【0021】このような透明電気絶縁層を得るのに好適
な酸可溶−耐アルカリ性無機化合物としては、酸化ラン
タン、酸化ケイ素および酸化亜鉛からなる群より選択さ
れた少なくとも1種を主成分とする非晶質酸化物、具体
的には酸化ランタン、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化ケイ
素−酸化亜鉛化合物、酸化ケイ素−酸化ランタン化合
物、酸化亜鉛−酸化ランタン化合物等であって、前述し
た相対酸素含有比が0.9〜0.99の範囲内の非晶質
酸化物が挙げられる。相対酸素含有比が0.99を超え
るものは酸可溶−耐アルカリ性を示さないことがある。
一方、相対酸素含有比が0.9未満のものは表面抵抗が
1×106 Ω/□未満であったり、光透過性が低すぎた
り(特に酸化ランタンの場合)する。
The acid-soluble and alkali-resistant inorganic compound suitable for obtaining such a transparent electrically insulating layer contains at least one selected from the group consisting of lanthanum oxide, silicon oxide and zinc oxide as a main component. Amorphous oxides, specifically, lanthanum oxide, silicon oxide, zinc oxide, silicon oxide-zinc oxide compounds, silicon oxide-lanthanum oxide compounds, zinc oxide-lanthanum oxide compounds, and the like, and the relative oxygen content ratios described above. Is an amorphous oxide having a range of 0.9 to 0.99. Those having a relative oxygen content ratio of more than 0.99 may not exhibit acid solubility-alkali resistance.
On the other hand, when the relative oxygen content ratio is less than 0.9, the surface resistance is less than 1 × 10 6 Ω / □ or the light transmittance is too low (particularly in the case of lanthanum oxide).

【0022】ここで例示した酸可溶−耐アルカリ性無機
化合物により透明電気絶縁層を形成する場合、その膜厚
は30〜2000オングストロームとすることが好まし
い。30オングストローム未満では十分な電気絶縁効果
を得ることが困難である。一方、2000オングストロ
ームを超えると製造コストの増加をもたらす。また同時
に、得られた積層型透明導電基材から例えば液晶表示素
子用の透明電極を作製したときに、液晶表示素子に作用
する電界強度が低下し過ぎる。
When the transparent electric insulating layer is formed of the acid-soluble and alkali-resistant inorganic compound exemplified here, the film thickness is preferably 30 to 2000 angstroms. If it is less than 30 Å, it is difficult to obtain a sufficient electric insulation effect. On the other hand, if it exceeds 2000 angstrom, the manufacturing cost increases. At the same time, when a transparent electrode for a liquid crystal display device is produced from the obtained laminated transparent conductive substrate, the electric field strength acting on the liquid crystal display device is excessively lowered.

【0023】本発明の積層型透明導電基材は、以上説明
した透明基材、アンダーコート層(任意)、透明導電
膜、および酸可溶−耐アルカリ性無機化合物からなる透
明電気絶縁層を少なくとも備えていればよい。透明基材
上にアンダーコート層(任意)、透明導電膜、および酸
可溶−耐アルカリ性無機化合物からなる透明電気絶縁層
を設けた状態での厚さは、用途等に応じて適宜選択され
るが、アンダーコート層を形成するか否かに拘らず概ね
15〜300μmの範囲内である。また、この状態での
光線透過率は、用途等にもよるが、アンダーコート層を
形成するか否かに拘らず、全可視光あるいは波長550
nmの光に対して概ね75%以上であることが好まし
い。光線透過率は、各層(膜)の厚さや各層(膜)の材
料物質を適宜選択することにより調整することができ
る。
The laminated transparent conductive substrate of the present invention comprises at least the transparent substrate, the undercoat layer (arbitrary), the transparent conductive film, and the transparent electrically insulating layer composed of the acid-soluble and alkali-resistant inorganic compound described above. If you have. The thickness of the undercoat layer (arbitrary), the transparent conductive film, and the transparent electrically insulating layer composed of the acid-soluble and alkali-resistant inorganic compound provided on the transparent substrate is appropriately selected according to the intended use. However, it is generally within the range of 15 to 300 μm regardless of whether or not the undercoat layer is formed. In addition, the light transmittance in this state depends on the use and the like, but regardless of whether an undercoat layer is formed or not, all visible light or a wavelength of 550
It is preferably about 75% or more with respect to the light of nm. The light transmittance can be adjusted by appropriately selecting the thickness of each layer (film) and the material of each layer (film).

【0024】また、本発明の積層型透明導電基材は、透
明導電膜を形成する側とは反対側の透明基材面上に、耐
環境性を向上させるためのガスバリヤー層、透明基材に
耐擦過傷性等を付与するためのハードコート層、表面反
射を防止するための反射防止膜等を有していてもよい。
このような層ないし膜を形成するか否かは、目的とする
積層型透明導電基材の用途等に応じて適宜選択される。
Further, the laminated transparent conductive substrate of the present invention comprises a gas barrier layer for improving environmental resistance and a transparent substrate on the surface of the transparent substrate opposite to the side where the transparent conductive film is formed. Further, it may have a hard coat layer for imparting scratch resistance and the like, an antireflection film for preventing surface reflection, and the like.
Whether or not to form such a layer or film is appropriately selected according to the intended use of the laminated transparent conductive substrate.

【0025】ガスバリヤー層を形成する場合、その具体
例としては塩化ビニリデン、フッ化ビニリデン、アクリ
ロニトリル等の高分子および他のモノマーとの共重合体
等からなる厚さ0.1〜10μmの層が挙げられる。ま
た、ハードコート層を形成する場合、その具体例として
はチタン系やシリカ系のハードコート剤、ポリメチルメ
タクリレート等の高分子、ポリフォスファゼン等の無機
高分子等からなる厚さ0.1〜10μmの層が挙げられ
る。そして、反射防止膜を形成する場合、その具体例と
しては低屈折率ポリマーや、MgF2 、CaF2 等のフ
ッ化物、SiO2 、Bi2 3 、Al2 3 等からなる
厚さ100〜1000オングストロームの膜が挙げられ
る。
When the gas barrier layer is formed, a specific example thereof is a layer having a thickness of 0.1 to 10 μm, which is made of a polymer such as vinylidene chloride, vinylidene fluoride, acrylonitrile or the like and a copolymer with another monomer. Can be mentioned. When the hard coat layer is formed, specific examples thereof include titanium-based or silica-based hard coating agents, polymers such as polymethylmethacrylate, and inorganic polymers such as polyphosphazene having a thickness of 0.1 to 0.1. A layer of 10 μm can be mentioned. When the antireflection film is formed, specific examples thereof include low refractive index polymers, fluorides such as MgF 2 and CaF 2 , SiO 2 , Bi 2 O 3 , and Al 2 O 3 having a thickness of 100 to 100 nm. An example is a 1000 angstrom film.

【0026】本発明の積層型透明導電基材は、基本的に
は種々の方法により製造することが可能である。しかし
ながら、透明基材として透明高分子フィルムや透明高分
子シートを用いる場合には、当該透明基材の耐熱性が比
較的低いことから、製造過程での熱変形等を防止するた
めに透明基材の温度をできるだけ低温に保っておくこと
が好ましく、かつこの基材温度下で所望組成の透明導電
膜および透明電気絶縁層を形成する必要がある。また、
製造過程での透明導電膜の電気抵抗値の変化を防止する
必要がある。このような観点から、本発明の積層型透明
導電基材は以下に詳述する本発明の方法により製造する
ことが好ましい。
The laminated transparent conductive substrate of the present invention can be basically manufactured by various methods. However, when a transparent polymer film or a transparent polymer sheet is used as the transparent substrate, since the heat resistance of the transparent substrate is relatively low, the transparent substrate is used to prevent thermal deformation and the like in the manufacturing process. Is preferably kept as low as possible, and it is necessary to form the transparent conductive film and the transparent electrically insulating layer having a desired composition under this substrate temperature. Also,
It is necessary to prevent changes in the electric resistance value of the transparent conductive film during the manufacturing process. From such a viewpoint, the laminated transparent conductive substrate of the present invention is preferably produced by the method of the present invention described in detail below.

