JP2002264239A - Transparent conductive laminate - Google Patents

Transparent conductive laminate

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JP2002264239A
JP2002264239A JP2001065873A JP2001065873A JP2002264239A JP 2002264239 A JP2002264239 A JP 2002264239A JP 2001065873 A JP2001065873 A JP 2001065873A JP 2001065873 A JP2001065873 A JP 2001065873A JP 2002264239 A JP2002264239 A JP 2002264239A
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JP
Japan
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transparent conductive
laminate
film
thin film
layer
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JP2001065873A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuji Yoshida
裕司 吉田
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Oike and Co Ltd
Original Assignee
Oike and Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive laminate excellent in transparent conductivity, input durability or the like and also excellent in the uniformity of transparent conductivity especially in the length direction of a long laminate. SOLUTION: The transparent conductive laminate is constituted by laminating a transparent conductive thin film on at least the single surface of a base material comprising a polymeric film. This laminate is a long homogeneous transparent conductive laminate of which the length is at least 3 m or more and, when the values of respective surface resistivities at the respective positions, which are set at a predetermined pitch in the length direction of the laminate at the almost center part in the width direction of the laminate, is set to ti (i: 1, 2, 3, 4...n. 0<=n<=30) and the simple average value of them is set to tAV, the number (m) of the respective surface resistivities ti larger than 1.2 tAV in the ratio of the simple average value tAV and each surface resistivity ti is 0.1 or less as m/n.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性の均一性
に優れた透明導電性積層体に関し、さらに工業的に製造
されるところの長尺であってかつ透明導電性が均質な品
質に優れた各種デイスプレイ等特にタッチパネルにおい
て使用される透明導電性積層体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent conductive laminate excellent in uniformity of transparent conductivity, and moreover, it is a long product which is industrially manufactured and excellent in quality having uniform transparent conductivity. In addition, the present invention relates to a transparent conductive laminate used particularly for various displays such as a touch panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、透明導電性フイルムを使用した透
明タッチパネル等透明導電性フイルムを使用したデイス
プレイが多用されている。そのなかで透明タッチパネル
は、指やペンによって所定位置を押圧することで、コン
ピューター などに所定の情報等を入力するものであ
る。
2. Description of the Related Art In recent years, displays using a transparent conductive film such as a transparent touch panel using a transparent conductive film have been frequently used. Among them, a transparent touch panel is used to input predetermined information to a computer or the like by pressing a predetermined position with a finger or a pen.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】指やペンによって所定
位置を押圧する際、透明導電性フイルムの透明導電層
と、対向する透明導電層とで、接触、非接触が繰り返し
行われることにより、歪み等が発生し、これによりニュ
ートンリングが発生したりし問題であったり、接触時に
指やペンを離してもその接触が非接触にならない即ちス
テイッキングが発生し使用に耐えないなどの課題を抱え
ていた。また、アンカーコート層等のコーテイング層と
透明導電膜との密着性が不十分であったり、有機樹脂の
コーティング層の膜硬度が弱い等の理由で、入力耐久性
に劣り、特に表面粗さが特定以上のもでは耐擦傷性や入
力耐久性、耐溶剤性に劣るなどの課題を有するものが殆
どであった。さらに上記課題に加えて、工業的に長尺フ
イルムを基材として使用し、蒸着装置で連続的に透明導
電性薄膜を形成する手法が多用されているが、得られた
長尺透明導電性積層体から小面積に裁断してタッチパネ
ル等に使用されるが、長尺透明導電性積層体の最も重要
な機能である導電性(表面抵抗値)の透明導電性が均質
な物でない場合は得られたタッチパネル等の性能がばら
つき生産効率が極めて悪くなり、品質に優れた各種デイ
スプレイ等特にタッチパネルにおいて使用される均質な
特に長さ方向において均質な長尺透明導電性積層体が望
まれていた。従って本発明は、透明導電性や入力耐久性
等に優れ、しかも長尺積層体における透明導電性の均一
性特に長さ方向での均一性にも優れた透明導電性フイル
ムを提供せんとするものである。
When a predetermined position is pressed by a finger or a pen, the contact and non-contact between the transparent conductive layer of the transparent conductive film and the opposing transparent conductive layer are repeatedly performed, thereby causing distortion. Etc., which may cause problems such as the occurrence of Newton rings, and the fact that the contact does not become non-contact even if the finger or pen is released at the time of contact, that is, sticking occurs and cannot withstand use. Was. In addition, due to insufficient adhesion between the coating layer such as an anchor coat layer and the transparent conductive film, and weak film hardness of the organic resin coating layer, the input durability is poor, and particularly the surface roughness is low. In most cases, those having problems such as inferior abrasion resistance, input durability and solvent resistance were found. In addition to the above-mentioned problems, a technique of industrially using a long film as a base material and continuously forming a transparent conductive thin film with a vapor deposition apparatus is frequently used. It is cut to a small area from the body and used for touch panels, etc., but it is obtained when the transparent conductivity of conductivity (surface resistance), which is the most important function of the long transparent conductive laminate, is not uniform. The performance of a touch panel or the like varies and the production efficiency becomes extremely poor, and there is a demand for a long transparent conductive laminate that is uniform, particularly in the length direction, used in various displays such as high quality displays, especially in touch panels. Accordingly, the present invention is to provide a transparent conductive film having excellent transparent conductivity and input durability, and also having excellent uniformity of transparent conductivity in a long laminated body, particularly excellent uniformity in a length direction. It is.

【0004】本発明は、前記従来品の課題や問題点を解
決し、かつ工業的に製造されるところの長尺であってか
つ透明導電性特が均質な特に長さ方向で均質な、品質に
優れたタッチパネル等において使用される透明導電性積
層体を提供せんとするものであり、前記透明導電性積層
体におけるの所定位置での表面抵抗値のバラツキが一定
以下の場合において、初めてタッチパネル等の製造にお
いて生産効率よく使用されるものとなることを見出し
た。
The present invention solves the above-mentioned problems and problems of the conventional products, and has a long size and a uniform transparent conductive characteristic, particularly a uniform quality in the longitudinal direction, which is industrially manufactured. The present invention is to provide a transparent conductive laminate used in a touch panel and the like excellent in, and when the variation of the surface resistance value at a predetermined position in the transparent conductive laminate is not more than a certain value, the touch panel and the like for the first time Was found to be used with high production efficiency in the production of.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、高分子フイル
ムからなる基材(A)の少なくとも片面に、透明導電性
薄膜(B)を積層した透明導電性積層体において、該積
層体が少なくとも幅Wcmで縦3m以上の長尺体であ
り、該積層体の幅方向におけるほぼ中心部のかつ縦方向
のWcmピッチでの各位置における各表面抵抗率をti
としたとき(iは1、2,3,4、…nの整数を示し、
10≦n≦30である)、その単純平均値をtAVとし、
該単純平均値tAVと各表面抵抗率tiとの対比におい
て、1.2tAVより大である各表面抵抗率tiの個数m
が、前記nとの関係m/nで表したとき0.1以下であ
ることを特徴とする均質な長尺透明導電性積層体であ
り、また透明導電性薄膜(B)が、インジウム・スズ・
酸化物を主成分とする厚さ10nm〜200nmの透明
導電性薄膜である前記の透明導電性積層体であり、さら
にまた透明導電性薄膜(B)の他にさらに、アンカーコ
ート層、ハードコート層、防汚層、反射防止層、透明な
プラスチック薄膜層が積層されてなる前記の透明導電性
積層体である。
According to the present invention, there is provided a transparent conductive laminate comprising a transparent conductive thin film (B) laminated on at least one surface of a substrate (A) made of a polymer film. It is a long body having a width of Wcm and a length of 3 m or more, and each surface resistivity at a position substantially at the center of the laminate in the width direction and at each position of the vertical Wcm pitch is represented by ti.
(I represents an integer of 1, 2, 3, 4,... N,
10 ≦ n ≦ 30), and the simple average value is tAV,
In the comparison between the simple average value tAV and each surface resistivity ti, the number m of each surface resistivity ti that is larger than 1.2 tAV
Is a homogeneous long transparent conductive laminate characterized by being 0.1 or less as represented by the relationship m / n with n, and the transparent conductive thin film (B) is made of indium tin・
The transparent conductive thin film is a transparent conductive thin film having a thickness of 10 nm to 200 nm and containing an oxide as a main component. In addition to the transparent conductive thin film (B), an anchor coat layer and a hard coat layer The transparent conductive laminate is formed by laminating an antifouling layer, an antireflection layer, and a transparent plastic thin film layer.

