JP2007282859A - 超伝導磁石装置および磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】軽量化を図ることができ、均一静磁場を生成するための補正コイルの配置が明瞭な超伝導磁石装置および磁気共鳴イメージング装置を得る。
【解決手段】超伝導磁石装置は、第一の方向の電流が流れる超伝導主コイル２と、第一の方向とは逆方向の第二の方向の電流が流れる超伝導遮へいコイル３と、超伝導主コイル２が生成する磁場を撮像領域ＦＯＶに導く、第一の方向と同方向の電流が流れる超伝導補正コイル４と含み、超伝導主コイル２は、平面視で径方向において、超伝導遮へいコイル３と超伝導補正コイル４との間に配置する。
【選択図】図２

Description

本発明は、超伝導磁石装置および磁気共鳴イメージング装置に関するものである。

従来、超伝導磁石装置を用いて静磁場を生成する磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）装置は、特に、医療診断の分野で広く利用されている。超伝導磁石装置に使用される超伝導磁石は、液体ヘリウム冷却式超伝導磁石が典型的であり、およそ４Ｋにまで冷却されて作動する。

超伝導磁石装置としては、鉛直方向に均一静磁場を生成するために鉛直方向に中心軸を持ち、環状コイルを中心軸周りに設置した開放型磁石装置、および水平方向に均一静磁場を生成するために水平方向に中心軸を持つトンネル状の閉鎖型磁石装置が知られている。特に、超伝導磁石装置を磁気共鳴イメージング装置として用いる場合、例えば、特許文献１に記載の開放型磁石装置は、閉鎖型磁石装置に比べて開放感があり、閉所恐怖症的な感覚を患者が持つことを軽減し得る。

開放型磁石装置を用いた磁気共鳴イメージング装置は、円筒状もしくは楕円筒状を呈した上下一対の真空容器を備え、これらの真空容器間に磁場空間（撮像領域）を持つ。各真空容器には、径の相異なる複数対の超伝導コイルを冷媒とともに収納する冷媒容器が収納されている。複数対の超伝導コイルには、ガントリーギャップ内に中心を有する球状もしくは楕円球状の撮像領域において均一な静磁場が生成されるように、少なくとも一対の超伝導主コイルと少なくとも一対の超伝導遮へいコイルとが含まれる。
また、均一静磁場中に含まれる磁場歪みを補正するために、補正鉄（磁性材）を配置したものが知られているが、この補正鉄を環状コイルで代替する試みもなされている（例えば、特許文献２参照）。しかし、その適切な配置に関する検討が含まれていないために、コイル組数が増大し製作上の課題となっていた。

特開平１０−１５５７６５号公報 特開平９−１５３４０８号公報

前記従来の磁気共鳴イメージング装置に用いられる超伝導磁石装置は、撮像領域に均一静磁場を生成するために、超伝導主コイルおよび超伝導遮へいコイルの他に、総合的な磁場の歪みを補正するための補正鉄を必要とし、総重量の増大を招いていた。
このような超伝導磁石装置の総重量の増大は、磁気共鳴イメージング装置の重量の増大に直接繋がるため、病院内等の限られたスペースの中で強固な支持筐体が必要であるとともに、設置場所に制約が生じるという問題があった。

そこで、補正鉄を補正コイルで代替することが考えられるが、撮像領域に均一静磁場を生成するための調整が煩雑になるおそれがあった。

そこで、本発明の目的は、軽量化を図ることができ、均一静磁場を生成するための補正コイルの配置を明瞭にした超伝導磁石装置および磁気共鳴イメージング装置を提供することを課題とする。

前記した目的を達成するため、本発明では、撮像領域を通る中心軸周りに環状に形成される複数対のコイルが第一の方向の電流が流れる超伝導主コイルと、第一の方向とは逆方向の第二の方向の電流が流れる超伝導遮へいコイルと、超伝導主コイルが生成する磁場を撮像領域に導く、第一の方向と同方向の電流が流れる超伝導補正コイルとを含んで構成されるので、超伝導補正コイルを従来の補正鉄の代替として使用することができ、大幅な軽量化を図ることができる。しかも、超伝導主コイルが、平面視で径方向において、超伝導遮へいコイルと超伝導補正コイルとの間に配置されるようにしたので、超伝導補正コイルとの距離が近くなって超伝導主コイルが生成する磁場が撮像領域に導かれ易くなる。また、超伝導遮へいコイルが超伝導主コイルの平面視で径方向外側に位置することとなり、これによって、外部に漏れる磁場を好適に遮へいすることができる。