【0027】本発明の方法は、前述したように、透明基
材の一主表面上に直接またはアンダーコート層を介して
物理気相堆積法または化学気相堆積法により透明導電膜
を形成する工程と、この透明導電膜上に酸可溶−耐アル
カリ性無機化合物からなる透明電気絶縁層を物理気相堆
積法または化学気相堆積法により形成する工程とを少な
くとも含み、かつ、前記透明電気絶縁層を形成する工程
での雰囲気の酸素分圧が、前記透明電気絶縁層の相対酸
素含有比が0.9〜0.99の範囲内になるように制御
されていることを特徴とするものである。ここで、前記
物理気相堆積法(PVD法)の具体例としては、スパッ
タリング法、EB蒸着(電子ビーム加熱蒸着)法、イオ
ンプレーティング法、真空蒸着法等が挙げられる。ま
た、前記化学気相堆積法(CVD法)の具体例として
は、プラズマCVD等が挙げられる。
As described above, the method of the present invention comprises a step of forming a transparent conductive film on one main surface of a transparent substrate directly or through an undercoat layer by a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method. And a step of forming a transparent electrical insulating layer made of an acid-soluble and alkali-resistant inorganic compound on the transparent conductive film by a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method, and the transparent electrical insulating layer The oxygen partial pressure of the atmosphere in the step of forming is controlled so that the relative oxygen content ratio of the transparent electric insulating layer is within the range of 0.9 to 0.99. . Here, specific examples of the physical vapor deposition method (PVD method) include a sputtering method, an EB evaporation (electron beam heating evaporation) method, an ion plating method, a vacuum evaporation method, and the like. Further, as a specific example of the chemical vapor deposition method (CVD method), plasma CVD or the like can be cited.

【0028】透明導電膜の成膜条件は、成膜方法、目的
とする透明導電膜の組成、使用原料の種類等に応じて適
宜設定されるが、少なくとも成膜時の雰囲気の酸素分圧
については、得られる透明導電膜の相対酸素含有比が
0.6以上0.99未満になるように制御することが好
ましい。透明導電膜の相対酸素含有比がこの範囲外にな
ると、組成にもよるが、導電性や光透過率が低下し易
い。
The conditions for forming the transparent conductive film are appropriately set depending on the film forming method, the composition of the target transparent conductive film, the type of raw materials used, etc., but at least the oxygen partial pressure of the atmosphere during film formation Is preferably controlled so that the relative oxygen content ratio of the obtained transparent conductive film is 0.6 or more and less than 0.99. When the relative oxygen content ratio of the transparent conductive film is out of this range, the conductivity and the light transmittance tend to be lowered, although it depends on the composition.

【0029】また、透明電気絶縁層の成膜条件も、成膜
方法、目的とする透明電気絶縁層の組成、使用原料の種
類等に応じて適宜設定されるが、少なくとも成膜時の雰
囲気の酸素分圧については、得られる透明電気絶縁層の
相対酸素含有比が0.9〜0.99の範囲内になるよう
に制御する。これは、透明電気絶縁層の相対酸素含有比
が相対酸素含有比が0.99を超えると酸可溶−耐アル
カリ性を示さないことがあり、0.9未満では表面抵抗
が1×106 Ω/□未満となったり、光透過性が低下し
すぎたりする(特に酸化ランタンの場合)からである。
The conditions for forming the transparent electrically insulating layer are also set appropriately depending on the film forming method, the composition of the target transparent electrically insulating layer, the type of raw materials used, etc. The oxygen partial pressure is controlled so that the relative oxygen content ratio of the obtained transparent electric insulation layer is within the range of 0.9 to 0.99. This is because when the relative oxygen content ratio of the transparent electrically insulating layer exceeds 0.99, the acid-soluble-alkali resistance may not be exhibited, and when it is less than 0.9, the surface resistance is 1 × 10 6 Ω. This is because it becomes less than / □ or the light transmittance is too low (particularly in the case of lanthanum oxide).

【0030】透明導電膜を形成する工程で利用する成膜
方法と透明電気絶縁層を形成する工程で利用する成膜方
法とは、同じであって異なっていてもよいが、実用上は
同じ成膜方法により透明導電膜と透明電気絶縁層とを形
成したほうが有利である。透明導電膜や透明電気絶縁層
の組成を正確かつ容易に制御するうえからは、特にスパ
ッタリング法が好ましい。
The film forming method used in the step of forming the transparent conductive film and the film forming method used in the step of forming the transparent electrically insulating layer may be the same or different, but in practice, they are the same. It is advantageous to form the transparent conductive film and the transparent electrically insulating layer by a film method. From the viewpoint of accurately and easily controlling the composition of the transparent conductive film and the transparent electrically insulating layer, the sputtering method is particularly preferable.

【0031】スパッタリング法により透明導電膜や透明
電気絶縁層を形成する場合、スパッタリングターゲット
は目的とする透明導電膜または透明電気絶縁層の組成に
応じた酸化物または金属が好ましく、一元スパッタでも
多元スパッタでもよい。また、スパッタリング雰囲気に
おける酸素分圧は、目的とする透明導電膜や透明電気絶
縁層の相対酸素含有比が所望の値となるように、スパッ
タリングターゲットの組成に応じて適宜設定される。
When the transparent conductive film or the transparent electrically insulating layer is formed by the sputtering method, the sputtering target is preferably an oxide or a metal depending on the composition of the target transparent conductive film or the transparent electrically insulating layer, and either single-source sputtering or multi-source sputtering is possible. But it's okay. The oxygen partial pressure in the sputtering atmosphere is appropriately set according to the composition of the sputtering target so that the relative oxygen content ratio of the target transparent conductive film or transparent electrically insulating layer becomes a desired value.

【0032】スパッタ条件は使用する装置の特性に大き
く依存することがあるために一概に規定することは困難
であるが、一般に使用されているDCマグネトロンスパ
ッタ装置でのスパッタ条件の一例を挙げるとすれば以下
のようになる。すなわち、スパッタリング雰囲気はアル
ゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガス、スパ
ッタ時の雰囲気圧(全圧)は1.3×10-2〜6.7×
100Pa程度、ターゲット印加電圧は50〜500V
であり、基板温度は透明基材が熱変形しない温度であ
り、必要に応じて冷却される。この場合、スパッタ時の
雰囲気圧(全圧)すなわち真空度が1.3×10-2Pa
未満ではプラズマの安定性が悪く、6.7×100 Pa
を超えるとターゲットへの印加電圧を高くすることが困
難になる。また、ターゲット印加電圧が500Vを超え
ると良質の膜ができないことがあり、50V未満では成
膜速度が制限される場合がある。
It is difficult to unconditionally define the sputtering conditions because they may largely depend on the characteristics of the apparatus used, but an example of the sputtering conditions in a commonly used DC magnetron sputtering apparatus is given below. For example, That is, the sputtering atmosphere is a mixed gas of an inert gas such as argon gas and oxygen gas, and the atmospheric pressure (total pressure) during sputtering is 1.3 × 10 −2 to 6.7 ×.
10 0 Pa about, it is applied to the target voltage 50~500V
The substrate temperature is a temperature at which the transparent base material is not thermally deformed, and is cooled if necessary. In this case, the atmospheric pressure (total pressure) at the time of sputtering, that is, the degree of vacuum is 1.3 × 10 -2 Pa.
If less than 6.7, stability of plasma is poor and 6.7 × 10 0 Pa
If it exceeds, it becomes difficult to increase the voltage applied to the target. If the target applied voltage exceeds 500V, a good quality film may not be formed, and if it is less than 50V, the film formation rate may be limited.

