JP2005294084A - Transparent conductive film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、透明導電フィルムに関する発明であって、具体的には、例えばタッチパネルに用いられる透明導電フィルムであって、耐久性及び光学特性を向上させた透明導電フィルムに関する。 The present invention relates to a transparent conductive film, and specifically relates to a transparent conductive film used for a touch panel, for example, and having improved durability and optical characteristics.
昨今、日常生活においてタッチパネルを利用することが増えている。このタッチパネルは、基本的にはディスプレイ側に透明電極を設けた透明基板を、タッチ側には同様に薄膜透明電極を設けた透明導電フィルムをそれぞれ備え、対向させたこれらの透明電極を、スペーサーを介して配置した構成を有している。 Recently, the use of touch panels in daily life is increasing. This touch panel basically includes a transparent substrate provided with a transparent electrode on the display side, and a transparent conductive film provided with a thin film transparent electrode on the touch side, respectively. It has the structure arranged via.
このようなタッチパネルが広く普及するのに伴い、タッチパネルの品質や性能に関する要求もますます高い物となりつつあるが、中でも使用頻度の向上に伴う透明導電フィルムの耐久性向上、及びディスプレイの高精細化に伴う光線透過率の向上が、強く求められるようになっている。そこで、透明電極である透明導電層の膜厚を薄くすることにより光線透過率を向上させることが検討されている。 With the widespread use of touch panels like these, demands regarding the quality and performance of touch panels are becoming increasingly high, but in particular, the durability of transparent conductive films with increased use frequency and higher definition of displays are increasing. Improvement of the light transmittance accompanying this is strongly demanded. Thus, it has been studied to improve the light transmittance by reducing the thickness of the transparent conductive layer, which is a transparent electrode.
つまり、透明導電層では光吸収現象が若干とはいえ発生するので、透明導電層の膜厚を薄くすることにより、光吸収による影響を出来るだけ減少させようという考え方によるものである。 In other words, since the light absorption phenomenon occurs slightly in the transparent conductive layer, it is based on the idea of reducing the influence of light absorption as much as possible by reducing the film thickness of the transparent conductive layer.
しかし単純に透明導電層の膜厚を薄くしてしまうと透明導電層がもろくなってしまう等の問題が生じるため、透明導電層の膜厚を薄くすると同時に、一定の耐久性は確保しておかなければならない、という必要が生じている。 However, simply reducing the film thickness of the transparent conductive layer may cause problems such as fragility of the transparent conductive layer, so reduce the film thickness of the transparent conductive layer and ensure a certain level of durability. The need to have arisen.
そこで、例えば特許文献１に記載のような構成を有する透明導電フィルムが提案されている。即ち、基材フィルムの片面に弾性層を介して透明基材を積層し、また基材フィルムの他面には、ハードコート層、架橋重合体層、透明導電層、の順に積層してなる透明導電フィルムが提案されている。
そしてこのように構成することにより、例えばペン入力式のタッチパネルにこの透明導電フィルムを用いても、ペン入力時の衝撃の緩衝作用が働き透明導電層が破壊されることがない、即ち透明導電層の膜強度が向上する、という効果が得られる、とされている。
Thus, for example, a transparent conductive film having a configuration as described in Patent Document 1 has been proposed. That is, a transparent base material is laminated on one side of a base film through an elastic layer, and a hard coat layer, a crosslinked polymer layer, and a transparent conductive layer are laminated on the other side of the base film in this order. Conductive films have been proposed.
With this configuration, for example, even when this transparent conductive film is used for a pen input type touch panel, the shock absorbing action at the time of pen input works and the transparent conductive layer is not destroyed, that is, the transparent conductive layer It is said that the effect of improving the film strength can be obtained.
