JP2007271280A - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】高温領域で使用しても安定した圧力検出動作を行うことができる圧力センサを提供する。
【解決手段】シート状の単結晶Siに対して例えばP型不純物をドーピングしたのち、エッチングなどによってパターニングして歪ゲージ24となる領域のみを残すことで歪ゲージ24を形成する。つまり、P型不純物という単一の導電型の不純物のみによって歪ゲージ24を構成し、歪ゲージ24がPN接合が無い構造とする。このような構成では、圧力センサ100を例えば150℃以上もしくは180℃以上といった高温領域において使用したとしても、歪ゲージ24で電流リークが発生しないようにすることができる。したがって、高温領域においても安定した圧力検出動作を行うことが可能な圧力センサ100とすることが可能となる。
【選択図】図2
【解決手段】シート状の単結晶Siに対して例えばP型不純物をドーピングしたのち、エッチングなどによってパターニングして歪ゲージ24となる領域のみを残すことで歪ゲージ24を形成する。つまり、P型不純物という単一の導電型の不純物のみによって歪ゲージ24を構成し、歪ゲージ24がPN接合が無い構造とする。このような構成では、圧力センサ100を例えば150℃以上もしくは180℃以上といった高温領域において使用したとしても、歪ゲージ24で電流リークが発生しないようにすることができる。したがって、高温領域においても安定した圧力検出動作を行うことが可能な圧力センサ100とすることが可能となる。
【選択図】図2
Description
本発明は、金属ダイアフラムにゲージ抵抗を形成した圧力センサに関する。
従来より、この種の圧力センサとしては、特許文献1に記載の圧力センサが提案されている。この圧力センサは、圧力導入孔を有する金属製のハウジングと外部との信号のやりとりを行うためのターミナルピンを有する樹脂製のコネクタケースとが一体に接合されてなるパッケージを備えている。
パッケージには、圧力導入孔から導入される圧力に応じた電気信号を生成する検出部が備えられている。この検出部は、半導体チップに例えばP型の歪ゲージを形成した構成とされ、金属製のステムの一部を薄肉にすることで構成した金属製ダイヤフラムの表面に低融点ガラスを介して接合されている。
そして、従来では、このように構成される圧力センサが、例えば120℃程度の温度領域で使用される20MPaレンジの圧力の検出に用いられている。
特開2000−298071号公報
近年、圧力センサを従来よりも高温領域、例えば150℃以上とか180℃以上の温度領域で使用したいというニーズがある。しかしながら、従来のように半導体チップにP型の歪ゲージを形成した検出部では、PN接合の温度特性により、PN接合部分において電流リークが発生し、安定した圧力検出動作が行えなくなるという問題がある。
本発明は上記点に鑑みて、高温領域で使用しても安定した圧力検出動作を行うことができる圧力センサを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明では、金属製のダイアフラム(22)と、第1導伝型不純物をドーピングしたシート状の半導体層をパターニングすることで構成された第1導電型半導体のみによって構成され、金属ダイアフラム(22)に接合される歪ゲージ(24)と、歪ゲージ(24)に対して電圧を印加したときに、歪ゲージ(24)の電気信号を受け取り、この電気信号に応じた出力信号を発生させる信号処理回路が備えられた基板(30)と、を備えていることを特徴としている。
このように、シート状の半導体層に対して第1導電型不純物(例えばP型不純物)をドーピングしたのち、エッチングなどによってパターニングして歪ゲージ(24)となる領域のみを残すことで歪ゲージ(24)を形成している。つまり、第1導電型不純物という単一の導電型の不純物のみによって歪ゲージ(24)を構成しており、歪ゲージ(24)がPN接合が無い構造となっている。
このため、圧力センサを例えば150℃以上もしくは180℃以上といった高温領域において使用したとしても、歪ゲージ(24)で電流リークが発生しないようにすることができる。したがって、高温領域においても安定した圧力検出動作を行うことが可能な圧力センサとすることが可能となる。
例えば、熱可塑性樹脂(25)を介して、金属ダイアフラム(22)に歪ゲージ(24)を接合することができる。
また、SOI基板(26)におけるSOI層(26c)に対して第1導伝型不純物をドーピングしたのち、該SOI層(26c)を歪ゲージ(24)に相当する領域が残るようにパターニングすることで歪ゲージ(24)を形成することもできる。
また、SOS基板(27)におけるシリコン層(27b)に対して第1導伝型不純物をドーピングしたのち、該SOI層(26c)を歪ゲージ(24)に相当する領域が残るようにパターニングすることで歪ゲージ(24)を形成することもできる。
また、アルミナを下地として歪ゲージ(24)を配置することができる。この場合、金属製のダイアフラム(22)をアルミナで構成すれば、該ダイアフラム(22)の表面に直接歪ゲージ(24)を接合することも可能となる。勿論、金属ダイアフラム(22)をアルミナで構成しておき、該金属ダイアフラム(22)に熱可塑性樹脂(25)を介して歪ゲージ(24)が接合されるようにしても良い。