【0033】本発明の方法では、上述のようにして透明
導電膜および透明電気絶縁層を形成することにより、前
述した本発明の積層型透明導電基材を得るわけである
が、本発明の積層型透明導電基材では、前述したよう
に、必要に応じて透明基材上にアンダーコート層が形成
される。また、透明導電膜を形成する側とは反対側の透
明基材面上には、必要に応じてガスバリヤー層、ハード
コート層、反射防止膜等が形成される。これらの任意構
成部材の形成は、特に限定されるものではないが、以下
のようにして行うことが好ましい。なお、透明基材とし
て透明高分子フィルムや透明高分子シートを用いる場合
には、透明基材の温度をできるだけ低温に保った状態で
形成することが好ましい。
In the method of the present invention, the transparent conductive film and the transparent electrically insulating layer are formed as described above to obtain the above-mentioned laminated transparent conductive substrate of the present invention. In the transparent conductive substrate of the type, as described above, the undercoat layer is formed on the transparent substrate, if necessary. Further, a gas barrier layer, a hard coat layer, an antireflection film, etc. are formed on the surface of the transparent substrate opposite to the side on which the transparent conductive film is formed, if necessary. The formation of these optional constituent members is not particularly limited, but is preferably performed as follows. When a transparent polymer film or a transparent polymer sheet is used as the transparent substrate, it is preferable to form the transparent substrate while keeping the temperature of the transparent substrate as low as possible.

【0034】アンダーコート層の材料として先に例示し
た有機化合物、各種シランカップリング剤または各種チ
タンカップリング剤を用いる場合には、塗布法、スプレ
ーコート法、スピンコート法等によりアンダーコート層
を形成することが好ましい。また、アンダーコート層の
材料として先に例示した無機化合物を用いる場合には、
上述した物理気相堆積法(CVD法)や化学気相堆積法
(CVD法)により形成することが好ましく、なかでも
スパッタリング法(一元または多元)により形成するこ
とが好ましい。また、ガスバリヤー層、ハードコート層
および反射防止膜についても、上述したアンダーコート
層の形成方法と同様の方法により形成することが好まし
い。
When the above-exemplified organic compounds, various silane coupling agents or various titanium coupling agents are used as the material of the undercoat layer, the undercoat layer is formed by a coating method, a spray coating method, a spin coating method or the like. Preferably. When using the above-exemplified inorganic compounds as the material of the undercoat layer,
The physical vapor deposition method (CVD method) or the chemical vapor deposition method (CVD method) described above is preferable, and the sputtering method (single or multiple) is particularly preferable. Further, the gas barrier layer, the hard coat layer and the antireflection film are also preferably formed by the same method as the above-mentioned method of forming the undercoat layer.

【0035】上で例示した方法等により得ることができ
る本発明の積層型透明導電基材は、前述したように透明
導電膜上に酸可溶−耐アルカリ性無機化合物からなる透
明電気絶縁層が形成されたものであり、この透明導電膜
と透明電気絶縁層とは1回のエッチング工程で所望形状
に容易に成形することができる。また、エッチング時に
使用したマスク(レジスト膜)をアルカリ性溶液を用い
て剥離した場合でも、透明導電膜は前述の透明電気絶縁
層により保護されているため、アルカリ性溶液との接触
に起因する透明導電膜の電気的特性の低下は抑制され
る。このような理由から、本発明の積層型透明導電基材
はエッチング法を利用して透明電極(表面に電気絶縁層
を有するもの)を作製するのに好適な基材である。
In the laminated transparent conductive substrate of the present invention which can be obtained by the method exemplified above, the transparent electrically insulating layer made of the acid-soluble and alkali-resistant inorganic compound is formed on the transparent conductive film as described above. The transparent conductive film and the transparent electrically insulating layer can be easily formed into a desired shape by one etching process. Even when the mask (resist film) used during etching is peeled off using an alkaline solution, the transparent conductive film is protected by the above-mentioned transparent electrically insulating layer, so that the transparent conductive film caused by contact with the alkaline solution. Deterioration of the electrical characteristics of is suppressed. For these reasons, the laminated transparent conductive substrate of the present invention is a substrate suitable for producing a transparent electrode (having an electrically insulating layer on the surface) by utilizing the etching method.

【0036】また、透明電気絶縁層は物理気相堆積法や
化学気相堆積法により形成することができる。したがっ
て、これらの方法で透明電気絶縁層を形成することによ
り、高分子薄膜を塗布法により透明導電膜上に形成する
従来の積層型透明導電基材よりも製造過程での透明導電
膜の電気抵抗値の変化を容易に防止することができる。
同時に、前記従来の積層型透明導電基材よりも表面精度
の高いものを容易に得ることができる。さらに、本発明
の積層型透明導電基材において透明導電膜上に形成され
ている透明電気絶縁層は、高い電気絶縁性を有してい
る。
The transparent electrically insulating layer can be formed by a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method. Therefore, by forming the transparent electrically insulating layer by these methods, the electrical resistance of the transparent conductive film in the manufacturing process is higher than that of a conventional laminated transparent conductive substrate in which a polymer thin film is formed on the transparent conductive film by a coating method. It is possible to easily prevent the value from changing.
At the same time, it is possible to easily obtain a material having higher surface accuracy than the conventional laminated transparent conductive substrate. Furthermore, the transparent electrically insulating layer formed on the transparent conductive film in the laminated transparent electrically conductive substrate of the present invention has high electrical insulation.

【0037】これらの点から、本発明の積層型透明導電
基材は液晶表示素子用、特に液晶セルのセルギャップを
小さくしたタイプの液晶表示素子用の透明電極(表面に
電気絶縁層を有するもの)をエッチング法により作製す
るための材料として好適である。そして、本発明の積層
型透明導電基材から作製した透明電極(表面に電気絶縁
層を有するもの)を、液晶セルのセルギャップを小さく
したタイプの液晶表示素子の透明電極(表面に電気絶縁
層を有するもの)として用いた場合には、素子を構成す
る2つの電極が局所的に接触しても当該接触箇所での導
通が抑制されるため、応答性が高く、かつ電極間での無
用の導通に起因する表示品質の低下が少ない液晶表示装
置を容易に提供することが可能になる。また本発明の積
層型透明導電基材は、二重絶縁構造の無機EL表示素子
用の電気絶縁層および透明電極を1回のエッチング工程
で作製するための材料等としても好適である。
From these points, the laminated transparent conductive substrate of the present invention is a transparent electrode for a liquid crystal display device, particularly for a liquid crystal display device of a type in which the cell gap of a liquid crystal cell is small (having an electrically insulating layer on the surface thereof). ) Is suitable as a material for producing () by an etching method. Then, a transparent electrode (having an electric insulating layer on the surface) produced from the laminated transparent conductive substrate of the present invention is used as a transparent electrode of a liquid crystal display device of a type in which the cell gap of a liquid crystal cell is reduced (the electric insulating layer is formed on the surface). When the two electrodes constituting the element are locally contacted with each other, conduction at the contact location is suppressed, so that the responsiveness is high and the uselessness between the electrodes is high. It is possible to easily provide a liquid crystal display device in which display quality is less likely to decrease due to conduction. Further, the laminated transparent conductive substrate of the present invention is also suitable as a material for producing an electrically insulating layer and a transparent electrode for a double insulating structure inorganic EL display element in one etching step.