このように特許文献１に記載の透明導電フィルムであれば確かに透明導電層の膜厚が薄くなることにより光線透過率の向上が見込めるかもしれないが、実際には透明導電層の膜厚が１７ｎｍ以下でないと膜厚を薄くした事による光線透過率の向上、という明確な効果は生じず、一方特許文献１に記載の透明導電フィルムにおける透明導電層の膜厚をここまで薄くすると、やはり透明導電層の耐久性、という点で充分なものとはならず、さらに特許文献１に記載の透明導電フィルムにおける透明導電層の結晶化が大変困難なものとなってしまう。 As described above, if the transparent conductive film described in Patent Document 1 is used, it may be possible to improve the light transmittance by reducing the thickness of the transparent conductive layer. If it is not 17 nm or less, there is no clear effect of improving the light transmittance by reducing the film thickness. On the other hand, if the film thickness of the transparent conductive layer in the transparent conductive film described in Patent Document 1 is reduced so far, it is still transparent. The durability of the conductive layer is not sufficient, and further, crystallization of the transparent conductive layer in the transparent conductive film described in Patent Document 1 becomes very difficult.
実際には透明導電層の膜厚を１０ｎｍ以上１７ｎｍ以下、より好ましくは１３ｎｍ以上１７ｎｍ以下とすることにより、透明導電層の膜厚を薄くする事による光線透過率の向上という効果を得られ、また透明導電層も結晶化することも可能である。尚、膜厚を１０ｎｍ未満としてしまうと、そもそも透明導電層として作用しなくなる、良質な膜が得られない、等の現象が生じてしまい、また１７ｎｍ以上とすると光線透過率の向上が困難になる、という理由により、膜厚は上記の通りとすることが好ましいのである。 Actually, by setting the film thickness of the transparent conductive layer to 10 nm or more and 17 nm or less, more preferably 13 nm or more and 17 nm or less, an effect of improving the light transmittance by reducing the film thickness of the transparent conductive layer can be obtained. The transparent conductive layer can also be crystallized. In addition, if the film thickness is less than 10 nm, the phenomenon that the transparent conductive layer does not work in the first place, a high-quality film cannot be obtained, and the like, and if it is 17 nm or more, it is difficult to improve the light transmittance. Therefore, the film thickness is preferably as described above.
しかし特許文献１に記載の透明導電フィルムにおける透明導電層の膜厚を１７ｎｍ以下としてしまうと、透明導電層の耐久性が急激に劣ってしまう、良質な膜が得られず、また導電性に大きく寄与する酸素欠陥が透明導電層の酸化により減少してしまい、そのために比抵抗が大幅に上昇し、ひいては導電層としての作用が生じなくなってしまう、という現象が起こってしまう。また、この透明導電層を、コーティング法により設けた架橋重合体層の表面に設けた場合、コーティング法により設けた架橋重合体層から出てくる水分の影響により、架橋重合体層と接する付近において透明導電層の質が劣化してしまう、という現象が起こってしまう。
このように、特許文献１に記載の透明導電フィルムであっても、透明導電層の膜厚が１７ｎｍ以下であると所望の効果を得られなかった。
However, if the thickness of the transparent conductive layer in the transparent conductive film described in Patent Document 1 is 17 nm or less, the durability of the transparent conductive layer is rapidly deteriorated, a good quality film cannot be obtained, and the conductivity is large. The contributing oxygen vacancies are reduced by the oxidation of the transparent conductive layer, so that the specific resistance is greatly increased, and as a result, the function as the conductive layer is not generated. In addition, when this transparent conductive layer is provided on the surface of the crosslinked polymer layer provided by the coating method, it is in the vicinity of being in contact with the crosslinked polymer layer due to the influence of moisture coming out of the crosslinked polymer layer provided by the coating method. A phenomenon occurs in which the quality of the transparent conductive layer deteriorates.
Thus, even if it was the transparent conductive film of patent document 1, the desired effect was not acquired as the film thickness of a transparent conductive layer is 17 nm or less.
そこで、本発明はこのような要望に鑑みて為されたものであり、その目的は、光線透過率を向上させるためにＩＴＯ層の膜厚を１７ｎｍ以下になるように薄くしても、ＩＴＯ層の耐久性を維持できるようにした構成を有する透明導電フィルムを提供することである。 Therefore, the present invention has been made in view of such a demand, and the purpose thereof is to reduce the ITO layer even if the ITO layer is thinned to 17 nm or less in order to improve the light transmittance. It is providing the transparent conductive film which has the structure which enabled it to maintain durability.
