JP2007287399A - 樹脂ワニス、絶縁電線及び電気コイル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応性基を有する熱可塑性樹脂を混合したポリアミドイミド原料モノマーに、ポリアミドイミド合成反応を施して製造されたことを特徴とする樹脂ワニス、絶縁皮膜により導体を被覆してなる絶縁電線であって、前記絶縁皮膜が、前記樹脂ワニスを、硬化して得られる絶縁層を含むことを特徴とする絶縁電線、及び、前記絶縁電線を捲線した電気コイル。
【選択図】 なし
Description
導線とそれを被覆する絶縁皮膜を有する絶縁電線であって、
前記絶縁皮膜が、第1絶縁層及びそれを被覆する第2絶縁層を有し、
前記第1絶縁層が、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド及びポリイミドから選ばれる少なくとも一種類の樹脂からなり、
前記第2絶縁層が、前記本発明の樹脂ワニスを、前記第1絶縁層上に塗布した後、焼付け処理を施して形成されるものであり、
前記第1絶縁層の膜厚T1と第2絶縁層の膜厚T2の比T1/T2が、5/95〜80/20の範囲内であることを特徴とする絶縁電線である。
実施例1
昇温制御装置つきのマントルヒーターにセパラブルフラスコ(三口)及び冷却管をセットし、NMP(N−メチル−2−ピロリドン溶媒、三菱化学(株)製)の1022.0gに、MDI(ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、三井武田ケミカル(株)製、商品名:コスモネートPH)の212.8g、TMA(トリメリット酸無水物、三菱瓦斯化学(株)製)の158.5g、及びETM(トリメリット酸、三菱瓦斯化学(株)製)の3.6gを投入し、1時間かけて室温から80℃に昇温しながら撹拌し、溶解させた。
MDIの量を225.3g、TMAの量を167.8g、ETMの量を3.8g、PESの量を222.4gに変えた以外は実施例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをAI−PES70−27とする。なお、この樹脂ワニス中には、ポリアミドイミド樹脂が317.6g(A)、反応性基を有する熱可塑性樹脂(すなわちPES)が222.4g(B)含まれるので、前記A/Bは100/70となる。
MDIの量を239.4g、TMAの量を178.3g、ETMの量を4.0g、PESの量を202.5gに変えた以外は実施例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをAI−PES60−27とする。なお、この樹脂ワニス中には、ポリアミドイミド樹脂が337.5g(A)、反応性基を有する熱可塑性樹脂(すなわちPES)が202.5g(B)含まれるので、前記A/Bは100/60となる。
MDIの量を255.4g、TMAの量を190.2g、ETMの量を4.3g、PESの量を180.0gに変えた以外は実施例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをAI−PES50−27とする。なお、この樹脂ワニス中には、ポリアミドイミド樹脂が360.0g(A)、反応性基を有する熱可塑性樹脂(すなわちPES)が180.0g(B)含まれるので、前記A/Bは100/50となる。
MDIの量を273.6g、TMAの量を203.8g、ETMの量を4.6g、PESの量を154.3gに変えた以外は実施例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをAI−PES40−27とする。なお、この樹脂ワニス中には、ポリアミドイミド樹脂が385.7g(A)、反応性基を有する熱可塑性樹脂(すなわちPES)が154.3g(B)含まれるので、前記A/Bは100/40となる。
MDIの量を294.6g、TMAの量を219.4g、ETMの量を5.0g、PESの量を124.6gに変えた以外は実施例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをAI−PES30−27とする。なお、この樹脂ワニス中には、ポリアミドイミドが415.4g(A)、反応性基を有する熱可塑性樹脂(すなわちPES)が124.6g(B)含まれるので、前記A/Bは100/30となる。
MDIの量を319.2g、TMAの量を237.7g、ETMの量を5.4g、PESの量を90.0gに変えた以外は実施例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをAI−PES20−27とする。なお、この樹脂ワニス中には、ポリアミドイミドが450.0g(A)、反応性基を有する熱可塑性樹脂(すなわちPES)が90.0g(B)含まれるので、前記A/Bは100/20となる。
