JP2007256949A - ホログラフィックメモリ媒体、ホログラフィックメモリ装置、および、ホログラフィック記録装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信号光と参照光の光軸を含む面に垂直な方向（ラジアルチルト方向）においてホログラフィックメモリにチルトエラーが生じた場合にも、このチルトエラーを抑制できるようにする。
【解決手段】ホログラフィックメモリ媒体に、ラジアルチルト方向の基準入射角度を規定するための基準チルトホログラムを記録しておく。記録／再生動作時には、まず、基準チルトホログラムの記録位置に参照光を照射し、その受光状態から、ラジアルチルト方向における参照光の基準入射角度（基準角度Ｓｒ）を検出する。そして、ホログラフィックメモリ媒体をラジアルチルト方向に変位させるチルトアクチュエータ１９を駆動制御して、参照光のラジアルチルト方向の入射角度を基準角度Ｓｒに整合させる。しかる後、ホログラフィックメモリ媒体に信号光および参照光を照射して、記録／再生動作を実行する。
【選択図】図２

Description

本発明は、信号光と参照光を内部で干渉させたときの干渉縞を定着させることにより情報の記録が行われるホログラフィックメモリ媒体、このホログラフィックメモリ媒体に対し情報の記録／再生を行うホログラフィックメモリ装置、および、このホログラフィックメモリ媒体に対し情報の記録を行うホログラフィック記録装置に関するものであり、特に、ホログラフィックメモリと参照光の間のチルトエラーを補正する際に用いて好適なものである。

一般に、ホログラフィックメモリは、信号光と参照光を内部で干渉させたときの干渉縞をホログラフィックメモリ材料層に定着させることによって情報の記録が行われる。ここで、信号光は、記録情報に応じて空間光変調されているため、信号光と参照光をホログラフィックメモリに照射すると、ホログラフィックメモリ材料層中に、記録情報に応じた明暗の干渉縞が生じる。かかる干渉縞のうち“明”の領域に、ホログラフィックメモリ材料層中の光重合性の高いモノマーが引き寄せられてポリマー化することで、ホログラフィックメモリ材料層中に、干渉縞に応じた屈折率分布が定着する。これにより、ホログラフィックメモリに対する情報の記録が行われる。

なお、ホログラフィックメモリにおいては、ホログラフィックメモリ材料層に対する参照光の入射角度を変更することによって、一つの記録箇所（記録ブロック）に複数種類の情報を同時に記録できることが知られている（角度多重）。すなわち、参照光の入射角度毎に、異なる情報にて信号光を空間光変調することにより、それぞれの記録情報に応じた干渉縞を、角度毎に個別に、同一の記録箇所に定着させることができる。

再生時には、記録時と同一角度にて参照光がホログラフィックメモリ材料層に照射される。これにより、参照光に当該角度の干渉縞に応じた回折が生じ、これを受光素子が受光することにより、当該角度の記録情報が再生される。

なお、以下に示す特許文献１および特許文献２には、角度多重によるホログラフィックメモリ装置が記載されている。

角度多重にて情報を記録する場合には、一般に、信号光と参照光の光軸を含む面の面内方向において、ホログラフィック材料層に対する参照光の入射角度が変更される。このため、再生時に、かかる面内方向においてホログラフィックメモリと参照光の間にチルトエラーが生じても、このチルトエラーに応じて参照光調整用のアクチュエータ（ガルバノミラー等）を制御することにより、ホログラフィックメモリに対する参照光の入射角度を適正な状態に調整することができる。

たとえば、図１２（ａ）に示す如くしてホログラフィックメモリ材料層に干渉縞が生成された場合には、再生時に、このホログラフィックメモリに同図のＸ−Ｙ平面内におけるチルトが発生しても、図１２（ｂ）に示す如く、参照光用のアクチュエータを駆動制御して参照光の入射角度を補正することにより、ホログラフィックメモリに対して適正な角度にて参照光を入射させることができる。

しかし、信号光と参照光の光軸を含む面に垂直な方向においてチルトエラーが生じた場合、すなわち図１２（ａ）、（ｂ）のＸ−Ｚ平面の面内方向にチルトエラーが発生した場合には、参照光用のアクチュエータを駆動制御することによっては、このチルトエラーを補正することはできない。この場合、干渉縞と参照光の間の角度が記録時のものに比べ相違することとなるため、適正な再生信号が得られなくなる。
特開１１−１６３７４号公報 特開２０００−３３８８４６号公報