【0038】[0038]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例1 透明基材としてポリカーボネートフィルム(厚さ125
μm)を用い、まず、このポリカーボネートフィルム上
にエポキシ系樹脂からなる厚さ5μmのアンダーコート
層を形成した。また、アンダーコート層を形成した面と
反対側のポリカーボネートフィルム面上に接着剤を用い
てポリ塩化ビニリデンを積層した後、このポリ塩化ビニ
リデン上にエポキシアクリレート樹脂プレポリマーを塗
布し、塗布後に前記プレポリマーを熱硬化させることに
よりガスバリヤー層を形成した。次に、アンダーコート
層を設けた上述のポリカーボネートフィルムをDCマグ
ネトロンスパッタ装置に装着し、真空槽内の初期真空度
を5×10-4Paとした後、酸化インジウムと酸化亜鉛
とからなる酸化物焼結体ターゲット(Inの原子比In
/(In+Zn)=0.67,焼結体密度90%)を用
いてスパッタリングを行って、前記のアンダーコート層
上に透明導電膜を形成した(以下、この透明導電膜まで
形成したものをサンプルという)。このときのスパッタ
リング雰囲気は純度99.99%のアルゴンガスと酸素
ガスとの混合雰囲気とし、スパッタリング雰囲気の全圧
は3×10-1Pa、前記全圧に占める酸素分圧の割合は
0.3%とした。また、スパッタ条件はDC出力100
W、スパッタ時間40分、基板温度室温とした。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. Example 1 A polycarbonate film (having a thickness of 125
First, an undercoat layer made of epoxy resin and having a thickness of 5 μm was formed on the polycarbonate film. Further, after stacking polyvinylidene chloride on the surface of the polycarbonate film opposite to the surface on which the undercoat layer is formed using an adhesive, an epoxy acrylate resin prepolymer is coated on this polyvinylidene chloride, and the above-mentioned pre-coating is performed after coating. A gas barrier layer was formed by thermosetting the polymer. Next, the above-mentioned polycarbonate film provided with an undercoat layer was mounted on a DC magnetron sputtering apparatus, and the initial degree of vacuum in the vacuum chamber was set to 5 × 10 −4 Pa, and then an oxide composed of indium oxide and zinc oxide. Sintered body target (In atomic ratio In
/(In+Zn)=0.67, sintered body density 90%, sputtering was carried out to form a transparent conductive film on the undercoat layer (hereinafter, this transparent conductive film was formed as a sample. That). The sputtering atmosphere at this time was a mixed atmosphere of 99.99% pure argon gas and oxygen gas, the total pressure of the sputtering atmosphere was 3 × 10 −1 Pa, and the ratio of the oxygen partial pressure to the total pressure was 0.3. %. Also, the sputtering condition is DC output 100.
W, sputtering time 40 minutes, substrate temperature room temperature.

【0039】このようして形成した透明導電膜の相対酸
素含有比は0.74であり、その膜厚をスローン社製の
DEKTAK3030を用いた触針法により測定したと
ころ、2710オングストロームであった。また、この
透明導電膜は、X線回折測定(使用機種はリガク社製の
ロータフレックスRU−200B)の結果、非晶質であ
ることが確認された。さらに、この透明導電膜における
Inの原子比In/(In+Zn)は、ICP(誘導結
合プラズマ発光分光分析;使用機種はセイコー電子工業
社製のSPS−1500VR)の結果、0.70であっ
た。また、上記のサンプルの表面抵抗(透明導電膜の表
面抵抗)は13Ω/□であり、光線透過率は波長550
nmの光に対しては82.9%、波長400nmの光に
対しては77.9%であった。
The relative oxygen content ratio of the transparent conductive film thus formed was 0.74, and the film thickness was 2710 angstrom when measured by the stylus method using DEKTAK 3030 manufactured by Sloan. In addition, as a result of X-ray diffraction measurement (the model used is Rotaflex RU-200B manufactured by Rigaku Corporation), it was confirmed that this transparent conductive film was amorphous. Further, the atomic ratio In / (In + Zn) of In in this transparent conductive film was 0.70 as a result of ICP (inductively coupled plasma emission spectroscopy; the model used was SPS-1500VR manufactured by Seiko Instruments Inc.). The surface resistance (surface resistance of the transparent conductive film) of the above sample is 13Ω / □, and the light transmittance is 550 wavelengths.
It was 82.9% for the light of wavelength nm and 77.9% for the light of wavelength 400 nm.

【0040】次に、このサンプルをDCマグネトロンス
パッタ装置に装着し、スパッタリングターゲットとして
SiO2 を用いるとともに酸素分圧の割合を3%に、ス
パッタ時間を5分にそれぞれ変更した以外は透明導電膜
形成時と同様にしてスパッタリングを行って、SiO2
からなる厚さ250オングストロームの透明電気絶縁層
を透明導電膜上に形成した。この透明電気絶縁層の相対
酸素含有比は0.97であった。また、この透明電気絶
縁層の結晶性をX線回折により調べたところ、非晶質で
あることが確認された。さらに、この透明電気絶縁層の
硬度を測定したところ、その鉛筆硬度は3Hであった。
ポリカーボネートフィルム上に上述のようにして透明電
気絶縁層まで形成したことにより、目的とする積層型透
明導電フィルムが得られた。
Next, a transparent conductive film was formed except that this sample was mounted on a DC magnetron sputtering apparatus, SiO 2 was used as a sputtering target, the oxygen partial pressure ratio was changed to 3%, and the sputtering time was changed to 5 minutes. Sputtering is performed in the same manner as above, and SiO 2
Was formed on the transparent conductive film to a thickness of 250 Å. The relative oxygen content ratio of this transparent electrically insulating layer was 0.97. Further, when the crystallinity of this transparent electric insulating layer was examined by X-ray diffraction, it was confirmed to be amorphous. Furthermore, when the hardness of this transparent electric insulation layer was measured, the pencil hardness was 3H.
By forming the transparent electrically insulating layer on the polycarbonate film as described above, the intended laminated transparent conductive film was obtained.

【0041】このようにして得られた積層型透明導電フ
ィルムは、表面抵抗(透明電気絶縁層の表面抵抗)が1
×106 Ω/□以上と高いものであった。また、光線透
過率は波長550nmの光に対しては82.6%、波長
400nmの光に対しては77.4%であり、良好な透
明性を有していた。さらに、この積層型透明導電フィル
ムに変形は認められず、良好な外観を呈していた。
The thus obtained laminated transparent conductive film has a surface resistance (surface resistance of the transparent electric insulating layer) of 1
It was as high as × 10 6 Ω / □ or more. The light transmittance was 82.6% for light with a wavelength of 550 nm and 77.4% for light with a wavelength of 400 nm, indicating good transparency. Further, no deformation was observed in this laminated transparent conductive film, and it had a good appearance.

【0042】この積層型透明導電フィルムについて、酸
性溶液によるエッチング速度、透明電気絶縁層の形成に
伴う透明導電膜の導電性の変化、透明電気絶縁層の電気
絶縁性、透明電気絶縁層の耐アルカリ性、および可撓性
を以下のようにして測定ないし評価した。
Regarding this laminated transparent conductive film, the etching rate with an acidic solution, the change in conductivity of the transparent conductive film due to the formation of the transparent electric insulating layer, the electric insulation of the transparent electric insulating layer, and the alkali resistance of the transparent electric insulating layer. , And flexibility were measured or evaluated as follows.

【0043】a.酸性溶液によるエッチング速度 酸性溶液として塩酸と硝酸と水の混合溶液(塩酸:硝
酸:水=1:0.08:1(体積比))を用い、この酸
性溶液により透明電気絶縁層および透明導電膜をエッチ
ングして、そのエッチング速度を測定した。
A. Etching rate with acidic solution A mixed solution of hydrochloric acid, nitric acid and water (hydrochloric acid: nitric acid: water = 1: 0.08: 1 (volume ratio)) was used as the acidic solution, and the transparent electrical insulating layer and the transparent conductive film were formed by the acidic solution. Was etched and the etching rate was measured.

【0044】b.透明電気絶縁層の形成に伴う透明導電
膜の導電性の変化 積層型透明導電フィルムの両端の透明電気絶縁層を上記
aで用いた酸性溶液と同じ酸性溶液でエッチングして透
明導電膜を露出させた後、これらの両端間の電気抵抗値
を測定した。そして、この測定値と透明電気絶縁層形成
前の透明導電膜の電気抵抗値とを比較することにより、
透明電気絶縁層の形成に伴う透明導電膜の導電性の変化
の有無を調べた。
B. Change in Conductivity of Transparent Conductive Film Due to Formation of Transparent Electrical Insulating Layer The transparent electrically insulating layers on both ends of the laminated transparent conductive film are etched with the same acidic solution as used in the above a to expose the transparent conductive film. After that, the electric resistance value between these both ends was measured. Then, by comparing this measured value with the electric resistance value of the transparent conductive film before forming the transparent electric insulating layer,
The presence or absence of change in conductivity of the transparent conductive film due to the formation of the transparent electrically insulating layer was examined.