上記課題を解決するため、本願発明の請求項１に記載の発明は、基材として用いるプラスチックフィルムの表面に、コーティング法により形成されるアンカーコート層と、透明導電層と、が積層されてなり、前記プラスチックフィルムの他面にハードコート層が積層されてなる、透明導電フィルムにおいて、前記アンカーコート層と前記透明導電層との間の中間層として、酸化珪素膜を有すること、を特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 of the present invention is formed by laminating an anchor coat layer formed by a coating method and a transparent conductive layer on the surface of a plastic film used as a substrate. The transparent conductive film, in which a hard coat layer is laminated on the other surface of the plastic film, has a silicon oxide film as an intermediate layer between the anchor coat layer and the transparent conductive layer. .
本願発明の請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の透明導電フィルムにおいて、前記酸化珪素膜がスパッタリング法により形成されてなり、且つ前記酸化珪素膜を構成する酸化珪素がＳｉＯｘ（但し１．６＜ｘ＜２である。）で表されること、を特徴とする。 The invention according to claim 2 of the present invention is the transparent conductive film according to claim 1, wherein the silicon oxide film is formed by a sputtering method, and the silicon oxide constituting the silicon oxide film is SiOx (however, 1.6 <x <2)).
本願発明の請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の透明導電フィルムにおいて、前記酸化珪素膜と前記透明導電層を同時に形成してなること、若しくは、前記酸化珪素膜を形成した後、形成された前記酸化珪素膜の表面を大気に接触させることなく前記透明導電層を形成してなること、を特徴とする。 The invention according to claim 3 of the present invention is the transparent conductive film according to claim 1 or 2, wherein the silicon oxide film and the transparent conductive layer are formed simultaneously, or the silicon oxide film After forming the transparent conductive layer, the surface of the formed silicon oxide film is not brought into contact with the atmosphere.
本願発明の請求項４に記載の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の透明導電フィルムにおいて、前記透明導電層の膜厚が１０ｎｍ以上１７ｎｍ以下であること、を特徴とする。 Invention of Claim 4 of this invention is the transparent conductive film of any one of Claim 1 thru | or 3, The film thickness of the said transparent conductive layer is 10 nm or more and 17 nm or less, It is characterized by the above-mentioned. And
以上のように、本願発明に係る透明導電フィルムであれば、酸化珪素膜を設けているので、他の層や基材フィルムから放出される水分が透明導電層に吸収されないように酸化珪素膜が作用するので、透明導電層の膜厚を薄くしても酸素を吸収したり、水分を吸収したりすることによる膜質劣化が生じない、即ち良質な透明導電層を維持でき、ひいては良質な透明導電フィルムとする事が出来るのである。また、酸化珪素膜と透明導電層を同時に形成する、若しくは大気にさらすことなくこれらを連続して形成することにより、ＳｉＯｘのｘが２とはならなくなるので、即ち酸化珪素に還元性を付与することができるので、その表面に透明導電層を積層した時に、透明導電層が吸収する酸素を酸化珪素が吸収するという現象、つまり酸化珪素の還元作用が直接透明導電層に対して働くことにより、透明導電層が酸化してしまうことを抑制することが出来る。その為に、耐環境性において比抵抗の上昇を抑制出来る、透明導電フィルムを得る。 As described above, since the silicon oxide film is provided in the transparent conductive film according to the present invention, the silicon oxide film is formed so that moisture released from other layers and the base film is not absorbed by the transparent conductive layer. Therefore, even if the film thickness of the transparent conductive layer is reduced, it does not cause deterioration of film quality due to absorption of oxygen or moisture, that is, a high-quality transparent conductive layer can be maintained. It can be a film. Further, by simultaneously forming the silicon oxide film and the transparent conductive layer, or by continuously forming them without being exposed to the atmosphere, x of SiOx does not become 2, that is, imparts reducibility to the silicon oxide. Therefore, when a transparent conductive layer is laminated on the surface, the phenomenon that silicon oxide absorbs oxygen absorbed by the transparent conductive layer, that is, the reduction action of silicon oxide directly acts on the transparent conductive layer, It can suppress that a transparent conductive layer oxidizes. Therefore, a transparent conductive film that can suppress an increase in specific resistance in environmental resistance is obtained.