【0006】[0006]

【発明の実施態様】本発明における、高分子フイルムか
らなる基材(A)としては、透明であってかつ透明導電
性薄膜(B)を形成することのできるものであれば特に
限定されるものではないが、好ましい例としては、ポリ
エチレンテレフタレートフイルム、ポリエチレンナフタ
レートフイルム、ポリ(メタ)アクリレートフイルム、
ポリカーボネートフイルム、ポリイミドフイルム、ポリ
スルフォンフイルム、トリアセチルセルロースフイルム
等のセルロース系フイルム等が挙げられる、その中でも
透明性、耐熱性、強度や伸度等の機械的性質などから、
ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポリカーボネー
トフイルム、トリアセチルセルロースフイルムのフイル
ムが特に好ましいものであり、これらが多層押し出し、
積層等の形態をとってもよいものである。また、これら
のフイルムは、その形成に際しフイルムの加工性、耐候
性、滑り性、難燃性、抗菌性や帯電性などの電気的性質
を改良するために、滑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、
充填剤、帯電防止剤、難燃剤、抗菌剤、染料等の色材等
を添加せしめてもよく、これらの添加剤を他樹脂等に含
有せしめてフイルム表面に塗布せしめてもよいものであ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The substrate (A) comprising a polymer film in the present invention is not particularly limited as long as it is transparent and can form a transparent conductive thin film (B). However, preferred examples include polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, poly (meth) acrylate film,
Polycarbonate film, polyimide film, polysulfone film, cellulose film such as triacetyl cellulose film and the like, among which transparency, heat resistance, mechanical properties such as strength and elongation, among others,
Polyethylene terephthalate film, polycarbonate film, and films of triacetyl cellulose film are particularly preferred, and these are multi-layer extruded,
It may take a form such as lamination. In addition, when forming these films, lubricants, antioxidants, ultraviolet absorbers, etc. are used in order to improve the film's processability, weather resistance, slip properties, flame retardancy, antibacterial properties, and electrical properties such as antistatic properties. ,
A coloring material such as a filler, an antistatic agent, a flame retardant, an antibacterial agent, and a dye may be added, or these additives may be contained in another resin or the like and applied to the film surface.

【0007】また、前記フイルムに透明導電性薄膜
(B)を形成するにあたり、予め低温プラズマ処理、コ
ロナ処理、グロー放電処理、前洗浄等の表面清浄化処理
等の前処理を施してもよく、透明導電性薄膜(B)と基
材フイルムとの密着性などを向上せしめるために、該基
材フイルムの表面に、アンカーコート層を形成せしめて
もよく、透明導電性薄膜(B)を形成する基材フイルム
の反対面にアンカーコート層を形成せしめてもよいもの
である。これらのフイルムの厚さとしては3〜500μ
m程度であり好ましくは4〜300μmである。本発明
に用いるアンカーコート層は、その層構成の樹脂等が特
に限定されるものではないが、好ましくは形成後の層と
しては、透明導電性フイルムとの密着性向上や透明性の
向上に寄与し、かつ微粒子との親和性にもすぐれたもの
であるものが好ましい。
In forming the transparent conductive thin film (B) on the film, a pretreatment such as a low-temperature plasma treatment, a corona treatment, a glow discharge treatment, and a surface cleaning treatment such as a pre-cleaning may be performed. In order to improve the adhesion between the transparent conductive thin film (B) and the base film, an anchor coat layer may be formed on the surface of the base film to form the transparent conductive thin film (B). An anchor coat layer may be formed on the opposite surface of the base film. The thickness of these films is 3 to 500 μm.
m, and preferably 4 to 300 μm. The anchor coat layer used in the present invention is not particularly limited in the resin or the like of the layer constitution, but preferably as a layer after formation, it contributes to the improvement of the adhesion to the transparent conductive film and the improvement of the transparency. Further, those having excellent affinity with fine particles are preferable.

【0008】前記アンカーコート層を形成する樹脂等構
成成分としては、主として熱硬化型樹脂、若しくは電離
放射線硬化型樹脂があり、特に限定されないがメラミン
系樹脂、アクリレート系アルコール変性多官能化合物、
トリメチロールプロパンアクリレート、トリプロピレン
グリコールジアクリレート、ペンタエリストールトリア
クリレート、1,6−へキサンジオールアクリレート、
チタネート系化合物、アルコキシシラン加水分解縮合系
樹脂(シロキサン結合含有樹脂)が挙げられる。なかで
もアルコキシシラン加水分解縮合系成分(シロキサン結
合含有樹脂)が好ましく使用できる。アンカーコート層
の厚みは、特に限定されないが、透明性と耐久性とのバ
ランスから、0.02〜10μmの範囲である。電離放
射線硬化型樹脂は、少なくとも電子線あるいは紫外線照
射により硬化される樹脂を含有する塗料から形成され
る。具体的には、光重合性プレポリマー、光重合性モノ
マー、光重合開始剤を含有し、さらに必要に応じて増感
剤、非反応性樹脂、レベリング剤等の添加剤、溶剤を含
有するものである。前記アンカーコート層には、本発明
の透明導電性積層体の「くっつき」防止のためや、ニュ
ウートンリング防止効果のため等にシリカやジルコニア
等の平均粒子径1〜30nmの微粒子や平均粒子径20
nm〜10μm径の粒子を添加含有せしめてもよい。前
記の微粒子や粒子は、後記のハードコート層等に添加含
有せしめてもよい。
The constituents such as the resin forming the anchor coat layer are mainly thermosetting resins or ionizing radiation-curable resins, and are not particularly limited. Melamine resins, acrylate alcohol-modified polyfunctional compounds,
Trimethylolpropane acrylate, tripropylene glycol diacrylate, pentaerythritol triacrylate, 1,6-hexanediol acrylate,
Examples include titanate-based compounds and alkoxysilane hydrolysis-condensation-based resins (siloxane bond-containing resins). Among them, an alkoxysilane hydrolysis-condensation-based component (siloxane bond-containing resin) can be preferably used. The thickness of the anchor coat layer is not particularly limited, but is in the range of 0.02 to 10 μm from the balance between transparency and durability. The ionizing radiation-curable resin is formed from a paint containing at least a resin that is cured by irradiation with an electron beam or ultraviolet rays. Specifically, it contains a photopolymerizable prepolymer, a photopolymerizable monomer, and a photopolymerization initiator, and further contains, if necessary, additives such as a sensitizer, a non-reactive resin, and a leveling agent, and a solvent. It is. In the anchor coat layer, fine particles having an average particle diameter of 1 to 30 nm such as silica or zirconia for preventing the “sticking” of the transparent conductive laminate of the present invention or for preventing the New Wootton ring, etc. 20
Particles having a diameter of nm to 10 μm may be added and contained. The above-mentioned fine particles and particles may be added and contained in a hard coat layer and the like described later.