また、アルミナ基板(28)の上に配置したシート状のシリコン層(29)に対して第1導伝型不純物をドーピングしたのち、該シリコン層(29)を歪ゲージ(24)に相当する領域が残るようにパターニングすることで歪ゲージ(24)を形成することもできる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態の圧力センサ100の全体の概略断面構成を示す図である。また、図2は、図1の部分拡大図である。
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態の圧力センサ100の全体の概略断面構成を示す図である。また、図2は、図1の部分拡大図である。
図1に示すように、金属製のハウジング10とターミナルピン50を有する樹脂製のコネクタケース60とが一体に接合されてなるパッケージ1が構成されている。
ハウジング10は、中空形状の金属製のケースであり、その一端側の外周面には、被測定体にネジ結合可能なネジ部11が形成されている。このハウジング10の一端側には、外部からの圧力を開口部12を介してセンサ内へ導入するための圧力導入孔13が形成されている。
また、ハウジング10の圧力導入孔13には、中空円筒形状に加工された金属製のステム20が固定されている。ステム20は、ステム20の外周面に形成された雄ねじ部21とハウジング10の圧力導入孔13の内周面に形成された雌ねじ部14とのねじ結合により固定されている。
このステム20は、その軸一端側にハウジング10に導入された圧力によって変形可能な薄肉状のダイアフラム22を有し、軸他端側にダイアフラム22に通じる開口部23を有する。
そして、ステム20の開口部23とハウジング10の圧力導入孔13とが連通された状態にされ、それによって、被測定体の圧力が圧力導入孔13からステム20のダイアフラム22に伝えられるようになっている。
また、このステム20のダイアフラム22上には、図2に示すように、ダイアフラム22の変形に応じた電気信号を出力する検出部としての歪ゲージ24が固定されている。本実施形態では、熱可塑性樹脂25を介して歪ゲージ24がダイアフラム22の上に熱圧着されることで固定されている。 ここでいう熱可塑性樹脂25としては、例えば、PEEK(ポリエーテル・エーテル・ケトン)系熱可塑樹性脂などを用いることができる。
歪ゲージ24は、例えば1000Å〜数十μm程度の厚みのシート状の単結晶Si(シリコン)に対して例えばP型不純物をドーピングしたのち、エッチングなどによってパターニングして歪ゲージ24となる領域のみを残すことで形成されている。この歪ゲージ24は、圧力導入孔13からステム20内部に導入された圧力によってダイアフラム22が変形したとき、この変形に応じた抵抗値の変化を電気信号に変換して出力する検出部として機能するものである。
具体的には、ハウジング10の圧力導入孔13からステム20内に導入された圧力によりダイアフラム22が変形すると、これに応じてダイアフラム22上においてホイートストンブリッジ状に設置された歪ゲージ24が変形する。このとき、この変形によるピエゾ抵抗効果により、歪ゲージ24の抵抗値が変化する。
したがって、歪ゲージ24に対して電圧を加え、歪ゲージ24から抵抗値の変化に応じた電気信号を出力させることで、歪ゲージ24に加えられた応力、すなわちハウジング10の圧力導入孔13からステム20内に導入された圧力を検出することができる。
基板30は、ハウジング10に固定された状態でパッケージ1に収納されている。この基板30は、歪ゲージ24から出力された電気信号を受け取り、この電気信号に応じた出力信号を作成するものであり、具体的には、信号変換機能などを有するICチップ31や、歪ゲージ24の出力する電気信号の処理を行うと共にそれに応じた出力信号を発生させる信号処理回路、配線パターンなどを備えたものである。
歪ゲージ24と基板30とは、ボンディングワイヤ32で結線されて電気的に接続されている。それによって、歪ゲージ24の信号が、基板30に配置された回路およびICチップ31に入力されるようになっている。
また、バネ部材としてのバネターミナル40は、基板30内の上記回路とターミナルピン50とを電気的に接続するものであり、一枚の金属板の両側が折り曲げられることでバネ状とされている。このバネターミナル40は、導電接着剤などを介して基板30に直接接着されるとともに、バネターミナル40のバネとされる部分がターミナルピン50の下端部に当接されることによって、基板30とターミナルピン50との間における電気的な接続が可能になっている。
ここで、ターミナルピン50とコネクタケース60とは、インサート成形などにより一体に固定されている。そして、ターミナルピン50の上端部が図示しない外部コネクタなどに接続されることで、圧力センサ100の外部にある相手側回路等へ配線部材を介して電気的に接続されるようになっている。
コネクタケース60は、圧力センサ100で検出された圧力値の信号を外部に出力するためのコネクタ、いわゆるケースプラグを為すものである。このコネクタケース60は、樹脂により成形されている。