【0045】c.透明電気絶縁層の電気絶縁性 上述の積層型透明導電フィルムを2枚用意し、これら2
枚の積層型透明導電フィルムの透明電気絶縁層側の面の
中央部を互いに接触させた状態での導通の有無を調べ、
この結果から透明電気絶縁層の電気絶縁性を評価した。
なお、このときの接触は10g/cm2 の荷重下に行
い、測定電圧は20Vとした。
C. Electrical Insulation of Transparent Electrical Insulation Layer Two laminated transparent conductive films described above are prepared.
Check the presence or absence of conduction in the state where the central portion of the surface of the transparent electrically insulating layer side of the laminated transparent conductive film of one sheet is in contact with each other,
From this result, the electric insulation of the transparent electric insulation layer was evaluated.
The contact at this time was performed under a load of 10 g / cm 2 , and the measurement voltage was 20V.

【0046】d.透明電気絶縁層の耐アルカリ性 2枚の積層型透明導電フィルムを5wt%水酸化ナトリウ
ム水溶液中に5分間浸漬した後、上記cと同様にして2
枚の積層型透明導電フィルム間での導通の有無を調べ、
この結果から透明電気絶縁層の耐アルカリ性を評価し
た。
D. Alkali resistance of transparent electric insulation layer Two laminated transparent conductive films were immersed in a 5 wt% sodium hydroxide aqueous solution for 5 minutes, and then the same procedure as in the above 2c was performed.
Check for electrical continuity between the laminated transparent conductive films,
From this result, the alkali resistance of the transparent electric insulation layer was evaluated.

【0047】e.可撓性 積層型透明導電フィルムを直径40mmの円柱に100
回巻き付けた後の透明導電膜の電気抵抗値を上記bと同
様にして測定し、この測定値と巻き付ける前の測定値と
を比較することにより、積層型透明導電フィルムの可撓
性を評価した。これらa〜eの結果を表1に示す。
E. Flexible laminated transparent conductive film 100
The electrical resistance value of the transparent conductive film after winding was measured in the same manner as in b above, and the flexibility of the laminated transparent conductive film was evaluated by comparing this measured value with the measured value before winding. . The results of a to e are shown in Table 1.

【0048】実施例2 実施例1と同様にしてポリカーボネートフィルム上にア
ンダーコート層およびガスバリヤー層を形成した後、ス
パッタリングターゲットとしてIn2 3 −ZnO系焼
結体(Inの原子比In/(In+Zn)=0.85,
焼結体密度90%)を用いた以外は実施例1と同条件の
スパッタリングを行って、前記のアンダーコート層上に
透明導電膜を形成した(以下、この透明導電膜まで形成
したものをサンプルという)。このようして形成した透
明導電膜の相対酸素含有比は0.75であり、その膜厚
を実施例1と同様にして測定したところ2720オング
ストロームであった。また、この透明導電膜は、X線回
折測定(実施例1と同機種使用)の結果、非晶質である
ことが確認された。さらに、この透明導電膜におけるI
nの原子比In/(In+Zn)を実施例1と同様にI
CP分析により測定したところ、0.88であった。ま
た、上記のサンプルの表面抵抗(透明導電膜の表面抵
抗)は12Ω/□であり、光線透過率は波長550nm
の光に対しては83.0%、波長400nmの光に対し
ては78.1%であった。
Example 2 After forming an undercoat layer and a gas barrier layer on a polycarbonate film in the same manner as in Example 1, an In 2 O 3 —ZnO-based sintered body (In atomic ratio In / ( In + Zn) = 0.85
A transparent conductive film was formed on the above-mentioned undercoat layer by performing sputtering under the same conditions as in Example 1 except that a sintered body density of 90% was used (hereinafter, this transparent conductive film was formed as a sample. That). The relative oxygen content ratio of the transparent conductive film thus formed was 0.75, and the film thickness was measured in the same manner as in Example 1 to be 2720 angstroms. In addition, as a result of X-ray diffraction measurement (using the same model as in Example 1), it was confirmed that this transparent conductive film was amorphous. Furthermore, I in this transparent conductive film
The atomic ratio In / (In + Zn) of n is I as in Example 1.
It was 0.88 as measured by CP analysis. The surface resistance (surface resistance of the transparent conductive film) of the above sample is 12 Ω / □, and the light transmittance is 550 nm.
Was 83.0% and the light having a wavelength of 400 nm was 78.1%.

【0049】次に、このサンプルをDCマグネトロンス
パッタ装置に装着し、実施例1と同条件のスパッタリン
グを行って、SiO2 からなる厚さ250オングストロ
ームの透明電気絶縁層を透明導電膜上に形成した。この
透明電気絶縁層の相対酸素含有比は0.95であった。
また、この透明電気絶縁層の結晶性をX線回折により調
べたところ、非晶質であることが確認された。さらに、
この透明電気絶縁層の硬度を測定したところ、その鉛筆
硬度は3Hであった。ポリカーボネートフィルム上に上
述のようにして透明電気絶縁層まで形成したことによ
り、目的とする積層型透明導電フィルムが得られた。
Next, this sample was mounted on a DC magnetron sputtering apparatus and sputtered under the same conditions as in Example 1 to form a transparent electrically insulating layer of SiO 2 having a thickness of 250 Å on the transparent conductive film. . The relative oxygen content ratio of this transparent electrically insulating layer was 0.95.
Further, when the crystallinity of this transparent electric insulating layer was examined by X-ray diffraction, it was confirmed to be amorphous. further,
When the hardness of this transparent electric insulation layer was measured, the pencil hardness was 3H. By forming the transparent electrically insulating layer on the polycarbonate film as described above, the intended laminated transparent conductive film was obtained.

【0050】このようにして得られた積層型透明導電フ
ィルムは、表面抵抗(透明電気絶縁層の表面抵抗)が1
×106 Ω/□以上と高いものであった。また、光線透
過率は波長550nmの光に対しては82.7%、波長
400nmの光に対しては77.7%であり、良好な透
明性を有していた。この積層型透明導電フィルムについ
て、酸性溶液によるエッチング速度、透明電気絶縁層の
形成に伴う透明導電膜の導電性の変化、透明電気絶縁層
の電気絶縁性、透明電気絶縁層の耐アルカリ性、および
可撓性を実施例1と同様にして測定ないし評価した。こ
れらの結果を表1に示す。
The laminated transparent conductive film thus obtained has a surface resistance (surface resistance of the transparent electric insulation layer) of 1
It was as high as × 10 6 Ω / □ or more. The light transmittance was 82.7% for light with a wavelength of 550 nm and 77.7% for light with a wavelength of 400 nm, indicating good transparency. About this laminated type transparent conductive film, the etching rate with an acidic solution, the change in conductivity of the transparent conductive film due to the formation of the transparent electric insulating layer, the electric insulation of the transparent electric insulating layer, the alkali resistance of the transparent electric insulating layer, and the Flexibility was measured or evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

【0051】実施例3 透明基板としてガラス基板(コーニング社製の#705
9)を用い、このガラス基板上に実施例2と同様にして
透明導電膜を形成した(以下、この透明導電膜まで形成
したものをサンプルという)。このようして形成した透
明導電膜の相対酸素含有比は0.75であり、その膜厚
を実施例1と同様にして測定したところ2720オング
ストロームであった。また、この透明導電膜は、X線回
折測定(実施例1と同機種使用)の結果、非晶質である
ことが確認された。さらに、この透明導電膜におけるI
nの原子比In/(In+Zn)を実施例1と同様にI
CP分析により測定したところ、0.88であった。ま
た、上記のサンプルの表面抵抗(透明導電膜の表面抵
抗)は12Ω/□であり、光線透過率は波長550nm
の光に対しては83.2%、波長400nmの光に対し
ては78.2%であった。
Example 3 A glass substrate (# 705 manufactured by Corning Incorporated) was used as a transparent substrate.
9) was used to form a transparent conductive film on this glass substrate in the same manner as in Example 2 (hereinafter, this transparent conductive film is also called a sample). The relative oxygen content ratio of the transparent conductive film thus formed was 0.75, and the film thickness was measured in the same manner as in Example 1 to be 2720 angstroms. In addition, as a result of X-ray diffraction measurement (using the same model as in Example 1), it was confirmed that this transparent conductive film was amorphous. Furthermore, I in this transparent conductive film
The atomic ratio In / (In + Zn) of n is I as in Example 1.
It was 0.88 as measured by CP analysis. The surface resistance (surface resistance of the transparent conductive film) of the above sample is 12 Ω / □, and the light transmittance is 550 nm.
Was 83.2% and the light having a wavelength of 400 nm was 78.2%.