【0009】本発明における透明導電性薄膜(B)とし
ては、金属アルコキシド等の加水分解物をコーティング
することによって形成される無機酸化物を主成分とする
コーティング層や、若しくは、CVD、EB蒸着、イオ
ンプレーティグ、スパッタリング、等によって形成され
るものであり、インジウム−錫系(ITO)、ZnO2
系、CdO系、SnO2系等が適宜選択使用されるもの
である。なかでも、インジウム−錫系(ITO)が好ま
しく、インジウム−錫系(ITO)における錫の含有量
が3〜15モル%であるものが特に好ましく、このイン
ジウム−錫系(ITO)においては、非結晶性のもので
もよく、結晶性のものでもよく勿論非結晶性−結晶性の
中間性(混合タイプ)のものでもよい。本発明における
透明導電性薄膜(B)の薄膜厚さは透明性、均質性など
本発明の主旨を損なわないかぎりにおいては、限定され
ないが、5〜300nm程度が好ましく、より好ましく
は10nm〜200nmである。
As the transparent conductive thin film (B) in the present invention, a coating layer mainly composed of an inorganic oxide formed by coating a hydrolyzate such as a metal alkoxide, or a CVD, EB evaporation, It is formed by ion plating, sputtering, or the like, and is made of indium-tin (ITO), ZnO2
System, CdO system, SnO2 system and the like are appropriately selected and used. Above all, indium-tin (ITO) is preferable, and those having a tin content of 3 to 15 mol% in indium-tin (ITO) are particularly preferable. In this indium-tin (ITO), non-tin is preferable. It may be a crystalline one, a crystalline one, or of course, an amorphous-crystalline intermediate (mixed type). The thin film thickness of the transparent conductive thin film (B) in the present invention is not limited as long as the gist of the present invention such as transparency and homogeneity is not impaired, but is preferably about 5 to 300 nm, more preferably 10 nm to 200 nm. is there.

【0010】本発明においては、高分子フイルムからな
る基材(A)の透明導電性薄膜(B)を形成する側の反
対側にSiOx層を設けてもよくまたは、高分子フイル
ムからなる基材(A)にアンカーコート層、SiOx
層、透明導電性薄膜(B)を順に設けてもよく、SiO
x層は本発明の透明導電性積層体の透明性、筆記耐久性
などの向上に寄与するものである。SiOx層のxとし
ては1.5〜2.0が好ましく、その厚さは2〜50n
mが好ましく更に好ましくは5〜15nmである。2n
mに満たないときは前記のSiOx層の形成効果が僅か
であり、50nmを超えるときは透明導電層(B)の透
明性の向上等のための後熱処理などの効果を得難いなど
の問題が生じ、経済的にも得策でない。このSiOx層
の形成法は特に限定されず電子ビーム蒸着法、加熱蒸着
法、スパッタリング法、等公知の方法が適宜選択採用さ
れる。このSiOx層の形成によって、得られる透明導
電性フイルムの透明性が向上しかつ、ペン入力等に耐え
られる、さらに該SiOx層の水蒸気バリヤー性による
と考えられる透明導電性薄膜(B)の劣化を抑制する
等、耐久性も向上する。
In the present invention, a SiOx layer may be provided on the side opposite to the side on which the transparent conductive thin film (B) is formed on the substrate (A) made of a polymer film, or the substrate made of a polymer film may be provided. (A) Anchor coat layer, SiOx
Layer and the transparent conductive thin film (B) may be provided in this order.
The x layer contributes to improving the transparency, writing durability, and the like of the transparent conductive laminate of the present invention. X of the SiOx layer is preferably 1.5 to 2.0, and its thickness is 2 to 50 n.
m is more preferably 5 to 15 nm. 2n
When it is less than m, the effect of forming the SiOx layer is slight, and when it exceeds 50 nm, there arises a problem that it is difficult to obtain an effect such as a post heat treatment for improving the transparency of the transparent conductive layer (B). It is not economically good. The method for forming the SiOx layer is not particularly limited, and a known method such as an electron beam evaporation method, a heating evaporation method, and a sputtering method is appropriately selected and adopted. By forming the SiOx layer, the transparency of the obtained transparent conductive film is improved and the transparent conductive thin film (B) which can withstand pen input and the like and which is considered to be due to the water vapor barrier property of the SiOx layer is prevented from deteriorating. The durability is also improved, for example, by suppressing it.

【0011】本発明の透明導電性積層体は、高分子フイ
ルムからなる基材(A)に、アンカーコート層、SiO
x層、透明導電性薄膜(B)を設けたことで得られる場
合もあるが、高分子フイルムからなる基材(A)の透明
導電性薄膜(B)を設ける側の他の一面にハードコート
層を設けてもよく、さらに該ハードコート層上にシリコ
ン−フッ素系等の防汚層を設けてもよいし、また高分子
フイルムからなる基材(A)とアンカーコート層との間
にハードコート層を設けてもよく、さらに、高分子フイ
ルムからなる基材(A)、透明導電性薄膜(B)以外
に、アンカーコート層、ハードコート層、防汚層、反射
防止層、透明なプラスチック薄膜層や、さらに他の金属
透明導電性薄膜例えば金属パラジウムや、金属金,銀,
銅,白金,ロジウム等の薄膜を設けてもよいものであ
る。
[0011] The transparent conductive laminate of the present invention comprises an anchor coat layer, a SiO 2 film and a base film (A) made of a polymer film.
Although it may be obtained by providing the x layer and the transparent conductive thin film (B), a hard coat is applied to the other surface of the base material (A) made of a polymer film on the side where the transparent conductive thin film (B) is provided. A layer may be provided, and an antifouling layer such as a silicon-fluorine type may be provided on the hard coat layer, or a hard coat may be provided between the base (A) made of a polymer film and the anchor coat layer. A coat layer may be provided. In addition to the base (A) made of a polymer film and the transparent conductive thin film (B), an anchor coat layer, a hard coat layer, an antifouling layer, an antireflection layer, a transparent plastic Thin-film layers and other metallic transparent conductive thin films such as metallic palladium, metallic gold, silver,
A thin film of copper, platinum, rhodium or the like may be provided.