そして、図1に示されるように、この圧力センサおいては、ハウジング10の他端側(図5中の上端側)の端部が、コネクタケース60の段差部に対してかしめ固定されている。それにより、コネクタケース60とハウジング10とは一体化して接合され上記パッケージ1を構成しており、該パッケージ1内部の歪ゲージ24、基板30、電気的接続部等が湿気・機械的外力より保護されるようになっている。
なお、コネクタケース60の外周部とハウジング10の内周部との間にはOリング80が配置され、これらの間のシールが確保されている。
このように構成された本実施形態の圧力センサ100では、シート状の単結晶Siに対して例えばP型不純物をドーピングしたのち、エッチングなどによってパターニングして歪ゲージ24となる領域のみを残すことで歪ゲージ24を形成している。つまり、P型不純物という単一の導電型の不純物のみによって歪ゲージ24を構成しており、歪ゲージ24がPN接合が無い構造となっている。
このため、本実施形態の圧力センサ100を例えば150℃以上もしくは180℃以上といった高温領域において使用したとしても、歪ゲージ24で電流リークが発生しないようにすることができる。したがって、高温領域においても安定した圧力検出動作を行うことが可能な圧力センサ100とすることが可能となる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサ100は、第1実施形態に対して歪ゲージ24近傍の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサ100は、第1実施形態に対して歪ゲージ24近傍の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
図3は、本実施形態の圧力センサ100における歪ゲージ24の近傍のみを示した部分拡大図である。この図に示すように、本実施形態では、SOI(Silicon on insulator)基板26を用いて歪ゲージ24を構成している。
具体的には、SOI基板26は、シリコン基板によって構成された支持基板26aの表面にシリコン酸化膜26bを介してシリコン層によって構成されるSOI層26cが備えた構成となっている。このSOI基板26におけるSOI層26cをシート状のシリコン層として使用し、SOI層26cに対して例えばP型不純物をドーピングしたのち、エッチングなどによってパターニングしてシリコン酸化膜26bを露出させるようにして歪みゲージ24となる領域のみを残すことで歪ゲージ24を形成している。
そして、SOI基板26における支持基板26aの裏面側とステム20の表面とを低融点ガラス(図示しない)を介して接合することで、歪ゲージ24がステム20に固定された構造となっている。
このような構造としても、P型不純物という単一の導電型の不純物のみによって歪ゲージ24を構成しているため、歪ゲージ24がPN接合が無い構造となっている。このため、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサ100も、第1実施形態に対して歪ゲージ24近傍の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサ100も、第1実施形態に対して歪ゲージ24近傍の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
図4は、本実施形態の圧力センサ100における歪ゲージ24の近傍のみを示した部分拡大図である。この図に示すように、本実施形態では、SOS(Silicon on sapphire)基板27を用いて歪ゲージ24を構成している。
具体的には、SOS基板27は、サファイア基板27aの表面にシリコン層27bが備えた構成となっている。このSOS基板27におけるシリコン層27bをシート状のシリコン層として使用し、シリコン層27bに対して例えばP型不純物をドーピングしたのち、エッチングなどによってパターニングしてサファイア基板27aを露出させるようにして歪ゲージ24となる領域のみを残すことで歪ゲージ24を形成している。
そして、サファイア基板27aの裏面側とステム20の表面とを低融点ガラス(図示しない)を介して接合することで、歪ゲージ24がステム20に固定された構造となっている。
このような構造としても、P型不純物という単一の導電型の不純物のみによって歪ゲージ24を構成しているため、歪ゲージ24がPN接合が無い構造となっている。このため、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサ100も、第1実施形態に対して歪ゲージ24近傍の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサ100も、第1実施形態に対して歪ゲージ24近傍の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
図5は、本実施形態の圧力センサ100における歪ゲージ24の近傍のみを示した部分拡大図である。この図に示すように、本実施形態では、アルミナ基板28を用いて歪ゲージ24を構成している。
具体的には、アルミナ基板28の表面にシート状のシリコン層29を配置し、シリコン層29に対して例えばP型不純物をドーピングしたのち、エッチングなどによってパターニングしてアルミナ基板28を露出させるようにして歪ゲージ24となる領域のみを残すことで歪ゲージ24を形成している。