また、超伝導補正コイルは、超伝導遮へいコイルに流れる電流値を、撮像領域内のある計測点から超伝導遮へいコイルまでの距離の値で除した第１の値と、超伝導主コイルに流れる電流値を、計測点から超伝導主コイルまでの距離の値で除した第２の値との差で、超伝導補正コイルに流れる電流値を除し、さらにこの除した値に所定の倍率を乗じて算出された値を、計測点からの距離の値として配置される構成としたので、従来の補正鉄から代替された超伝導補正コイルを適切な配置とすることができる。また、超伝導補正コイルの配置に関する検討を簡単に行うことができる。これにより、コイル数が増大することもなく、製作上の煩雑さも生じない。

本発明によれば、軽量化を図ることができ、均一静磁場を生成するための補正コイルの配置が明瞭な超伝導磁石装置および磁気共鳴イメージング装置が得られる。

次に、本発明の超伝導磁石装置を用いた磁気共鳴イメージング装置（以下、ＭＲＩ装置という）の一実施形態を図面を参照して詳細に説明する。ＭＲＩ装置は、図１に示すように、超伝導磁石装置１と、被検体（不図示、以下同様）を乗せるベッド２０と、このベッド２０に乗せられた被検体を撮像領域ＦＯＶ（Field of View）へ搬送する、図示しない駆動機構が設けられた搬送手段３０と、この搬送手段３０によって撮像領域ＦＯＶに搬送された被検体からの核磁気共鳴信号を解析するコンピュータ等の機器からなる解析手段４０とから構成され、ベッド２０に乗った被検体を通して断層撮影を行うものである。ここで、図１中符号Ｚを付して示した軸線は、超伝導磁石装置１の中心を通る中心軸であり、また、符号Ｘを付して示した軸線は、中心軸Ｚに交わるとともに撮像領域ＦＯＶの中心部を横切る水平軸である。

超伝導磁石装置１は、図２に示すように、内部に、いずれも環状に形成された超伝導主コイル２、超伝導遮へいコイル３および超伝導補正コイル４が超伝導用冷媒（図示せず）とともにコイル容器（不図示）に収納され、このコイル容器が、内部を真空に保持された真空容器１Ａ，１Ｂに収納された構成となっている。各超伝導コイルのコイル線材としては、例えば、ＮｂＴｉ線材が用いられ、超伝導用冷媒としては、例えば、液体ヘリウムが用いられている。
なお、超伝導主コイル２、超伝導遮へいコイル３および超伝導補正コイル４は、それぞれ支持体（図示せず）によって真空容器１Ａ，１Ｂ内に支持されている。
また、真空容器１Ａ，１Ｂは、支柱７，７で所定の間隔を置いて連結されており、これらの間で、中心軸Ｚの中央部に、撮像領域ＦＯＶが形成される。

本実施形態では、図１に示すように、超伝導主コイル２に第一の方向の電流が流れるようにしてあり、また、超伝導遮へいコイル３に、第一の方向とは逆方向の第二の方向の電流が流れるようにしてある。また、超伝導補正コイル４には、前記した超伝導主コイル２の第一の方向と同方向の電流が流れるようにしてある。

図２に示すように、均一静磁場を生成するための超伝導主コイル２は、中心軸Ｚの周りにおいて、径方向外側に配置される超伝導遮へいコイル３と、径方向内側に配置される超伝導補正コイル４との間に配置される構成としてある。一方、超伝導補正コイル４は、中心軸Ｚ方向（超伝導磁石装置１の天地方向）において、超伝導主コイル２と超伝導遮へいコイル３との間に配置される構成としてある。

超伝導遮へいコイル３は、真空容器１Ａの外周部近傍の上端部に配置されており、また、真空容器１Ｂの外周部近傍の下端部に配置されている。つまり、超伝導遮へいコイル３は、超伝導磁石装置１の撮像領域ＦＯＶから最も遠い部位に位置しており、これによって、超伝導磁石装置１の側方へ漏れる漏洩磁場を抑制することができる。

超伝導補正コイル４は、超伝導主コイル２が生成する磁場を撮像領域ＦＯＶに導く役割をなす。つまり、超伝導主コイル２がアンペア則に従って生成する、該超伝導主コイル２からの距離に反比例する磁場を、撮像領域において均一静磁場とするよう補正する。これにより、超伝導主コイル２で生成された磁場は、超伝導補正コイル４の周りを通って撮像領域ＦＯＶへ回りこむようにして導かれる。

