KR20160150499A - The conductive film - Google Patents

The conductive film Download PDF

Info

Publication number
KR20160150499A
KR20160150499A KR1020150088576A KR20150088576A KR20160150499A KR 20160150499 A KR20160150499 A KR 20160150499A KR 1020150088576 A KR1020150088576 A KR 1020150088576A KR 20150088576 A KR20150088576 A KR 20150088576A KR 20160150499 A KR20160150499 A KR 20160150499A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin layer
layer
conductive film
conductive
meth
Prior art date
Application number
KR1020150088576A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이준행
김현철
강성욱
정희준
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020150088576A priority Critical patent/KR20160150499A/en
Publication of KR20160150499A publication Critical patent/KR20160150499A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

The present invention relates to a conductive film, a method for manufacturing the conductive film, and a usage thereof. The present invention can provide the conductive film which can improve a visibility problem caused by a pattern pushing phenomenon or the like after a heat treatment process, the method for manufacturing the conductive film, and the usage thereof. The conductive film comprises: a base film; a first resin layer formed in one surface of the base film; and a second resin layer formed in a surface in which the first resin layer of the base film is not formed.

Description

도전성 필름{THE CONDUCTIVE FILM}CONDUCTIVE FILM [0002]

본 출원은 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것이다. The present application relates to a conductive film, a method for producing the conductive film, and uses thereof.

사용자가 화면(스크린)을 손 또는 물체로 터치하는 것만으로 편하게 데이터를 입력할 수 있도록 해주는 Operating System의 입력장치를 터치스크린패널(TSP, Touch Screen Panel)이라고 하며, 터치 인식 방법에 따라 저항막 방식(Resistive), 정전용량 방식(Capacitive) 등으로 구분된다.A touch screen panel (TSP) is an input device of an operating system that allows a user to easily input data by simply touching the screen (screen) with a hand or an object. The touch screen panel (TSP) (Resistive), and capacitive (Capacitive).

이중 현재 가장 널리 사용되고 있는 방식은 저항막 방식(Resistive)과 정전용량 방식(Capacitive)이며, 저항막 방식은 손가락이나 펜으로 터치했을 때, 눌린 지점에서 전위차가 발생하면, 그 지점을 감지해 동작하는 원리이며 감압식이라 부르기도 한다.Among them, Resistive and Capacitive are the most widely used methods. Resistive method is to detect when a potential difference occurs at a pressed point when touching with a finger or a pen. It is a principle and it is called a decompression type.

또한, 정전용량 방식은 사람의 몸에 있는 정전 용량을 이용해 전류의 방향이 변경된 부분을 감지해 동작하는 것이다.In addition, the electrostatic capacity type uses the electrostatic capacity in the human body to sense and change the direction of the current.

상기 저항막 방식과 정전용량 방식의 터치 스크린 패널의 구조에 공통으로 구성되는 ITO(Indium-Tin Oxide) 필름은 금속 전도성 물질인 인듐 주석 화합물로 이루어진 투명전도막을 물리적 또는 화학적 방식으로 증착하여 전류가 흐르는 투명전극(전기회로, pattern)을 베이스기판에 형성되도록 한 것이다.An indium-tin oxide (ITO) film commonly used in the structure of the resistive film type and capacitive touch screen panel is formed by depositing a transparent conductive film made of indium tin compound, which is a metal conductive material, And a transparent electrode (electric circuit, pattern) is formed on the base substrate.

특히, 정전용량 방식은 투명전극(전기회로, pattern)의 시인성이 문제가 되고 있다. 상기 시인성 문제를 개선하기 위하여 ITO층 등의 도전층이 형성되는 하부면에 광학 조절층을 형성시켜 에칭(패터닝 형성 공정)된 필름면과 에칭이 되지 않은 면의 반사율을 최소화하는 기술을 이용하고 있다. Particularly, in the capacitance type, visibility of a transparent electrode (electric circuit, pattern) becomes a problem. In order to improve the visibility, an optical control layer is formed on a lower surface of a conductive layer such as an ITO layer to minimize the reflectance of a film surface that has been etched (patterning) and a surface that is not etched .

또한, 도전성 필름은 광학 조절층 이외에 도전층의 하부에 투명 언더코팅(under coating)층과 같은 층을 형성하여, 도전층과 기재층의 부착력 및 투과도를 향상시키고 있다. 상기 언더 코팅층은 습식 코팅(wetcoating)이나 진공 스터터링 방법으로 형성할 수 있으나, 각 층의 형성 공정이 개별적으로 수행될 필요가 있어, 제조 공정이 복잡하고 비용이 높은 단점이 있다.Further, in the conductive film, in addition to the optical control layer, a layer such as a transparent undercoating layer is formed under the conductive layer to improve the adhesion and transmittance between the conductive layer and the base layer. The undercoat layer can be formed by wet coating or vacuum stuttering. However, since the steps for forming each layer need to be performed separately, the manufacturing process is complicated and the cost is high.

더욱이, 상기와 같은 시인성 개선 노력에도 불구하고, ITO 층의 패턴 후 열처리 과정에서 ITO가 패턴 되지 않은 기재부분의 눌림 현상이 발생할 수 있고, 이에 따라 시인성이 저하되는 문제점 등은 여전히 존재한다. In addition, despite the above-mentioned efforts to improve the visibility, there is still a problem that the ITO layer may be pressed on the patterned substrate portion during the heat treatment process after the patterning of the ITO layer, thereby lowering the visibility.

(특허 문헌 1) 대한민국 공개특허공보 제2010-0134692호(Patent Document 1) Korean Patent Publication No. 2010-0134692

본 출원은 도전성 필름의 굽힘 현상에 따른 시인성 저하 문제를 개선한 도전성 필름 및 도전성 필름의 제조방법을 제공한다.The present application provides a conductive film and a method for producing the conductive film which overcome the problem of lowering the visibility due to the bending phenomenon of the conductive film.

본 출원은 또한, 도저성 필름의 용도, 예를 들면 도전성 필름을 포함하는 터치 패널을 제공한다.The present application also provides a use of a donor film, for example, a touch panel including a conductive film.

본 출원은 상기 과제를 해결하기 위해 안출된 것으로써, 기재 필름; 상기 기재 필름의 일면에 형성되어 있는 제 1 수지층; 및 상기 기재 필름의 상기 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 면에 형성된 제 2 수지층을 포함하는 도전성 필름에 관한 것이다. 상기 도전성 필름은 열 팽창 계수가 15ppm/°C 이하이다. The present application has been conceived to solve the above problems, and includes a base film; A first resin layer formed on one surface of the base film; And a second resin layer formed on a surface of the base film on which the first resin layer is not formed. The conductive film has a thermal expansion coefficient of 15 ppm / ° C or less.

하나의 예시에서, 제 1 수지층의 두께(T1) 및 제 2 수지층의 두께(T2)의 비율(T1/T2)은 0.75 내지 1.30의 범위 내에 있을 수 있다. In one example, the ratio (T1 / T2) of the thickness (T1) of the first resin layer and the thickness (T2) of the second resin layer may be in the range of 0.75 to 1.30.

하나의 예시에서, 제 1 수지층의 굴절률(550nm 파장 기준)과 기재 필름의 굴절률(550nm 파장 기준)의 차이의 절대값이 0.3 이하일 수 있다.In one example, the absolute value of the difference between the refractive index (based on 550 nm wavelength) of the first resin layer and the refractive index (based on 550 nm wavelength) of the base film may be 0.3 or less.

하나의 예시에서, 제 1 수지층 내에서 무기 입자의 비율은 60 중량% 이상일 수 있다.In one example, the ratio of the inorganic particles in the first resin layer may be 60% by weight or more.

본 출원의 도전성 필름은, 예를 들면 제 1 수지층 상에 도전층을 추가로 포함할 수 있다.The conductive film of the present application may further include, for example, a conductive layer on the first resin layer.

본 출원의 도전성 필름은, 예를 들면 제 1 수지층과 도전층 사이에 언더 코팅층을 추가로 포함할 수 있다. The conductive film of the present application may further include, for example, an undercoat layer between the first resin layer and the conductive layer.

본 출원은 또한, 기재 필름의 양면에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성하는 단계를 포함하고, 열 팽창 계수가 15ppm/°C 이하인 도전성 필름을 제조하는 방법에 관한 것이다. The present application also relates to a method for producing a conductive film comprising a step of forming a first resin layer and a second resin layer on both sides of a base film and having a thermal expansion coefficient of 15 ppm / ° C or lower.

본 출원은 또한, 도전성 필름을 포함하는 터치 패널에 관한 것이다. The present application also relates to a touch panel including a conductive film.

본 출원은 열 처리 등에 의해 발생할 수 있는 굽힘 현상에 따른 시인성 문제를 방지하여, 시인성이 우수한 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 이의 용도를 제공할 수 있다. The present application can prevent a visibility problem due to a bending phenomenon that may be caused by heat treatment and the like, thereby providing a conductive film having excellent visibility, a method for producing the conductive film, and its use.

도 1 (a) 및 (b)는 공지의 도전성 필름에 대한 일 모식도이다.
도 2는 본 출원의 도전성 필름에 대한 일 모식도이다.
1 (a) and 1 (b) are schematic diagrams of a known conductive film.
2 is a schematic diagram of the conductive film of the present application.

이하 본 출원에 대해서 실시예를 통해 보다 상세히 설명하겠지만, 본 출원의 요지에 국한된 실시예에 지나지 않는다. 한편 본 출원은 이하의 실시예에서 제시하는 공정조건에 제한되는 것이 아니며, 본 출원의 목적을 달성하기에 필요한 조건의 범위 안에서 임의로 선택할 수 있음은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. Hereinafter, the present application will be described in more detail by way of examples, but is merely an example limited to the gist of the present application. It will be apparent to those skilled in the art that the present application is not limited to the process conditions set forth in the following examples, and may be arbitrarily selected within the range necessary for achieving the object of the present application .

본 출원은 도전성 필름 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present application relates to a conductive film and a method for producing the same.

본 출원은 도전층의 증착 및 패터닝 후 소정의 열 처리 공정에서 발생할 수 있는 패턴 눌림 현상에 의한 시인성 문제를 개선한 도전성 필름 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.The present invention can provide a conductive film in which the problem of visibility due to a pattern pressing phenomenon that may occur in a predetermined heat treatment process after deposition of a conductive layer and patterning is improved, and a method of manufacturing the conductive film.

