JP2007294520A - 半導体装置の実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に半導体装置を確実に固定するとともに、生産効率を向上させることが可能な半導体装置の実装方法を提供すること。
【解決手段】基板に形成された凹部に、該凹部の深さ寸法より厚み寸法が小さい半導体装置をフリップチップ実装する半導体装置の実装方法であって、凹部２４ａに半導体装置２０を仮固定した後、凹部２４ａの開口面積より小さく半導体装置２０の外形より大きい接触面を有するとともに、接触面と半導体装置２０とが接触している状態で、接触面と反対の面が凹部２４ａの開口している側の基板の表面より上方に位置するような厚みを有する介在部材３５を用い、該介在部材３５の接触面を半導体装置２０に接触させ、ボンディングツール３６により介在部材３５を加圧し、半導体装置２０を凹部２４ａに本固定することを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、半導体装置の実装方法に関する。

近年、静電駆動方式のインクジェットプリンタでは、高解像度画像の高速印刷及び多色印刷のために、インクジェットヘッドの多ノズル化及び多列化が進んでいる。これに伴って１列当たりのノズル及び吐出室数が増加し、ノズル列の長尺化が進んでいる。このノズル列は一般的に、１列ごとに異なった色のインク（例えば、赤，緑，青等）を吐出するようになっている。
このようなインクジェットのプリンタに用いられる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置では、インク流路及び電気熱変換素子を設けた基板表面に素子制御用回路（ＩＣチップ）が実装されている（例えば、特許文献１参照。）。
この特許文献１に記載の液滴吐出装置に設けられた素子制御用回路のような半導体装置を実装する方法としては、半導体装置を基板等に直接またはＡＣＦ（異方性導電フィルム）等の接着材を介して接合するフリップチップ実装方式が広く用いられている。
特開２００２−２１０９６９号公報

ところで、半導体装置を実装する場合において、ボンディングツールの半導体装置との接触面の面積を半導体装置の外形と同じ大きさにしておくと、ボンディングツールを加熱したときに、半導体装置の周辺部において熱の放散が生じたり、ボンディングツールと半導体装置との接触面がズレてしまう場合が生じる。これにより、半導体装置における温度分布のバラツキが生じ、その結果、基板に半導体装置が確実に固定されず、基板から半導体装置が剥離するおそれが生じる。この剥離を抑制するために、一般的なフリップチップ実装では、半導体装置との接触面の面積を半導体装置の外形より大きくしたボンディングツールを用いて、基板上に半導体装置を実装する方法が用いられている。

このようなボンディングツールを用いて、基板上の凹部の深さより、厚みの薄い半導体装置をフリップチップ実装する場合、ボンディングツール（半導体装置）が凹部の側壁部に接触し、側壁部が欠けてしまうおそれがある。このため、ボンディングツールと半導体装置の精密な位置関係を認識した後、基板の凹部の開口部と、ボンディングツールとの位置合わせを行う必要があるため、生産効率が低下している。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、基板上に半導体装置を確実に固定するとともに、生産効率を向上させることが可能な半導体装置の実装方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の半導体装置の実装方法は、基板に形成された凹部に、該凹部の深さ寸法より厚み寸法が小さい半導体装置をフリップチップ実装する半導体装置の実装方法であって、前記凹部に前記半導体装置を仮固定した後、前記凹部の開口面積より小さく前記半導体装置の外形より大きい接触面を有するとともに、前記接触面と前記半導体装置とが接触している状態で、前記接触面と反対の面が前記凹部の開口している側の前記基板の表面より上方に位置するような厚みを有する介在部材を用い、該介在部材の接触面を前記半導体装置に接触させ、ボンディングツールにより前記介在部材を加圧し、前記半導体装置を凹部に本固定することを特徴とする。