以下、本願発明の実施の形態について説明する。尚、ここで示す実施の形態はあくまでも一例であって、必ずもこの実施の形態に限定されるものではない。
（実施の形態１）
本願発明に係る透明導電フィルムについて、第１の実施の形態として説明する。
この透明導電フィルムは、基材として用いるプラスチックフィルムの表面に、コーティング法により形成されるアンカーコート層と、透明導電層と、が積層されてなり、前記プラスチックフィルムの他面にハードコート層が積層されてなる、透明導電フィルムにおいて、前記アンカーコート層と前記透明導電層との間の中間層として、酸化珪素膜を有する構成よりなる。
そこで本実施の形態に係る透明導電フィルムを構成する各部分につき以下説明する。
Embodiments of the present invention will be described below. The embodiment shown here is merely an example, and is not necessarily limited to this embodiment.
(Embodiment 1)
The transparent conductive film according to the present invention will be described as a first embodiment.
This transparent conductive film is formed by laminating an anchor coat layer formed by a coating method and a transparent conductive layer on the surface of a plastic film used as a base material, and a hard coat layer is laminated on the other surface of the plastic film. The transparent conductive film thus formed has a structure having a silicon oxide film as an intermediate layer between the anchor coat layer and the transparent conductive layer.
Then, it demonstrates below about each part which comprises the transparent conductive film which concerns on this Embodiment.
まず本実施の形態に用いるプラスチックフィルムについて説明する。このプラスチックフィルムは透明であればよく、例えばＰＥＴ、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルフォン、ノルボルネン系樹脂、などによる樹脂フィルムであれば、高い透明性を有し、また寸法安定性も高いので好適である。中でも製造コスト、取扱、入手の容易さ、耐屈曲性、等の点から、ＰＥＴフィルムであることが好適である。 First, the plastic film used in this embodiment will be described. The plastic film only needs to be transparent. For example, if the resin film is made of PET, polyimide, polyamide, acrylic, polycarbonate, polypropylene, polyvinyl chloride, ABS, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, norbornene resin, etc., it is expensive. It is suitable because it has transparency and high dimensional stability. Among these, a PET film is preferable from the viewpoints of production cost, handling, availability, bending resistance, and the like.
また本実施の形態におけるプラスチックフィルムの厚さとしては、１０μｍ〜３００μｍとすることが好ましい。１０μｍ未満であると耐久性等の点で問題が生じ、３００μｍを超えると、取扱性、可撓性等の点で問題が生じるからである。また耐久性、可撓性等をバランス良く得るためには、さらに７５μｍ〜２００ｍの範囲内であることがより好ましい。 In addition, the thickness of the plastic film in the present embodiment is preferably 10 μm to 300 μm. This is because if it is less than 10 μm, a problem occurs in terms of durability and the like, and if it exceeds 300 μm, problems occur in terms of handleability, flexibility, and the like. Moreover, in order to obtain durability, flexibility and the like in a balanced manner, it is more preferably in the range of 75 μm to 200 m.
このようなフィルムの表面にコーティング法によりアンカーコート層を形成する。
アンカーコート層を設けるのは、他層を積層しやすくする、基材フィルムとの密着強度を向上させる、という目的を達するためである。さらに透明導電層表面の光線反射率を低減させるため、という目的も考えられる。
そこで本実施の形態ではこれらの目的を達するために、アンカーコート層は高屈折率層と低屈折率層との組み合わせで２層以上の多層により構成されるものとする。
An anchor coat layer is formed on the surface of such a film by a coating method.