本発明は、かかる問題を解消し、信号光と参照光の光軸を含む面に垂直な方向においてホログラフィックメモリにチルトエラーが生じた場合にも、このチルトエラーを補正して、ホログラフィックメモリに対し情報を適正に記録／再生できるようにすることを課題とする。

本発明の第１の局面は、所定方向における参照光の入射角度または参照光と信号光の入射角度を規定するための基準情報がホログラム原理によって記録されているホログラフィックメモリ媒体として把握される。

この局面において、前記基準情報は、前記所定方向に角度を変化させながら、該角度に応じて変化する複数種類の信号パターンを、一つの領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録されるものとすることができる。

より具体的には、前記基準情報は、参照光と信号光の光軸を含む面の面内方向における前記参照光と信号光の入射角度を固定しつつ、前記所定方向にこれら参照光と信号光の入射角度を変化させて、前記複数種類の信号パターンを、前記一つの領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録されるものとすることができる。

また、この第１の局面において、前記基準情報は、前記所定方向の角度を固定して、一種類の信号パターンを、一つの領域に記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録されるものとすることができる。

より具体的には、前記基準情報は、参照光と信号光の光軸を含む面の面内方向における前記参照光と信号光の入射角度を固定するとともに、前記所定方向におけるこれら参照光と信号光の入射角度を固定して、前記一種類の信号パターンを、前記一つの領域に記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録されるものとすることができる。

さらに、この第１の局面に係るホログラフィックメモリ媒体は、第１の方向における照射レーザ光の入射角を規定する第１の基準情報と、前記第１の方向とは異なる第２の方向における照射レーザ光の入射角を規定する第２の基準情報が、互いに異なる位置に、ホログラム原理によって記録されているものとすることができる。

より具体的には、前記第１の方向は、参照光と信号光の光軸を含む面の面内方向であり、前記第２の方向は、前記面に垂直な面の面内方向である。

ここで、前記第１の基準情報は、前記第１の方向に角度を変化させながら、該角度に応じて変化する複数種類の信号パターンを、第１の領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録され、前記第２の基準情報は、前記第２の方向に角度を変化させながら、該角度に応じて変化する複数種類の信号パターンを、第２の領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録されるものとすることができる。

本発明の第２の局面は、所定方向における参照光の入射角度または参照光と信号光の入射角度を規定するための基準情報がホログラム原理によって記録されているホログラフィックメモリ媒体に情報を記録し、および／もしくは、該ホログラフィックメモリ媒体から情報を再生するホログラフィックメモリ装置に関するものとして把握される。

第２の局面に係るホログラフィックメモリ装置は、前記基準情報の記録位置に参照光を照射して前記基準情報によって規定された参照光の入射角度を検出する検出手段と、前記ホログラフィックメモリ媒体に対する前記参照光の入射角度または参照光と信号光の入射角度を、前記検出手段によって検出された入射角度に基づいて調整する角度調整手段とを有するものとして特徴付けされる。

この局面の一つの形態では、前記基準情報は、前記所定方向に角度を変化させながら、該角度に応じて変化する複数種類の信号パターンを、一つの領域に多重記録することにより、前記ホログラフィックメモリ媒体に記録されている。この場合、前記検出手段は、前記基準情報の記録位置に、前記所定方向に入射角度を変更しつつ、参照光を照射したときの光検出器における受光状態と、前記複数種類の信号パターンの対応関係に基づいて、前記基準情報によって規定された参照光の入射角度を検出する。

また、第２の局面における他の形態では、前記基準情報は、前記所定方向の角度を固定して、一種類の信号パターンを、一つの領域に記録することにより、前記ホログラフィックメモリ媒体に記録されている。この場合、前記検出手段は、前記基準情報の記録位置に、前記所定方向に入射角度を変更しつつ、参照光を照射したときの光検出器における受光状態を参照し、前記光検出器における受光光量が最大となる入射角度を、前記基準情報によって規定された参照光の入射角度として検出する。

本発明の第３の局面は、所定方向における参照光の入射角度または参照光と信号光の入射角度を規定するための基準情報を、参照光と信号光を記録層内部で干渉させて、ホログラフィックメモリ媒体に記録する記録手段を有するホログラフィック記録装置として把握される。