【0012】本発明でいうハードコート層とは鉛筆硬度
がH以上のものであり、ハードコート層形成としては、
特に限定されないが、樹脂熱硬化型樹脂、若しくは電離
放射線硬化型樹脂が挙げられ、メラミン系樹脂、アクリ
レート系アルコール変性多官能化合物、トリメチロール
プロパンアクリレート、トリプロピレングリコールジア
クリレート、ペンタエリストールトリアクリレート、
1,6−へキサンジオールアクリレート、チタネート系
化合物、アルコキシシラン加水分解縮合系樹脂(シロキ
サン結合含有樹脂)が例示できる。例えば電離放射線塗
料を用いたハードコート層の形成方法としては、通常の
塗工方法、例えば、リバースロール、バー、ブレード、
スピン、グラビア、スプレー等のコーティングで行うこ
とができる。本発明でいう防汚層とは、フッ素含有化合
物等公知の撥水、撥油性の機能を有するものを厚さ0.
1〜100nm程度で、好ましくは透明導電性積層体の
透明導電性薄膜形成面の反対側のハードコート層の最表
層に形成する場合が挙げられる。本発明における反射防
止層とは、高屈折率層および低屈折率層を使用して本発
明の透明導電性積層体に必要に応じて適用されるもので
あり、高屈折率層としては、屈折率が1.65以上の例
えばZnO,TiO2,CeO2,SnO2,ZrO2,I
TO等を蒸着、スパッタリング等で形成してもよく、前
記金属酸化物等の微粒子(粒子径1〜50nm)を透明
バインダー樹脂に分散せしめ塗布形成してもよく、その
厚さは20nm〜2μmである。低屈折率層としては、
MgF2,SiO2等の低屈折率の蒸着、スパッタリン
グ等で形成したものでもよく、SiO2等のゾルを塗布
して形成してもよいもので、その厚さは50nm〜2μ
mである。本発明における透明なプラスチック薄膜層と
は、本発明における透明導電性積層体に必要に応じて形
成することのできる接着剤層、粘着剤層、離形フイルム
等が挙げられる。
The hard coat layer in the present invention has a pencil hardness of H or more.
Although not particularly limited, a resin thermosetting resin, or an ionizing radiation-curable resin may be mentioned, and a melamine-based resin, an acrylate-based alcohol-modified polyfunctional compound, trimethylolpropane acrylate, tripropylene glycol diacrylate, pentaerythritol triacrylate,
Examples thereof include 1,6-hexanediol acrylate, titanate compounds, and alkoxysilane hydrolysis-condensation resins (siloxane bond-containing resins). For example, as a method of forming a hard coat layer using an ionizing radiation paint, a normal coating method, for example, a reverse roll, a bar, a blade,
It can be performed by coating such as spin, gravure, and spray. The antifouling layer referred to in the present invention is a layer having a known water repellency and oil repellency such as a fluorine-containing compound having a thickness of 0.1 mm.
A thickness of about 1 to 100 nm is preferably formed on the outermost layer of the hard coat layer on the opposite side of the transparent conductive thin film forming surface of the transparent conductive laminate. The antireflection layer in the present invention is a layer which is applied as necessary to the transparent conductive laminate of the present invention using a high refractive index layer and a low refractive index layer. For example, ZnO, TiO 2 , CeO 2 , SnO 2 , ZrO 2 , I
TO or the like may be formed by vapor deposition, sputtering, or the like, or fine particles (particle diameter: 1 to 50 nm) of the metal oxide or the like may be dispersed in a transparent binder resin to be applied and formed, and the thickness is 20 nm to 2 μm. is there. As the low refractive index layer,
It may be formed by vapor deposition, sputtering or the like with a low refractive index such as MgF2 or SiO2, or may be formed by applying a sol such as SiO2, and has a thickness of 50 nm to 2 μm.
m. The transparent plastic thin film layer in the present invention includes an adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive layer, a release film and the like which can be formed on the transparent conductive laminate of the present invention as required.

【0013】本発明の、高分子フイルムからなる基材
(A)の少なくとも片面に透明導電性薄膜(B)を積層
した透明導電性積層体において、該積層体が少なくとも
幅Wcmで縦3m以上の長尺体(すなわちA4程度の大
きさからせいぜいA3程度の大きさにバッチ式で枚様方
式で製造される短尺のものとは異なるもの)であり、該
積層体の幅方向におけるほぼ中心部のかつ縦方向のWc
mピッチでの各位置における各表面抵抗率をtiとした
とき(iは1、2,3,4、…nの整数を示し、10≦
n≦30であり、好ましくは20≦n≦30である)、
その単純平均値をtAVとし、該単純平均値tAVと各表面
抵抗率値tiとの対比において、1.2tAVより大であ
る各表面抵抗率値tiの個数mが、nとの関係m/nで
表したとき0.1以下であることを特徴とする均質な長
尺透明導電性積層体において、透明で導電性であってか
つ少なくとも幅W以上で縦3m以上の長尺体の長尺透明
導電性積層体が前記した性能を有する均質なものであ
る。ここで、少なくとも幅Wcmで縦3m以上の長尺体
とは工業的に生産した長尺透明導電性積層体であり、該
積層体の幅方向におけるほぼ中心部、すなわち幅25c
m場合は幅方向で12.5cmにおける位置の一位置
(i=1)の導電性の一指標である表面抵抗率値を測定
し、かつ縦方向の25cmピッチでの該幅方向における
ほぼ中心部の各位置(i=2,3,4…n)における各
表面抵抗率値を測定するとき各位置(i=2,3,4…
n)は一位置(i=1)から縦方向に25cmピッチで
順次測定したものであり、各表面抵抗値をtiとしたと
き(iは1、2,3,4、…nを示し、10≦n≦30
である)、その単純平均値をtAVとし、該単純平均値t
AVと各表面抵抗率値tiとの対比において、1.2×tA
Vより大である各表面抵抗値tiの個数mが、m/nで表
したとき0.1以下であることを特徴とするものであ
る。このm/nは好ましくは0.07以下さらに好まし
くは0.05以下である。m/nが0.1以下であって
長尺透明導電性積層体全域における表面抵抗率が品質上
容認し得る範囲に入り、0.1を超えるものは長尺透明
導電性積層体全域における表面抵抗率が品質上容認し得
ないものとなることが判明した。本発明におけるWは2
〜210であり、すなわち幅は2〜210cmであり、
この幅に応じて縦方向に測定するピッチも2〜210c
mとするものである。ここにおける各iの1,2,3,
4,…nの位置は任意の連続した位置を示す。
In the transparent conductive laminate of the present invention, wherein a transparent conductive thin film (B) is laminated on at least one surface of a substrate (A) made of a polymer film, the laminate has a width of at least Wcm and a length of 3 m or more. It is a long body (that is, it is different from a short body manufactured in a batch-type and sheet-like system from a size of about A4 to a size of at most A3 at most) at a substantially central portion in the width direction of the laminate. And Wc in the vertical direction
When each surface resistivity at each position in the m pitch is ti (i is an integer of 1, 2, 3, 4,... n and 10 ≦
n ≦ 30, preferably 20 ≦ n ≦ 30),
The simple average value is defined as tAV, and in the comparison between the simple average value tAV and each surface resistivity value ti, the number m of each surface resistivity value ti that is larger than 1.2 tAV is a relation m / n with n. In a homogeneous and long transparent conductive laminate characterized in that it is 0.1 or less when expressed by a long transparent material that is transparent and conductive and has a width of at least W and a length of 3 m or more. The conductive laminate is a homogeneous one having the above-mentioned performance. Here, the long body having a width of at least Wcm and a length of 3 m or more is an industrially produced long transparent conductive laminate, and a substantially central portion in the width direction of the laminate, that is, a width 25c.
In the case of m, the surface resistivity value, which is an index of conductivity at one position (i = 1) at a position of 12.5 cm in the width direction, is measured, and a substantially central portion in the width direction at a pitch of 25 cm in the vertical direction. When each surface resistivity value at each position (i = 2, 3, 4,... N) is measured, each position (i = 2, 3, 4,.
n) are sequentially measured from one position (i = 1) at a pitch of 25 cm in the vertical direction. When each surface resistance value is ti (i is 1, 2, 3, 4,. ≦ n ≦ 30
), The simple average value is defined as tAV, and the simple average value t
1.2 × tA in comparison between AV and each surface resistivity value ti
The number m of each surface resistance value ti greater than V is not more than 0.1 when expressed by m / n. This m / n is preferably 0.07 or less, more preferably 0.05 or less. When m / n is 0.1 or less, the surface resistivity in the whole area of the long transparent conductive laminate falls within an acceptable range in terms of quality. It was found that the resistivity was unacceptable for quality. W in the present invention is 2
~ 210, i.e. the width is 2-210 cm,
The pitch measured in the vertical direction according to this width is also 2-210c
m. Here, 1, 2, 3,
The positions of 4,... N indicate arbitrary continuous positions.