The anchor coat layer is provided in order to achieve the purpose of facilitating lamination of other layers and improving the adhesion strength with the base film. Furthermore, the purpose of reducing the light reflectivity on the surface of the transparent conductive layer may be considered.
Therefore, in this embodiment, in order to achieve these objects, the anchor coat layer is composed of a multilayer of two or more layers by combining a high refractive index layer and a low refractive index layer.
本実施の形態におけるアンカーコート層の形成方法は次の通りである。即ち、フィルム基材より高屈折率の材料を積層した後に、低屈折率層を形成する。低屈折率層に関しては、さらにその表面に酸化珪素膜を形成することより、酸化珪素膜と同程度の屈折率を有する物であることが望ましい。
例えば高屈折率層の材料としては、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＺｒＯ２等の高屈折率からなる無機酸化物を塗剤中に混ぜた層や、チタニウムアルコキシド、ジルコニウムアルコキシドなどの金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる重合体層などが挙げられる。
The formation method of the anchor coat layer in the present embodiment is as follows. That is, a low refractive index layer is formed after laminating a material having a higher refractive index than the film substrate. The low refractive index layer is preferably a material having a refractive index comparable to that of the silicon oxide film by further forming a silicon oxide film on the surface thereof.
For example, as a material for the high refractive index layer, a layer in which an inorganic oxide having a high refractive index such as TiO 2 , ITO, ATO, SnO 2 , ZnO, or ZrO 2 is mixed in the coating, titanium alkoxide, zirconium alkoxide, etc. And a polymer layer formed by hydrolysis and condensation polymerization of the metal alkoxide.
また低屈折率層の材料としては、珪素アルコキシドの加水分解ならびに縮合重合させてなる層が例としてあげられる。 Examples of the material for the low refractive index layer include a layer formed by hydrolysis and condensation polymerization of silicon alkoxide.
しかし高屈折率層、低屈折率層の材料としてこれらに限定するものではなく、他のものであっても構わない。また以上説明したアンカーコート層は通常公知な塗布方法により設けられるが、必ずしもその手法を限定するものではなく、塗布以外の方法で設けられてあっても構わない。 However, the materials for the high refractive index layer and the low refractive index layer are not limited to these, and other materials may be used. The anchor coat layer described above is usually provided by a known application method, but the method is not necessarily limited, and it may be provided by a method other than application.
またアンカーコート層の膜厚としては特に限定しないが、可視光透過の波長で透過率を最も良くしたい部分の反射率が最小になるように設計する。例えば、透過率を良くしたい場合には、視感透過に最も影響を与える約５５０ｎｍでの反射率が最小になるように、各アンカー層の厚み設計を行う。また、色の再現性を良くするため、透過光の色目を極力なくすには、低波長付近(３８０〜４８０ｎｍ)での反射を最小にすることで、低波長部分での透過率を向上でき透過光の色目を軽減することができる。 Further, the thickness of the anchor coat layer is not particularly limited, but the anchor coat layer is designed so that the reflectance of the portion where the transmittance is best at the visible light transmission wavelength is minimized. For example, when it is desired to improve the transmittance, the thickness of each anchor layer is designed so that the reflectance at about 550 nm that most affects the luminous transmission is minimized. In addition, in order to improve the color reproducibility, in order to minimize the color of the transmitted light, it is possible to improve the transmittance in the low wavelength part by minimizing the reflection near the low wavelength (380 to 480 nm). The color of light can be reduced.
次にアンカーコート層の表面に、スパッタリング法により酸化珪素膜を形成する。
このスパッタリング法とは、珪素ターゲットを用い、アルゴン、酸素雰囲気中で製膜される。また珪素と酸素の反応量をコントロールすることにより、酸化珪素の光吸収が少ない領域で、かつ酸素欠陥を有する酸化珪素膜を形成する方法である。
アルゴン雰囲気中の酸素ガス量を多くして行くとスパッタ電圧が大きく低下する部分が現れ、珪素と酸素の反応が活性になる部分が現れ、さらに、酸素量が多ければ多いほど完全な二酸化珪素（ＳｉＯ２）に近づき光吸収量が小さい膜ができる。本目的の酸化珪素膜は酸素欠損部分を残しつつ、光吸収を極力抑えたいので、スパッタ電圧が大きく変化する近辺の酸素量が最適である。また、酸素欠陥を有する酸化珪素膜、とは、具体的には酸化珪素がＳｉＯｘ（但し１．６＜ｘ＜２である。）で表される酸化珪素膜のことである。
Next, a silicon oxide film is formed on the surface of the anchor coat layer by a sputtering method.
In this sputtering method, a silicon target is used to form a film in an argon and oxygen atmosphere. Further, it is a method for forming a silicon oxide film having oxygen defects in a region where light absorption of silicon oxide is small by controlling the reaction amount of silicon and oxygen.
When the amount of oxygen gas in the argon atmosphere is increased, a part where the sputtering voltage is greatly reduced appears, a part where the reaction between silicon and oxygen becomes active appears. Furthermore, as the amount of oxygen increases, complete silicon dioxide ( A film that approaches SiO 2 ) and has a small light absorption amount can be formed. Since the silicon oxide film for this purpose wants to suppress light absorption as much as possible while leaving an oxygen deficient portion, the amount of oxygen in the vicinity where the sputtering voltage greatly changes is optimal. The silicon oxide film having oxygen defects specifically refers to a silicon oxide film in which silicon oxide is represented by SiOx (where 1.6 <x <2).
そしてこのように酸化珪素膜を形成したら、その表面に透明導電層を形成するのであるが、これらは同時に形成すること、若しくは、前記酸化珪素膜を形成した後、形成された前記酸化珪素膜の表面を大気に接触させることなく前記透明導電層を形成すること、が重要である。 Then, when the silicon oxide film is formed in this way, a transparent conductive layer is formed on the surface thereof. However, these are formed simultaneously, or after the silicon oxide film is formed, the silicon oxide film is formed. It is important to form the transparent conductive layer without bringing the surface into contact with the atmosphere.
これは、酸化珪素膜を形成した後、一端その表面を大気にさらしてしまうと、大気中の酸素が、酸化珪素の酸素欠陥部分に取り込まれてしまい、そのため酸化珪素膜中の活性な酸素欠陥部分が減少し、そのために還元能力が極度に低下してしまうからである。そして還元揚力が低下してしまうと、本実施の形態における透明導電フィルムの重要な性質である、透明導電層の酸化を防ぐ、という作用効果を発揮出来なくなってしまうため、形成された酸化珪素膜の表面を大気中の酸素にさらさないようにしなければならないのである。 This is because, after forming the silicon oxide film, once the surface is exposed to the atmosphere, oxygen in the atmosphere is taken into the oxygen defect portion of the silicon oxide, and therefore active oxygen defects in the silicon oxide film. This is because the portion is reduced, and thus the reducing ability is extremely reduced. If the reduction lift is reduced, it becomes impossible to exert the effect of preventing the oxidation of the transparent conductive layer, which is an important property of the transparent conductive film in the present embodiment. It must be ensured that the surface of the glass is not exposed to atmospheric oxygen.
このようにして形成される透明導電層は、通常透明導電フィルムに用いられるインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）や、インジウム・スズ合金の（以下「ＩＴＭ」とする。）を材料として、これを公知の手法により積層することにより得られるものである。その他、透明導電層として用いられるものであれば上記に限定されるものではなく、例えば酸化錫アンチモン、酸化錫フッ素、酸化亜鉛アルミニウム、等のドーピング金属酸化物、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合酸化物などのドーピングしていない金属酸化物、等であってもよい、さらには上記の物質を複数採用した原材料による導電層としていても構わない（尚、以下ではＩＴＯを用いて説明する）。 The transparent conductive layer thus formed is made of indium tin oxide (ITO) or indium tin alloy (hereinafter referred to as “ITM”), which is usually used for transparent conductive films, as a material. It is obtained by laminating by the above method. In addition, it is not limited to the above as long as it is used as a transparent conductive layer. For example, doping metal oxides such as antimony tin oxide, tin oxide fluorine, zinc aluminum oxide, etc., composite oxidation of indium oxide and zinc oxide It may be a metal oxide that is not doped, such as a material, or may be a conductive layer made of a raw material that employs a plurality of the above substances (hereinafter, description will be made using ITO).
本実施の形態では、ＩＴＯの膜厚を１０ｎｍ以上１７ｎｍ以下とすること、より好ましくは１３ｎｍ以上１７ｎｍ以下とすること、が好ましい。これは、ＩＴＯの膜厚を薄くするほどに光学吸収量を低くでき、即ち光線透過率を高くすることができるからであり、光線透過率を向上させることにより、昨今普及している高精細画像によるディスプレイに本実施の形態に係る透明導電フィルムを用いても、高精細画像の高精細度を損なうことがなくなるのである。 In the present embodiment, it is preferable that the ITO film thickness is 10 nm or more and 17 nm or less, more preferably 13 nm or more and 17 nm or less. This is because the amount of optical absorption can be reduced as the ITO film thickness is reduced, that is, the light transmittance can be increased. By improving the light transmittance, a high-definition image that has become widespread recently. Even when the transparent conductive film according to the present embodiment is used for the display according to the above, the high definition of the high definition image is not impaired.
この透明導電層の膜厚については特に限定されるものではないが、タッチパネルとしても必要な導電性（１００〜１０００Ω／□）、透明性、等の点を有利なものとするためには、１０ｎｍ以上の膜厚とすることが好適である。 The film thickness of the transparent conductive layer is not particularly limited, but 10 nm is necessary in order to make the necessary conductivity (100 to 1000Ω / □), transparency, and the like necessary for the touch panel as advantageous. It is preferable to set the film thickness as described above.
透明導電層の積層方法については上述の通り公知な手法で構わない。例えばスパッタリング法、化学的真空蒸着法（ＣＶＤ）や物理的真空蒸着法（ＰＶＤ）等の真空蒸着法、イオンプレーティング法、等である。中でもスパッタリング法を用いることが、加工性の観点から好適であると言える。 As for the method for laminating the transparent conductive layer, a known method may be used as described above. For example, sputtering methods, vacuum deposition methods such as chemical vacuum deposition (CVD) and physical vacuum deposition (PVD), ion plating methods, and the like. In particular, it can be said that the sputtering method is preferable from the viewpoint of workability.
このように、本実施の形態に係る透明導電フィルムでは、基材となるプラスチックフィルムの片面に、高屈折率層／低屈折率層／酸化珪素層を積層してなるが、高屈折率層と基材の間にハードコート層を積層しても構わない。このハードコート層を設けることにより、本実施の形態に係る透明導電フィルムをタッチパネルに用いると耐擦傷性を確保することに寄与する。
尚、ハードコート層の厚みについては特に限定するものではなく、耐擦傷性と可撓性との関係でバランスのよい厚みとすれば良い。
Thus, in the transparent conductive film according to the present embodiment, a high refractive index layer / low refractive index layer / silicon oxide layer is laminated on one side of a plastic film serving as a base material. A hard coat layer may be laminated between the substrates. By providing this hard coat layer, the use of the transparent conductive film according to the present embodiment for a touch panel contributes to ensuring scratch resistance.
Note that the thickness of the hard coat layer is not particularly limited, and may be a thickness having a good balance in relation to scratch resistance and flexibility.
以上のようにして基材フィルムの片面にハードコート層、アンカーコート層、酸化珪素膜、透明導電層を積層するが、その一方で、反対の面にもハードコート層を積層している。このハードコート層の材料としては、電離放射線硬化型、熱硬化型などが挙げられる。また、この積層方法については特に限定はなく、例えばコーティング法等の塗布法等により積層されていて構わない。さらにハードコート層を積層する時期についても特に限定はなく、基材フィルムにアンカーコート層を積層した前後であっても、透明導電層まで積層した後であっても構わないし、ハードコート層の厚みについても特に制限はない。 As described above, the hard coat layer, the anchor coat layer, the silicon oxide film, and the transparent conductive layer are laminated on one side of the base film, while the hard coat layer is also laminated on the opposite side. Examples of the material for the hard coat layer include an ionizing radiation curable type and a thermosetting type. Moreover, there is no limitation in particular about this lamination | stacking method, For example, you may laminate | stack by application methods, such as a coating method. Further, there is no particular limitation on the timing of laminating the hard coat layer, either before or after laminating the anchor coat layer on the base film, or after laminating the transparent conductive layer, and the thickness of the hard coat layer. There is also no particular restriction on.