この局面の一つの形態では、前記基準情報は、前記所定方向に角度を変化させながら、該角度に応じて変化する複数種類の信号パターンを、一つの領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録される。

また、第３の局面における他の形態では、前記基準情報は、前記所定方向の角度を固定して、一種類の信号パターンを、一つの領域に記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録される。

本発明によれば、基準情報の記録位置に参照光を照射することにより、基準情報によって規定された参照光の入射角度を検出することができる。よって、ホログラフィックメモリ媒体に対する参照光の入射角度または参照光と信号光の入射角度を、検出された入射角度をもとに調整することにより、記録／再生動作時に、常に適正角度にて、参照光または参照光と信号光をホログラフィックメモリ媒体に入射させることができる。

本発明の効果ないし意義は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明を実施化する際の一つの例示であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以下の実施の形態に記載されたものに制限されるものではない。

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して説明する。

[実施例１]
図１に、本実施例に係るホログラフィックメモリ装置の光学系を示す。なお、同図に示す光学系は、透過型のホログラフィックメモリ１０に対して情報を記録／再生する際に用いられるものである。

図示の如く、この光学系は、半導体レーザ１０１と、コリメータレンズ１０２と、シャッター１０３と、ビームスプリッタ１０４と、シャッター１０５と、偏光ビームスプリッタ１０６と、λ／４板１０７と、空間光変調器１０８と、フーリエ変換レンズ１０９と、ガルバノミラー１１０と、リレーレンズ１１１と、フーリエ変換レンズ１１２と、ＣＭＯＳ（Complementary MOS）イメージセンサ１１３から構成されている。

半導体レーザ１０１は、ホログラフィックメモリ１０に適した波長のレーザ光を出射する。コリメータレンズ１０２は、半導体レーザ１０１から入射されるレーザ光を平行光に変換する。シャッター１０３は、メカニカルシャッター等によって構成され、制御信号に応じて、レーザ光の通過／遮断を行う。具体的には、記録／再生動作の際の露光時にのみＯＦＦ（通過）とされる。ＯＦＦとされる時間によってホログラフィックメモリ１０に対する露光時間が制御される。ビームスプリッタ１０４は、コリメータレンズ１０２からのレーザ光を信号光と参照光に分割する。

シャッター１０５は、メカニカルシャッター等によって構成され、制御信号に応じて、信号光の通過／遮断を行う。具体的には、記録時にはＯＦＦ（通過）とされ、再生時にはＯＮ（遮断）とされる。

偏光ビームスプリッタ１０６は、シャッター１０５から入射される信号光を略全透過するとともに、λ／４板１０７から入射される信号光を反射または透過する。λ／４板１０７は、偏光ビームスプリッタ１０６から入射される信号光を直線偏光から円偏光に変換するとともに、空間光変調器１０８から入射される円偏光の信号光を直線偏光に変換する。

空間光変調器１０８は、液晶パネルと反射ミラーの組み合わせ等によって構成され、記録信号（１、０の２値化データ）に応じて画素毎に信号光の偏光状態を制御し、これにより、信号光に記録信号に応じた空間光変調を与える。

偏光ビームスプリッタ１０６を透過したＰ偏光の信号光はλ／４板１０７で右旋回または左旋回の円偏光となる。ここで、信号光の旋回方向は、λ／４板１０７の結晶軸の方向によって決まる。たとえば、信号光の旋回方向が右旋回となった場合、信号光は、空間光変調器１０８の液晶パネルを往復することにより、たとえば、デジタルデータ“１”の画素位置においては右旋回のままとされ、デジタルデータ“０”の画素位置においては左旋回へと変化する。したがって、再度、λ／４板１０７を通過することにより、信号光は、デジタルデータ“１”の画素位置ではＳ偏光となり、デジタルデータ“０”の画素位置ではＰ偏光となる。このうち、デジタルデータ“１”に対するＳ偏光の光みが、偏光ビームスプリッタ１０６にて反射され、デジタルデータ“０”に対するＰ偏光の光は偏光ビームスプリッタ１０６透過する。

フーリエ変換レンズ１０９は、偏光ビームスプリッタ１０６から入射された信号光をホログラフィックメモリ１０内のホログラフィックメモリ材料層上に収束させる。

ガルバノミラー１１０は、参照光を反射すると共に、制御信号に応じて、信号光と参照光の光軸を含む面の面内方向に回動される。ガルバノミラー１１０が回動されることにより、記録ブロックに対する参照光の入射角度が調整される。リレーレンズ１１１は、ガルバノミラー１１０によって反射された参照光をホログラフィックメモリ１０の記録ブロックに導く。