本発明に係る半導体装置の実装方法では、半導体装置と基板とを仮固定した後、介在部材の接触面を半導体装置に接触させる。このとき、介在部材が半導体装置の外形より大きい接触面を有しているため、介在部材の位置合わせを精度良く行う必要はなく、凹部の側壁部に当たらないように介在部材の接触面を半導体装置に接触させれば良い。すなわち、簡易な方法で、介在部材の接触面を半導体装置に接触させることができる。そして、ボンディングツールにより介在部材を加圧することで、半導体基板を基板上に実装する。
これにより、従来の実装方法では、半導体装置とボンディングツールあるいはボンディングツールと基板の凹部との精密な位置合わせが必要であったが、本発明では必要がなくなるので、生産効率を向上させることが可能となる。また、介在部材の接触面は、凹部の開口面積より小さく半導体装置の外形より大きいため、ボンディングツールの熱が介在部材を介して半導体装置にムラなく伝わり、凹部に半導体装置を確実に固定することが可能となる。
さらに、介在部材は、接触面と反対の面が、半導体装置と接触している状態で、凹部の開口している側の基板の表面より上方に位置するような厚みを有しているため、ボンディングツールを基板の凹部に合わせて形成する必要がないので、ボンディングツールの大きさの自由度が向上する。

また、半導体装置の実装方法は、前記介在部材の端部に、前記ボンディングツール側から前記接触面の中央に向かって傾斜する傾斜部が形成されていることが好ましい。
本発明に係る半導体装置の実装方法では、介在部材の接触面の端部に、傾斜部が形成されているため、介在部材の端部が凹部の側壁部に当たりにくくなり、基板の不良を抑えることができる。また、介在部材の接触面の端部が凹部の側壁部に接触したとしても、介在部材の傾斜部により、凹部の側壁部に加わる力が軽減されるので、基板が欠けにくくなる。したがって、本発明の半導体装置の実装方法を用いることにより、歩留まりを向上させることが可能となる。

また、半導体装置の実装方法は、前記基板と前記半導体装置との間に封止材が設けられ、前記介在部材の接触面に、前記封止材の付着を抑制する加工が施されていることが好ましい。
本発明に係る半導体装置の実装方法では、介在部材の接触面に、例えば、エポキシ樹脂からなる封止材の付着を抑制する加工、例えば、フッ素やポリ４フッ化エチレン樹脂による加工が施されているため、介在部材に封止材が付着するのを抑えることが可能になる。したがって、介在部材を凹部から取り外すと同時に、半導体装置が剥離してしまうおそれを抑えることができるので、良好な状態で凹部に半導体装置を実装することが可能となる。

また、半導体装置の実装方法は、前記基板と前記半導体装置との間に封止材が設けられ、前記半導体装置と前記介在部材との間に、前記凹部を覆う可撓性を有するシート部材を設けることが好ましい。

本発明に係る半導体装置の実装方法では、凹部を覆うシート部材を設けることにより、半導体装置を凹部に実装する際、半導体装置を封止する封止材（樹脂等）が半導体装置の外形からはみ出し、半導体装置の側面を這い上がった場合でも、封止材がボンディングツールに付着するという問題を回避することができる。すなわち、シート部材により、封止材の這い上がりを堰き止めることができる。
また、半導体装置の封止材から発生する揮発性物質が、基板の凹部から外部へ漏洩するのを抑制することが可能となる。

また、半導体装置の実装方法は、前記介在部材が、前記ボンディングツールと同等以上の熱伝導性を有する材質からなることが好ましい。
本発明に係る半導体装置の実装方法では、介在部材がボンディングツールと同等以上の熱伝導性を有する材質からなっているため、ボンディングツールの熱が介在部材を介して半導体装置に伝わり易くなる。これにより、半導体装置を凹部に確実に実装することが可能となる。