도 1은 통상적인 도전성 필름에 대한 일 모식도이다. 도 1의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 통상적인 도전성 필름은 소정의 열 처리 과정을 거치는 경우, 도 1의 (a)와 같이 도전층 방향으로 만곡 되거나 또는 도 1 의 (b)와 같이 도전층 방향의 반대 방향으로 만곡 되는 등 도전층의 패턴부에 눌림 현상이 발생할 수 있다. 또한, 이러한 패턴의 눌림 현상으로 인해 도전층의 패턴 부분이 육안으로 식별되는 시인성 문제가 발생할 수 있다.1 is a schematic diagram of a conventional conductive film. 1 (a) and 1 (b), when a typical conductive film is subjected to a predetermined heat treatment process, the conductive film is curved in the direction of the conductive layer as shown in FIG. 1 (a) A pressing phenomenon may occur in the pattern portion of the conductive layer such as curved in the direction opposite to the direction of the conductive layer. In addition, a visibility problem in which the pattern portion of the conductive layer is visually recognized due to the pressing phenomenon of such a pattern may occur.

그러나, 본 출원에 따른 도전성 필름은 기재 필름의 양면에 소정의 수지층을 형성하고, 상기 수지층의 두께 및 무기 입자의 함량 등을 조절하여 도전성 필름의 열 팽창 계수를 소정 범위 이하로 유지함으로써, 열 처리 공정으로 인한 도전성 필름의 굽힘 현상을 최소화하고, 궁극적으로 도전성 필름의 패턴 시인성 문제를 개선할 수 있다. However, in the conductive film according to the present application, a predetermined resin layer is formed on both sides of the base film, the thickness of the resin layer, the content of the inorganic particles, and the like are controlled to keep the thermal expansion coefficient of the conductive film below a predetermined range, The bending phenomenon of the conductive film due to the heat treatment process can be minimized and ultimately the pattern visibility problem of the conductive film can be improved.

즉 본 출원은 기재 필름; 상기 기재 필름의 일면에 형성되어 있는 제 1 수지층; 및 상기 기재 필름의 상기 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 면에 형성된 제 2 수지층을 포함하고, 열 팽창 계수가 15ppm/°C 이하인 도전성 필름에 관한 것이다.That is, the present application relates to a base film; A first resin layer formed on one surface of the base film; And a second resin layer formed on a surface of the base film on which the first resin layer is not formed, and having a thermal expansion coefficient of 15 ppm / ° C or lower.

본 출원의 도전성 필름은 기재 필름을 포함하고, 상기 기재 필름의 양면에 각각 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 포함한다. 상기 제 1 수지층 및 제 2 수지층은 기재 필름의 양면에 형성된 물성이 상이한 두 개의 수지층을 구별하기 위한 것으로써, 예를 들면 후술하는 도전층 쪽에 형성되어 있는 수지층을 제 1 수지층이라 하고, 그 반대 면에 형성되어 있는 수지층을 제 2 수지층이라 할 수 있다.The conductive film of the present application comprises a base film and includes a first resin layer and a second resin layer on both sides of the base film respectively. The first resin layer and the second resin layer are for distinguishing between two resin layers having different physical properties formed on both sides of a base film. For example, a resin layer formed on a later-described conductive layer side is referred to as a first resin layer And the resin layer formed on the opposite surface can be referred to as a second resin layer.

본 출원의 도전성 필름은 기재 필름을 포함한다. The conductive film of the present application includes a base film.

하나의 예시에서, 상기 기재 필름은 투명 필름으로서, 투명성과 강도가 적정 범위에 있는 도전성 필름용으로 적합한 공지의 것이 채택될 수 있다. In one example, the base film may be a transparent film, and a known one suitable for a conductive film having transparency and strength in an appropriate range may be employed.

구체적으로 기재 필름의 재질로는 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리 에스테르; 6-나일론 또는 6,6-나일론 등의 폴리아미드; 폴리카보네이트; 폴리에테르설폰; 또는 노르보르넨계 수지 등이 이용될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 기재 필름은 이들 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어있을 수 있다. 또한 기재 필름은 단일 필름의 형태 또는 적층 필름의 형태가 될 수 있다. Specifically, the base film may be made of polyolefin such as polyethylene or polypropylene; Polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate; Polyamides such as 6-nylon or 6,6-nylon; Polycarbonate; Polyethersulfone; Or a norbornene resin can be used, but the present invention is not limited thereto. These base films may be used alone or in combination of two or more. The base film may also be in the form of a single film or a laminated film.

본 출원의 기재 필름은 또한, 표면이 개질 된 것일 수 있다. The base film of the present application may also be one whose surface has been modified.

하나의 예시에서, 기재 필름은 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 또는 글로우 방전 처리 등의 공지의 처리 방식을 이용하여 표면을 개질 한 것일 수 있다.In one example, the substrate film may be a surface modified by a known treatment method such as a chemical treatment, a corona discharge treatment, a mechanical treatment, an ultraviolet (UV) treatment, an active plasma treatment or a glow discharge treatment.

또한, 기재 필름은 공지의 첨가제, 예컨대 대전 방지제, 자외선 흡수제, 적외선 흡수제, 가소제, 윤활제, 착색제, 산화방지제 또는 난연제 등을 포함할 수 있다. Further, the base film may contain known additives such as an antistatic agent, an ultraviolet absorber, an infrared absorber, a plasticizer, a lubricant, a colorant, an antioxidant or a flame retardant.

기재 필름의 두께는 투명성, 박막화 및 가공시 장력에 의한 주름의발생 등을 최소화 하기 위한 목적 등을 고려한 적절한 두께 범위가 설정될 수 있다. 하나의 예시에서, 기재 필름은 10㎛ 내지 80㎛, 또는 20㎛ 내지 60㎛의 두께 범위를 가질 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The thickness of the base film may be set to a suitable thickness range in consideration of transparency, the purpose of minimizing the occurrence of thinning and the occurrence of wrinkles due to tension during processing, and the like. In one example, the substrate film may have a thickness ranging from 10 占 퐉 to 80 占 퐉, or from 20 占 퐉 to 60 占 퐉, but is not limited thereto.

본 출원의 도전성 필름은 기재 필름의 양면에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 포함한다. 상기 제 2 수지층은 기재 필름의 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 면에 형성되어 있다. 본 출원에서 용어 「수지층」은, 수지 성분을 15% 이상 포함하는 층을 의미하는 것으로써, 적절한 강성을 가지고 또한, 소정의 굴절률을 가지는 층을 의미할 수 있다. The conductive film of the present application comprises a first resin layer and a second resin layer on both sides of a base film. The second resin layer is formed on a surface of the base film on which the first resin layer is not formed. The term " resin layer " in the present application means a layer containing at least 15% of a resin component, and may mean a layer having appropriate rigidity and having a predetermined refractive index.

본 출원의 도전성 필름은 제 1 수지층 및 제 2 수지층의 물성에 따라, 열 팽창 계수 및 그에 따른 굽힘 현상 여부가 결정될 수 있다. 하나의 예시에서, 제 1 수지층은 무기 입자를 소정 함량으로 첨가함과 동시에, 두께범위를 조절하여 궁극적으로 도전성 필름의 열 팽창 계수를 15ppm/℃ 이하로 낮추는 역할을 수행할 수 있다. The thermal expansion coefficient of the conductive film of the present application can be determined depending on the physical properties of the first resin layer and the second resin layer. In one example, the first resin layer may function to reduce the thermal expansion coefficient of the conductive film to 15 ppm / ° C or less by adjusting the thickness range while adding the inorganic particles in a predetermined amount.

제 1 수지층은, 예를 들면 무기 입자를 포함할 수 있다. 상기 무기 입자는 전술한 바와 같이 굴절률을 기재 필름과 유사한 범위로 조절하고, 제 1 수지층에 적절한 강성을 부여하기 위한 것일 수 있다. The first resin layer may include, for example, inorganic particles. The inorganic particles may be one for adjusting the refractive index to a range similar to that of the base film as described above, and impart appropriate stiffness to the first resin layer.

하나의 예시에서, 무기 입자는 ZnO, TiO2, CeO2, SiO2, SnO2, ZrO2, MgO 또는 Ta2O5 등이 예시될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. In one example, the inorganic particles include, but are not limited to, ZnO, TiO 2 , CeO 2 , SiO 2 , SnO 2 , ZrO 2 , MgO, or Ta 2 O 5 .

제 1 수지층은, 예를 들면 상기 무기 입자를 60 중량% 이상의 범위로 포함할 수 있다. 상기와 같은 중량 범위 내에서 제 1 수지층은 목적하는 굴절률 및 강성을 확보하여 궁극적으로 패턴 시인성이 개선된 도전성 필름을 제공할 수 있다. 상기 무기 입자의 함량은, 예를 들면 열 중량 분석기(TGA)를 이용하여 산출된 값일 수 있다. The first resin layer may contain, for example, the inorganic particles in an amount of 60 wt% or more. The first resin layer within the above-mentioned weight range can provide a conductive film having desired refractive index and rigidity and ultimately improved pattern visibility. The content of the inorganic particles may be, for example, a value calculated using a thermogravimetric analyzer (TGA).

다른 예시에서, 무기 입자는 70 중량% 이상, 80중량% 이상 또는 85 중량% 이상의 범위로 제 1 수지층에 포함될 수 있다. 상기 무기 입자 함량 범위의 상한값은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 99 중량% 이하, 95 중량% 이하 또는 90 중량% 이하 일 수 있다. In another example, the inorganic particles may be included in the first resin layer in a range of 70 wt% or more, 80 wt% or more, or 85 wt% or more. The upper limit value of the inorganic particle content range is not particularly limited, but may be, for example, 99 wt% or less, 95 wt% or less, or 90 wt% or less.

제 1 수지층은 상기와 같은 범위 내에서 무기 입자를 포함함으로써, 기재 필름과 유사한 굴절률을 나타낼 수 있다.By including the inorganic particles in the same range as described above, the first resin layer can exhibit a refractive index similar to that of the base film.

하나의 예시에서, 제 1 수지층의 굴절률(550 nm 파장 기준)과 기재 필름의 굴절률(550 nm 파장 기준)의 차이의 절대값은 0.3 이하일 수 있다. 상기와 같은 굴절률 차이 내에서 도전성 필름의 목적하는 광학적 특성을 달성할 수 있다. 다른 예시에서, 상기 제 1 수지층의 굴절률(550 nm 파장 기준)과 기재 필름의 굴절률(550 nm 파장 기준)의 차이의 절대값은 0.2 이하 또는 0.1 이하일 수 있다. In one example, the absolute value of the difference between the refractive index (based on a wavelength of 550 nm) of the first resin layer and the refractive index (based on a wavelength of 550 nm) of the base film may be 0.3 or less. The desired optical properties of the conductive film can be achieved within the refractive index difference as described above. In another example, the absolute value of the difference between the refractive index (based on a wavelength of 550 nm) of the first resin layer and the refractive index (based on a wavelength of 550 nm) of the base film may be 0.2 or less or 0.1 or less.

구체적으로, 제 1 수지층은 550nm 파장에서 측정한 굴절률이 1.5 내지 1.8의 범위 내에 있을 수 있다. 다른 예시에서, 제 1 수지층은 550nm 파장에서 측정한 굴절률이 1.5 내지 1.7 또는 1.6 내지 1.7의 범위 내에 있을 수 있다.Specifically, the refractive index of the first resin layer measured at a wavelength of 550 nm may be in the range of 1.5 to 1.8. In another example, the first resin layer may have a refractive index, measured at a wavelength of 550 nm, in the range of 1.5 to 1.7 or 1.6 to 1.7.

제 1 수지층의 두께는, 예를 들면 0.8 ㎛ 내지 1.5 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 제 1 수지층의 두께는 도전성 필름의 열 팽창 계수를 조절할 수 있는 인자로써, 두께가 지나치게 얇을 경우, 열 팽창 계수가 낮아져 패턴 눌림 현상이 발생할 수 있고, 두께가 지나치게 두꺼울 경우 필름의 박형화에 부합하지 못하며, 후속되는 열 처리 공정에 따라 크랙(crack) 등이 발생할 우려가 있으므로, 상기 수치 범위 내에서 적절한 두께가 설정되어야 한다. The thickness of the first resin layer may be in the range of, for example, 0.8 μm to 1.5 μm. The thickness of the first resin layer is a factor that can control the coefficient of thermal expansion of the conductive film. If the thickness is excessively thin, the coefficient of thermal expansion may be lowered and pattern pressing may occur. If the thickness is excessively thick, And a crack or the like may occur depending on the subsequent heat treatment process, so that an appropriate thickness should be set within the above numerical range.

본 출원의 제 2 수지층은, 예를 들면 제 1 수지층과 소정의 두께 범위 차이 및 열 팽창 계수 차이를 가지는 것으로써, 도전성 필름에 전체적인 강성을 부여하고, 소정의 열 처리 공정에 따라 어느 일 방향으로 도전성 필름이 만곡되는 것을 방지하는 역할을 수행하는 것일 수 있다. The second resin layer of the present application has a difference in a predetermined thickness range and a difference in thermal expansion coefficient from, for example, the first resin layer, thereby imparting overall rigidity to the conductive film, To prevent the conductive film from curving in the direction of the surface of the conductive film.

하나의 예시에서, 제 1 수지층의 두께(T1) 및 제 2 수지층의 두께(T2)의 비율(T1/T2)은 0.75 내지 1.30의 범위 내에 있을 수 있다. 이와 같은 두께 비율 범위 내에서 도전성 필름의 패턴부 눌림 현상을 개선할 수 있다. 다른 예시에서, 상기 비율(T1/T2)는 0.8 내지 1.2 또는 0.9 내지 1.1 의 범위 내에 있을 수 있으며, 바람직하게는 상기 비율(T1/T2)가 0.9 내지 1.1의 범위 내에 있을 때 도전성 필름의 낮은 열 팽창 계수로 인하여 패턴의 눌림 현상을 최소화할 수 있다. In one example, the ratio (T1 / T2) of the thickness (T1) of the first resin layer and the thickness (T2) of the second resin layer may be in the range of 0.75 to 1.30. It is possible to improve the pressing phenomenon of the pattern portion of the conductive film within such a thickness ratio range. In another example, the ratio T1 / T2 may be in the range of 0.8 to 1.2 or 0.9 to 1.1, and preferably the low heat of the conductive film when the ratio T1 / T2 is in the range of 0.9 to 1.1. The pressing force of the pattern can be minimized due to the expansion coefficient.

제 1 수지층의 두께(T1) 및 제 2 수지층의 두께(T2)의 비율(T1/T2)이 0.75 미만이거나, 1.30을 초과인 경우, 패턴의 시인성 문제가 야기될 수 있다. If the ratio (T1 / T2) of the thickness (T1) of the first resin layer and the thickness (T2) of the second resin layer is less than 0.75 or more than 1.30, a problem of visibility of the pattern may be caused.

제 2 수지층의 두께는, 상기 제 1 수지층과의 두께 비율을 만족할 수 있을 정도의 범위로 적절히 설정될 수 있으며, 예를 들면 0.8㎛ 내지 1.5㎛의 범위 내에 있을 수 있다. The thickness of the second resin layer may be suitably set in a range that satisfies the thickness ratio with the first resin layer, and may be in the range of, for example, 0.8 탆 to 1.5 탆.

제 1 수지층 및 제 2 수지층은, 예를 들면 라디칼 중합성 화합물의 중합에 의해 형성된 코팅층일 수 있다. The first resin layer and the second resin layer may be, for example, a coating layer formed by polymerization of a radically polymerizable compound.

하나의 예시에서, 제 1 수지층 및 제 2 수지층은 라디칼 중합성 화합물, 예를 들면 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물의 중합 단위를 포함할 수 있다. 상기 용어 「단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물」은 중합성 관능기, 예를 들면 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 하나 또는 그 이상 포함하는 (메타)아크릴레이트 단량체, 올리고머 또는 이들의 혼합물을 의미할 수 있다. 또한, 상기 「(메타)아크릴레이트」는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미할 수 있다.In one example, the first resin layer and the second resin layer may comprise polymerized units of a radically polymerizable compound, for example, a monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound. The term " monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound " means a (meth) acrylate monomer, oligomer or mixture thereof containing one or more polymerizable functional groups such as acryloyl group or methacryloyl group . ≪ / RTI > In addition, the above "(meth) acrylate" may mean acrylate or methacrylate.

하나의 예시에서, 단관능 (메타)아크릴레이트 화합물은 알킬 (메타)아크릴레이트 일 수 있다.In one example, the monofunctional (meth) acrylate compound may be an alkyl (meth) acrylate.

구체적으로, 알킬 (메타)아크릴레이트는 탄소수가 1 내지 20인 알킬기를 가지는 알킬 (메타)아크릴레이트 일 수 있으며, 그 예로는 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, 이소부틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소노닐 (메타)아크릴레이트, 데실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 테트라데실 (메타)아크릴레이트, 옥타데실 (메타)아크릴레이트 또는 이소보닐 (메타)아크릴레이트 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. Specifically, the alkyl (meth) acrylate may be an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, examples of which include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) (Meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, t- (Meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, Acrylic Although the agent or the like can be illustrated, without being limited thereto.

상기 다관능성 (메타)아크릴레이트 화합물로는, 예를 들면, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트(neopentylglycol adipate) 디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산(hydroxyl puivalic acid) 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(dicyclopentanyl) 디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 디(메타)아크릴레이트, 디(메타)아크릴록시 에틸 이소시아누레이트, 알릴(allyl)화 시클로헥실 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올(메타)아크릴레이트, 디메틸롤 디시클로펜탄 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 헥사히드로프탈산 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸 디메탄올(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸프로판 디(메타)아크릴레이트, 아다만탄(adamantane) 디(메타)아크릴레이트 또는 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌(fluorine) 등과 같은 2관능성 (메타)아크릴레이트; 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥시드 변성 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 3 관능형 우레탄 (메타)아크릴레이트 또는 트리스(메타)아크릴록시에틸이소시아누레이트 등의 3관능성 (메타)아크릴레이트; 디글리세린 테트라(메타)아크릴레이트 또는 펜타에리쓰리톨 테트라(메타)아크릴레이트 등의 4관능성 (메타) 아크릴레이트; 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 펜타(메타)아크릴레이트 등의 5관능성 (메타) 아크릴레이트; 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트 또는 우레탄 (메타)아크릴레이트(ex. 이소시아네이트 단량체 또는 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트의 반응물) 등의 6관능성 (메타) 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다. Examples of the polyfunctional (meth) acrylate compound include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) , Neopentylglycol adipate di (meth) acrylate, hydroxyl puivalic acid neopentyl glycol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, ) Di (meth) acrylate, caprolactone modified dicyclopentenyl di (meth) acrylate, ethylene oxide modified di (meth) acrylate, di (meth) acryloxyethyl isocyanurate, allyl Acrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, cyclohexyl di (meth) acrylate, tricyclodecane dimethanol (meth) acrylate, dimethylol dicyclopentanedi (meth) acrylate, ethylene oxide modified hexahydrophthalic acid di Di (meth) acrylate, neopentyl glycol-modified trimethylpropane di (meth) acrylate, adamantane di (meth) acrylate or 9,9-bis [4- Bifunctional (meth) acrylates such as acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorine and the like; (Meth) acrylates such as trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate, propionic acid modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri Trifunctional (meth) acrylates such as modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trifunctional urethane (meth) acrylate or tris (meth) acryloxyethylisocyanurate; Tetrafunctional (meth) acrylates such as diglycerin tetra (meth) acrylate or pentaerythritol tetra (meth) acrylate; Pentafunctional (meth) acrylate such as propionic acid-modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate; Caprolactone-modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate or urethane (meth) acrylate (e.g., a reaction product of an isocyanate monomer or trimethylolpropane tri (meth) acrylate) (Meth) acrylate and the like can be used.

또한, 다관능성 (메타)아크릴레이트로는, 업계에서 소위 광 중합성 올리고머로 호칭되는 화합물로서, 우레탄 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트 또는 폴리에테르 (메타)아크릴레이트 등도 사용할 수 있다. Examples of the polyfunctional (meth) acrylate include urethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate or polyether Methacrylate) can also be used.

본 출원은 상기와 같은 라디칼 중합성 화합물 중에서 적절한 종류를 일종 또는 이종 이상 선택하여 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성할 수 있다.In the present application, the first resin layer and the second resin layer may be formed by selecting one kind or more than one kind of the appropriate kind among the above-mentioned radical polymerizing compounds.

상기와 같은, 제 1 수지층 및 제 2 수지층은 적절한 강성을 가지고 있어, 도전성 필름의 열 팽창 계수를 낮추는 역할을 수행할 수 있다. As described above, the first resin layer and the second resin layer have appropriate rigidity and can play a role of lowering the thermal expansion coefficient of the conductive film.

하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름은 15ppm/℃ 이하의 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 다른 예시에서, 도전성 필름은 14ppm/℃ 이하, 13ppm/℃ 이하, 12ppm/℃ 이하 또는 11ppm/℃ 이하의 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 도전성 필름의 열 팽창 계수가 낮을수록 열 처리 공정에 따른 변형이 감소된다는 것을 의미하므로 그 하한값은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 1ppm/℃ 이상, 2ppm/℃ 이상, 3ppm/℃ 이상, 4ppm/℃ 이상 또는 5ppm/℃ 이상 일 수 있다. 상기 열 팽창 계수는 예를 들면, TMA(thermo mechanical analyzer)를 이용하여 25℃에서 150℃의 온도구간에서 10℃/min의 속도로 냉각 및 승온하면서 측정한 평균 열 팽창률을 선 열팽창 계수로 산출한 값일 수 있다.In one example, the conductive film of the present application may have a thermal expansion coefficient of 15 ppm / DEG C or less. In another example, the conductive film may have a thermal expansion coefficient of 14 ppm / ° C or less, 13 ppm / ° C or less, 12 ppm / ° C or less, or 11 ppm / The lower limit of the lower limit is not particularly limited. For example, the lower limit is 1 ppm / ° C or higher, 2 ppm / ° C or higher, 3 ppm / Or 5 ppm / [deg.] C or higher. The coefficient of thermal expansion can be calculated, for example, by using a thermo mechanical analyzer (TMA) at a rate of 10 占 폚 / min at a temperature range of 25 占 폚 to 150 占 폚, and calculating an average thermal expansion coefficient as a coefficient of linear thermal expansion Lt; / RTI >

본 출원의 도전성 필름은 상기와 같이 기재 필름의 양면에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성함으로써, 열 팽창 계수를 15ppm/℃ 이하로 유지하여, 도전성 필름의 열 처리 공정시 발생할 수 있는 굽힘 현상에 기인하는 시인성 문제를 극복할 수 있다.The conductive film of the present application is formed by forming the first resin layer and the second resin layer on both surfaces of the base film as described above to maintain the thermal expansion coefficient at 15 ppm / The visibility problem caused by the phenomenon can be overcome.

본 출원의 도전성 필름은 제 1 수지층 상에 도전층을 추가로 포함할 수 있다. 도전층이 제 1 수지층 상에 포함된다는 것은, 제 1 수지층과 직접 접하고 있는 경우뿐 아니라, 제 1 수지층에 임의의 층이 더 존재하고 있는 상태에서 포함하고 있는 경우도 의미하는 것으로 이해될 수 있다. The conductive film of the present application may further include a conductive layer on the first resin layer. The fact that the conductive layer is included in the first resin layer means not only the case where the conductive layer is in direct contact with the first resin layer but also the case where the conductive layer is included in a state in which an arbitrary layer is further present in the first resin layer .

상기 도전층은, 예를 들면 에칭 공정을 통해 패턴부와 비 패턴부를 포함하는 구조 일 수 있다. The conductive layer may be a structure including a pattern portion and a non-pattern portion through, for example, an etching process.

도전층의 재료는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 금, 은, 백금, 팔라듐, 구리, 산화티탄, 산화카드뮴, 요오드화 구리, 주석을 함유하는 산화 인듐 (ITO: Indium Tin Oxide), 안티몬을 함유하는 산화 주석, 불소를 함유하는 산화주석(FTO: Florinated Tin Oxide) 및 산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 금속의 금속 산화물; 탄소나노튜브; 은이나 구리 등의 물질로 형성된 금속 나노와이어; 또는, 폴리(스티렌술포네이트)(Poly(styrenesulfonate))를 포함하는 폴리티오펜(Polythiophene)계 고분자 또는 폴리아닐린(Polyanilin)계 고분자 등과 같은 도전성 고분자 등 일 수 있다. The material of the conductive layer is not particularly limited and may be, for example, indium tin oxide (ITO) containing gold, silver, platinum, palladium, copper, titanium oxide, cadmium oxide, copper iodide, tin, A metal oxide of at least one metal selected from the group consisting of tin oxide, fluorinated tin oxide (FTO) and zinc oxide; Carbon nanotubes; Metal nanowires formed of a material such as silver or copper; Or a conductive polymer such as a polythiophene-based polymer or a polyaniline-based polymer including poly (styrenesulfonate) (poly (styrenesulfonate)).

도전층은, 예를 들면 550nm 파장에 대한 굴절률이 1.9 내지 2.1 범위 내에 있을 수 있다. The conductive layer may have a refractive index, for example, at a wavelength of 550 nm of 1.9 to 2.1.

또한, 도전층은 두께가 0.01 내지 0.022㎛의 범위로 형성될 수 있다. 도전층의 두께가 0.01㎛ 미만이 되면 도전성이 저하되고 0.022㎛를 초과하면 투명성이 저하될 수 있으므로, 상기 범위가 바람직하다.The conductive layer may be formed to have a thickness in the range of 0.01 to 0.022 mu m. When the thickness of the conductive layer is less than 0.01 mu m, the conductivity is deteriorated. When the thickness exceeds 0.022 mu m, the transparency may be lowered.

본 출원의 도전성 필름은 또한, 언더 코팅층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 언더 코팅층은, 예를 들면 제 1 수지층 및 도전층의 사이에 위치할 수 있다.The conductive film of the present application may further include an undercoat layer. The undercoat layer may be located, for example, between the first resin layer and the conductive layer.

구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 출원의 도전성 필름은 패턴부(101)와 비 패턴부(102)를 포함하는 도전층(100), 언더 코팅층(200), 제 1 수지층(300), 기재 필름(400) 및 제 2 수지층(500)을 포함하는 구조 일 수 있다. 2, the conductive film of the present application includes a conductive layer 100 including a pattern portion 101 and a non-pattern portion 102, an undercoat layer 200, a first resin layer 300 ), A base film (400) and a second resin layer (500).

상기 언더 코팅층은, 예를 들면 도전층과 제 1 수지층 사이에 위치하여, 소정의 굴절률을 가지는 것으로서, 도전성 필름의 반사율을 감소시키는 역할을 수행할 수 있다. The undercoat layer is located, for example, between the conductive layer and the first resin layer, and has a predetermined refractive index, and may reduce the reflectivity of the conductive film.

언더 코팅층은, 예를 들면 550nm 파장에 대한 굴절률이 1.4 내지 1.7 범위 내에 있을 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 도전층 및 제 1 수지층의 굴절률에 따라 상기 범위는 달라질 수 있다. The undercoat layer may have a refractive index of, for example, within a range of 1.4 to 1.7 at a wavelength of 550 nm, but the present invention is not limited thereto, and the range may vary depending on the refractive index of the conductive layer and the first resin layer.

상기 언더 코팅층은, 예를 들면 유기물, 무기물 또는 이들의 복합물로 형성된 유기층, 무기층 또는 유기-무기 복합층 일 수 있다.The undercoat layer may be an organic layer, an inorganic layer, or an organic-inorganic composite layer formed of, for example, an organic material, an inorganic material, or a composite thereof.

상기 유기물로는, 예를 들면 열 또는 UV 경화가 가능한 유기물로 이루어진 수지를 사용할 수 있고, 구체적으로 아크릴계, 에폭시계, 우레탄계, 티오우레탄계, 알키드수지 또는 실록산계 폴리머 등이 예시될 수 있다. As the organic material, for example, a resin made of an organic material capable of being thermally or UV-curable can be used. Specifically, an acrylic type, an epoxy type, a urethane type, a thiourethane type, an alkyd type resin or a siloxane type polymer can be exemplified.

상기 무기물로는 CaF2, BaF2, SiO2, LaF3, CeF3, Al2O3, 산질화 실리콘(silicon oxynitride) 또는 산질화 알루미늄(aluminum oxynitride) 등이 있다.Examples of the inorganic material include CaF 2 , BaF 2 , SiO 2 , LaF 3 , CeF 3 , Al 2 O 3 , silicon oxynitride, and aluminum oxynitride.

또한, 상기 유기-무기 복합물은 TiO2, Nb2O5, Ta2O5, Sb2O5, ZrO2, ZnO 또는 ZnS 등의 단일 조성물 혹은 복합조성물의 고굴절 입자를 포함하는 아크릴계, 에폭시계, 우레탄계, 티오우레탄계, 멜라민, 알키드수지, 실록산계 폴리머 및 하기 화학식 1로 표시되는 유기 실란 화합물로 이루어진 군으로부터 1 종 이상을 선택하여 사용할 수 있다. 이 때, 유기실란 화합물을 사용할 경우 고굴절 입자와 혼합하여 굴절율 조절 및 가교가 가능해야 한다.The organic-inorganic composite may be an acrylic-based, epoxy-based, or organic-based composite containing high refractive index particles of a single composition or composite composition such as TiO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , Sb 2 O 5 , ZrO 2 , ZnO, Urethane type, thiourethane type, melamine, alkyd resin, siloxane type polymer, and an organosilane compound represented by the following general formula (1). In this case, when an organosilane compound is used, refractive index control and crosslinking should be possible by mixing with high refractive index particles.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

(R1)m-Si-X(4-m) (R 1 ) m -Si-X (4-m)

상기 식에서, R1은 서로 같거나 다를 수 있으며, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴, 아릴알케닐, 알케닐아릴, 아릴알키닐, 알키닐아릴, 할로겐, 치환된 아미노, 아마이드, 알데히드, 케토, 알킬카보닐, 카르복시, 머캅토, 시아노, 하이드록시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카보닐, 설폰산, 인산, 아크릴옥시, 메타크릴옥시, 에폭시 또는 비닐기이고,Wherein R 1 may be the same or different and is selected from the group consisting of alkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, arylalkyl, alkylaryl, arylalkenyl, alkenylaryl, arylalkynyl, alkynylaryl, Wherein R is selected from the group consisting of halogen, substituted amino, amide, aldehyde, keto, alkylcarbonyl, carboxy, mercapto, cyano, hydroxy, alkoxy of 1 to 12 carbons, alkoxycarbonyl of 1 to 12 carbons, sulfonic acid, , Methacryloxy, epoxy or vinyl group,

X는 서로 같거나 다를 수 있으며, 수소, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 아실옥시, 알킬카보닐, 알콕시카보닐, 또는 -N(R2)2(여기서 R2 는 H, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬)이고, 이때 산소 또는 -NR2(여기서 R2는 H, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬)가 라디칼 R1과 Si사이에 삽입되어 -(R1)m-O-Si-X(4-m) 또는 (R1)m-NR2-Si-X(4-m)로 될 수도 있으며, m은 1 내지 3의 정수이다.X may be the same or different from each other and is selected from the group consisting of hydrogen, halogen, alkoxy of 1 to 12 carbon atoms, acyloxy, alkylcarbonyl, alkoxycarbonyl, or -N (R 2 ) 2 (wherein R 2 is H, and the 12-alkyl), wherein oxygen or -NR 2 (where R 2 is a H, or alkyl having 1 to 12 carbon atoms) is inserted between the radicals R 1 and Si - (R 1) m -O -Si-X ( 4-m) or (R 1 ) m -NR 2 -Si-X (4-m) , and m is an integer of 1 to 3.

상기 유기실란의 예로는 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 페닐디메톡시실란, 페닐디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 메틸디에톡시실란, 페닐메틸디메톡시실란, 페닐메틸디에톡시실란, 트리메틸메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리페닐메톡시실란, 트리페닐에톡시실란, 페닐디메틸메톡시실란, 페닐디메틸에톡시실란, 디페닐메틸메톡시실란, 디페닐메틸에톡시실란, 디메틸에톡시실란, 디메틸에톡시실란, 디페닐메톡시실란, 디페닐에톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, p-아미노페닐실란, 알릴트리메톡시실란, n-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아민프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필디이소프로필에톡시실란, (3-글리시독시프로필)메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필틀리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, n-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 비닐메틸디에톡시실란, 비닐트리에톡시실란 또는 비닐트리메톡시실란 등이 있다.Examples of the organosilane include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxy A silane coupling agent such as silane, phenyl dimethoxy silane, phenyl diethoxy silane, methyl dimethoxy silane, methyl diethoxy silane, phenyl methyl dimethoxy silane, phenyl methyl diethoxy silane, trimethyl methoxy silane, Triphenylmethoxysilane, diphenylmethoxysilane, phenyldimethylethoxysilane, diphenylmethylmethoxysilane, diphenylmethylethoxysilane, dimethylethoxysilane, dimethylethoxysilane, diphenylmethoxysilane, diphenylmethoxysilane, diphenylmethoxysilane, Aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, p-aminophenylsilane, allyltrimethoxysilane, n- (2-aminoethyl) Methoxysilane, 3-amine Propyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyldiisopropylethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) methyldiethoxysilane, 3- glycidoxypropyltrimethoxy Silane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl Trimethoxysilane, n-phenylaminopropyltrimethoxysilane, vinylmethyldiethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, and the like.

상기 유기-무기 복합물은 또한, 상기 금속 알콕사이드는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 단독 또는 2종 이상 포함할 수 있다. The organic-inorganic composite may also include a compound represented by the following general formula (2), alone or in combination of two or more thereof.

[화학식 2](2)

M-(R3)zM- (R 3) z

상기 화학식2에서,M은 알루미늄, 지르코늄 및 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 나타내며, R3는 서로 같거나 다를 수 있으며, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알콕시, 아실옥시, 또는 하이드록시기이며, z는 3 또는 4의 정수이다.In Formula 2, M represents at least one metal selected from the group consisting of aluminum, zirconium and titanium, and R 3 may be the same or different from each other and is halogen, alkyl having 1 to 12 carbon atoms, And z is an integer of 3 or 4.

상기 언더코팅층으로서, 유기-무기 복합층을 사용할 경우, 유기물의 함량은 1 내지 99.99 중량%일 수 있고, 구체적으로는 5 중량% 이상이 좋다. 또한, 상기 무기물의 함량은 0.01 내지 99 중량%로 사용할 수 있으며, 구체적으로는 95 중량%보다 적게 사용하는 것이 좋다. When the organic-inorganic hybrid layer is used as the undercoat layer, the content of the organic material may be 1 to 99.99% by weight, specifically 5% by weight or more. In addition, the content of the inorganic material may be 0.01 to 99 wt%, specifically, less than 95 wt%.

상기 언더 코팅층은 단일층 혹은 2층 이상의 다층 구조일 수 있다. The undercoat layer may be a single layer or a multilayer structure of two or more layers.

하나의 예시에서, 상기 언더 코팅층은 통상의 코팅 방법, 예를 들면 스핀코팅, 딥코팅 또는 스프레이 코팅 등의 습식 코팅(wet coating)으로 형성된 단층 또는 다층 구조일 수 있다. In one example, the undercoat layer may be a single layer or multi-layer structure formed by wet coating such as spin coating, dip coating or spray coating, as usual.

다른 예시에서, 상기 언더 코팅층은 전술한 유기물, 무기물 또는 유-무기 복합물을 증착하여 형성된 단층 또는 다층 구조일 수 있다. In another example, the undercoat layer may be a single layer or a multi-layer structure formed by depositing the above-described organic, inorganic or organic-inorganic composite.

본 출원은 또한, 도전성 필름의 제조방법에 관한 것이다.The present application also relates to a method for producing a conductive film.

하나의 예시에서, 본 출원은 기재 필름의 양면에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성하는 단계를 포함하고, 열 팽창 계수가 15ppm/℃ 이하인 도전성 필름의 제조방법에 관한 것이다.In one example, the present application relates to a method for producing a conductive film comprising a step of forming a first resin layer and a second resin layer on both sides of a base film, and a thermal expansion coefficient of 15 ppm / 占 폚 or less.

본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은, 기재 필름의 양면에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성하여 도전성 필름의 열 팽창 계수를 소정 범위 이하로 조절하여, 열 처리 공정에 따른 도전성 필름의 굽힘 현상을 방지하고, 제 1 수지층의 강성을 향상시킴과 아울러, 기재 필름과 유사한 굴절률을 가지도록 하여 광학적 특성을 확보함으로써, 패턴 시인성이 개선된 도전성 필름을 제공할 수 있다. The method for manufacturing a conductive film according to the present application is characterized in that a first resin layer and a second resin layer are formed on both surfaces of a base film to adjust the thermal expansion coefficient of the conductive film to a predetermined range or less, It is possible to provide a conductive film with improved pattern visibility by preventing bending phenomenon, improving the rigidity of the first resin layer, and ensuring optical characteristics by having a refractive index similar to that of the base film.

본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 기재 필름 상에 제 1 수지층을 형성하는 단계를 포함한다.A manufacturing method of a conductive film according to the present application includes a step of forming a first resin layer on a base film.

상기 제 1 수지층의 형성 방법은, 예를 들면 제 1 수지층 형성용 조성물을 기재 필름 상에 공지의 코팅 방식을 이용하여 코팅한 후, 경화하는 단계를 포함할 수 있다.The method of forming the first resin layer may include, for example, coating the composition for forming the first resin layer on the base film using a known coating method and then curing the coating.

하나의 예시에서, 제 1 수지층은, 예를 들면 전술한 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물, 무기 입자, 개시제 및 용매를 포함하는 제 1 수지층 형성용 조성물을 기재 필름 상에 공지의 코팅 방식, 구체적으로 그라비아 코팅, 마이크로그라비아 코팅, 슬롯 다이 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅, 바 코팅 또는 딥 코팅 등의 방법을 사용하여 코팅 한 후, 경화 하는 단계를 포함하여 형성할 수 있다.In one example, the first resin layer is formed by applying a composition for forming the first resin layer, which includes, for example, the above-described monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound, inorganic particles, Coating method using a coating method such as gravure coating, micro gravure coating, slot die coating, spin coating, spray coating, roll coating, bar coating or dip coating, and then curing have.

상기 제 1 수지층 형성용 조성물에 포함되는 개시제는, 예를 들면 라디칼 광 개시제로서 벤조인계, 히드록시 케톤계, 아미노케톤계 또는 포스핀 옥시드계 광개시제 등이 사용될 수 있다. As the initiator contained in the composition for forming the first resin layer, for example, benzoin, hydroxy ketone, amino ketone or phosphine oxide photoinitiators may be used as the radical photoinitiator.

구체적으로, 라디칼 광 개시제로는 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤조인 n-부틸에테르, 벤조인 이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아미노 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4’-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤(thioxanthone), 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논 디메틸케탈, p-디메틸아미노 안식향산 에스테르, 올리고[2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판논] 또는 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥시드 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Specific examples of the radical photoinitiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, acetophenone, dimethylaminoacetophenone, 2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1- hydroxycyclohexyl phenyl ketone Propane-1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl-2- (hydroxy-2- propyl) Ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, dichlorobenzophenone, 2-methyl anthraquinone, 2-ethyl anthraquinone, 2- Quinone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, benzyldimethylketal, acetophenone dimethylketal, p - dimethylaminone (2-hydroxy-2-methyl-1- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propanone] or 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide But is not limited thereto.

상기 개시제의 함량은, 제 1 수지층 형성용 조성물에 포함되어 있는 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물을 중합 하기에 적절한 범위 내에서 조절될 수 있으며, 예를 들면 0.05 내지 3 중량부의 범위로 제 1 수지층 형성용 조성물에 포함될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The content of the initiator can be adjusted within a range suitable for polymerizing the monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound contained in the composition for forming the first resin layer, for example, in the range of 0.05 to 3 parts by weight But the present invention is not limited thereto.

제 1 수지층 형성용 조성물에 포함되는 용매는 예를 들면 물, 유기용매 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. The solvent contained in the composition for forming the first resin layer may be, for example, water, an organic solvent, or a mixture thereof.

유기용매는, 예를 들면 알콜류 용매, 할로겐 함유 탄화수소류 용매, 케톤류 용매, 셀로솔브류 용매 또는 아미이드류 용매 등을 사용할 수 있다.The organic solvent may be, for example, an alcohol solvent, a halogen-containing hydrocarbon solvent, a ketone solvent, a cellosolve solvent or an amide solvent.

보다 구체적으로 상기 알콜류 용매는 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알콜, n-부탄올 또는 디아세톤알코올 등이고, 할로겐 함유 탄화수소류 용매는 클로로포름, 디클로로메탄 또는 에틸렌디클로라이드 등이고, 케톤류 용매는 아세트알데하이드, 아세톤, 메틸에틸케톤 또는 메틸이소부틸케톤 등이고, 셀로솔브류 용매는 메틸 셀로솔브 또는 이소프로필 셀로솔브 등이고, 아미이드류 용매는 디메틸포름아미드, 포름아마이드 또는 아세트아마이드 등이 예시될 수 있다. More specifically, the alcohol solvent is methanol, ethanol, isopropyl alcohol, n-butanol or diacetone alcohol, and the halogen-containing hydrocarbon solvent is chloroform, dichloromethane or ethylene dichloride. The ketone solvent is acetaldehyde, acetone, Ketone, or methyl isobutyl ketone, and the cellosolve solvent may be methyl cellosolve or isopropyl cellosolve, and the amide solvent may be dimethyl formamide, formamide or acetamide.

제 1 수지층 형성용 조성물은 예를 들면, 무기 입자를 총 고형분 대비 60 중량% 이상 포함할 수 있다. 다른 예시에서, 무기 입자는 제 1 수지층 형성용 조성물의 총 고형분 대비 70 중량% 이상, 80중량% 이상 또는 85 중량% 이상의 범위로 포함될 수 있다. 상기 무기 입자 함량 범위의 상한값은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 99 중량% 이하, 95 중량% 이하 또는 90 중량% 이하 일 수 있다. 제 1 수지층은 상기와 같은 범위 내에서 무기 입자를 포함함으로써, 기재 필름과 유사한 굴절률을 나타낼 수 있고, 또한 적절한 강성을 가질 수 있다. The composition for forming the first resin layer may contain, for example, 60 wt% or more of inorganic particles relative to the total solid content. In another example, the inorganic particles may be contained in an amount of 70 wt% or more, 80 wt% or more, or 85 wt% or more based on the total solid content of the composition for forming the first resin layer. The upper limit value of the inorganic particle content range is not particularly limited, but may be, for example, 99 wt% or less, 95 wt% or less, or 90 wt% or less. By including the inorganic particles in the same range as described above, the first resin layer can exhibit a refractive index similar to that of the base film, and can have appropriate rigidity.

즉, 본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법의 제 1 수지층은 무기 입자를 총 고형분 대비 60 중량% 이상 포함하는 제 1 수지층 형성용 조성물을 기재 필름 상에 코팅하여 형성하는 것 일 수 있다.That is, the first resin layer of the method for producing a conductive film according to the present application may be formed by coating a composition for forming a first resin layer containing inorganic particles in an amount of 60% by weight or more based on the total solid content, on a base film.

하나의 예시에서, 상기와 같은 제 1 수지층 형성용 조성물로부터 형성된 제 1 수지층과 기재 필름의 550nm 파장에서 측정한 굴절률 차이가 0.3 이하일 수 있다. In one example, the difference in refractive index measured at a wavelength of 550 nm between the first resin layer formed from the composition for forming a first resin layer and the base film may be 0.3 or less.

본 출원의 제 1 수지층 형성용 조성물은, 또한 전술한 성분 이외에 공지의 첨가제, 예를 들면 계면 활성제, 가소제, 표면 윤활제, 레벨링제, 산화 방지제, 부식 방지제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 중합 금지제 또는 실란 커플링제 등을 추가로 포함할 수 있다. 상기 성분들의 함량은 도전성 필름의 물성을 해치지 아니하는 범위 내에서 적정량 첨가될 수 있으며, 예를 들면 제 1 수지층 형성용 조성물 100 중량부 대비 0.01 내지 2 중량부의 범위로 포함될 수 있다.The composition for forming the first resin layer of the present application may further contain known additives in addition to the above components such as a surfactant, a plasticizer, a surface lubricant, a leveling agent, an antioxidant, a corrosion inhibitor, a light stabilizer, Or a silane coupling agent, and the like. The content of the components may be appropriately added within a range that does not impair the properties of the conductive film, and may be included in the range of 0.01 to 2 parts by weight, for example, 100 parts by weight of the composition for forming the first resin layer.

상기 제 1 수지층을 경화하는 방식은, 특별히 제한되지 않으며 예를 들면 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물이 개시제에 의해 중합될 수 있는 조건, 예를 들면 UV 광 등을 적절히 조사하여 경화하는 방법을 이용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The method of curing the first resin layer is not particularly limited and includes, for example, a method of irradiating a curable (UV) light or the like under a condition that a monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound can be polymerized by an initiator However, the present invention is not limited thereto.

상기 코팅하여 경화된 제 1 수지층은 두께가 0.8 ㎛ 내지 1.5㎛의 범위 내에 있을 수 있다. 상기와 같은 두께 범위 내에서 제 1 수지층의 목적하는 강성을 달성하고, 무기 입자를 소정 범위로 포함하여, 550 nm 파장에서 기재 필름과 0.3 이하의 굴절률 차이를 나타낼 수 있다.The first resin layer that is coated and cured may have a thickness in the range of 0.8 mu m to 1.5 mu m. The desired rigidity of the first resin layer can be achieved within the above-mentioned thickness range, and the difference in refractive index between the base film and the base film can be represented by a difference of not more than 0.3 at a wavelength of 550 nm including the inorganic particles in a predetermined range.

본 출원의 도전성 필름의 제조방법은 기재 필름의 상기 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 면에 제 2 수지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The method for producing a conductive film of the present application may include a step of forming a second resin layer on a surface of the base film on which the first resin layer is not formed.

상기 제 2 수지층을 형성하는 재료 및 방식은 전술한 제 1 수지층의 형성 재료 및 방식과 유사할 수 있다.The material and method of forming the second resin layer may be similar to the material and method of forming the first resin layer described above.

하나의 예시에서, 제 2 수지층은 전술한 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물, 개시제 및 용매를 포함하는 제 2 수지층 형성용 조성물을 기재 필름의 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 면에 코팅 후, 경화하는 공정에 의해 형성될 수 있다.In one example, the second resin layer comprises a composition for forming a second resin layer comprising the above-mentioned monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound, an initiator and a solvent, in a state where the first resin layer of the base film is not formed Coating the surface, and then curing it.

상기와 같이 형성된 제 2 수지층은 제 1 수지층과 함께 도전성 필름에 적절한 강성을 부여하고, 또한 제 1 수지층과 소정의 두께 범위를 가져 후술하는 열 처리 공정에 따른 패턴의 눌림 현상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 상기와 같은 방법에 의해 형성된 제 2 수지층의 물성, 예를 들면 제 1 수지층과의 두께 범위 등은 전술한 도전성 필름에서 언급한 것과 동일하다. The second resin layer thus formed together with the first resin layer imparts appropriate stiffness to the conductive film and has a predetermined thickness range with the first resin layer to prevent the pressing phenomenon of the pattern according to the heat treatment process Can play a role. The physical properties of the second resin layer formed by the above method, for example, the thickness range with respect to the first resin layer, and the like are the same as those mentioned in the above-mentioned conductive film.

본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법에 의해 형성된 도전성 필름은, 예를 들면 15ppm/℃이하의 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 다른 예시에서, 도전성 필름은 14ppm/℃이하, 13ppm/℃이하, 12ppm/℃이하 또는 11ppm/℃이하일 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 도전성 필름의 열 팽창 계수가 낮을수록 열 처리 공정에 따른 변형이 감소된다는 것을 의미하므로 그 하한값은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 1ppm/℃이상, 2ppm/℃이상, 3ppm/℃이상, 4ppm/℃이상 또는 5ppm/℃이상 일 수 있다. The conductive film formed by the method for producing a conductive film according to the present application may have a thermal expansion coefficient of, for example, 15 ppm / ° C or less. In another example, the conductive film may have a thermal expansion coefficient of 14 ppm / ° C or less, 13 ppm / ° C or less, 12 ppm / ° C or less, or 11 ppm / ° C or less. The lower limit of the lower limit is not particularly limited. For example, the lower limit is 1 ppm / ° C or higher, 2 ppm / ° C or higher, 3 ppm / Or 5 ppm / [deg.] C or higher.

본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 또한, 제 1 수지층 상에 언더 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 언더 코팅층을 형성하는 재료는, 전술한 바와 같으며 그 형성 방법 또한 공지의 습식 또는 건식 코팅 방법을 제한 없이 이용할 수 있다.The method for producing a conductive film according to the present application may further include the step of forming an undercoat layer on the first resin layer. The material for forming the undercoat layer is as described above, and a known wet or dry coating method can be used without any limitations.

본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 또한, 언더 코팅층 상에 도전층을 형성한 후, 열 처리 하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method for manufacturing a conductive film according to the present application may further include a step of forming a conductive layer on the undercoat layer and then subjecting the conductive layer to heat treatment.

도전층을 형성하는 방법은, 예를 들면 전술한 도전층의 형성 재료를 스퍼터링 등의 방식으로 증착 하는 공정을 포함하여 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 도전층을 형성하는 방법은 이 기술분야에서 공지이며, 본 출원에서는 이를 제한 없이 이용할 수 있다. The method for forming the conductive layer may include, for example, a step of depositing the above-described conductive layer forming material by a method such as sputtering, but is not limited thereto. Methods for forming a conductive layer are known in the art and can be used without limitation in the present application.

상기 도전층이 형성된 도전성 필름을 열 처리 하는 단계는 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면 도전층의 재료를 결정화시키기 위한 것이거나, 도전층을 패터닝 한 후 추가적인 열 처리를 수행하여 필름의 내구성 등을 향상시키기 위한 것일 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 열 처리 공정은 150℃의 온도에서 60분 동안 감광성 Ag의 경화 공정일 수 있다.The step of heat-treating the conductive film on which the conductive layer is formed is not particularly limited. For example, the conductive layer may be crystallized, or the conductive layer may be patterned and then subjected to additional heat treatment to improve the durability of the film. . ≪ / RTI > In one example, the heat treatment process may be a curing process of photosensitive Ag for 60 minutes at a temperature of 150 < 0 > C.

본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법에 의해 형성된 도전성 필름은 상기와 같은 열 처리 공정 후에도, 도전층이 패터닝된 부분의 굽힘 현상을 최소화 하여, 시인성 문제를 해결할 수 있다.The conductive film formed by the method for producing a conductive film according to the present application minimizes the bending phenomenon of the portion where the conductive layer is patterned even after the heat treatment process as described above and can solve the visibility problem.

본 출원은 또한, 도전성 필름을 포함하는 터치 패널에 관한 것이다. 본 출원의 도전성 필름은 터치 패널, 특히 저항막 방식의 터치 패널의 상부 기판 및/또는 하부 기판으로 유용할 수 있다. 저항막 방식의 터치 패널은 한 쌍의 도전성 필름이 스페이서를 개재하여 배향 배치되어 있으며, 손가락이나 펜 등으로 상부 패널을 가압하면, 상기 도전성 필름이 굴곡되면서, 상부 기판과 하부 기판의 도전층이 접촉되어 통전함으로써, 위치를 검지하는 구조일 수 있다. The present application also relates to a touch panel including a conductive film. The conductive film of the present application may be useful as an upper substrate and / or a lower substrate of a touch panel, particularly a resistive touch panel. When the upper panel is pressed with a finger or a pen, the conductive film of the resistive film type is bent and the conductive layer of the upper substrate and the lower substrate are brought into contact with each other So that it can be a structure for detecting the position.

본 출원에 따른 도전성 필름은 시인성이 개선되며, 투명성이 우수하고, 경제적인 비용으로 제조될 수 있는 터치 패널을 구현할 수 있다. The conductive film according to the present application can realize a touch panel which is improved in visibility, excellent in transparency, and can be manufactured at an economical cost.

상기와 같은 터치 패널은, 예를 들면 LCD, PDP, LED, OLED 또는 E-페이퍼 등과 같은 디스플레이 장치에 장착되어 이용될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.The touch panel may be mounted on a display device such as an LCD, PDP, LED, OLED or E-paper, but is not limited thereto.

이하, 본 출원에 따른 도전성 필름을 실시예 및 비교예를 들어 보다 구체적으로 설명하나, 하기 실시예 및 비교예는 본 출원에 따른 일례에 불과할 뿐 본 출원의 기술적 사상을 제한하는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 사람에게 자명하다.Hereinafter, the conductive film according to the present application will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the following Examples and Comparative Examples are merely examples according to the present application and do not limit the technical idea of the present application. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.

본 출원에 따른 도전성 필름의 물성은 하기 방식에 의해 측정하였다.The physical properties of the conductive film according to the present application were measured by the following method.

1. 도전성 필름의 열 팽창 계수의 측정1. Measurement of thermal expansion coefficient of conductive film

도전성 필름을 TMA(thermo mechanical analyzer)를 이용하여 25℃ 내지 150℃의 온도구간에서 10℃/min의 속도로 냉각 및 승온 하면서 측정한 평균 열 팽창률을 선 열팽창 계수로 산출하였다.The average thermal expansion coefficient measured by cooling and heating the conductive film at a rate of 10 占 폚 / min in a temperature range of 25 占 폚 to 150 占 폚 using a TMA (thermo mechanical analyzer) was calculated as a coefficient of linear thermal expansion.

[[ 실시예Example 1] One]

제 11st 수지층 형성용 조성물(A1)의 제조 Preparation of Composition (A1) for Resin Layer Formation

라디칼 중합성 아크릴레이트(Dipentaerythritol hexaacrylate, DPHA), 무기입자(ZrO2) 및 개시제(Irgacure184)을 40:60:3의 비율로 혼합하고, 용매(Methyl isobutyl ketone, MIBK)를 첨가하여 총 고형분 대비 무기 입자의 함량이 60wt%이며 굴절률이 약 1.65인 제 1 수지층 형성용 조성물(A1)을 제조하였다.Dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA), inorganic particles (ZrO 2 ) and initiator (Irgacure 184) were mixed at a ratio of 40: 60: 3 and a solvent (Methyl isobutyl ketone, MIBK) A composition A1 for forming a first resin layer having a particle content of 60 wt% and a refractive index of about 1.65 was prepared.

제 2Second 수지층 형성용 조성물(A2)의 제조 Preparation of Composition (A2) for Resin Layer Formation

라디칼 중합성 아크릴레이트(Dipentaerythritol hexaacrylate, DPHA) 및 개시제(Irgacure184)를 100:3의 비율로 혼합하고, 용매(Methyl isobutyl ketone, MIBK)를 첨가하여 굴절률 약 1.52인 제 2 수지층 형성용 조성물(A2)를 제조하였다. A composition for forming a second resin layer (A2) having a refractive index of about 1.52 was prepared by mixing a radical polymerizable acrylate (DPHA) and an initiator (Irgacure 184) in a ratio of 100: 3 and adding a solvent (Methyl isobutyl ketone, MIBK) ).

도전성 필름의 제조Preparation of conductive film

양면이 이형 처리된 두께 50 ㎛의 PET 기재 필름(UH-13 PET, 굴절률 약 1.65)의 일면에 제 1 수지층 형성용 조성물(A1)을 코팅하고, 자외선을 조사하여 두께 약 1.3㎛의 제 1 수지층을 형성하고, 상기 PET 기재 필름(UH-13 PET)의 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 면에 제 2 수지층 형성용 조성물(A2)를 코팅하고, 자외선을 조사하여 두께 약 1.3㎛의 제 2 수지층을 형성하였다. 그 후, 제 1 수지층 상에 에폭시 수지 및 프로펠렌 글리콜 모노메틸에테르(Propylene glycol monomethyl ether, PGME)를 포함하는 언더 코팅층 형성용 조성물(A3)를 코팅 후, 자외선을 조사하여 굴절률 1.5(550nm 기준) 및 두께 약 30nm의 언더 코팅층을 형성하였다. 또한, 상기 언더 코팅층 상에 ITO를 진공 스퍼터링 방식으로 증착 한 후, 상기 ITO 도전층을 패터닝 하고, 150℃에서 Ag 감광성 경화 공정을 1 시간 동안 수행하여, 순차적으로 제 2 수지층/기재 필름/제 1수지층/언더코팅층/도전층을 포함하는 도전성 필름을 제조하였다. 실시예 1의 도전성 필름에 대한 물성 및 패턴 시인성 평과 결과는 하기 표 1과 같다.The first resin layer-forming composition (A1) was coated on one side of a PET base film (UH-13 PET, refractive index of about 1.65) having a thickness of 50 탆 on both sides and subjected to releasing treatment and irradiated with ultraviolet rays to obtain a first (A2) was coated on the surface of the PET base film (UH-13 PET) on which the first resin layer was not formed and irradiated with ultraviolet rays to form a resin layer having a thickness of about 1.3 탆 Of the second resin layer. Thereafter, a composition (A3) for forming an undercoat layer containing an epoxy resin and propylene glycol monomethyl ether (PGME) was coated on the first resin layer, ) And an undercoat layer having a thickness of about 30 nm were formed. ITO was deposited on the undercoat layer by a vacuum sputtering method. Then, the ITO conductive layer was patterned and an Ag photosensitive curing process was performed at 150 ° C for 1 hour to sequentially form a second resin layer / substrate film / 1 > resin layer / undercoat layer / conductive layer. The physical properties and the pattern visibility evaluation results of the conductive film of Example 1 are shown in Table 1 below.

[[ 실시예Example 2] 2]

제 1 수지층 형성용 조성물(A1) 대신에 라디칼 중합성 아크릴레이트(Dipentaerythritol hexaacrylate, DPHA), 무기입자(ZrO2 SiO2) 및 개시제(Irgacure184)을 20:80:3의 중량 비율로 혼합하여 총 고형분 대비 무기 입자의 함량이 80wt%인 제 1 수지층 형성용 조성물(A4)을 제조하고, 상기 제 1 수지층 형성용 조성물(A4)을 이용하여 두께 약 1.0㎛의 제 1 수지층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조하였다. 실시예 2의 도전성 필름에 대한 물성 및 패턴 시인성 평과 결과는 하기 표 1과 같다.(Dipentaerythritol hexaacrylate, DPHA), inorganic particles (ZrO 2 , etc.) were used in place of the first resin layer- And SiO 2 ) and an initiator (Irgacure 184) in a weight ratio of 20: 80: 3 to prepare a composition (A4) for forming a first resin layer having an inorganic particle content of 80 wt% based on the total solid content, A conductive film was prepared in the same manner as in Example 1, except that the first resin layer having a thickness of about 1.0 탆 was formed using the composition (A4) The physical properties and the pattern visibility evaluation results of the conductive film of Example 2 are shown in Table 1 below.

[[ 실시예Example 3] 3]

제 1 수지층의 두께를 약 1.3㎛로 한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조하였다. 실시예 3의 도전성 필름에 대한 물성 및 패턴 시인성 평과 결과는 하기 표 1과 같다.A conductive film was prepared in the same manner as in Example 2, except that the thickness of the first resin layer was about 1.3 탆. The physical properties and the pattern visibility evaluation results of the conductive film of Example 3 are shown in Table 1 below.

[[ 비교예Comparative Example 1] One]

제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 도전성 필름을 형성하였다. 비교예 1의 도전성 필름에 대한 물성 및 패턴 시인성 평과 결과는 하기 표 1과 같다.A conductive film was formed in the same manner as in Example 1, except that the first resin layer was not formed. The physical properties and the pattern visibility evaluation results of the conductive film of Comparative Example 1 are shown in Table 1 below.

[[ 비교예Comparative Example 2] 2]

제 2 수지층이 형성되어 있지 않은 것을 제외하고는 실시예 1 과 동일한 방식으로 도전성 필름을 형성하였다. 비교예 2의 도전성 필름에 대한 물성 및 패턴 시인성 평과 결과는 하기 표 1과 같다.A conductive film was formed in the same manner as in Example 1, except that the second resin layer was not formed. The physical properties and the pattern visibility evaluation results of the conductive film of Comparative Example 2 are shown in Table 1 below.

[[ 비교예Comparative Example 3] 3]

라디칼 중합성 화합물(Dipentaerythritol hexaacrylate, DPHA), 무기 입자(ZrO2) 및 개시제(Irgacure184)를 50:50:3의 중량 비율로 혼합하여, 총 고형분 대비 무기 입자의 함량이 50 wt%인 제 1 수지층 형성용 조성물(B1)을 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조하였다. 비교예 3의 도전성 필름에 대한 물성 및 패턴 시인성 평과 결과는 하기 표 1과 같다.(Dipentaerythritol hexaacrylate, DPHA), inorganic particles (ZrO 2 ) and an initiator (Irgacure 184) were mixed in a weight ratio of 50: 50: 3 to obtain a first water dispersion having an inorganic particle content of 50 wt% A conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the composition for forming a ground layer (B1) was used. The physical properties and the pattern visibility evaluation results of the conductive film of Comparative Example 3 are shown in Table 1 below.

[[ 비교예Comparative Example 4] 4]

제 1 수지층의 두께를 약 0.7㎛로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조하였다. 비교예 4의 도전성 필름에 대한 물성 및 패턴 시인성 평과 결과는 하기 표 1과 같다.A conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the first resin layer was set to about 0.7 탆. The physical properties and the pattern visibility evaluation results of the conductive film of Comparative Example 4 are shown in Table 1 below.

[[ 실험예Experimental Example ] - 패턴 시인성 평가 ] - Evaluation of pattern visibility

실시예 및 비교예에 따라 제조된 도전성 필름의 패턴 시인성을 육안으로 평가하되 하기 기준으로 평가하였다.The pattern visibility of the conductive films prepared according to Examples and Comparative Examples was visually evaluated based on the following criteria.