【0052】次に、このサンプルをDCマグネトロンス
パッタ装置に装着し、実施例1と同条件のスパッタリン
グを行って、SiO2 からなる厚さ250オングストロ
ームの透明電気絶縁層を透明導電膜上に形成した。この
透明電気絶縁層の相対酸素含有比は0.95であった。
また、この透明電気絶縁層の結晶性をX線回折により調
べたところ、非晶質であることが確認された。さらに、
この透明電気絶縁層の硬度を測定したところ、その鉛筆
硬度は3Hであった。ガラス基板上に上述のようにして
透明電気絶縁層まで形成したことにより、目的とする積
層型透明導電ガラスが得られた。
Next, this sample was mounted in a DC magnetron sputtering apparatus and sputtered under the same conditions as in Example 1 to form a transparent electrically insulating layer of SiO 2 having a thickness of 250 Å on the transparent conductive film. . The relative oxygen content ratio of this transparent electrically insulating layer was 0.95.
Further, when the crystallinity of this transparent electric insulating layer was examined by X-ray diffraction, it was confirmed to be amorphous. further,
When the hardness of this transparent electric insulation layer was measured, the pencil hardness was 3H. By forming the transparent electrically insulating layer on the glass substrate as described above, the intended laminated transparent conductive glass was obtained.

【0053】このようにして得られた積層型透明導電ガ
ラスは、表面抵抗(透明電気絶縁層の表面抵抗)が1×
106 Ω/□以上と高いものであった。また、光線透過
率は波長550nmの光に対しては82.8%、波長4
00nmの光に対しては77.8%であり、良好な透明
性を有していた。この積層型透明導電ガラスについて、
酸性溶液によるエッチング速度、透明電気絶縁層の形成
に伴う透明導電膜の導電性の変化、透明電気絶縁層の電
気絶縁性、および透明電気絶縁層の耐アルカリ性を実施
例1と同様にして測定ないし評価した。これらの結果を
表1に示す。
The laminated transparent conductive glass thus obtained has a surface resistance (surface resistance of the transparent electric insulation layer) of 1 ×.
It was as high as 10 6 Ω / □ or more. In addition, the light transmittance is 82.8% for light having a wavelength of 550 nm, and the wavelength is 4
It was 77.8% for light of 00 nm, and had good transparency. About this laminated transparent conductive glass,
The etching rate by the acidic solution, the change in conductivity of the transparent conductive film due to the formation of the transparent electric insulating layer, the electric insulation of the transparent electric insulating layer, and the alkali resistance of the transparent electric insulating layer were measured in the same manner as in Example 1. evaluated. The results are shown in Table 1.

【0054】実施例4 実施例2と同様にして、ポリカーボネートフィルム上に
アンダーコート層、ガスバリヤー層および透明導電膜を
形成した(以下、この透明導電膜まで形成したものをサ
ンプルという)。このようして形成した透明導電膜の相
対酸素含有比は0.75であり、その膜厚を実施例1と
同様にして測定したところ2720オングストロームで
あった。また、この透明導電膜は、X線回折測定(実施
例1と同機種使用)の結果、非晶質であることが確認さ
れた。さらに、この透明導電膜におけるInの原子比I
n/(In+Zn)を実施例1と同様にICP分析によ
り測定したところ、0.88であった。また、上記のサ
ンプルの表面抵抗(透明導電膜の表面抵抗)は12Ω/
□であり、光線透過率は波長550nmの光に対しては
83.0%、波長400nmの光に対しては78.1%
であった。
Example 4 An undercoat layer, a gas barrier layer and a transparent conductive film were formed on a polycarbonate film in the same manner as in Example 2 (hereinafter, this transparent conductive film is also called a sample). The relative oxygen content ratio of the transparent conductive film thus formed was 0.75, and the film thickness was measured in the same manner as in Example 1 to be 2720 angstroms. In addition, as a result of X-ray diffraction measurement (using the same model as in Example 1), it was confirmed that this transparent conductive film was amorphous. Further, the atomic ratio I of In in this transparent conductive film is I.
When n / (In + Zn) was measured by ICP analysis as in Example 1, it was 0.88. The surface resistance of the above sample (surface resistance of the transparent conductive film) is 12Ω /
□, and the light transmittance is 83.0% for light having a wavelength of 550 nm and 78.1% for light having a wavelength of 400 nm.
Met.

【0055】次に、このサンプルをDCマグネトロンス
パッタ装置に装着し、スパッタリングターゲットとして
ZnO焼結体(焼結体密度80%)を用いた以外は実施
例2と同条件のスパッタリングを行って、ZnOからな
る厚さ250オングストロームの透明電気絶縁層を透明
導電膜上に形成した。この透明電気絶縁層の相対酸素含
有比は0.96であった。また、この透明電気絶縁層の
結晶性をX線回折により調べたところ、非晶質であっ
た。さらに、この透明電気絶縁層の硬度を測定したとこ
ろ、その鉛筆硬度は3Hであった。ポリカーボネートフ
ィルム上に上述のようにして透明電気絶縁層まで形成し
たことにより、目的とする積層型透明導電フィルムが得
られた。
Next, this sample was mounted in a DC magnetron sputtering apparatus, and sputtering was carried out under the same conditions as in Example 2 except that a ZnO sintered body (sintered body density 80%) was used as a sputtering target to obtain ZnO. Was formed on the transparent conductive film to a thickness of 250 Å. The relative oxygen content ratio of this transparent electrically insulating layer was 0.96. The crystallinity of this transparent electrically insulating layer was examined by X-ray diffraction, and it was found to be amorphous. Furthermore, when the hardness of this transparent electric insulation layer was measured, the pencil hardness was 3H. By forming the transparent electrically insulating layer on the polycarbonate film as described above, the intended laminated transparent conductive film was obtained.

【0056】このようにして得られた積層型透明導電フ
ィルムは、表面抵抗(透明電気絶縁層の表面抵抗)が1
×106 Ω/□以上と高いものであった。また、光線透
過率は波長550nmの光に対しては82.8%、波長
400nmの光に対しては77.8%であり、良好な透
明性を有していた。この積層型透明導電フィルムについ
て、酸性溶液によるエッチング速度、透明電気絶縁層の
形成に伴う透明導電膜の導電性の変化、透明電気絶縁層
の電気絶縁性、透明電気絶縁層の耐アルカリ性、および
可撓性を実施例1と同様にして測定ないし評価した。こ
れらの結果を表1に示す。
The laminated transparent conductive film thus obtained has a surface resistance (surface resistance of the transparent electric insulating layer) of 1
It was as high as × 10 6 Ω / □ or more. The light transmittance was 82.8% for light with a wavelength of 550 nm and 77.8% for light with a wavelength of 400 nm, indicating good transparency. About this laminated type transparent conductive film, the etching rate with an acidic solution, the change in conductivity of the transparent conductive film due to the formation of the transparent electric insulating layer, the electric insulation of the transparent electric insulating layer, the alkali resistance of the transparent electric insulating layer, and the Flexibility was measured or evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

