JP2007279949A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電流経路P1は、入力端子14A側から見て、ダイオード11、及び抵抗12(抵抗R1)を直列接続して形成され、第2の電流経路P2は、入力端子14A側からダイオード13、抵抗14(抵抗R2)及び抵抗15(抵抗R3)を直列接続して形成される。オペアンプ20の反転入力端子には、ダイオード11のカソードと抵抗12との間の接続点の電圧V1が与えられ、非反転入力端子には、抵抗14と抵抗15との接続点の電圧V2が与えられる。
【選択図】図1
Description
[数1]
I1=Is×exp(q×Vf1/(k・T))
I2=N×Is×exp(q×Vf2/(k・T))
と表せる。ここでIsはダイオード42、45の逆方向飽和電流、Vf1及びVf2はそれぞれダイオード42、45の順方向電圧、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子の電荷量を示している。
[数2]
Vf1=VT×log(I1/Is)
Vf2=VT×log(I2/(N・Is))
=VT×log(I1/(N・Is)×R1/R3)
である。ここで、基準電圧発生回路1Cにおいて、I1×R1=I2×R3が成り立つので、抵抗44(抵抗値R3)の両端子間にかかる電位差dVfは、
[数3]
dVf=Vf1−Vf2=VT×Log(N×R3/R1)
と表せる。抵抗41(抵抗値R1)及び抵抗43(抵抗値R3)の両端子間にかかる電位差はR3/R2×dVfと表せるので、この基準電圧発生回路1Cの出力電圧VBGRは、
[数4]
VBGR=Vf1+R3/R2×dVf
=Vf1+R3/R2×VT×log(N×R3/R1)
と表すことができる。Vf1の温度特性は−2[mV/℃]、VTの温度特性は+0.086[mV/℃]であるので、抵抗値R1、R2、R3の選び方しだいで、出力電圧VBGRの温度特性曲線の傾きを正又は負いずれにも調整可能である。
n型MOSトランジスタ55のゲートには、トランジスタが逆反転する程度の電圧CMBIASが図示しない別の回路において生成され、入力される。これによりオペアンプ46に流れる電流が0.1μm以下程度に抑えられ、回路全体として低電流化が達成できる。
p型MOSトランジスタ51とn型MOSトランジスタ52とが、内部電源電圧VINTとn型MOSトランジスタ55との間に直列接続され、また、p型MOSトランジスタ53とn型MOSトランジスタ54とが内部電源電圧VINTとn型MOSトランジスタ55との間に直列接続されている。p型MOSトランジスタ51がダイオード接続され且つp型MOSトランジスタ51とp型MOSトランジスタ53とがゲートを共通接続されることよりカレントミラー回路が構成されている。これにより、n型MOSトランジスタ52、n型MOSトランジスタ54のゲートに入力される電圧V1、V2の差動増幅後の出力Vcompが出力ノードN1(トランジスタ53と54との接続点)より出力される。なお、出力ノードN1には、ディセーブル信号DISABLEの切替によりオペアンプ46からの差動増幅後の出力Vcompの出力を不能にするためのスイッチング用n型MOSトランジスタ56が接続されている。
[数5]
VBGRTEMP=VINT−{V1+R1/R2×lnN×k/q×T}
と表される。[数5]をVBGRTEMP=A+B×T(T:温度)の形に変形すると、
[数6]
A=VINT−V1(0[K])
B=0.002−R1/R2×lnN×k/q
となる。
[数7]
VINT=1.8V
V1+R1/R2×lnN×k/q×T=1.2V
のため、
[数8]
VBGRTEMP=0.6V
となる(図4参照)。
Claims (5)
- 第1の基準電圧が与えられる入力端子及び出力端子の間に形成され前記入力端子側から第1のダイオード及び第1の抵抗を直列接続してなる第1の電流経路と、
前記入力端子及び前記出力端子の間に形成され前記入力端子側から第2のダイオード、第2の抵抗及び第3の抵抗を直列接続してなる第2の電流経路と、
前記第1のダイオードと前記第1の抵抗との接続点の電圧、及び前記第2の抵抗及び前記第3の抵抗の接続点の電圧を入力され比較増幅を行う第1の比較回路と、
前記出力端子と第2の基準電位との間に接続され前記第1の比較回路の出力を制御端子に与えられたトランジスタと
を備えたことを特徴とする基準電圧発生回路。 - 前記第1の基準電圧は、温度に拘らず一定の電圧である請求項1記載の基準電圧発生回路。
- 前記第1の基準電圧は、温度の上昇に伴って大きくなる特性を有する請求項1記載の基準電圧発生回路。
- 前記出力端子から出力される出力電圧と第1電圧とを比較して第2比較信号を出力する第2の比較回路と、
前記第2比較信号をゲートに与えられ前記比較信号に応じた大きさに前記第1電圧を制御する第1制御トランジスタと、
外部電源電圧と所定の関係を有する電圧と前記第1電圧とを比較して第3比較信号を出力する第3の比較回路と、
前記第3比較信号をゲートに与えられ前記比較信号に応じた大きさに前記第1電圧を制御する第2制御トランジスタと
前記第1電圧に対応する第2電圧を出力する出力回路と
を備えたことを特徴とする請求項1記載の基準電圧発生回路。 - 前記第2制御トランジスタは、前記外部電源電圧が所定値以上となった場合において、メモリセルアレイをテストするためのバーンイン電圧が前記出力回路から出力されるよう前記第1電圧を制御するものである請求項4記載の基準電圧発生回路。
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