また、半導体装置の実装方法は、前記基板に複数の凹部が形成され、前記複数の凹部に前記半導体装置をそれぞれ仮固定した後、前記複数の凹部に対応して設けられた複数の前記介在部材を固定する固定部材を用い、前記複数の介在部材の接触面を前記半導体装置にそれぞれ接触させ、ボンディングツールにより前記固定部材を加圧し、前記複数の半導体装置を前記複数の凹部にそれぞれ本固定することが好ましい。
本発明に係る半導体装置の実装方法では、複数の半導体装置を凹部に一度に固定することができるため、基板上に複数の半導体装置を確実に固定するとともに、量産性に優れた方法を提供することが可能となる。

以下、図面を参照して、本発明に係る半導体装置の実装方法の実施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
まず、本発明の半導体装置の実装方法の説明に先立ち、本発明に係る半導体装置が実装される液滴吐出ヘッドの構造について説明する。

［第１実施形態］
［液滴吐出ヘッドの全体構成］
図１は、本発明の第１実施形態に係る液滴吐出ヘッドの分解図であり、図２は、図１に示す液滴吐出ヘッドが組み立てられた状態における図１のＡ−Ａ線の断面図であり、図３〜図６は、図１に示すドライバＩＣ（半導体装置）の実装方法を示す工程図であり、図７は、半導体装置，基板の凹部，治具の大きさの関係を模式的に示す図である。なお、図１及び図２に示す液滴吐出ヘッドは、ノズル基板の表面側に設けられたノズル孔から液滴を吐出するフェイスイジェクトタイプのものであり、また、静電気力により駆動される静電駆動方式のものである。

液滴吐出ヘッド１は、図１及び図２に示すように、電極基板２の一方の面に、キャビティ基板（基板）３，リザーバ基板（基板）４，ノズル基板５が順に接合されている。
電極基板２は、例えば、ホウ珪酸ガラス等のガラスから形成されている。また、電極基板２には、溝部６が形成されており、この溝部６の内部には、個別電極７が一定の間隔を有してキャビティ基板３の振動板１１に対向して複数設けられている。この複数の個別電極７は、長辺及び短辺を有する長方形上に形成されている。また、この個別電極７が、互いの長辺が平行になるように配置され、個別電極７の短辺方向に延びる電極列を２列形成している。

さらに、電極基板２には、図２に示すように、個別電極７の２つの電極列の間に、ドライバＩＣ（半導体装置）２０が設けられている。このドライバＩＣ２０は、図３に示すように、一方の面に接続端子２０ａが形成されており、この接続端子２０ａと個別電極７の２つの電極列とが電気的に接続され、個別電極７からドライバＩＣ２０に駆動信号が供給されるようになっている。このように、電極列を多列化することにより、ドライバＩＣ２０の個数が少なくなるため、コストを削減することができるとともに、液滴吐出ヘッド１の小型化も可能となる。なお、図１に示す液滴吐出ヘッド１では、２つのドライバＩＣ２０が設置されているが、例えば、これらのドライバＩＣ２０を１つのＩＣで構成したり、３つ以上のＩＣで構成するようにしても良い。

キャビティ基板３は、例えば、単結晶シリコンからなり、図２に示すように、底壁が振動板１１である吐出室１２となる溝部１２ａが形成されている。なお、溝部１２ａは複数形成されており、個別電極（電極列）７に対応して２列に形成されている。また、キャビティ基板３には、電極列の間にキャビティ基板３を貫通する第１の穴部２１が形成されている。さらに、キャビティ基板３の端部には、振動板１１に電圧を印加するとともにＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）３０に接続された共通電極２２が形成されている。また、キャビティ基板３には、当該キャビティ基板３を貫通する液滴供給孔１０ｂが形成されている。