フーリエ変換レンズ１１２は、ホログラフィックメモリ材料層によって回折されホログラフィックメモリ１０を透過した参照光（以下、ホログラフィックメモリ１０を透過した後の参照光を特に「再生光」と称する）を平行光に変換してＣＭＯＳイメージセンサ１１３に導く。ＣＭＯＳイメージセンサ１１３は、フーリエ変換レンズ１１２を介して受光した再生光の強度分布に応じた電気信号を信号増幅回路（後述）に出力する。

記録時において、半導体レーザ１０１から出射されたレーザ光は、コリメータレンズ１０２にて平行光に変換された後、シャッター１０３を通過し、ビームスプリッタ１０４によって信号光と参照光に分割される。このうち、信号光は、シャッター１０５を通過した後、偏光ビームスプリッタ１０６を透過し、空間光変調器１０８によって変調される。空間光変調器１０８にて変調された信号光は、偏光ビームスプリッタ１０６で反射され、フーリエ変換レンズ１０９によってホログラフィックメモリ１０に収束照射される。また、参照光は、ガルバノミラー１１０によって反射された後、リレーレンズ１１１を介してホログラフィックメモリ１０の信号光照射位置に入射される。

かくして、信号光と参照光は、ホログラフィックメモリ１０のホログラフィックメモリ材料層に照射される。これにより、ホログラフィックメモリ材料層のレーザ光照射箇所に干渉縞が生じ、モノマーがこの干渉縞に応じてポリマー化する。しかして、干渉縞に応じた屈折率分布がホログラム材料層に定着し、ホログラフィックメモリに対する記録が行われる。

なお、角度多重による記録時には、ガルバノミラー１１０が所定角度（ページ送り分）だけ回転され、ホログラフィックメモリ１０に対する参照光の入射角度が変更される。このとき、ガルバノミラー１１０にて反射された参照光は、リレーレンズ１１１を介することで、ホログラフィックメモリ１０上の入射位置を変えることなく、ホログラフィックメモリ１０に対する角度のみが変更されて、信号光の照射位置に照射される。また、参照光の角度変更に応じて、空間光変調器１０８に、次ページ分の記録信号が供給される。かかる参照光の角度変更と空間光変調器１０８に対する記録信号の変更は、当該記録ブロックに対する多重記録が終了するまで繰り返される。これにより、当該記録ブロックに、参照光の入射角度毎に異なる干渉縞が生じ、その結果、当該記録ブロックに、異なる干渉縞に応じた屈折率分布が定着する。しかして、当該記録ブロックに、異なる記録信号が角度多重にて記録される。

再生時において、半導体レーザ１０１から出射されたレーザ光は、コリメータレンズ１０２にて平行光に変換された後、シャッター１０３を通過し、ビームスプリッタ１０４によって信号光と参照光に分割される。このうち、信号光は、シャッター１０５によって遮断される。一方、参照光は、ガルバノミラー１１０およびリレーレンズ１１１を介してホログラフィックメモリ１０のホログラフィックメモリ材料層に照射される。

しかる後、参照光は、ホログラフィックメモリ材料層に定着されている干渉縞によって回折され、ホログラフィックメモリ１０を透過する。その後、参照光（再生光）は、フーリエ変換レンズ１１２によって平行光に変換され、ＣＭＯＳイメージセンサ１１３に入射される。

ＣＭＯＳイメージセンサ１１３は、受光した再生光の強度分布に応じた電気信号を信号増幅回路（後述）に出力する。ここで、ＣＭＯＳイメージセンサ１１３によって受光される再生光の強度分布は、記録時に空間光変調器１０８によって信号光に付与された空間光変調に応じたものとなっている。なお、ＣＭＯＳイメージセンサ１１３は、調整機構（図示せず）によって、受光面に平行な方向の位置と角度が調整される。ＣＭＯＳイメージセンサ１１３から出力された電気信号は、信号増幅回路によって増幅された後、デコーダによって復調される。

なお、上記記録および再生動作の際には、これに先立って、ホログラフィックメモリ１０と信号光および参照光との間のチルトを補正する処理が行われる。この処理については、追って、図５ないし図７を参照して詳述する。