本実施形態では、超伝導主コイル２を中心軸Ｚ側に近づけて、超伝導主コイル２を超伝導補正コイル４に近づけてある。また、超伝導補正コイル４自体も、中心軸Ｚに沿って、超伝導主コイル２に近づくように（撮像領域ＦＯＶに近づくように）配置されており、これによって、超伝導主コイル２と超伝導補正コイル４との相対位置が近接した構造となっている。これにより、超伝導主コイル２が生成する磁場が撮像領域ＦＯＶに好適に導かれる。

なお、超伝導主コイル２の平面視で径方向内側には、環状の高次補正鉄１２が配置されている。また、この高次補正鉄１２の平面視で径方向内側には、傾斜磁場コイル１３が配置されている。

次に、超伝導補正コイル４の配置について図３を参照して、撮像領域ＦＯＶ内のある計測点Ｐに基づいて、超伝導補正コイル４の位置関係を説明する。
超伝導補正コイル４は、撮像領域ＦＯＶ内の計測点Ｐと中心軸Ｚを含む平面上において、計測点Ｐから超伝導主コイル２の中心および超伝導補正コイル４の中心までの距離の値Ｒ_２，Ｒ_４の平方の逆比に、各電流値Ｉ_２，Ｉ_４と該コイル径（ｘ_２，ｘ_４）と該距離の中心軸Ｚへの射影成分比とを乗じた値、つまり各コイルによって生成される磁場の、中心軸Ｚを法線とする水平面への射影成分ｘ_４に比例した値の和と、超伝導遮へいコイル３までの距離の値Ｒ_３の平方の逆比に該電流値Ｉ_３と該コイル径（ｘ_３）を乗じ、かつ、前記射影成分比を乗じた値とが一致する位置に配置される。このとき、超伝導補正コイル４は、前記したように、中心軸Ｚ方向に関して、超伝導遮へいコイル３と超伝導主コイル２との間に配置され、超伝導主コイル２よりも中心軸Ｚ側に配置される必要がある。つまり、これらの条件を満たす位置に超伝導補正コイル４が配置される。

ここで、これらの条件を数式で示せば、第一の電流方向に流れる電流により生成される磁場の前記水平面への射影成分をＢ１ｘ、第二の電流方向に流れる電流により生成される磁場の前記水平面への射影成分をＢ２ｘとすれば、
Ｂ１ｘ＝Ｂ２ｘ
となる。ここで、計測点Ｐと中心軸Ｚを含む平面に厚みΔｓを考慮し、この領域に含まれるコイル電流は線電流であると仮定する。比例定数ｋ（＝μ_０／４π），ｋ’（＝（ｘ４＋ｘ４’）／（ｘ２＋ｘ２’）μ_０／４π），ｋ’’（＝（ｘ３＋ｘ３’）／（ｘ２＋ｘ２’）μ_０／４π）を用い、具体的に図３に示す諸値を用いれば、電流が流れているコイルの微小長さΔｓが計測点Ｐに作る磁場Ｂ１ｘ、Ｂ２ｘは、それぞれΔＢ１ｘ、ΔＢ２ｘとして、
ΔＢ１ｘ ＝ ｛ｋ×（Ｉ_２／Ｒ_２ ^２×ｚ_２／Ｒ_２−Ｉ_２／Ｒ’_２ ^２×ｚ’_２／Ｒ’_２−Ｉ_２／Ｒ’’_２ ^２×ｚ’’_２／Ｒ’’_２＋Ｉ_２／Ｒ’’’_２ ^２×ｚ’’’_２／Ｒ’’’_２）＋ｋ’×（Ｉ_４／Ｒ_４ ^２×ｚ_４／Ｒ_４−Ｉ_４／Ｒ’_４ ^２×ｚ’_４／Ｒ’_４−Ｉ_４／Ｒ’’_４ ^２×ｚ’’_４／Ｒ’’_４＋Ｉ_４／Ｒ’’’_４ ^２×ｚ’’’_４／Ｒ’’’_４）｝Δｓ
ΔＢ２ｘ ＝ ｋ’’×（Ｉ_３／Ｒ_３ ^２×ｚ_３／Ｒ_３−Ｉ_３／Ｒ’_３ ^２×ｚ’_３／Ｒ’_３−Ｉ_３／Ｒ’’_３ ^２×ｚ’’_３／Ｒ’’_３＋Ｉ_３／Ｒ’’’_３ ^２×ｚ’’’_３／Ｒ’’’_３）Δｓ
となる。特に、
｜ΔＢ１ｘ−ΔＢ２ｘ｜ ＝ ０
である場合は、必要とされる均一磁場方向に垂直な成分（中心軸Ｚに直交する水平方向の成分）が打ち消されることを意味しており、生成される磁場が均一磁場方向に揃っていることを表している。なお、厳密には、前記｜ΔＢ１ｘ−ΔＢ２ｘ｜を対称軸周りに周回積分しなれば磁場は算出されないが、ある計測点Ｐにおける前記条件を満足すれば均一磁場であるといえる。