【0057】実施例5 実施例2と同様にして、ポリカーボネートフィルム上に
アンダーコート層、ガスバリヤー層および透明導電膜を
形成した(以下、この透明導電膜まで形成したものをサ
ンプルという)。このようして形成した透明導電膜の相
対酸素含有比は0.75であり、その膜厚を実施例1と
同様にして測定したところ2720オングストロームで
あった。また、この透明導電膜は、X線回折測定(実施
例1と同機種使用)の結果、非晶質であることが確認さ
れた。さらに、この透明導電膜におけるInの原子比I
n/(In+Zn)を実施例1と同様にICP分析によ
り測定したところ、0.88であった。また、上記のサ
ンプルの表面抵抗(透明導電膜の表面抵抗)は12Ω/
□であり、光線透過率は波長550nmの光に対しては
83.0%、波長400nmの光に対しては78.1%
であった。
Example 5 An undercoat layer, a gas barrier layer and a transparent conductive film were formed on a polycarbonate film in the same manner as in Example 2 (hereinafter, this transparent conductive film is also called a sample). The relative oxygen content ratio of the transparent conductive film thus formed was 0.75, and the film thickness was measured in the same manner as in Example 1 to be 2720 angstroms. In addition, as a result of X-ray diffraction measurement (using the same model as in Example 1), it was confirmed that this transparent conductive film was amorphous. Further, the atomic ratio I of In in this transparent conductive film is I.
When n / (In + Zn) was measured by ICP analysis as in Example 1, it was 0.88. The surface resistance of the above sample (surface resistance of the transparent conductive film) is 12Ω /
□, and the light transmittance is 83.0% for light having a wavelength of 550 nm and 78.1% for light having a wavelength of 400 nm.
Met.

【0058】次に、このサンプルをDCマグネトロンス
パッタ装置に装着し、スパッタリングターゲットとして
酸化ランタン焼結体(焼結体密度80%)を用いた以外
は実施例2と同条件のスパッタリングを行って、酸化ラ
ンタンからなる厚さ250オングストロームの透明電気
絶縁層を透明導電膜上に形成した。この透明電気絶縁層
の相対酸素含有比は0.95であった。また、この透明
電気絶縁層の結晶性をX線回折により調べたところ、非
晶質であることが確認された。さらに、この透明電気絶
縁層の硬度を測定したところ、その鉛筆硬度は3Hであ
った。ポリカーボネートフィルム上に上述のようにして
透明電気絶縁層まで形成したことにより、目的とする積
層型透明導電フィルムが得られた。
Next, this sample was mounted in a DC magnetron sputtering apparatus, and sputtering was carried out under the same conditions as in Example 2 except that a lanthanum oxide sintered body (sintered body density 80%) was used as a sputtering target. A 250 Å thick transparent electrically insulating layer of lanthanum oxide was formed on the transparent conductive film. The relative oxygen content ratio of this transparent electrically insulating layer was 0.95. Further, when the crystallinity of this transparent electric insulating layer was examined by X-ray diffraction, it was confirmed to be amorphous. Furthermore, when the hardness of this transparent electric insulation layer was measured, the pencil hardness was 3H. By forming the transparent electrically insulating layer on the polycarbonate film as described above, the intended laminated transparent conductive film was obtained.

【0059】このようにして得られた積層型透明導電フ
ィルムは、表面抵抗(透明電気絶縁層の表面抵抗)が1
×106 Ω/□以上と高いものであった。また、光線透
過率は波長550nmの光に対しては82.8%、波長
400nmの光に対しては77.8%であり、良好な透
明性を有していた。この積層型透明導電フィルムについ
て、酸性溶液によるエッチング速度、透明電気絶縁層の
形成に伴う透明導電膜の導電性の変化、透明電気絶縁層
の電気絶縁性、透明電気絶縁層の耐アルカリ性、および
可撓性を実施例1と同様にして測定ないし評価した。こ
れらの結果を表1に示す。
The laminated transparent conductive film thus obtained has a surface resistance (surface resistance of the transparent electric insulation layer) of 1
It was as high as × 10 6 Ω / □ or more. The light transmittance was 82.8% for light with a wavelength of 550 nm and 77.8% for light with a wavelength of 400 nm, indicating good transparency. About this laminated type transparent conductive film, the etching rate with an acidic solution, the change in conductivity of the transparent conductive film due to the formation of the transparent electric insulating layer, the electric insulation of the transparent electric insulating layer, the alkali resistance of the transparent electric insulating layer, and the Flexibility was measured or evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

【0060】比較例1 実施例1と同条件のスパッタリング法でガラス基板上に
透明導電膜を形成した後、基板温度を200℃にして、
TiO2 をスパッタリングターゲットとして用いたRF
マグネトロンスパッタにより透明導電膜上に透明電気絶
縁層を形成した。この透明電気絶縁層の結晶性をX線回
折により調べたところ、TiO2 に基づくピークが認め
られた。このようにして得られた積層型透明導電フィル
ムについて、酸性溶液によるエッチング速度を実施例1
と同様にして測定した。この結果を表1に示す。
Comparative Example 1 After forming a transparent conductive film on a glass substrate by the sputtering method under the same conditions as in Example 1, the substrate temperature was set to 200 ° C.
RF using TiO 2 as a sputtering target
A transparent electrically insulating layer was formed on the transparent conductive film by magnetron sputtering. When the crystallinity of this transparent electrically insulating layer was examined by X-ray diffraction, a peak based on TiO 2 was observed. With respect to the laminated transparent conductive film thus obtained, the etching rate with an acidic solution was measured in Example 1.
It measured similarly to. The results are shown in Table 1.

【0061】[0061]

【表1】 [Table 1]

【0062】表1から明らかなように、実施例1〜実施
例5の各積層型透明導電基材(積層型透明導電フィルム
または積層型透明導電ガラス)では、透明電気絶縁層と
透明導電膜とを酸性溶液により容易にエッチングするこ
とができ、かつ、透明電気絶縁層は耐アルカリ性に優れ
ている。したがって、これらの積層型透明導電基材はエ
ッチング法を利用して透明電極(表面に透明電気絶縁層
を有するもの)を作製するための材料として好適であ
る。また、実施例1〜実施例5の各積層型透明導電基材
では透明電気絶縁層の鉛筆硬度が3Hと高いことから、
これらの積層型透明導電基材をエッチングして透明電極
(表面に透明電気絶縁層を有するもの)を得た場合に
は、耐磨耗性や耐擦過傷性に優れた透明電極(表面に透
明電気絶縁層を有するもの)が得られる。
As is clear from Table 1, in each of the laminated transparent conductive base materials (laminated transparent conductive film or laminated transparent conductive glass) of Examples 1 to 5, a transparent electrically insulating layer and a transparent conductive film were formed. Can be easily etched with an acidic solution, and the transparent electric insulating layer has excellent alkali resistance. Therefore, these laminated transparent conductive substrates are suitable as a material for producing a transparent electrode (having a transparent electrically insulating layer on the surface) by utilizing an etching method. Further, in each of the laminated transparent conductive substrates of Examples 1 to 5, since the pencil hardness of the transparent electrically insulating layer was as high as 3H,
When a transparent electrode (having a transparent electric insulation layer on the surface) is obtained by etching these laminated transparent conductive base materials, a transparent electrode having excellent abrasion resistance and abrasion resistance (Having an insulating layer) is obtained.