そして、アルミナ基板28の裏面側とステム20の表面とを低融点ガラス(図示しない)を介して接合することで、歪ゲージ24がステム20に固定された構造となっている。
このような構造としても、P型不純物という単一の導電型の不純物のみによって歪ゲージ24を構成しているため、歪ゲージ24がPN接合が無い構造となっている。このため、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
(他の実施形態)
上記実施形態では、第1導電型の不純物としてP型不純物を用いて歪ゲージ24を構成したが、勿論、N型不純物を用いても構わない。また、歪ゲージ24をシリコンにて構成したが、他の半導体を用いて構成しても良い。
上記実施形態では、第1導電型の不純物としてP型不純物を用いて歪ゲージ24を構成したが、勿論、N型不純物を用いても構わない。また、歪ゲージ24をシリコンにて構成したが、他の半導体を用いて構成しても良い。
また、上記実施形態では、ステム20によってダイアフラム22を構成し、このステム20をハウジング10内に配置した構成としているが、ハウジング10によってダイアフラム22を構成しても良い。また、ステム20の外周をネジ状にしてハウジング10に固定しているが、ステム20をハウジング10に圧入することによってハウジング10に固定されるようにしても構わない。
また、上記第4実施形態では、アルミナ基板28を用い、このアルミナ基板28の表面に歪ゲージ24を配置している。しかしながら、アルミナは、歪ゲージ24を直接搭載することが可能な材料であるため、ステム20自体をアルミナで構成すれば、歪ゲージ24をステム20の表面に直接圧着などによって固定することが可能であるため、そのようにすればアルミナ基板28も不要にすることが可能である。
1…パッケージ、10…ハウジング、20…ステム、22…ダイアフラム、24…歪ゲージ、25…熱可塑性樹脂、26…SOI基板、26a…支持基板、26b…シリコン酸化膜、26c…SOI層、27…SOS基板、27a…サファイア基板、27b…シリコン層、28…アルミナ基板、29…シリコン層、30…基板、32…ボンディングワイヤ、40…バネターミナル、50…ターミナルピン、60…コネクタケース、100…圧力センサ。
Claims (7)
- 金属製のダイアフラム(22)と、
第1導伝型不純物をドーピングしたシート状の半導体層をパターニングすることで構成された第1導電型半導体のみによって構成され、前記金属ダイアフラム(22)に接合される歪ゲージ(24)と、
前記歪ゲージ(24)に対して電圧を印加したときに、前記歪ゲージ(24)の電気信号を受け取り、この電気信号に応じた出力信号を発生させる信号処理回路が備えられた基板(30)と、を備えていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記歪ゲージ(24)は、前記金属ダイアフラム(22)に熱可塑性樹脂(25)を介して接合されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記歪ゲージ(24)は、SOI基板(26)におけるSOI層(26c)に対して前記第1導伝型不純物をドーピングしたのち、該SOI層(26c)を前記歪ゲージ(24)に相当する領域が残るようにパターニングすることで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記歪ゲージ(24)は、SOS基板(27)におけるシリコン層(27b)に対して前記第1導伝型不純物をドーピングしたのち、該シリコン層(27b)を前記歪ゲージ(24)に相当する領域が残るようにパターニングすることで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記金属ダイアフラム(22)はアルミナで構成されており、該金属ダイアフラム(22)の表面に直接前記歪ゲージ(24)が接合されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記歪ゲージ(24)は、アルミナ基板(28)の上に配置したシート状のシリコン層(29)に対して前記第1導伝型不純物をドーピングしたのち、該シリコン層(29)を前記歪ゲージ(24)に相当する領域が残るようにパターニングすることで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記金属ダイアフラム(22)はアルミナで構成されており、該金属ダイアフラム(22)に熱可塑性樹脂(25)を介して前記歪ゲージ(24)が接合されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
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2006
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Effective date: 20110719 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20111115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |