JP2007294883A - 半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、および半導体レーザモジュールを用いたラマン増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板11上に積層された活性層12とクラッド層13とを含む導波路の一方側に光学利得を有する利得領域31を、他方側に特定の波長帯を選択的に反射する回折格子15を有する反射領域32を含み、反射領域32中の活性層12の上方に、半導体基板11、活性層12およびクラッド層13を形成する半導体の屈折率とは異なる温度係数符号の屈折率を有する物質で形成される上部形成層16を含む。
【選択図】図1
Description
本発明に係る半導体レーザ素子の第1の実施形態を図1に示す。図1(a)および(d)は半導体レーザ素子1の両端面図、同(b)は上面図、(c)は(b)中のA−A’の位置での断面図である。
本発明に係る第2の実施形態の半導体レーザ素子2を図2に示す。図2における(a)から(d)の図面は図1と同様、半導体レーザ素子の両端面図、上面図、B−B’の位置での断面図を示している。基本的な構造は図1とほぼ同様であるので、同一部分については同一記号を使用し、その説明は省略する。
次に、本発明に係る第3の実施形態の半導体レーザ素子3について図3、4を用いて説明する。
次に、本発明に関する第4の実施形態について図5、6を用いて説明する。図5は第1の実施形態の半導体レーザ素子1を用いた半導体レーザモジュール40の概観図であり、図6はその概略平面図である。
次に、本発明に関する第5の実施形態のラマン増幅器について図7を用いて説明する。図7は第4の実施形態の半導体レーザモジュール40を励起光用光源として用いたラマン増幅器60のブロック図を示している。
11 半導体基板
12 活性層
13 クラッド層
15 回折格子
16 上部形成層
20 境界面
31 利得領域
32 反射領域
40 半導体レーザモジュール
41 ケース
42 シャーシ
43 カバー
44 取り付け穴
45 端子
46 光ファイバ
47 ファイバカバー
48 冷却素子
49 サーミスタ
50 受光素子
51 レンズ
52 光アイソレータ
53 窓
60 ラマン増幅器
61 増幅用光ファイバ
62 カプラ
Claims (7)
- 半導体基板(11)上に積層された活性層(12)とクラッド層(13)とを含む導波路の光の導波方向における一方側に光学利得を有する利得領域(31)を、他方側に特定の波長帯を選択的に反射する回折格子(15)を有する反射領域(32)を含む半導体レーザ素子において、
前記反射領域中の前記活性層の上方に、前記半導体基板、前記活性層および前記クラッド層を形成する半導体の屈折率とは異なる温度係数符号の屈折率を有する物質で形成される上部形成層(16)を含むことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記上部形成層が、BCB(ベンゾシクロブテン)で形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記上部形成層が、ポリイミドで形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記上部形成層が、前記活性層の上方に積層された所定厚さの前記クラッド層のさらに上方に積層されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記利得領域と前記反射領域との境界面の法線が、前記導波路の光軸と所定の角度を成して交わることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
- 筐体(41)と、
前記筐体内に、請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子(1)、前記半導体レーザの一方の端面から出射されるレーザ光を集光するレンズ(51)、および前記半導体レーザの他方の端面から出射される光を受光する受光素子(50)を備え、
さらに前記レンズで集光された光を前記筐体の外部に導波する光ファイバ(46)を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 請求項6に記載の半導体レーザモジュール(40)と、
前記半導体レーザモジュールに含まれる光ファイバからのレーザ光が入射する増幅用光ファイバ(61)とを備えることを特徴とするラマン増幅器。
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Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55123188A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Toshiba Corp | Spectral bragg reflection mirror |
JP2002190643A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 温度無依存型レーザ |
JP2003069133A (ja) * | 2001-06-23 | 2003-03-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 微細多共振器を利用した波長固定集積光源構造 |
JP2003086891A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器ならびにwdm通信システム |
JP2004221413A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レーザ |
WO2004088802A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55123188A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Toshiba Corp | Spectral bragg reflection mirror |
JP2002190643A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 温度無依存型レーザ |
JP2003069133A (ja) * | 2001-06-23 | 2003-03-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 微細多共振器を利用した波長固定集積光源構造 |
JP2003086891A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器ならびにwdm通信システム |
JP2004221413A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レーザ |
WO2004088802A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302416A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Anritsu Corp | 半導体レーザ,半導体レーザモジュールおよびラマン増幅器 |
JP2016528733A (ja) * | 2013-07-30 | 2016-09-15 | ラッシュミア・テクノロジー・リミテッド | 光学ソース |
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