図２は、本実施例に係るホログラフィックメモリ装置の構成を示す図である。図示の如く、ホログラフィックメモリ装置は、エンコーダ１１と、ＳＬＭドライバ１２と、光学ヘッド１３と、信号増幅回路１４と、デコーダ１５と、サーボ回路１６と、ステッピングモータ１７と、送り機構１８と、チルトアクチュエータ１９と、コントローラ２０から構成されている。

エンコーダ１１は、記録データにエンコード処理を施しＳＬＭドライバ１２に送る。ＳＬＭドライバ１２は、エンコード処理された記録データから空間光変調器１０８を駆動するための記録信号を生成し、生成した記録信号に応じて、光学ヘッド１３中の空間光変調器１０８を駆動する。

光学ヘッド１３は、上記図１の光学系を内蔵し、記録再生用の信号光および参照光を、ホログラフィックメモリ（ディスク媒体）１０に照射する。光学ヘッド１３は、後述のようにホログラフィックメモリ１０が一つの径の方向（以下、「ラジアル方向」と称する）にステップ送りされるとき、信号光と参照光の照射位置がこの径上を移動するよう配置されている。また、光学ヘッド１３は、信号光と参照光がこの径に対して垂直な方向（以下、「タンジェンシャル方向」という）から入射されるようにして配置されている。

図３に、光学ヘッド１３とホログラフィックメモリ１０の関係を示す。光学ヘッド１３は、同図に示すラジアル方向に移動する。信号光と参照光は、それぞれ、同図に示すタンジェンシャル方向からホログラフィックメモリ１０に入射される。

図２に戻り、信号増幅回路１４は、光学ヘッド１３中のＣＭＯＳイメージセンサ１１３から出力される電気信号を増幅し、これをデコーダ１５とコントローラ２０に送る。デコーダ１５は、信号増幅回路１４から入力された再生信号をデコードして再生データを生成し、これを後段回路に出力する。

サーボ回路１６は、コントローラ２０からの制御指令に応じて、ホログラフィックメモリ１０をディスク周方向にステップ送りするためのサーボ信号を生成し、これをステッピングモータ１７に送る。また、コントローラ２０からの制御指令に応じて、ホログラフィックメモリ１０をラジアル方向にステップ送りするためのサーボ信号を生成し、これを、送り機構１８の駆動モータ１８ａに送る。また、コントローラ２０からの制御指令に応じて、光ヘッド１３内に配された半導体レーザ１０１の駆動制御、シャッター１０３、１０５のＯＮ／ＯＦＦ制御およびガルバノミラー１１０の駆動制御を行う。

さらに、サーボ回路１６は、コントローラ２０からの制御指令に応じて、ホログラフィックメモリ１０と信号光および再生光の間に生じる、図３のＸ−Ｚ平面の面内方向のチルト（以下、このチルトの方向を「ラジアルチルト方向」といい、このチルトを「ラジアルチルト」という）を補正するためのサーボ信号を生成し、これをチルトアクチュエータ１９に送る。

ステッピングモータ１７は、サーボ回路１６からのサーボ信号に応じて、ホログラフィックメモリ１０をディスク周方向にステップ送りする。送り駆動機構１８は、光ヘッド１３とホログラフィックメモリ１０がラジアル方向に相対移動するようステッピングモータ１７をスライド可能に支持する。モータ（ステッピングモータ）１８ａは、ステッピングモータ１７をラジアル方向にステップ送りするための駆動力を付与する。

チルトアクチュエータ１９は、送り駆動機構１８とステッピングモータ１７の間に介在し、ステッピングモータ１７の回転軸を、ラジアルチルト方向に傾斜させる。なお、チルトアクチュエータ１９は、ステッピングモータ１７を装着する面と、この装着面をラジアルチルト方向に回動可能とする機構部と、この機構部に前記装着面をラジアルチルト方向に駆動するための駆動力を付与するモータから構成される。チルトアクチュエータ１９は、たとえば、ゴニオステージを用いて構成することができる。

コントローラ２０は、所定の制御手順に従って、各部を制御する。コントローラ２０は、記録／再生動作に先立って、ラジアルチルト方向におけるホログラフィックメモリ材料層の傾きを補正する。この補正時の制御動作は追って詳述する。