リザーバ基板４は、例えば、単結晶シリコンからなり、図１及び図２に示すように、吐出室１２に液滴を供給するための共通液滴室１３となる溝部１３ａが２つ形成されている。この溝部１３ａの底面には、共通液滴室１３から吐出室１２へ液滴を移送するための貫通孔１４が形成されている。
また、溝部１３ａの底面には、当該溝部１３ａの底面を貫通する液滴供給孔１０ｃが形成されている。このリザーバ基板４に形成された液滴供給孔１０ｃとキャビティ基板３に形成された液滴供給孔１０ｂと電極基板２に形成された液滴供給孔１０ａとは、図２に示すように、リザーバ基板４とキャビティ基板３と電極基板２とが接合された状態において互いに繋がっている。そして、これら液滴供給孔１０ａと液滴供給孔１０ｂと液滴供給孔１０ｃとにより、外部から共通液滴室１３に液滴を供給するための液滴供給孔１０を形成している。
さらに、リザーバ基板４の２つの共通液滴室１３の間には、図１に示すように、リザーバ基板４を貫通する第２の穴部２３が形成されている。

キャビティ基板３に設けられた第１の穴部２１とリザーバ基板４に設けられた第２の穴部２３は、図２に示すように、連通して凹部２４ａを形成している。そして、この凹部２４ａには、ドライバＩＣ２０が収容されている。
また、リザーバ基板４の溝部１３ａ以外の部分に、図２に示すように、各々の吐出室１２に連通し、吐出室１２から後述するノズル孔１６に液滴を移送するためのノズル連通孔１５が形成されている。このノズル連通孔１５は、リザーバ基板４の貫通孔１４が連通する一端面から他端面に連通している。

ノズル基板５は、例えば、シリコン基板からなり、図２に示すように、各々のノズル連通孔１５と連通する複数のノズル孔１６が形成されている。なお、本実施形態では、ノズル孔１６を２段に形成して液滴を吐出する際の直進性を向上させている。

凹部２４ａに収容されたドライバＩＣ２０の厚みＭは、図２に示すように、凹部２４ａの深さＬより小さくなっている。また、この凹部２４ａは、ノズル基板５によって閉塞され、収納部２４を形成している。すなわち、ノズル基板５が収納部２４の上面を形成し、電極基板２が収納部２４の下面を形成し、キャビティ基板３及びリザーバ基板４が収納部２４の側面を形成することにより、収納部２４が閉塞されるようになっている。このように、収納部２４は、液滴や外気からドライバＩＣ２０を保護するために密閉することが好ましい。

さらに、電極基板２とドライバＩＣ２０の底面との間には、図２に示すように、異方性導電フィルム（封止材）３１が設けられている。この異方性導電フィルム３１は、その中に微細な導電性粒子が分散された熱硬化性または熱可塑性の樹脂フィルムである。この異方性導電フィルム３１の材料としては、例えば、感光性でかつ熱可塑性のポリイミド樹脂を挙げることができ、異方性導電フィルム３１の形成方法としては、ポリイミド樹脂に添加材を加えて、所定形状のフィルム状に成形することにより形成される。
なお、異方性導電フィルム３１は、接着性を有する樹脂であれば良く、例えば、熱可塑性を有するエポキシ樹脂，ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン），アクリル樹脂等、他の公知の樹脂でも良い。さらに、耐熱性を向上させるために熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれていても良い。

次に、以上の構成からなる液滴吐出ヘッド１のドライバＩＣ２０の実装方法について説明する。
まず、電極基板２とキャビティ基板３とを陽極接合により接合し、キャビティ基板３とリザーバ基板４とを直接接合により接合する。その後、（１）ドライバＩＣの仮固定、（２）治具の設置、（３）ドライバＩＣの本固定を順に行う。

（１）ドライバＩＣの仮固定
まず、図３に示すように、凹部２４ａの底面の個別電極７上に、異方性導電フィルム３１を設ける。この異方性導電フィルム３１は、ドライバＩＣ２０の外形とほぼ同じの大きさであり、厚さは、接続端子２０ａの厚さとほぼ同じである。
次に、凹部２４ａに、図４に示すように、ドライバＩＣ２０より外形の小さい接触面３０ａを有するボンディングツール３０を用いて、個別電極７とドライバＩＣ２０の接続端子２０ａとを電気的に接続し、ドライバＩＣ２０と電極基板２とを仮固定する。このとき、ボンディングツール３０の温度は６０℃となっている。