MDIの量を348.2g、TMAの量を259.3g、ETMの量を5.9g、PESの量を49.1gに変えた以外は実施例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをAI−PES10−27とする。なお、この樹脂ワニス中には、ポリアミドイミドが490.9g(A)、反応性基を有する熱可塑性樹脂(すなわちPES)が49.1g(B)含まれるので、前記A/Bは100/10となる。
昇温制御装置つきのマントルヒーターにセパラブルフラスコ(三口)及び冷却管をセットし、NMP(1)(N−メチル−2−ピロリドン溶媒、三菱化学(株)製)の567.8gに、MDI(三井武田ケミカル(株)製、商品名:コスモネートPH)の212.8g、TMA(三菱瓦斯化学(株)製)の158.5g、及びETM(三菱瓦斯化学(株)製)の3.6gを投入し、1時間かけて室温から80℃に昇温しながら撹拌し、溶解させた。
NMP(1)の量を601.2g、NMP(2)の量を420.8g、MDIの量を225.3g、TMAの量を167.8g、ETMの量を3.8g、PESの量を222.4gに変えた以外は比較例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをai−pes70−27とする。なお、この樹脂ワニス中に含まれるポリアミドイミド及びPESの量は実施例2と同じなので、前記A/Bは100/70となる。
NMP(1)の量を638.7g、NMP(2)の量を383.2g、MDIの量を239.4g、TMAの量を178.3g、ETMの量を4.0g、PESの量を202.5gに変えた以外は比較例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをai−pes60−27とする。なお、この樹脂ワニス中に含まれるポリアミドイミド及びPESの量は実施例3と同じなので、前記A/Bは100/60となる。
NMP(1)の量を681.3g、NMP(2)の量を340.7g、MDIの量を255.4g、TMAの量を190.2g、ETMの量を4.3g、PESの量を180.0gに変えた以外は比較例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをai−pes50−27とする。なお、この樹脂ワニス中に含まれるポリアミドイミド及びPESの量は実施例4と同じなので、前記A/Bは100/50となる。
NMP(1)の量を730.0g、NMP(2)の量を292.0g、MDIの量を273.6g、TMAの量を203.8g、ETMの量を4.6g、PESの量を154.3gに変えた以外は比較例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをai−pes40−27とする。なお、この樹脂ワニス中に含まれるポリアミドイミド及びPESの量は実施例5と同じなので、前記A/Bは100/40となる。
NMP(1)の量を786.2g、NMP(2)の量を235.8g、MDIの量を294.6g、TMAの量を219.4g、ETMの量を5.0g、PESの量を124.6gに変えた以外は比較例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをai−pes30−27とする。なお、この樹脂ワニス中に含まれるポリアミドイミド及びPESの量は実施例6と同じなので、前記A/Bは100/30となる。
NMP(1)の量を851.7g、NMP(2)の量を170.3g、MDIの量を319.2g、TMAの量を237.7g、ETMの量を5.4g、PESの量を90.0gに変えた以外は比較例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをai−pes20−27とする。なお、この樹脂ワニス中に含まれるポリアミドイミド及びPESの量は実施例7と同じなので、前記A/Bは100/20となる。
NMP(1)の量を929.1g、NMP(2)の量を92.9g、MDIの量を348.2g、TMAの量を259.3g、ETMの量を5.9g、PESの量を49.1gに変えた以外は比較例1と同様にして樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスをai−pes10−27とする。なお、この樹脂ワニス中に含まれるポリアミドイミド及びPESの量は実施例8と同じなので、前記A/Bは100/10となる。
実施例1〜8及び比較例1〜8で得られた樹脂ワニスを試験管に取り、蓋をしてそのまま室温に放置した。3日、及び30日経過後、樹脂ワニスの分離等の有無を目視にて確認した。その結果(放置後の分離状態)を表1に示す。