次に、図４を参照して、本実施例に係るホログラフィクメモリ１０について説明する。

本実施例に係るホログラフィクメモリ１０には、ラジアルチルト方向におけるホログラフィックメモリ材料層の傾きを検出するためのホログラム（以下、「基準チルトホログラム」という）が予め記録されている。この基準チルトホログラムは、ユーザデータの記録に支障がない位置、たとえば、ホログラフィックメモリ１０の最内周位置または最外周位置に記録するのが好ましい。

図４上段を参照して、基準チルトホログラムは、ホログラフィックメモリ材料層に対する信号光および参照光の入射角度をラジアルチルト方向に所定角度ずつ傾けながら、所定の信号パターンを角度多重にてホログラフィックメモリ材料層に記録することによって形成される。

図４の例では、角度多重の際、信号光と参照光のラジアルチルト方向の入射角は、基準角度（ラジアルチルト角＝０度）から±２．０度の範囲において、０．１度ずつ変更される（以下、基準角度に対するこの入射角度の差分を「ラジアルチルト角」という）。このとき、参照光と信号光の光軸を含む面の面内方向（以下、「タンジェンシャルチルト方向」という）における参照光の入射角度は一定（基準角度）とされる。

各ラジアルチルト角における信号光の変調パターンは、同図下段の表に示すようにして設定される。すなわち、ラジアルチルト角＝−２．０度のとき、信号光の変調パターンは、空間光変調器１０８の全ての画素位置がデータ“０”となるパターンとされる。ラジアルチルト角が−２．０度から＋１度される毎に、空間光変調器１０８の画素領域の一方の端から、全領域の１／２０ずつ、データ“１”の画素領域が増加する。そして、ラジアルチルト角＝０度のときには、信号光の変調パターンは、空間光変調器１０８の全ての画素位置にてデータ“１”となるパターンとされる。さらに、ラジアルチルト角が０度から＋１度される毎に、空間光変調器１０８の画素領域の前記一方の端から、全領域の１／２０ずつ、データ“０”の画素領域が増加する。そして、ラジアルチルト角＝＋２．０度のときには、信号光の変調パターンは、空間光変調器１０８の全ての画素位置がデータ“０”となるパターンとされる。なお、図４下段の表の「信号光の変調パターン」の欄には、空間光変調器１０８の画素領域を横長に引き伸ばした模式図が示されている。

このようにして記録された基準チルトホログラムに対して、参照光のみを、各ラジアルチルト角にて入射させると、ＣＯＭＳイメージセンサ１１３上に、各ラジアルチルト角に対応する変調パターンの強度分布が現れる。なお、この場合には、タンジェンシャルチルト方向における参照光の入射角度を、基準チルトホログラムの記録時に設定された入射角度（基準角度）に合わせておく必要がある。

図５は、基準チルトホログラムに対して、参照光を、各ラジアルチルト角にて入射させたときの、ＣＭＯＳイメージセンサ１１３上における再生光の強度分布（受光パターン：同図下段）と、この強度分布を所定の手法にて演算処理したときの処理結果（光量演算値）を示すものである。

同図では、ＣＭＯＳイメージセンサ１１３の受光領域が、図４の下表に示す信号光の変調パターンの変化方向（データ“１”およびデータ“０”の画素領域の移動方向）に対応する方向に均等に２分割されている。ここで、各分割領域Ａ、Ｂにて受光される光量（以下、領域Ａにて受光される光量を「光量Ａ」といい、領域Ｂにて受光される光量を「光量Ｂ」という）を互いに加算および減算すると、各演算値は、それぞれ、参照光のラジアルチルト角の変化に応じて、同図の点線および実線に示すように変化する。

この変化特性から、光量Ａ−光量Ｂが０となり、且つ、光量Ａ−光量Ｂが一定値（閾値）以上となるときのラジアルチルト角は、基準チルトホログラムの形成時に設定されたラジアルチルトの基準角度（ラジアルチルト角＝０度）に一致することが分かる。よって、記録／再生動作時に、チルトアクチュエータ１９にてホログラフィックメモリ１０をラジアル方向に傾けながら、光量Ａ−光量Ｂが０となり、且つ、光量Ａ−光量Ｂが一定値（閾値）以上となるラジアルチルト方向の傾斜位置を検出し、その傾斜位置にて、参照光と信号光をホログラフィック材料層に入射させるようにすると、参照光と信号光は、基準チルトホログラムの形成時に設定されたラジアルチルトの基準角度（ラジアルチルト＝０度）に一致する角度にてホログラフィック材料層に入射するようになる。

次に、図６を参照して、当該ホログラフィックメモリ装置における記録時の動作について説明する。

記録動作が開始されると、シャッター１０３およびシャッター１０５がＯＮ（遮断）とされ（Ｓ１０１）、光ヘッド１３が基準チルトホログラムの記録位置にアクセスされる（Ｓ１０２）。かかるアクセスは、ステッピングモータ１７によるホログラフィックメモリ１０のステップ送り（ディスク周方向）と、送り機構１８によるホログラフィックメモリ１０のステップ送り（ラジアル方向）によって行われる。

次に、シャッター１０３がＯＦＦ（通過）とされ、参照光がホログラフィックメモリ１０に照射される（Ｓ１０３）。このとき、ガルバノミラー１１０が一定範囲内において回動され、タンジェンシャルチルト方向における参照光の入射角度が変化される。そして、各入射角度におけるＣＭＯＳイメージセンサ１１３の全受光光量が逐次取得される（Ｓ１０４）。

しかる後、シャッター１０３がＯＮ（遮断）とされ、ホログラフィックメモリ１０に対する参照光の照射が中止される（Ｓ１０５）。そして、Ｓ１０４にて取得した全受光光量が大小比較され、最も受光光量の大きい入射角度がタンジェンシャルチルト方向における参照光の基準角度に対応する入射角度（基準角度Ｓｔ）として取得される（Ｓ１０６）。

次に、参照光の入射角度がＳ１０６にて設定された基準角度Ｓｔに設定された後（Ｓ１０７）、再び、シャッター１０３がＯＦＦ（通過）とされ、参照光がホログラフィックメモリ１０に照射される（Ｓ１０８）。このとき、チルトアクチュエータ１９によって、ステッピングモータ１７の回転軸が一定範囲内において回動され、ラジアルチルト方向における参照光の入射角度が変化される。そして、各入射角度におけるＣＭＯＳイメージセンサ１１３の受光光量Ａ、Ｂ（図５参照）が逐次取得され、その都度、光量Ａ−光量Ｂと、光量Ａ＋光量Ｂが算出される（Ｓ１０９）。

しかる後、シャッター１０３がＯＮ（遮断）とされ、ホログラフィックメモリ１０に対する参照光の照射が中止される（Ｓ１１０）。そして、Ｓ１０９にて算出した算出結果が参照され、このうち、光量Ａ−光量Ｂ＝０、且つ、光量Ａ＋光量Ｂ≧Ｌ１（Ｌ１：閾値）となる入射角度がラジアルチルト方向における参照光の基準角度（ラジアルチルト角＝０度）に対応する入射角度（基準角度Ｓｒ）として取得される（Ｓ１１１）。

このようにしてラジアルチルト方向の基準角度Ｓｒが取得されると、次に、ラジアルチルト方向における参照光の入射角度がこの基準角度Ｓｒに設定された後（Ｓ１１２）、光ヘッド１３が記録対象のブロック位置にアクセスされる（Ｓ１１３）。そして、Ｓ１０６にて取得した基準角度Ｓｔをもとに、タンジェンシャルチルト方向における参照光の入射角度が記録対象ページの角度に設定され（Ｓ１１４）、当該角度にて先頭ページの記録データが記録対象ブロックに記録される（Ｓ１１５）。すなわち、空間光変調器１０８に先頭ページの記録データに応じた画素パターンが表示された後、記録のために露光する時間だけ、シャッター１０３とシャッター１０５がＯＦＦ（通過）とされる。

かかる露光により、当該記録ブロックに先頭ページの記録データが記録されると、コントローラ２０は、さらに記録すべきデータが存在するかを判別する（Ｓ１１６）。そして、記録すべきデータが存在する場合には、ガルバノミラー１１０がページ送り分に相当する角度だけ回転され（Ｓ１１４）、上記と同様にして、当該記録ブロックに次ページの記録データが記録される（Ｓ１１５）。かかる角度多重によるデータ記録は、当該記録ブロックに対するデータ記録が終了するまで繰り返し実行される（Ｓ１１６）。

当該記録ブロックに対する記録が終了したときに、さらに、記録すべきデータが存在する場合には、次の記録ブロックに対するアクセスがなされ（Ｓ１１３）、上記と同様、角度多重により、当該次の記録ブロックに対する記録が行われる（Ｓ１１４〜Ｓ１１６）。