（２）治具の設置
次に、図５に示すように、治具（介在部材）３５をドライバＩＣ２０の上面２０ｂに載置する。このとき、治具３５の位置合わせを精度良く行う必要はなく、凹部２４ａの側壁部に当たらないように治具３５の接触面３５ａをドライバＩＣ２０に接触させる。
この治具（介在部材）３５のドライバＩＣ２０と接触する接触面３５ａの大きさ（図７示す点線）は、模式的に示すと、図７のように、凹部２４ａの開口面積（図７に示す実線）より小さくドライバＩＣ２０の外形（図７に示す一点鎖線）より大きくなっている。また、治具３５は、図５に示すように、接触面３５ａとドライバＩＣ２０とが接触している状態で、治具３５の接触面３５ａと反対の面３５ｂが、リザーバ基板４の凹部２４ａの開口している側の表面（ノズル基板５側の面）４ａより上方に位置するような厚みを有している。

（３）ドライバＩＣの本固定
ドライバＩＣ２０より外形の大きい接触面３６ａを有するボンディングツール３６により、図６に示すように、治具３５の面３５ｂを加熱加圧し、ドライバＩＣ２０を凹部２４ａに本固定する。このとき、ボンディングツール３０の温度は２４０℃となっている。
その後、リザーバ基板４の一方の面４ａに、ノズル基板５を直接接合により接合する。

本実施形態に係るドライバＩＣ２０の実装方法は、凹部２４ａにドライバＩＣを仮固定をした後、本固定をするので、仮固定をするときには、ドライバＩＣ２０より外形の小さい接触面３０ａを有するボンディングツール３０を用いることができる。これにより、ボンディングツール３０と凹部２４ａの側壁部とが接触することがないので、リザーバ基板４の破損を回避することが可能となる。

また、凹部２４ａにドライバＩＣ２０を本固定の際、治具３５の接触面３５ａは、凹部２４ａの開口面積より小さくドライバＩＣ２０の外形より大きいため、ボンディングツール３０の熱が治具３５を介してドライバＩＣ２０にムラなく伝わり、電極基板２にドライバＩＣ２０を確実に固定することが可能となる。
さらに、治具３５の接触面３５ａと反対の面３５ｂが、リザーバ基板４の一方の面４ａより上方に位置するような厚みを有しているため、ドライバＩＣ２０の外形より大きいボンディングツール３６を用いても、ボンディングツール３６が凹部２４ａの側壁部と接触することがないため、リザーバ基板４の破損を抑えることが可能となる。さらには、ボンディングツールを凹部２４ａに合わせて形成する必要がないので、ボンディングツールの大きさの自由度が向上する。

また、従来の半導体装置の実装方法では、ドライバＩＣ２０の外形より大きい接触面を有するとボンディングツールを用いて実装するため、ボンディングツールとドライバＩＣ２０との精密な位置合わせやボンディングツールが凹部の側壁部に当たらないようにボンディングツールを基板上に降下させる必要がある。したがって、本発明では、これらの位置合わせの必要がなくなるので、生産効率を向上させることが可能となる。

なお、治具３５の接触面３５ａの端部には、図８に示すように、治具３５の面３５ｂ（ボンディングツール３６側）から治具３５の中央に向かって傾斜する傾斜部３５ｃが形成されていても良い。この構成では、治具３５の端部が凹部２４ａの側壁部に当たりにくくなるため、リザーバ基板４の不良を抑えることができる。また、治具３５の接触面３５ａの端部が凹部２４ａの側壁部に接触したとしても、傾斜部３５ｃにより、凹部２４ａの側壁部に加わる力が軽減されるので、リザーバ基板４が欠けにくくなる。したがって、本発明の半導体装置の実装方法を用いることにより、歩留まりを向上させることが可能となる。