【0063】また、表1から明らかなように、実施例1
〜実施例5の各積層型透明導電基材では透明電気絶縁層
の形成に伴う透明導電膜の導電性の変化が実質的に起き
ていない。さらに、各積層型透明導電基材の透明電気絶
縁層は1×106 Ω/□以上という高い表面抵抗を有し
ており、その電気絶縁性は高い。これら実施例1,2,
4,5の各積層型透明導電基材は可撓性にも優れてい
る。一方、比較例1の積層型透明導電基材(積層型透明
導電フィルム)は、酸性溶液によりエッチングすること
が困難である。
As is clear from Table 1, Example 1
In each of the laminated transparent conductive base materials of Example 5, the change in the conductivity of the transparent conductive film due to the formation of the transparent electrically insulating layer does not substantially occur. Furthermore, the transparent electrically insulating layer of each laminated transparent conductive substrate has a high surface resistance of 1 × 10 6 Ω / □ or more, and its electrical insulating property is high. These Examples 1, 2,
Each of the laminated transparent conductive substrates 4 and 5 is also excellent in flexibility. On the other hand, the laminated transparent conductive substrate of Comparative Example 1 (laminated transparent conductive film) is difficult to etch with an acidic solution.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の積層型透
明導電基材では透明電気絶縁層と透明導電膜とを同時
に、かつ容易にエッチングすることができる。また、こ
の積層型透明導電基材は製造過程での透明導電膜の電気
抵抗値の変化を防止することが容易であり、表面精度の
比較的高いものを得易く、かつ表面の電気絶縁性が高
い。したがって本発明によれば、液晶表示素子やEL表
示素子等に利用可能な、表面に透明電気絶縁層を有する
所望電気特性の透明電極を、エッチング法により容易に
作製することが可能になる。
As described above, in the laminated transparent conductive substrate of the present invention, the transparent electrically insulating layer and the transparent conductive film can be simultaneously and easily etched. In addition, this laminated transparent conductive substrate is easy to prevent the change of the electric resistance value of the transparent conductive film in the manufacturing process, it is easy to obtain a relatively high surface accuracy, and the surface electric insulation is high. Therefore, according to the present invention, a transparent electrode having a desired electric characteristic, which has a transparent electric insulating layer on the surface and can be used for a liquid crystal display element, an EL display element, or the like, can be easily manufactured by an etching method.

【0065】そして、本発明の積層型透明導電基材から
作製した透明電極(表面に透明電気絶縁層を有するも
の)を、液晶セルのセルギャップを小さくしたタイプの
液晶表示素子の透明電極(表面に透明電気絶縁層を有す
るもの)として利用した場合には、素子を構成する2つ
の電極が局所的に接触しても当該接触箇所での導通が抑
制されるため、応答性が高く、かつ電極間での無用の導
通に起因する表示品質の低下が少ない液晶表示装置を容
易に提供することが可能になる。
A transparent electrode (having a transparent electric insulating layer on the surface) prepared from the laminated transparent conductive substrate of the present invention is used as a transparent electrode (surface of a liquid crystal display element of a type in which the cell gap of a liquid crystal cell is reduced. When the two electrodes constituting the element are locally contacted with each other, conduction at the contact location is suppressed, so that the response is high and It is possible to easily provide a liquid crystal display device in which display quality is less likely to be reduced due to unnecessary conduction between the liquid crystal display devices.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基材と、この透明基材の一主表面上
に直接またはアンダーコート層を介して形成された透明
導電膜と、この透明導電膜上に形成された透明電気絶縁
層とを少なくとも備え、かつ、前記透明電気絶縁層が酸
可溶−耐アルカリ性無機化合物からなることを特徴とす
る積層型透明導電基材。
1. A transparent substrate, a transparent conductive film formed on one main surface of the transparent substrate directly or via an undercoat layer, and a transparent electrically insulating layer formed on the transparent conductive film. At least, and the transparent electrically insulating layer is made of an acid-soluble and alkali-resistant inorganic compound.
【請求項2】 酸可溶−耐アルカリ性無機化合物が、酸
化ランタン、酸化ケイ素および酸化亜鉛からなる群より
選択された少なくとも1種を主成分とする非晶質酸化物
であり、かつ、この酸化物における相対酸素含有比が
0.9〜0.99の範囲内である、請求項1に記載の積
層型透明導電基材。
2. The acid-soluble and alkali-resistant inorganic compound is an amorphous oxide whose main component is at least one selected from the group consisting of lanthanum oxide, silicon oxide and zinc oxide, and The laminated transparent conductive substrate according to claim 1, wherein the relative oxygen content ratio in the product is in the range of 0.9 to 0.99.
【請求項3】 透明導電膜が、主要カチオン元素として
インジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶
質酸化物からなる透明導電膜であって、Inの原子比I
n/(In+Zn)が0.55〜0.90の範囲内であ
る、請求項1または請求項2に記載の積層型透明導電基
材。
3. The transparent conductive film is made of an amorphous oxide containing indium (In) and zinc (Zn) as main cation elements, and the atomic ratio I of In is I.
The laminated transparent conductive substrate according to claim 1 or 2, wherein n / (In + Zn) is within a range of 0.55 to 0.90.
【請求項4】 透明導電膜が、主要カチオン元素として
インジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶
質酸化物からなる透明導電膜であって、Inの原子比I
n/(In+Zn)が0.82〜0.90の範囲内であ
る、請求項1または請求項2に記載の積層型透明導電基
材。
4. The transparent conductive film is made of an amorphous oxide containing indium (In) and zinc (Zn) as main cation elements, and the atomic ratio I of In is I.
The laminated transparent conductive substrate according to claim 1 or 2, wherein n / (In + Zn) is in the range of 0.82 to 0.90.
【請求項5】 透明基材がフィルム状またはシート状の
透明高分子からなる、請求項1〜請求項4のいずれか一
項に記載の積層型透明導電基材。
5. The laminated transparent conductive substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the transparent substrate comprises a film-like or sheet-like transparent polymer.
【請求項6】 透明基材がガラスからなる、請求項1〜
請求項4のいずれか一項に記載の積層型透明導電基材。
6. The method according to claim 1, wherein the transparent substrate is made of glass.
The laminated transparent conductive substrate according to claim 4.
【請求項7】 透明基材の一主表面上に直接またはアン
ダーコート層を介して物理気相堆積法または化学気相堆
積法により透明導電膜を形成する工程と、この透明導電
膜上に酸可溶−耐アルカリ性無機化合物からなる透明電
気絶縁層を物理気相堆積法または化学気相堆積法により
形成する工程とを少なくとも含み、かつ、前記透明電気
絶縁層を形成する工程での雰囲気の酸素分圧が、前記透
明電気絶縁層の相対酸素含有比が0.9〜0.99の範
囲内になるように制御されていることを特徴とする積層
型透明導電基材の製造方法。
7. A step of forming a transparent conductive film on one main surface of a transparent substrate directly or through an undercoat layer by a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method, and an acid on the transparent conductive film. At least including a step of forming a transparent electrically insulating layer made of a soluble-alkali resistant inorganic compound by a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method, and oxygen in an atmosphere in the step of forming the transparent electrical insulating layer. The method for producing a laminated transparent conductive substrate, wherein the partial pressure is controlled so that the relative oxygen content ratio of the transparent electrically insulating layer is in the range of 0.9 to 0.99.
【請求項8】 透明導電膜としての請求項3または請求
項4の非晶質酸化物膜をスパッタリング法により成膜し
た後、この透明導電膜上に透明電気絶縁層としての非晶
質酸化ケイ素膜をスパッタリング法により成膜する、請
求項7に記載の積層型透明導電基材の製造方法。
8. An amorphous oxide film according to claim 3 or 4 as a transparent conductive film is formed by a sputtering method, and then amorphous silicon oxide as a transparent electrically insulating layer is formed on the transparent conductive film. The method for producing a laminated transparent conductive substrate according to claim 7, wherein the film is formed by a sputtering method.
【請求項9】 透明導電膜としての請求項3または請求
項4の非晶質酸化物膜をスパッタリング法により成膜し
た後、この透明導電膜上に透明電気絶縁層としての非晶
質酸化ランタン膜をスパッタリング法により成膜する、
請求項7に記載の積層型透明導電基材の製造方法。
9. An amorphous lanthanum oxide film as a transparent electrically conductive layer is formed on the transparent conductive film after forming the amorphous oxide film according to claim 3 as a transparent conductive film by a sputtering method. Forming a film by a sputtering method,
The method for producing a laminated transparent conductive substrate according to claim 7.
【請求項10】 透明導電膜としての請求項3または請
求項4の非晶質酸化物膜をスパッタリング法により成膜
した後、この透明導電膜上に透明電気絶縁層としての非
晶質酸化亜鉛膜をスパッタリング法により成膜する、請
求項7に記載の積層型透明導電基材の製造方法。
10. The amorphous oxide film according to claim 3 or 4 as a transparent conductive film is formed by a sputtering method, and then amorphous zinc oxide as a transparent electric insulating layer is formed on the transparent conductive film. The method for producing a laminated transparent conductive substrate according to claim 7, wherein the film is formed by a sputtering method.
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