特に、図３の計測点Ｐと中心軸Ｚを含む平面における第一象限において、電流が流れているコイルの微小長さによって生成される水平成分磁場Ｂｘが概ねゼロにならなければ、磁場が均一化されない。よって前記数式は、以下のように簡略化される。なお、前記式における「〜」は、ほとんどイコールであるという意味である。
ｋ×Ｉ_２／Ｒ_２ ^２×ｚ_２／Ｒ_２＋ｋ’×Ｉ_４／Ｒ_４ ^２×ｚ_４／Ｒ_４ 〜 ｋ’’×Ｉ_３／Ｒ_３ ^２×ｚ_３／Ｒ_３
とさらに簡略化され、
Ｒ_４ ^３ 〜 （ｘ_４＋ｘ’_４）Ｉ_４ｚ_４／｜（ｘ_３＋ｘ’_３）Ｉ_３ｚ_３／Ｒ_３ ^３−（ｘ_２＋ｘ’_２）Ｉ_２ｚ_２／Ｒ_２ ^３｜
を得る。ここで、ｘ_２ 〜 ｘ’_２，ｘ_３ 〜 ｘ’_３，ｘ_４ 〜 ｘ’_４と近似すれば、
Ｒ_４ ^３ 〜 Ｉ_４ｘ_４ｚ_４／｜Ｉ_３ｘ_３ｚ_３／Ｒ_３ ^３−Ｉ_２ｘ_２ｚ_２／Ｒ_２ ^３｜
であり、更に、計測点Ｐからみた各コイルの仰角がほぼ等しい角度であるという近似を用いれば、
Ｒ_４ 〜 Ｉ_４／｜Ｉ_３／Ｒ_３−Ｉ_２／Ｒ_２｜
と表される。つまり、超伝導補正コイル４は、超伝導遮へいコイル３に流れる電流値Ｉ_３を、撮像領域ＦＯＶ内のある計測点Ｐから超伝導遮へいコイル３までの距離の値Ｒ_３で除した第１の値（Ｉ_３／Ｒ_３）と、超伝導主コイル２に流れる電流値Ｉ_２を、計測点Ｐから超伝導主コイル２までの距離の値Ｒ_２で除した第２の値（Ｉ_２／Ｒ_２）との差で、超伝導補正コイル４に流れる電流値Ｉ_４を除し、さらにこの除した値に所定の倍率を乗じて算出された値を、計測点Ｐからの距離の値Ｒ_４として配置される。
ここで、除した値に所定の倍率を乗じるのは、近似によって得られる値は真値からのずれを生じているためであり、経験的に得られる諸値を用いて算出すると、真値は、上式によって得られる値に所定の倍率を乗じて算出された値となるからである。

また、各コイルが生成する、中心軸Ｚに平行な磁場成分Ｂｚは、超伝導主コイル２、超伝導遮へいコイル３および超伝導補正コイル４のそれぞれの円環電流が生成する磁場の畳み込みで表され、撮像領域ＦＯＶの全域で前記磁場成分Ｂｚが許容磁場範囲内となるようなＲ_４の位置に超伝導補正コイル４を配置すれば、均一磁場に垂直な成分を打ち消すことができ、中心軸Ｚに平行な均一磁場を生成できる。

なお、超伝導補正コイル４が超伝導遮へいコイル３のよりも中心軸方向外側にある場合、超伝導冷却に必要な冷媒容器および超伝導冷媒が増大し、かつ周囲のノイズの影響を受けやすい難点を有する。また、撮像領域ＦＯＶの中心軸方向上方もしくは下方にある場合には、磁場の水平成分が増大するために、均一磁場生成には逆効果を与える。