直径1mmφの丸線状の銅線(導体)の上に、実施例1〜8で得られた樹脂ワニス(表2中では、実施例の番号で表す)、及び市販のポリアミドイミドワニス(日立化成(株)製、商品名:HI−400)(表2中では、「比較例PAI」と表す)、ポリイミドワニス((株)I.S.T.製、商品名:Pyre m.l.RC5057)(表2中では、「比較例PI」と表す)を、下部300℃、上部400℃の熱風循環竪型焼付炉を用いて、繰り返し焼付け塗装して、膜厚23μmを目標に絶縁層(絶縁皮膜)を形成し絶縁電線を得た。
このようにして得られた絶縁電線をプレス機((株)東洋精機製作所製)によりプレスして、プレス電線を得た。このとき、プレス後の電線の厚み(断面の薄い方の大きさ)をM、プレス前の電線の径をNとしたとき、(N−M)/Nをプレス圧下率とする。
直径1mmφの丸線状の銅線(導体)の上に、ポリアミドイミドワニス(日立化成(株)製、商品名:HI−400)を、前記[絶縁電線の作製]における樹脂ワニスの塗布、焼付けと同様にして、塗布、焼付けして、第1層の絶縁層を形成した。その後第1層の上に、実施例4で得られた樹脂ワニス(AI−PES50−27)を、前記[絶縁電線の作製]における樹脂ワニスの塗布、焼付けと同様にして、塗布、焼付けして第2層の絶縁層を形成させ、総膜厚23μmを目標に絶縁皮膜を形成した。
直径1mmφの丸線状の銅線(導体)の上に、ポリアミドイミドワニス(日立化成(株)製、商品名:HI−400)を、前記[絶縁電線の作製]における樹脂ワニスの塗布、焼付けと同様にして、塗布、焼付けして第1層の絶縁層を形成した後に、実施例4で得られた樹脂ワニス(AI−PES50−27)を、前記[絶縁電線の作製]における樹脂ワニスの塗布、焼付けと同様にして、塗布、焼付けして第2層の絶縁層を形成させ、さらに自己潤滑ポリアミドイミドワニスを、前記[絶縁電線の作製]における樹脂ワニスの塗布、焼付けと同様にして、塗布、焼付けして第3層の絶縁層を形成させ、総膜厚23μmを目標に絶縁被膜を形成した。
実施例9〜18で得られた絶縁電線について、実施例1〜8の樹脂ワニスについて行った前記の絶縁破壊電圧の測定と同様にして、プレス電線を作製し、絶縁破壊電圧(BDV)を測定した。測定結果を表5に示す。
Claims (10)
- 反応性基を有する熱可塑性樹脂を混合したポリアミドイミド原料モノマーに、ポリアミドイミド合成反応を施して製造されたことを特徴とする樹脂ワニス。
- 前記反応性基を有する熱可塑性樹脂が、反応性基を有するポリエーテルスルホン又はポリエーテルイミドであることを特徴とする請求項1に記載の樹脂ワニス。
- 前記反応性基を有する熱可塑性樹脂が、水酸基を有するポリエーテルスルホンであることを特徴とする請求項2に記載の樹脂ワニス。
- 前記ポリアミドイミド合成反応により合成されるポリアミドイミドの重量をA、前記反応性基を有する熱可塑性樹脂の重量をBとしたとき、A/Bが100/40〜100/80の範囲内であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の樹脂ワニス。
- 導線とそれを被覆する絶縁皮膜を有する絶縁電線であって、前記絶縁皮膜が、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の樹脂ワニスを、直接又は他の絶縁層を介して前記導線上に塗布し、その後焼付け処理を施して形成した絶縁層を、少なくとも1層有することを特徴とする絶縁電線。
- 導線とそれを被覆する絶縁皮膜を有する絶縁電線であって、
前記絶縁皮膜が、第1絶縁層及びそれを被覆する第2絶縁層を有し、
前記第1絶縁層が、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド及びポリイミドから選ばれる少なくとも一種類の樹脂からなり、
前記第2絶縁層が、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の樹脂ワニスを、前記第1絶縁層上に塗布した後、焼付け処理を施して形成されるものであり、
前記第1絶縁層の膜厚T1と第2絶縁層の膜厚T2の比T1/T2が、5/95〜80/20の範囲内であることを特徴とする絶縁電線。 - 前記絶縁皮膜がさらに、前記第2絶縁層を被覆し、ポリアミドイミドからなる第3絶縁層を有し、前記第1絶縁層の膜厚T1、第2絶縁層の膜厚T2及び第3絶縁層の膜厚T3が、(T1+T3)/T2=5/95〜80/20を満たすことを特徴とする請求項6に記載の絶縁電線。
- 前記絶縁皮膜の破断伸びが、50%以上であることを特徴とする請求項5ないし請求項7のいずれかに記載の絶縁電線。
- 前記導線の断面形状が六角形であることを特徴とする請求項5ないし請求項8のいずれかに記載の絶縁電線。
- 請求項5ないし請求項9のいずれかに記載の絶縁電線を捲線してなることを特徴とする電気コイル。
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