JP2007294126A5 - - Google Patents

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  1. 導電層と該導電層上に配置された電子放出膜とを備える電子放出素子であって、
    前記導電層が、(A)複数の第1領域と、(B)前記複数の第1領域の各々の間に設けられた、前記第1領域よりも高抵抗な第2領域とを、少なくとも有する表面を備えており、
    前記電子放出膜が、前記複数の第1領域に跨り、且つ、前記導電層の前記表面を覆っている、ことを特徴とする電子放出素子。
  2. 前記電子放出素子は基体の表面上に配置されており、前記複数の第1領域は前記基体の表面と前記電子放出膜との間に配置されており、前記複数の第1領域と前記基体の表面との間に、前記第1領域よりも低抵抗な第3領域が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子。
  3. 前記複数の第1領域の各々は柱状の領域であり、前記柱状の領域は、前記基体の表面に対して垂直に配向している、ことを特徴とする請求項1または2に記載の電子放出素子。
  4. 前記電子放出膜の主体の抵抗率が、前記第1領域の抵抗率よりも高く、前記第2領域の抵抗率よりも低い、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の電子放出素子。
  5. 前記電子放出膜の主成分が炭素であることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の電子放出素子。
  6. 前記電子放出膜の主体が、1×10Ω・cm以上1×1014Ω・cm以下の抵抗率を備えることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の電子放出素子。
  7. 前記電子放出膜が金属を含むことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の電子放出素子。
  8. 前記電子放出膜の膜厚をd’、前記複数の第1領域のうちの隣合う2つの第1領域の間の最短距離をW’−W、前記第1領域の比抵抗をρ 、前記第2領域の比抵抗をρ 、前記電子放出膜の比抵抗をρ 、定数をkとした時に、下記式(1)を満たすことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の電子放出素子。
    Figure 2007294126
  9. 前記第1領域が、金属を含むことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の電子放出素子。
  10. 前記第1領域が、Ti、TiN、Ta、TaN、AlN、TiAlNのいずれかから選択された材料を含むことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の電子放出素子。
  11. 前記第2領域が、前記第1領域を構成する材料の酸化物であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電子放出素子。
  12. 複数の電子放出素子を備える電子源と、該電子源から放出された電子が照射されることで発光する発光と、を具備する画像表示装置であって、前記複数の電子放出素子の各々が請求項1乃至11のいずれか1項の電子放出素子であることを特徴とする画像表示装置。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214032A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Canon Inc 電子放出素子、電子源及び画像表示装置の製造方法
JP2008218195A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Canon Inc 電子源、画像表示装置及び情報表示再生装置
JP2009032443A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Canon Inc 電子放出素子、電子源および画像表示装置、並びに情報表示再生装置
JP2009104916A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Canon Inc 電子放出素子、電子源、画像表示装置および電子放出素子の製造方法
JP2009110755A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Canon Inc 電子放出素子、電子源、画像表示装置および電子放出素子の製造方法
JP2009117203A (ja) * 2007-11-07 2009-05-28 Canon Inc 電子放出素子の製造方法、電子源の製造方法、および、画像表示装置の製造方法
JP2009140655A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Canon Inc 電子放出素子、電子源、画像表示装置および電子放出素子の製造方法
JP2009146639A (ja) * 2007-12-12 2009-07-02 Canon Inc 電子放出素子、電子源、画像表示装置、および、電子放出素子の製造方法
JP2009146751A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Canon Inc 電子放出素子、電子源、および、画像表示装置
TWI375984B (en) * 2008-09-19 2012-11-01 Univ Nat Taiwan Nano-hole array in conductor element for improving the contact conductance
CN102681397B (zh) * 2011-03-09 2016-08-31 富士施乐株式会社 充电装置、用于图像形成装置的盒和图像形成装置
CN104658829B (zh) * 2015-03-03 2017-05-03 中国科学院半导体研究所 阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极
CN104658830B (zh) * 2015-03-03 2017-05-03 中国科学院半导体研究所 碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构
CN104658831B (zh) * 2015-03-03 2017-03-08 中国科学院半导体研究所 小型化、集成化的硅基场发射‑接收器件
CN104681374B (zh) * 2015-03-03 2017-03-01 中国科学院半导体研究所 可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构
CN108796441B (zh) * 2018-06-06 2020-03-03 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种光吸收镀膜、其制备方法及应用
US10921268B1 (en) * 2019-09-09 2021-02-16 Fei Company Methods and devices for preparing sample for cryogenic electron microscopy

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2623013A1 (fr) * 1987-11-06 1989-05-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source
US5559389A (en) * 1993-09-08 1996-09-24 Silicon Video Corporation Electron-emitting devices having variously constituted electron-emissive elements, including cones or pedestals
US5786659A (en) * 1993-11-29 1998-07-28 Futaba Denshi Kogyo K.K. Field emission type electron source
CA2540606C (en) * 1993-12-27 2009-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device and method of manufacturing the same as well as electron source and image-forming apparatus
JP2809078B2 (ja) * 1993-12-28 1998-10-08 日本電気株式会社 電界放出冷陰極およびその製造方法
JP3387617B2 (ja) * 1994-03-29 2003-03-17 キヤノン株式会社 電子源
US5473218A (en) 1994-05-31 1995-12-05 Motorola, Inc. Diamond cold cathode using patterned metal for electron emission control
US5569975A (en) * 1994-11-18 1996-10-29 Texas Instruments Incorporated Cluster arrangement of field emission microtips
US5837331A (en) * 1996-03-13 1998-11-17 Motorola, Inc. Amorphous multi-layered structure and method of making the same
JPH11213866A (ja) * 1998-01-22 1999-08-06 Sony Corp 電子放出装置及びその製造方法並びにこれを用いた表示装置
US6794805B1 (en) * 1998-05-26 2004-09-21 Matsushita Electric Works, Ltd. Field emission electron source, method of producing the same, and use of the same
US6350999B1 (en) * 1999-02-05 2002-02-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron-emitting device
JP4196490B2 (ja) * 1999-05-18 2008-12-17 ソニー株式会社 冷陰極電界電子放出表示装置用カソード・パネル及び冷陰極電界電子放出表示装置、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置用カソード・パネルの製造方法
JP3581289B2 (ja) 2000-03-06 2004-10-27 シャープ株式会社 電界放出電子源アレイ及びその製造方法
US20020117960A1 (en) * 2000-09-01 2002-08-29 Yi Jay J.L. Field emission wafer and process for making same for use in field emission display devices
JP4011863B2 (ja) 2001-05-30 2007-11-21 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、及びそれを用いた画像形成装置
JP3535871B2 (ja) * 2002-06-13 2004-06-07 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像表示装置及び電子放出素子の製造方法
JP4154356B2 (ja) 2003-06-11 2008-09-24 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像表示装置及びテレビ
JP3840251B2 (ja) * 2004-03-10 2006-11-01 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像表示装置及び該画像表示装置を用いた情報表示再生装置及びそれらの製造方法
KR20060104655A (ko) * 2005-03-31 2006-10-09 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 소자
JP2007214032A (ja) 2006-02-10 2007-08-23 Canon Inc 電子放出素子、電子源及び画像表示装置の製造方法
KR20080044702A (ko) * 2006-11-17 2008-05-21 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디바이스, 그 제조 방법 및 그를 이용한 전자방출 디스플레이

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