以下では、本実施形態において得られる効果を説明する。
（１）ＭＲＩ装置は、超伝導主コイル２が生成する磁場を撮像領域ＦＯＶに導く超伝導補正コイル４を含んだ超伝導磁石装置１を備えて構成されるので、超伝導補正コイル４を従来の補正鉄の代替として使用することができ、大幅な軽量化を図ることができる。したがって、病院内等の限られたスペースの中で強固な支持筐体が必要とならず、設置場所の制約も生じにくい。
（２）超伝導主コイル２が、中心軸Ｚ周りにおいて、超伝導遮へいコイル３と超伝導補正コイル４との間に配置されるようにしたので、超伝導補正コイル４との距離が近くなって超伝導主コイル２が生成する磁場が撮像領域ＦＯＶに導かれ易くなる。
（３）超伝導主コイル２は、超伝導遮へいコイル３よりも中心軸Ｚに近づけられる配置となるので、真空容器１Ａ，１Ｂの角をテーパー状に加工することができ、従来の装置に比べてより一層開放感を備えた超伝導磁石装置１が得られる。
（４）超伝導遮へいコイル４が超伝導主コイル２の中心軸Ｚ周りの外側（径方向外側）に位置することとなり、これによって、外部に漏れる磁場を好適に遮へいすることができる。
（５）超伝導補正コイル４は、超伝導遮へいコイル３に流れる電流値Ｉ_３を、撮像領域ＦＯＶ内のある計測点Ｐから超伝導遮へいコイル３までの距離の値Ｒ_３で除した第１の値と、超伝導主コイル２に流れる電流値Ｉ_２を、計測点Ｐから超伝導主コイル２までの距離の値Ｒ_２で除した第２の値との差で、超伝導補正コイル４に流れる電流値Ｉ_４を除し、さらにこの除した値に所定の倍率を乗じて算出された値を、計測点Ｐからの距離の値Ｒ_４として配置される構成としたので、従来の補正鉄から代替された超伝導補正コイル４を適切な配置とすることができる。また、超伝導補正コイル４の配置に関する検討を簡単に行うことができる。
（６）超伝導補正コイル４の配置に関する検討が明瞭で、超伝導補正コイル４による磁場の補正が適切に行われることとなるので、コイル数が増大することもなく、製作上の煩雑さも生じない。超伝導補正コイル４による磁場の補正も煩雑さが緩和されるようになる。

図４は超伝導磁石装置１の変形例であり、この例では、超伝導補正コイル４の内側空間を利用して、中心軸Ｚに沿う空洞５を形成している。空洞５は防振材６を介して設けられており、超伝導磁石装置１に別途設けた外部筐体１Ｃに支持されている。空洞５の内径は、超伝導補正コイル４の内径の大きさにもよるが、おおよそ、撮像領域ＦＯＶの近傍に設けた傾斜磁場コイル１３の約１／２以上の大きさを確保することが可能である。

このような空洞５を設けることにより、例えば、傾斜磁場コイル１３のハーネスの配索を空洞５を通じて行うことができる。また、傾斜磁場コイル１３等のメンテナンス作業も容易である。
さらに、前記のように、空洞５は、外部筐体１Ｃに支持されて設置されるので、超伝導磁石装置１から物理的に切り離して、メンテナンス等を行うことができる。なお、空洞５は外部筐体１Ｃに限らず、超伝導磁石装置１の周辺に支持構造物が存在する場合には、そこに支持することも可能である。

空洞５は、防振材６を介して超伝導磁石装置１に取り付けられるので、傾斜磁場コイル１３による振動が超伝導磁石装置１に伝播するのを効果的に抑制することができる。このことは、撮像の高精度化にも大きく寄与する。また、例えば吸音材を取り付ければ騒音が軽減され、患者が感じる不快感を軽減することに繋がる。

図５〜図７はその他の変形例であり、図５の超伝導磁石装置１では、超伝導主コイル２の他に、超伝導主コイル２’を設けてある。また、図６の超伝導磁石装置１では、超伝導遮へいコイル３’を超伝導遮へいコイル３の下方に付加した構成となっており、図７の超伝導磁石装置１では、超伝導遮へいコイル３と超伝導補正コイル４との間に、超伝導補正コイル４’を付加した構成となっており、使用するコイル組数に制限はない。