【0014】また本発明の高分子フイルムからなる基材
(A)の少なくとも片面に透明導電性薄膜(B)を積層
した透明導電性積層体においては、好ましくは、任意の
一定幅方向で該積層体を幅W/10cm×縦(長さ方
向)W/10cmの正方形に区分するため縦方向W/1
0cmピッチ、幅方向W/10cmピッチで平行線を引
き該各平行線によって区分されたところの、該各正方形
の個々のほぼ中心部の各表面抵抗率値をtjとしたとき
(jは1、2,3,4、…nを示し、10≦n≦30で
ある)、その単純平均値をtavとし、該単純平均値tav
と各表面抵抗率値tjとの対比において、1.2tavよ
り大である各表面抵抗値率tjの個数pが、p/nで表
したとき0.1以下であることをも有するところの均質
な透明導電性積層体である。このp/nは好ましくは
0.07以下さらに好ましくは0.05以下である。こ
の透明導電性積層体における各jの1,2,3,4,…
nの位置は区分された正方形の一幅方向での全数を取る
ことを優先し、その数が10以下のときは他の任意の正
方形(好ましくはなるべく前記正方形の近傍の正方形)
を採用する。上記W/10cmが1cm未満の場合は該
幅方向の均一性測定は特に意味が少なくなる。
Further, in the transparent conductive laminate in which the transparent conductive thin film (B) is laminated on at least one surface of the substrate (A) made of the polymer film of the present invention, the laminate is preferably formed in any given width direction. Vertical direction W / 1 to divide the body into squares of width W / 10cm x length (length direction) W / 10cm
When a parallel line is drawn at a pitch of 0 cm and a pitch of W / 10 cm in the width direction, and each surface resistivity value of a substantially central portion of each of the squares, which is divided by each parallel line, is defined as tj (j is 1, 2, 3, 4,... N, and 10 ≦ n ≦ 30), and the simple average value is set as tav, and the simple average value tav
And the number p of each surface resistivity tj that is greater than 1.2 tav in comparison with each surface resistivity tj, the number p may be 0.1 or less when expressed by p / n. Transparent conductive laminate. This p / n is preferably 0.07 or less, more preferably 0.05 or less. 1, 2, 3, 4,... Of each j in the transparent conductive laminate
For the position of n, priority is given to taking the total number of the divided squares in one width direction, and when the number is 10 or less, another arbitrary square (preferably a square close to the square).
Is adopted. When the W / 10 cm is less than 1 cm, the measurement of the uniformity in the width direction becomes particularly meaningless.

【0015】本発明における、表面抵抗率の測定は、例
えば三菱化学株式会社社製のロレスターMPを用いて
(温度20℃、相対湿度65%の測定条件)JIS K
7194に準じて(1〜8cm□の大きさで)測定する
方法が採用できる。本発明の透明導電性積層体を得るた
めの方法としては、例えば、高分子フイルムからなる
基材(A)に異物や特定以上の凹凸がないフイルムを精
選すること、高分子フイルムからなる基材(A)を透
明導電性薄膜(B)を形成する前に洗浄清浄化処理を施
すこと、高分子フイルムからなる基材(A)に透明導
電性薄膜(B)を形成するに際し、該高分子フイルムか
らなる基材(A)の除電処理を施すこと、金属または
金属酸化物の蒸着源表面から粒子状異物の飛散を抑える
こと、金属または金属酸化物の蒸着源からの薄膜形成
速度を抑え均質な薄膜形成を行うこと、長尺な高分子
フイルムからなる基材(A)の巻き硬度を調節してロー
ル状に長尺透明導電性積層体を製造する際の巻き擦り傷
を極力抑えること、ロール状に長尺透明導電性積層体
を製造する際ロール状巻きの硬度を調節して透明導電性
薄膜(B)に擦り傷を付与しないこと、透明導電性薄
膜の組成を均一化する、透明導電性薄膜の膜厚を均一
化する等等が挙げられるが、これらを全て採用してもよ
いし、その一部を採用してもよいものである。
In the present invention, the surface resistivity is measured, for example, using Loresta MP manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (measuring conditions at a temperature of 20 ° C. and a relative humidity of 65%) according to JIS K.
A method of measuring (in a size of 1 to 8 cm square) according to 7194 can be adopted. Examples of the method for obtaining the transparent conductive laminate of the present invention include, for example, carefully selecting a film having no foreign matter or irregularities of a specific size or more on a substrate (A) made of a polymer film, and a substrate made of a polymer film. (A) is subjected to a cleaning and cleaning treatment before forming the transparent conductive thin film (B), and when forming the transparent conductive thin film (B) on the base material (A) made of a polymer film, Subjecting the substrate (A) made of a film to static elimination, suppressing the scattering of particulate foreign matter from the surface of the metal or metal oxide deposition source, suppressing the rate of forming a thin film from the metal or metal oxide deposition source, Forming a thin transparent film, controlling the winding hardness of the base material (A) made of a long polymer film, and suppressing as much as possible abrasion when manufacturing a long transparent conductive laminate in a roll shape. Long transparent conductive laminate When manufacturing a roll, the hardness of the roll is adjusted so that the transparent conductive thin film (B) is not scratched, the composition of the transparent conductive thin film is made uniform, the thickness of the transparent conductive thin film is made uniform, etc. And the like, but all of them may be employed or some of them may be employed.

【0016】以下に実施例を挙げて説明するが本発明は
これに限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【実施例】*実施例1 厚さ175μmの透明ポリエチレンテレフタレートフイ
ルムの幅120cm長さ12000mの長尺フイルムか
ら、皺、異物、表面汚れ等の少ない部分を選別しさら
に、該フイルムの透明導電性薄膜形成面を純水で超音波
併用洗浄し乾燥して、幅70cm長さ1500mを透明
導電性薄膜(B)形成用フイルムとして採用した(A−
1)。この基材フイルムとしての(A−1)フイルムの
一面に、6官能アクリレートモノマー50部、2官能ウ
レタンアクリレート31部、光開始剤3部、トルエン1
00部からなる塗料をハードコート樹脂バインダー部分
の硬化後の厚みが3μmになるようにメイヤーバーにて
塗布し、溶剤乾燥後、高圧水銀灯にて紫外線を300m
J/cm2照射し硬化させてハードコート層を形成した
(該ハードコート層の鉛筆硬度は2Hであった)。ポリ
エチレンテレフタレートフイルムの該ハードコート層を
設けた面の反対面上に、アルコキシシランの加水分解物
(実施例1と同じシロキサン結合含有樹脂成分含量)、
シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、平均粒径
12nmのオルガノシリカゾルメチルイソブチルケトン
分散液(実施例1と同じシロキサン結合含有樹脂成分含
量)の混合液(固形分比、シロキサン結合含有樹脂成
分:オルガノシリカゾル成分=5.2:4.8重量比)
を、キスコートで塗布し乾燥厚さ0.02μmのアンカ
ー層を形成した。該アンカー層のRaは7.57nm
(Rzは56.3nm、測定レンジ500μm)であっ
た。このアンカーコート層上に、SiO2の10nmス
パッタリングによる薄膜を形成し、このSiO2薄膜上
に、透明導電性薄膜としてITO膜を、インジウム:錫
=95:5(金属、モル比)のターゲットを使用し、真
空室内を10−3Paとし、ArとO2の混合ガスを導
入しながら2×10−1PaとしてDCスパッタリング
で厚さ30nmに形成し、150℃で24時間熱処理
し、透明導電性積層体を得た。この透明導電性積層体の
全光線透過率は85.3%であった。この透明導電性積
層体の幅方向の両端部を10cm切り取り、長さ方向量
両末端部を10mずつ切り取り、得られた幅50cm長
さ1490mの透明導電性積層体の一末端から50cm
で幅方向25cmのほぼ幅方向の中心部の表面抵抗率を
三菱化学株式会社社製のロレスターMP測定装置を使用
して大きさ5cm×5cmで測定(温度20℃、相対湿
度65%の測定条件)し、470Ω/□の値tO 21(i
=1)を得た。以下同ほぼ中心部の位置の長さ方向に5
0cmピッチでの各位置の表面抵抗率を同様に測定し各
ti(i=2,3,4…n、nが30)を得た。この透明
導電性積層体のtAVは475Ω/□であり、1.2tAV
である570Ω/□より大であるtiの数mは1であ
り、m/nは0.03であった。また、この透明導電性
積層体の任意個所の全幅に長さ1m切りだし、それを、
5cm×5cmの正方形に区分するため縦5cmピッ
チ、横5cmピッチで平行線を引き該各平行線によって
区分されたところの、連続した一幅方向の区分とそれに
連続する幅方向の区分から30点選び該各正方形の個々
の各表面抵抗率を上記と同様に測定し、各部分の表面抵
抗率をtjとしたとき(jは1、2,3,4、…nを示
し、n=20である)、その単純平均値tavは475Ω
/□であり、1.2tavである570Ω/□より大であ
るtjの数pは1であり、p/nは0.03であった。
この得られた透明導電性積層体は全域にわたって均質
な表面抵抗率を有していることが判明した。
EXAMPLES Example 1 Transparent polyethylene terephthalate film with a thickness of 175 μm
Lum width 120cm length 12000m long film
Screen, and then select and remove parts with little wrinkles, foreign matter, surface contamination, etc.
Then, the surface of the film on which the transparent conductive thin film is formed is ultrasonically treated with pure water.
Wash and dry together, clear 70cm wide and 1500m long
Adopted as a film for forming the conductive thin film (B) (A-
1). Of the film (A-1) as the base film
On one side, 50 parts of a hexafunctional acrylate monomer,
31 parts of urethane acrylate, 3 parts of photoinitiator, 1 part of toluene
Hard coating resin binder part
With a Meyer bar so that the thickness of the cured product becomes 3 μm
Apply and dry the solvent.
J / cmTwoIrradiation and curing to form a hard coat layer
(The pencil hardness of the hard coat layer was 2H). Poly
The hard coat layer of the ethylene terephthalate film
On the opposite side of the surface provided, hydrolyzate of alkoxysilane
(The same siloxane bond-containing resin component content as in Example 1),
Cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, average particle size
12nm organosilica sol methyl isobutyl ketone
Dispersion (containing the same siloxane bond-containing resin component as in Example 1)
Amount) (solid content ratio, siloxane bond-containing resin composition)
(Minute: organosilica sol component = 5.2: 4.8 weight ratio)
Is applied with a kiss coat and dried with an anchor having a thickness of 0.02 μm.
Layer was formed. Ra of the anchor layer is 7.57 nm.
(Rz is 56.3 nm, measurement range is 500 μm).
Was. On this anchor coat layer, SiOTwo10nm
A thin film is formed by sputtering,TwoOn thin film
And an ITO film as a transparent conductive thin film, indium: tin
= 95: 5 (metal, molar ratio)
The vacant room is set to 10-3 Pa, and a mixed gas of Ar and O2 is introduced.
DC sputtering at 2 × 10-1 Pa
And heat-treated at 150 ° C for 24 hours
Thus, a transparent conductive laminate was obtained. This transparent conductive laminate
The total light transmittance was 85.3%. This transparent conductive product
Cut both ends of the layer body in the width direction by 10 cm, and measure the length direction
Cut both ends 10m each, obtained 50cm width
50 cm from one end of the transparent conductive laminate having a length of 1490 m
And the surface resistivity of the center in the width direction of about 25 cm in the width direction
Uses Lorester MP measuring device manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
And measure 5cm x 5cm (temperature 20 ° C, relative humidity
Measurement condition of 65%) and a value tO of 470Ω / □ Two1 (i
= 1). Hereinafter, 5 in the longitudinal direction at the substantially central position.
The surface resistivity at each position at a 0 cm pitch was measured in the same manner.
ti (i = 2, 3, 4,... n, n is 30) were obtained. This transparent
The tAV of the conductive laminate is 475Ω / □, and 1.2tAV
The number m of ti which is larger than 570Ω / □ is 1
M / n was 0.03. Also, this transparent conductive
Cut out 1m length to the full width of any part of the laminate,
5cm vertical to divide into 5cm x 5cm squares
H, draw parallel lines at 5 cm horizontal pitch
Consecutive one-width section and its division
Select 30 points from consecutive widthwise sections, and select each square
The surface resistivity of each part was measured in the same manner as above, and the surface resistance of each part was measured.
When the drag rate is tj (j is 1, 2, 3, 4,... N)
And n = 20), and its simple average value tav is 475Ω.
/ □, which is larger than 570Ω / □ which is 1.2 tav.
The number p of tj was 1 and p / n was 0.03.
 The resulting transparent conductive laminate is homogeneous throughout
It was found to have a high surface resistivity.

【0017】*実施例2 アンカー層のRaが7.12nm(Rzは66.3n
m、測定レンジ500μm)である以外は実施例1と同
様にして透明導電性積層体を得た。この透明導電性積層
体の全光線透過率は85.6%であった。得られた透明
導電性積層体を10cm×15cmの大きさに裁断し、
2枚をITO膜が向き合うようにして、端部を固定し、
ガラス板上に固定し、一方のポリエチレンテレフタレー
トフイルムのハードコート層側からポリアセタール樹脂
性棒の円形端部(1cm2面積)で1Kg/cm2の加圧
で圧しながら10cm/秒の速さでドローイングした。
このドローイングによるITO膜同士のくっつき(ステ
イッキング)が見られず、ITO膜の見かけの変化も見
られず、入力耐久性、耐溶剤性においても問題はなかっ
た。この透明導電性積層体の幅方向の両端部を10cm
切り取り、長さ方向量両末端部を10mずつ切り取り、
得られた幅50cm長さ1490mの透明導電性積層体
の一末端から50cmで幅方向25cmのほぼ中心部の
表面抵抗率を三菱化学株式会社社製のロレスターMP測
定装置を使用して実施例1と同様に測定(温度20℃、
相対湿度65%の測定条件)し、480Ω/□の値t1
(i=1)を得た。以下同ほぼ中心部の位置の長さ方向
に50cmピッチでの各位置の表面抵抗率を測定し各t
i(i=2,3,4…n、nが30)を得た。この透明導
電性積層体のtAVは481Ω/□であり、1.2tAVで
ある577.2Ω/□より大であるtiの数mは0であ
り、m/nは0であった。また、この透明導電性積層体
の任意個所の全幅に長さ1m切りだし、それを、5cm
×5cmの正方形に区分するため縦5cmピッチ、横5
cmピッチで平行線を引き該各平行線によって区分され
たところの、連続した一幅方向の区分とそれに連続する
幅方向の区分から30点選び該各正方形の個々の各表面
抵抗率を実施例1と同様に測定し、各部分の表面抵抗率
をtjとしたとき(jは1、2,3,4、…nを示し、n
=20である)、その単純平均値tavは480Ω/□で
あり、1.2tavである576Ω/□より大であるtj
の数pは1であり、p/nは0.03であった。 この
得られた透明導電性積層体は全域にわたって均質な表面
抵抗率を有していることが判明した。
* Example 2 Ra of the anchor layer is 7.12 nm (Rz is 66.3 n)
m, measurement range 500 μm) to obtain a transparent conductive laminate in the same manner as in Example 1. The total light transmittance of the transparent conductive laminate was 85.6%. The obtained transparent conductive laminate was cut into a size of 10 cm × 15 cm,
With two sheets facing the ITO film, fix the ends,
It is fixed on a glass plate and drawn at a speed of 10 cm / sec while pressing with a pressure of 1 kg / cm 2 at a circular end (1 cm 2 area) of a polyacetal resin rod from the hard coat layer side of one of the polyethylene terephthalate films. did.
No sticking (sticking) between the ITO films due to this drawing was observed, no apparent change in the ITO film was observed, and there was no problem in input durability and solvent resistance. Both ends in the width direction of this transparent conductive laminate are 10 cm
Cut and cut both ends 10m in length direction amount,
Example 1 The surface resistivity of the center of the obtained transparent conductive laminate having a width of 50 cm and a length of 1490 m and approximately 25 cm in the width direction at 50 cm from one end was measured using a Lorester MP measuring device manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. Measurement in the same manner as above (temperature 20 ° C,
Measurement conditions of 65% relative humidity) and a value t1 of 480Ω / □
(I = 1) was obtained. Hereinafter, the surface resistivity of each position was measured at a pitch of 50 cm in the length direction of the substantially central position, and each t was measured.
i (i = 2, 3, 4,... n, n is 30) was obtained. The transparent conductive laminate had a tAV of 481 Ω / □, a number m of ti larger than 577.2 Ω / □, which is 1.2 tAV, was 0, and m / n was 0. Also, the transparent conductive laminate was cut out to a length of 1 m to the entire width at an arbitrary position, and it was cut into 5 cm.
5cm vertical, 5 horizontal to divide into × 5cm squares
Example: A parallel line was drawn at a pitch of cm, and 30 points were selected from a continuous width direction section and a continuous width direction section where the parallel lines were separated by each parallel line, and the individual surface resistivity of each square was determined. 1, and the surface resistivity of each part is defined as tj (j indicates 1, 2, 3, 4,... N, and n
= 20), and its simple average value tav is 480 Ω / □, which is larger than 1.2 tav which is 576 Ω / □.
Was 1 and p / n was 0.03. It was found that the obtained transparent conductive laminate had a uniform surface resistivity over the entire area.

【0018】*比較例1 厚さ175μmの透明ポリエチレンテレフタレートフイ
ルムの幅120cm長さ12000mの長尺フイルムか
ら、皺、異物、表面汚れ等の少ない部分を選別し、幅7
0cm長さ1500mを透明導電性薄膜(B)形成用フ
イルムとして採用した(A−1)残りの任意個所から幅
70cm長さ1500mを透明導電性薄膜(B)形成用
フイルムとして採用した(A’−1)。この基材フイル
ムとしての(A’−1)フイルムの一面に、6官能アク
リレートモノマー50部、2官能ウレタンアクリレート
31部、光開始剤3部、トルエン100部からなる塗料
をハードコート樹脂バインダー部分の硬化後の厚みが3
μmになるようにメイヤーバーにて塗布し、溶剤乾燥
後、高圧水銀灯にて紫外線を300mJ/cm2照射し
硬化させてハードコート層を形成した(該ハードコート
層の鉛筆硬度は2Hであった)。ポリエチレンテレフタ
レートフイルムの該ハードコート層を設けた面の反対面
上に、アルコキシシランの加水分解物(実施例1と同じ
シロキサン結合含有樹脂成分含量)、シクロヘキサノ
ン、メチルイソブチルケトン、平均粒径12nmのオル
ガノシリカゾルメチルイソブチルケトン分散液(実施例
1と同じシロキサン結合含有樹脂成分含量)の混合液
(固形分比、シロキサン結合含有樹脂成分:オルガノシ
リカゾル成分=5.2:4.8重量比)を、キスコート
で塗布し乾燥厚さ0.02μmのアンカー層を形成し
た。該アンカー層のRaは7.57nm(Rzは56.
3nm、測定レンジ500μm)であった。このアンカ
ーコート層上に、SiO2の10nmスパッタリングに
よる薄膜を形成し、このSiO2薄膜上に、透明導電性
薄膜としてITO膜を、インジウム:錫=95:5(金
属、モル比)のターゲットを使用し、真空室内を10−
3Paとし、ArとO2の混合ガスを導入しながら2×
10−1PaとしてDCスパッタリングで厚さ30nm
に形成し、150℃で24時間熱処理し、透明導電性積
層体を得た。この透明導電性積層体の全光線透過率は8
5.3%であった。この透明導電性積層体の幅方向の両
端部を10cm切り取り、長さ方向量両末端部を10m
ずつ切り取り、得られた幅50cm長さ1490mの透
明導電性積層体の一末端から50cmで幅方向25cm
のほぼ中心部の表面抵抗率を三菱化学株式会社社製のロ
レスターMP測定装置を使用して実施例1と同様に測定
(温度20℃、相対湿度65%の測定条件)し、470
Ω/□の値t1(i=1)を得た。以下同ほぼ中心部の
位置の長さ方向に50cmピッチでの各位置の表面抵抗
率を測定し各ti(i=2,3,4…n、nが30)を得
た。この透明導電性積層体のtAVは475Ω/□であ
り、1.2tAVである570Ω/□より大であるtiの
数mは4であり、m/nは0.13であった。また、こ
の透明導電性積層体の任意個所の全幅に長さ1m切りだ
し、それを、5cm×5cmの正方形に区分するため縦
5cmピッチ、横5cmピッチで平行線を引き該各平行
線によって区分されたところの、連続した一幅方向の区
分とそれに連続する幅方向の区分から30点選び該各正
方形の個々の各表面抵抗率を測定し、各部分の表面抵抗
率をtjとしたとき(jは1、2,3,4、…nを示し、
n=20である)、その単純平均値tavは475Ω/□
であり、1.2tavである570Ω/□より大であるt
jの数pは5であり、p/nは0.17であった。この
得られた透明導電性積層体は不均質な表面抵抗率を有し
ていることが判明した。
Comparative Example 1 From a long film of transparent polyethylene terephthalate film having a thickness of 175 μm, a width of 120 cm and a length of 12000 m, a portion having little wrinkles, foreign matter, surface dirt and the like was selected, and a width of 7 was selected.
A film having a length of 0 cm and a length of 1500 m was adopted as a film for forming a transparent conductive thin film (B). (A-1) A 70 cm wide and a length of 1500 m was adopted as a film for forming a transparent conductive thin film (B) from the remaining portion (A ′). -1). On one surface of the film (A'-1) as the base film, a coating comprising 50 parts of a hexafunctional acrylate monomer, 31 parts of a bifunctional urethane acrylate, 3 parts of a photoinitiator, and 100 parts of toluene was coated with a hard coat resin binder part. Thickness after curing is 3
After coating with a Mayer bar and drying with a solvent, ultraviolet rays were irradiated at 300 mJ / cm 2 with a high-pressure mercury lamp and cured to form a hard coat layer (the pencil hardness of the hard coat layer was 2H. ). On a surface of the polyethylene terephthalate film opposite to the surface on which the hard coat layer was provided, a hydrolyzate of alkoxysilane (the same content of a siloxane bond-containing resin component as in Example 1), cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, and an organo with an average particle diameter of 12 nm A mixture of silica sol methyl isobutyl ketone dispersion (the same content of siloxane bond-containing resin component as in Example 1) (solid content ratio, siloxane bond-containing resin component: organosilica sol component = 5.2: 4.8 weight ratio) was kiss-coated. To form an anchor layer having a dry thickness of 0.02 μm. Ra of the anchor layer is 7.57 nm (Rz is 56.5 nm).
3 nm, measurement range 500 μm). This anchor coat layer, to form a thin film by 10nm sputtering of SiO 2, to the SiO 2 thin film, an ITO film as a transparent conductive film, indium: tin = 95: the target 5 (metal molar ratio) Use, 10- in the vacuum chamber
3 Pa and 2 × while introducing a mixed gas of Ar and O2.
30 nm in thickness by DC sputtering as 10-1 Pa
And heat-treated at 150 ° C. for 24 hours to obtain a transparent conductive laminate. The total light transmittance of this transparent conductive laminate is 8
It was 5.3%. Both ends of the transparent conductive laminate in the width direction are cut out by 10 cm, and both ends in the length direction are cut by 10 m.
50 cm in width and 25 cm in width direction 50 cm from one end of the obtained transparent conductive laminate having a length of 1490 m.
The surface resistivity of the substantially central portion was measured using a Lorester MP measuring device manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation in the same manner as in Example 1 (measuring conditions at a temperature of 20 ° C. and a relative humidity of 65%).
The value t1 (i = 1) of Ω / □ was obtained. The surface resistivity of each position was measured at a pitch of 50 cm in the length direction of the substantially central portion, and each ti (i = 2, 3, 4,... N, n was 30) was obtained. The transparent conductive laminate had a tAV of 475 Ω / □, a number m of ti larger than 570 Ω / □ of 1.2 tAV was 4, and m / n was 0.13. In addition, a 1 m length is cut into an arbitrary width of the transparent conductive laminate, and parallel lines are drawn at a pitch of 5 cm in length and a pitch of 5 cm in width in order to divide it into a square of 5 cm × 5 cm. When 30 points were selected from the continuous one width direction section and the continuous width direction section, and each surface resistivity of each square was measured, and the surface resistivity of each portion was defined as tj ( j represents 1, 2, 3, 4,... n
n = 20), and its simple average value tav is 475Ω / □.
And t larger than 570 Ω / □ which is 1.2 tav
The number p of j was 5, and p / n was 0.17. It was found that the obtained transparent conductive laminate had an inhomogeneous surface resistivity.

【0019】実施例、比較例で得られた透明導電性積層
体を使用してタッチパネルを製造したが、実施例の透明
導電性積層体を使用したときには生産効率よく製造しえ
たが、比較例の透明導電性積層体を使用した場合は、タ
ッチパネルとしての性能にばらつきが生じ生産効率が極
めて低いものであった。
Touch panels were manufactured using the transparent conductive laminates obtained in Examples and Comparative Examples. When the transparent conductive laminates of Examples were used, the touch panel was manufactured with high production efficiency. When a transparent conductive laminate was used, the performance as a touch panel varied, resulting in extremely low production efficiency.

【0020】[0020]

【発明の効果】工業的に製造し得る長尺の透明導電性積
層体において、極めて慎重な基材フイルムの選定、製造
方法の選定、薄膜厚さ制御等等の選択使用により、均質
な透明導電性積層体が得られることを見出した。該均質
な長尺透明導電性積層体は、所定測定方法での表面抵抗
値のばらつきが一定値以下のものであることが必須であ
り、この性能を有しておることで初めて達成できること
が判明した。
According to the present invention, in the case of a long transparent conductive laminate which can be produced industrially, a uniform transparent conductive film can be obtained by carefully selecting a base film, selecting a manufacturing method, controlling a thin film thickness and the like. It was found that a functional laminate was obtained. It is essential that the uniform long transparent conductive laminate has a surface resistance value variation of a predetermined value or less by a predetermined measurement method, and it can be achieved only by having this performance. did.

フロントページの続き Fターム(参考) 4F100 AA20 AA28B AA33B AK01A AK01E AK25 AK42 AR00D AR00E AT00A BA02 BA03 BA04 BA05 BA10A BA10B BA10C BA10D BA10E CC00C EA02 EH46 EH66 GB41 JA20B JG01 JG01B JG04 JK12C JL00 JL06D JM02B JN01 JN01B JN01E JN06E YY00 YY00B 5G006 FB14 FB16 FB17 FD02 LG02 5G307 FA02 FB01 FC02 FC10 Continued on front page F term (reference) 4F100 AA20 AA28B AA33B AK01A AK01E AK25 AK42 AR00D AR00E AT00A BA02 BA03 BA04 BA05 BA10A BA10B BA10C BA10D BA10E CC00C EA02 EH46 EH66 GB41 JA20B JG01 J01JG01 JG01B01 FB16 FB17 FD02 LG02 5G307 FA02 FB01 FC02 FC10

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高分子フイルムからなる基材(A)の少
なくとも片面に、透明導電性薄膜(B)を積層した透明
導電性積層体であって、該積層体が少なくとも幅Wcm
で縦3m以上の長尺体であり、該積層体の幅方向におけ
るほぼ中心部のかつ縦方向のWcmピッチでの各位置に
おける各表面抵抗率をtiとしたとき(iは1、2,3,
4、…nの整数を示し、10≦n≦30である)、その
単純平均値をtAVとし、該単純平均値tAVと各表面抵抗
率tiとの対比において、1.2tAVより大である各表
面抵抗率tiの個数mが、前記nとの関係m/nで表し
たとき0.1以下であることを特徴とする均質な長尺透
明導電性積層体。
1. A transparent conductive laminate comprising a transparent conductive thin film (B) laminated on at least one surface of a substrate (A) made of a polymer film, wherein the laminate has a width of at least Wcm.
, And each surface resistivity at each position substantially at the center in the width direction of the laminate and at each position at a vertical Wcm pitch is defined as ti (i is 1, 2, 3 ,
4,... N, where 10 ≦ n ≦ 30), and the simple average value thereof is tAV, and the simple average value tAV is greater than 1.2 tAV in comparison with each surface resistivity ti. A uniform long transparent conductive laminate characterized in that the number m of the surface resistivity ti is 0.1 or less as represented by the relationship m / n with n.
【請求項2】 透明導電性薄膜(B)が、インジウム・
スズ・酸化物を主成分とする厚さ10nm〜200nm
の透明導電性薄膜である請求項1の透明導電性積層体。
2. The method according to claim 1, wherein the transparent conductive thin film (B) is made of indium.
Thickness mainly composed of tin / oxide 10nm-200nm
The transparent conductive laminate according to claim 1, which is a transparent conductive thin film of (1).
【請求項3】 透明導電性薄膜(B)の他にさらに、ア
ンカーコート層、ハードコート層、防汚層、反射防止
層、透明なプラスチック薄膜層が積層されてなる請求項
1、または請求項2記載の透明導電性積層体。
3. The method according to claim 1, wherein an anchor coat layer, a hard coat layer, an antifouling layer, an antireflection layer, and a transparent plastic thin film layer are further laminated in addition to the transparent conductive thin film (B). 3. The transparent conductive laminate according to 2.
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