このようにして得られた透明導電フィルムであれば、これをタッチパネルに用いることで、光線反射率、光吸収を低く抑え、優れた光学特性を備えたものとすることが出来る。また、本願発明に係る透明導電フィルムであれば、コーティング法によりアンカーコート層を形成し、その表面にスパッタリング法により還元性を有する酸化珪素膜を形成してなるので、透明導電層の膜厚を１７ｎｍ以下になるように薄くしても耐久性が劣ることがなく、また光学特性に優れた性質を維持できる透明導電フィルムを得られる。
If it is the transparent conductive film obtained by doing in this way, by using this for a touch panel, light reflectivity and light absorption can be suppressed low and it can have excellent optical characteristics. In addition, in the case of the transparent conductive film according to the present invention, an anchor coat layer is formed by a coating method, and a reducing silicon oxide film is formed on the surface by a sputtering method. Even if the thickness is reduced to 17 nm or less, a transparent conductive film that does not deteriorate in durability and can maintain properties excellent in optical properties can be obtained.
Claims (4)
コーティング法により形成されるアンカーコート層と、
透明導電層と、
が積層されてなり、
前記プラスチックフィルムの他面にハードコート層が積層されてなる、透明導電フィルムにおいて、
前記アンカーコート層と前記透明導電層との間の中間層として、酸化珪素膜を有すること、
を特徴とする、透明導電フィルム。 On the surface of the plastic film used as the substrate,
An anchor coat layer formed by a coating method;
A transparent conductive layer;
Are stacked,
In the transparent conductive film in which a hard coat layer is laminated on the other surface of the plastic film,
A silicon oxide film as an intermediate layer between the anchor coat layer and the transparent conductive layer;
A transparent conductive film characterized by
前記酸化珪素膜がスパッタリング法により形成されてなり、且つ前記酸化珪素膜を構成する酸化珪素がＳｉＯｘ（但し１．６＜ｘ＜２である。）で表されること、
を特徴とする、透明導電フィルム。 The transparent conductive film according to claim 1,
The silicon oxide film is formed by a sputtering method, and the silicon oxide constituting the silicon oxide film is represented by SiOx (where 1.6 <x <2);
A transparent conductive film characterized by
前記酸化珪素膜と前記透明導電層を同時に形成してなること、
若しくは、前記酸化珪素膜を形成した後、形成された前記酸化珪素膜の表面を大気に接触させることなく前記透明導電層を形成してなること、
を特徴とする、透明導電フィルム。 In the transparent conductive film of Claim 1 or Claim 2,
Forming the silicon oxide film and the transparent conductive layer simultaneously;
Alternatively, after forming the silicon oxide film, the transparent conductive layer is formed without bringing the surface of the formed silicon oxide film into contact with the atmosphere,
A transparent conductive film characterized by
前記透明導電層の膜厚が１０ｎｍ以上１７ｎｍ以下であること、
を特徴とする、透明導電フィルム。
The transparent conductive film according to any one of claims 1 to 3,
The film thickness of the transparent conductive layer is 10 nm or more and 17 nm or less,
A transparent conductive film characterized by
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2004108619A JP2005294084A (en) | 2004-04-01 | 2004-04-01 | Transparent conductive film |
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| JP2005294084A true JP2005294084A (en) | 2005-10-20 |
Family
ID=35326777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2004108619A Pending JP2005294084A (en) | 2004-04-01 | 2004-04-01 | Transparent conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2005294084A (en) |
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