なお、前記のように、超伝導主コイル２，超伝導遮へいコイル３および超伝導補正コイル４のいずれかが二対配置される場合には、その二対のうちの一対が前記条件を満たしていればよい。また、三対以上配置される場合も、そのうちのいずれか一対が前記条件を満たしていればよい。

なお、超伝導主コイル２，超伝導遮へいコイル３および超伝導補正コイル４は、望ましくは超伝導磁石装置１の上面あるいは下面からできるだけ離間させて配置する。このように配置することにより、外部からのノイズの影響を抑制することができる。このことは撮像の高精度化に寄与する

本発明の超伝導磁石装置を備えた磁気共鳴イメージング装置を示す説明図である。 超伝導磁石装置の構造を示す模式断面図である。 撮像領域中心と各コイル群との関係を示した説明図である。 超伝導磁石装置のその他の構造を示す模式断面図である。 超伝導磁石装置の変形例を示す模式断面図である。 超伝導磁石装置の変形例を示す模式断面図である。 超伝導磁石装置の変形例を示す模式断面図である。

符号の説明

１ 超伝導磁石装置
２ 超伝導主コイル
３ 超伝導遮へいコイル
４ 超伝導補正コイル
５ 空洞
２０ ベッド
３０ 搬送手段
４０ 解析手段
Ｐ 計測点
Ｚ 中心軸

Claims (7)

1. 撮像領域を通る中心軸周りに環状に形成され、前記撮像領域を挟んで前記中心軸方向に相対向して配置された複数対のコイルを有する超伝導磁石装置であって、
   複数対の前記コイルは、
   第一の方向の電流が流れる超伝導主コイルと、
   前記第一の方向とは逆方向の第二の方向の電流が流れる超伝導遮へいコイルと、
   前記超伝導主コイルが生成する磁場を前記撮像領域に導く、前記第一の方向と同方向の電流が流れる超伝導補正コイルとを含み、
   前記超伝導主コイルは、平面視で径方向において、前記超伝導遮へいコイルと前記超伝導補正コイルとの間に配置されることを特徴とする超伝導磁石装置。
2. 前記超伝導補正コイルは、前記中心軸方向において、前記超伝導主コイルと前記超伝導遮へいコイルとの間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の超伝導磁石装置。
3. 撮像領域を通る中心軸周りに環状に形成され、前記撮像領域を挟んで前記中心軸方向に相対向して配置された複数対のコイルを有する超伝導磁石装置であって、
   複数対の前記コイルは、
   第一の方向の電流が流れる超伝導主コイルと、
   前記第一の方向とは逆方向の第二の方向の電流が流れる超伝導遮へいコイルと、
   前記一対の超伝導主コイルが生成する磁場を前記撮像領域に導く、前記第一の方向と同方向の電流が流れる超伝導補正コイルとを含み、
   前記超伝導補正コイルは、
   前記超伝導遮へいコイルに流れる電流値を、前記撮像領域内のある計測点から前記超伝導遮へいコイルまでの距離の値で除した第１の値と、前記超伝導主コイルに流れる電流値を、前記計測点から前記超伝導主コイルまでの距離の値で除した第２の値との差で、前記超伝導補正コイルに流れる電流値を除し、さらにこの除した値に所定の倍率を乗じて算出された値を、前記計測点からの距離の値として配置されることを特徴とする超伝導磁石装置。
4. 前記超伝導主コイルは、平面視で径方向において、前記超伝導遮へいコイルと前記超伝導補正コイルとの間に配置されることを特徴とする請求項３に記載の超伝導磁石装置。
5. 前記超伝導補正コイルは、前記中心軸方向において、前記超伝導主コイルと前記超伝導遮へいコイルとの間に配置されることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の超伝導磁石装置。
6. 均一静磁場の高次成分を抑制する磁性材を超伝導主コイルよりも平面視で径方向内側に配置している超伝導磁石装置であって、
   前記超伝導主コイルよりも平面視で径方向内側に配置されて低次成分を抑制する磁性材を超伝導補正コイルで代替したことを特徴とする超伝導磁石装置。
7. 前記請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の超伝導磁石装置を備えた磁気共鳴イメージング装置であって、
   被検体を乗せるベッドと、このベッドに乗せられた前記被検体を前記撮像領域へ搬送する搬送手段と、この搬送手段によって前記撮像領域に搬送された前記被検体からの核磁気共鳴信号を解析する解析手段とを備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。

Images