また、治具３５は、ボンディングツール３６と同等以上の熱伝導性を有する材質からなることが好ましい。例えば、治具３５及びボンディングツール３０の材質としては、銅やアルミニウムのように熱伝導性が高い金属材料であれば良い。このような材質で治具３５及びボンディングツール３０を形成することにより、ボンディングツール３０の熱が治具３５を介してドライバＩＣ２０に伝わり易くなる。これにより、ドライバＩＣを凹部２４ａに確実に実装することが可能となる。

また、治具３５の接触面３５ａに、異方性導電フィルム３１の付着を抑制する加工が施されていても良い。すなわち、治具３５の接触面３５ａに、例えば、フッ素やポリ４フッ化エチレン樹脂による加工を施す。これにより、治具３５の接触面３５ａに異方性導電フィルム３１が付着するのを防止することができる。したがって、治具３５を凹部２４ａから取り外すと同時に、ドライバＩＣ２０が剥離してしまうおそれを抑えることができるので、良好な状態で凹部２４ａにドライバＩＣ２０を実装することが可能となる。

［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態について、図９を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係るドライバＩＣ２０の実装方法と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係るドライバＩＣ４１の実装方法は、図９に示すように、凹部２４ａを覆う可撓性を有するシート部材４２を設ける点において第１実施形態の実装方法と異なる。このシート部材４２は、フッ素やポリ４フッ化エチレン樹脂等からなっており、異方性導電フィルム３１の付着を抑制することが可能となっている。

本実施形態のドライバＩＣ４１の実装方法では、第１実施形態と同様に、凹部２４ａにドライバＩＣ４１を仮固定した後、シート部材４２により、凹部２４ａの開口している部分を覆う。その後、シート部材４２上に治具３５を載置し、第１実施形態と同様にして、ボンディングツール３６により、ドライバＩＣ４１を凹部２４ａに本固定する。

本発明に係るドライバＩＣ４１の実装方法では、凹部２４ａを覆うシート部材４２を設けることにより、ドライバＩＣ４１を凹部２４ａに実装する際、ドライバＩＣ４１を封止する異方性導電フィルム３１がドライバＩＣの外形からはみ出し、ドライバＩＣの側面を這い上がった場合でも、異方性導電フィルム３１がボンディングツール３６に付着するという問題を回避することができる。すなわち、シート部材４２により、異方性導電フィルム３１の這い上がりを堰き止めることができる。
また、ドライバＩＣ４１の異方性導電フィルム３１から発生する揮発性物質が、凹部２４ａから外部へ漏洩するのを抑制することが可能となる。

［第３実施形態］
次に、本発明に係る第３実施形態について、図１０及び図１１を参照して説明する。
本実施形態に係る半導体装置５１の実装方法は、図１０に示すように、基板５０に形成された４つの凹部５２それぞれに半導体装置５１を実装する方法である。

本実施形態で用いられる治具（介在部材）６０は、図１１に示すように、固定部（固定部材）６１により固定されている。すなわち、治具６０は、凹部５２に対応した位置に設けられており、また、治具６０の半導体装置５１と接触する接触面６０ａは、凹部５２の開口面積より小さく半導体装置５１の外形より大きい面積となっている。
半導体装置５１の実装方法としては、第１実施形態と同様に、凹部５２に半導体装置５１をそれぞれ仮固定した後、固定部６１に固定された治具６０の接触面６０ａを半導体装置５１にそれぞれ接触させる。そして、ボンディングツール６５により固定部６１を加熱加圧し、４つの半導体装置５１を４つの凹部５２にそれぞれ本固定する。