1.0 : 패턴 시인성이 매우 우수1.0: Excellent pattern visibility

1.5 : 패턴 시인성이 우수1.5: Excellent pattern visibility

2.0 : 패턴 시인성이 양호함2.0: Good pattern visibility

2.5 : 패턴 시인성이 나쁨2.5: poor pattern visibility

3.0 : 패턴 시인성이 매우 나쁨3.0: Very bad pattern visibility

하기 표 1에서와 같이, 본 출원의 실시예에 따른 도전성 필름의 경우, 열 팽창 계수가 15ppm/℃이하의 강성을 가지고 있어, 열 처리 공정 후에도 패턴 시인성이 우수한 반면, 비교예의 도전성 필름의 경우, 15ppm/℃초과의 열 팽창 계수를 가져, 열 처리 공정 등에서 가해지는 스트레스에 의한 변형으로 인하여 패턴 눌림 현상에 의한 시인성이 저하됨을 확인할 수 있다. As shown in the following Table 1, the conductive films according to the embodiments of the present application have a rigidity with a thermal expansion coefficient of 15 ppm / 占 폚 or less, and are excellent in pattern visibility even after the heat treatment process, It can be confirmed that the thermal expansion coefficient is higher than 15 ppm / DEG C, and the visibility due to the pattern pressing phenomenon is lowered due to the stress caused by the heat treatment process or the like.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 제 1 수지층The first resin layer 무기 입자 함량(종류,함량)Inorganic particle content (kind, content) ZrO2, 60wt%ZrO 2 , 60 wt% ZrO2+SiO2, 80wt%ZrO 2 + SiO 2 , 80 wt% ZrO2+SiO2, 80wt%ZrO 2 + SiO 2 , 80 wt% -- ZrO2, 60wt%ZrO 2 , 60 wt% ZrO2, 50wt%ZrO 2, 50wt% ZrO2, 60wt%ZrO 2 , 60 wt% 두께(㎛)Thickness (㎛) 1.31.3 1.01.0 1.31.3 -- 1.31.3 1.31.3 0.70.7 제 2 수지층 두께(㎛)The second resin layer thickness (mu m) 1.31.3 1.31.3 1.31.3 1.31.3 -- 1.31.3 1.31.3 열 팽창 계수(ppm/℃)Thermal Expansion Coefficient (ppm / ° C) 14.1714.17 13.2313.23 10.3110.31 19.1719.17 측정불가Not measurable 19.1419.14 18.0218.02 패턴 시인성 평가Pattern visibility evaluation 1.51.5 1.01.0 1.01.0 3.03.0 측정불가Not measurable 2.52.5 2.52.5

100 : 도전층
101 : 패턴부
102 : 비패턴부
200 : 언더 코팅층
300 : 제 1 수지층
400 : 기재 필름
500 : 제 2 수지층
100: conductive layer
101:
102: Non-patterned portion
200: undercoat layer
300: first resin layer
400: substrate film
500: second resin layer

Claims (14)

기재 필름;
상기 기재 필름의 일면에 형성되어 있는 제 1 수지층; 및
상기 기재 필름의 상기 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 면에 형성된 제 2 수지층을 포함하고,
열 팽창 계수가 15ppm/°C 이하인 도전성 필름.
A base film;
A first resin layer formed on one surface of the base film; And
And a second resin layer formed on a surface of the base film on which the first resin layer is not formed,
A conductive film having a thermal expansion coefficient of 15 ppm / ° C or lower.
제 1항에 있어서,
기재 필름의 두께는 10 ㎛ 내지 80 ㎛의 범위 내에 있는 도전성 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the base film is in the range of 10 탆 to 80 탆.
제 1항에 있어서,
제 1 수지층의 두께(T1) 및 제 2 수지층의 두께(T2)의 비율(T1/T2)이 0.75 내지 1.30의 범위 내에 있는 도전성 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the ratio (T1 / T2) of the thickness (T1) of the first resin layer and the thickness (T2) of the second resin layer is in the range of 0.75 to 1.30.
제 1항에 있어서,
제 1 수지층의 굴절률(550 nm 파장 기준)과 기재 필름의 굴절률(550 nm 파장 기준)의 차이의 절대값이 0.3 이하인 도전성 필름.
The method according to claim 1,
Wherein an absolute value of a difference between a refractive index (based on a wavelength of 550 nm) of the first resin layer and a refractive index (based on a wavelength of 550 nm) of the base film is 0.3 or less.
제 1항에 있어서,
제 1 수지층은 무기 입자를 포함하는 도전성 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the first resin layer comprises inorganic particles.
제 5항에 있어서,
제 1 수지층 내에서 무기 입자의 비율은 60 중량% 이상인 도전성 필름.
6. The method of claim 5,
Wherein the ratio of the inorganic particles in the first resin layer is 60% by weight or more.
제 1항에 있어서,
제 1 및 제 2 수지층은 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물의 중합 단위를 포함하는 도전성 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second resin layers comprise polymerized units of a monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound.
제 1항에 있어서,
제 1 수지층 상에 도전층을 추가로 포함하는 도전성 필름.
The method according to claim 1,
A conductive film further comprising a conductive layer on the first resin layer.
제 8항에 있어서,
제 1 수지층과 도전층의 사이에 언더 코팅층을 추가로 포함하는 도전성 필름.
9. The method of claim 8,
Wherein the conductive film further comprises an undercoat layer between the first resin layer and the conductive layer.
기재 필름의 양면에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 제 1 항의 도전성 필름의 제조방법.A method for producing a conductive film according to claim 1, comprising the steps of: forming a first resin layer and a second resin layer on both surfaces of a base film. 제 10항에 있어서,
제 1 수지층은 무기 입자를 고형분 기준으로 60 중량% 이상 포함하는 수지 조성물을 코팅하여 형성하는 도전성 필름의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the first resin layer is formed by coating a resin composition containing 60% by weight or more of inorganic particles on a solid basis.
제 10항에 있어서,
제 1 수지층 상에 언더 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
11. The method of claim 10,
And forming an undercoat layer on the first resin layer.
제 12항에 있어서,
언더 코팅층 상에 도전층을 형성하고, 열 처리 하는 단계를 더 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
13. The method of claim 12,
Forming a conductive layer on the undercoat layer, and subjecting the conductive layer to heat treatment.
제 1항의 도전성 필름을 포함하는 터치 패널.
A touch panel comprising the conductive film of claim 1.
KR1020150088576A 2015-06-22 2015-06-22 The conductive film KR20160150499A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150088576A KR20160150499A (en) 2015-06-22 2015-06-22 The conductive film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150088576A KR20160150499A (en) 2015-06-22 2015-06-22 The conductive film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160150499A true KR20160150499A (en) 2016-12-30

Family

ID=57737262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150088576A KR20160150499A (en) 2015-06-22 2015-06-22 The conductive film

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160150499A (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100134692A (en) 2008-04-15 2010-12-23 린텍 가부시키가이샤 Film for scattering prevention and process for producing the same
KR20110125370A (en) * 2010-05-13 2011-11-21 주식회사 엘지화학 Multilayer structured transparent electrically conductive film and method of manufacturing the same
JP2012212514A (en) * 2011-03-30 2012-11-01 Jnc Corp Transparent conductive film and manufacturing method for the same
KR20130110089A (en) * 2012-03-27 2013-10-08 히다치 막셀 가부시키가이샤 Hard coating substrate and transparent conductive film using the same
KR20140030666A (en) * 2012-09-03 2014-03-12 (주)엘지하우시스 Coating composition for high refractive layer and transparent conductive film including the same
KR20150013914A (en) * 2007-10-26 2015-02-05 데이진 가부시키가이샤 Transparent conductive laminate and touch panel

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150013914A (en) * 2007-10-26 2015-02-05 데이진 가부시키가이샤 Transparent conductive laminate and touch panel
KR20100134692A (en) 2008-04-15 2010-12-23 린텍 가부시키가이샤 Film for scattering prevention and process for producing the same
KR20110125370A (en) * 2010-05-13 2011-11-21 주식회사 엘지화학 Multilayer structured transparent electrically conductive film and method of manufacturing the same
JP2012212514A (en) * 2011-03-30 2012-11-01 Jnc Corp Transparent conductive film and manufacturing method for the same
KR20130110089A (en) * 2012-03-27 2013-10-08 히다치 막셀 가부시키가이샤 Hard coating substrate and transparent conductive film using the same
KR20140030666A (en) * 2012-09-03 2014-03-12 (주)엘지하우시스 Coating composition for high refractive layer and transparent conductive film including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI460742B (en) Transparent conductive film
KR101812962B1 (en) Optical sheet, conductive sheet, and display device provided with said optical sheet
KR101058395B1 (en) Double sided hard coat film for display protection
US9914810B2 (en) Transparent conductive film and touch panel
KR101737156B1 (en) Transparent conductor and apparatus comprising the same
KR20160114593A (en) Double-sided translucent conductive film, roll thereof, and touch panel
KR101674846B1 (en) Method for producing laminated film
KR102083679B1 (en) High trans-missive composite film for electrostatic capacity type touch panel
JP2004047456A (en) Transparent conductive material and touch panel
TW201439872A (en) Transparent conductive film, and touch panel and display device provided with same
KR20180003143A (en) The barrier film and manufacturing method thereof
KR20190004659A (en) Transparent conductive film and touch panel
KR20200006442A (en) Protective film for optical display apparatus, optical member comprising the same and optical display apparatus comprising the same
KR101905904B1 (en) Enhanced image quality composite film for electrostatic capacity type touch screen panel
JP2015176466A (en) Base film for touch panel transparent conductive film, and touch panel transparent conductive film
TW201637842A (en) Film for stacking transparent conductive layer, manufacturing method thereof and transparent conductive film
KR20140048675A (en) Transparent conductive film with excellent visibility and manufacturing method thereof
KR20150080748A (en) Optical adjusting film for capacitive touch sensor and touch sensor film using the same
KR20160150499A (en) The conductive film
KR102040461B1 (en) The conductive film
KR102442733B1 (en) Flexible window film and display apparatus comprising the same
KR101798655B1 (en) Composite film for electrostatic capacity type touch screen panel
KR102118368B1 (en) The compositions using conductive film
KR102118369B1 (en) The compositions using conductive film
KR101913429B1 (en) Enhanced image quality film with controlled electro-magnetic wave for electrostatic capacity type touch screen panel

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application