本発明に係る半導体装置５１の実装方法では、４つの半導体装置５１を凹部５２に一度に固定することができる。また、治具６０の接触面６０ａは、凹部５２の開口面積より小さく半導体装置５１の外形より大きいため、ボンディングツールの熱が固定部６１及び治具６０介して半導体装置５１にムラなく伝わり、４つ凹部５２に４つの半導体装置５１を確実に固定することが可能となる。したがって、量産性に優れた方法を提供することが可能となる。さらに、固定部６１に治具６０を固定することにより、複数の治具６０を均等に加圧することが可能となる。
なお、本実施形態では、固定部６１を用いて、４つの治具６０を固定したが、固定部６１を用いず、４つの治具６０をすべて覆う面を有するボンディングツールにより、複数の治具６０を加圧しても良い。このようにして、簡易な方法により、４つの凹部５２に４つの半導体装置５１を固定することが可能となる。

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、キャビティ基板３、リザーバ基板４、ノズル基板５同士の接合、すなわち、シリコン基板からなる基板同士の接合は、接着剤を用いて接合することも可能である。
また、異方性導電フィルム３１に代えて、ＮＣＦ（Non Conductive Film：非導電性フィルム）を用いても良い。
また、凹部２４ａの底面に、異方性導電フィルム３１を設けたが、ドライバＩＣ２０の接続端子２０ａが形成された面に設けても良い。この方法では、ドライバＩＣ２０の接続端子２０ａに異方性導電フィルム３１を設けた後、ドライバＩＣ２０を個別電極７上に実装する。これにより、異方性導電フィルム３１を無駄なく使用することが可能となる。

本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す平面図である。 図１に示す液滴吐出ヘッドが組み立てられた状態における図１のＡ−Ａ線の断面図である。 本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す工程図である。 本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す工程図である。 本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す工程図である。 本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す工程図である。 図１の液滴吐出ヘッドの半導体装置，基板の凹部，治具の大きさの関係を模式的に示す図である。 本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法に用いられる介在部材の変形例を示す要部断面図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す工程図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体装置が実装される複数の凹部を示す平面図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す工程図である。

符号の説明

３…キャビティ基板（基板），４…リザーバ基板（基板）、４ａ…リザーバ基板の一方の面、２０，４１…ドライバＩＣ（半導体装置）、２４ａ…凹部、３１…異方性導電フィルム（封止材）、３５，６１…治具（介在部材）、３５ａ…治具の接触面、３６…ボンディングツール、４２…シート部材、５２…凹部、５１…半導体装置、６１…固定部（固定部材）

Claims (6)

1. 基板に形成された凹部に、該凹部の深さ寸法より厚み寸法が小さい半導体装置をフリップチップ実装する半導体装置の実装方法であって、
   前記凹部に前記半導体装置を仮固定した後、
   前記凹部の開口面積より小さく前記半導体装置の外形より大きい接触面を有するとともに、前記接触面と前記半導体装置とが接触している状態で、前記接触面と反対の面が前記凹部の開口している側の前記基板の表面より上方に位置するような厚みを有する介在部材を用い、該介在部材の接触面を前記半導体装置に接触させ、ボンディングツールにより前記介在部材を加圧し、前記半導体装置を凹部に本固定することを特徴とする半導体装置の実装方法。
2. 前記介在部材の端部に、前記ボンディングツール側から前記接触面の中央に向かって傾斜する傾斜部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
3. 前記基板と前記半導体装置との間に封止材が設けられ、
   前記介在部材の接触面に、前記封止材の付着を抑制する加工が施されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の実装方法。
4. 前記基板と前記半導体装置との間に封止材が設けられ、
   前記半導体装置と前記介在部材との間に、前記凹部を覆う可撓性を有するシート部材を設けることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の実装方法。
5. 前記介在部材が、前記ボンディングツールと同等以上の熱伝導性を有する材質からなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の実装方法。
6. 前記基板に複数の凹部が形成され、
   前記複数の凹部に前記半導体装置をそれぞれ仮固定した後、
   前記複数の凹部に対応して設けられた複数の前記介在部材を固定する固定部材を用い、前記複数の介在部材の接触面を前記半導体装置にそれぞれ接触させ、ボンディングツールにより前記固定部材を加圧し、前記複数の半導体装置を前記複数の凹部にそれぞれ本固定することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の実装方法。
   

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