次に、図７を参照して、ホログラフィックメモリ装置における再生時の動作を説明する。

再生動作が開始されると、シャッター１０３およびシャッター１０５がＯＮ（遮断）とされ（Ｓ２０１）、光ヘッド１３が基準チルトホログラムの記録位置にアクセスされる（Ｓ２０２）。しかる後、上記図６のＳ１０３からＳ１０６と同様にして、タンジェンシャルチルト方向における参照光の基準角度Ｓｔが取得される（Ｓ２０３〜Ｓ２０６）。そして、タンジェンシャルチルト方向における参照光の入射角度が基準角度Ｓｔに設定された後（Ｓ２０７）、上記図６のＳ１０８からＳ１１１と同様にして、ラジアルチルト方向における参照光の基準角度Ｓｒが取得される（Ｓ２０８〜Ｓ２１１）。

次に、ラジアルチルト方向における参照光の入射角度がこの基準角度Ｓｒに設定された後（Ｓ１１２）、光ヘッド１３が再生対象のブロック位置にアクセスされ（Ｓ２１３）、再生対象ページに対するガルバノミラー１１０の引き込み制御が行われる（Ｓ２１４）。かかる引き込み制御は、たとえば、以下のように行われる。

まず、シャッター１０３がＯＦＦ（通過）とされて、参照光が当該記録ブロックに照射される。その後、ガルバノミラー１１０がイニシャル位置から先頭ページ（第１ページ）に対応する角度方向へと回転される。なお、ガルバノミラー１１０のイニシャル位置は、Ｓ２０６にて取得された基準角度Ｓｔをもとに設定される。

このようにしてガルバノミラー１１０が回転される際、ＣＭＯＳイメージセンサ１１３の出力が随時モニターされる。そして、この出力が最初にピークとなるガルバノミラー１１０の角度位置が先頭ページ（第１ページ）に対応する角度位置として検出される。

かかる検出の後、再生対象までのページ送り分だけ、ガルバノミラー１１０がさらに回転される。さらに、ＣＭＯＳイメージセンサ１１３の出力が最大となる位置に、ガルバノミラー１１０が微調整される。これにより、タンジェンシャルチルト方向における再生対象ページと参照光の間のチルトエラーが補正され、ガルバノミラー１１０は、再生対象ページの角度位置へと引き込まれる。しかして、再生対象ページへの引き込みが終了すると、シャッター１０３がＯＮ（遮断）とされる。

しかる後、再生のために露光する時間だけシャッター１０３がＯＦＦとされ、再生対象ページに対する再生処理が行われる（Ｓ２１５）。しかして、当該ページに対する再生処理が終了すると、コントローラ２０は、再生対象とされる全てのページに対する再生が終了したかを判別する（Ｓ２１６）。ここで、当該記録ブロック中にさらに再生すべきページがあれば、Ｓ２１４に戻り、対象ページに対する引き込み処理と再生処理（Ｓ２１５）が行われる。また、他の記録ブロックにさらに再生すべきページがあれば、Ｓ２１３に戻り、再生対象の記録ブロックに対するアクセスがなされた後、再生対象ページに対する引き込み処理（Ｓ２１４）と再生処理（Ｓ２１５）が行われる。

本実施例によれば、記録／再生動作に先立って、基準チルトホログラムを用いたラジアルチルト方向のチルト補正が行われる。よって、円滑な記録再生動作を実現できる。

また、かかるチルト補正の際にタンジェンシャルチルト方向の基準角度Ｓｔが併せて取得される。本実施例では、この基準角度Ｓｔをもとに、記録時におけるタンジェンシャルチルト方向の参照光の入射角度が設定される（図６のＳ１１４）。したがって、記録時におけるタンジェンシャルチルト方向の参照光の入射角度と基準チルトホログラムによる参照光のタンジェンシャルチルト方向の基準角度の関係は、異なるホログラフィックメモリ間において一律となる。よって、再生時に、本実施例（図７のＳ２１４）のように、まず基準角度Ｓｔを取得し、これをもとに、ページ引き込み時のイニシャル角度を設定するようにすると、このイニシャル角度を、装着されたホログラフィックメモリにとって適正なものとすることができ、よって、再生対象ページへの引き込み処理を迅速かつ円滑に行うことができる。

[実施例２]
上記実施例１では、タンジェンシャルチルト方向における参照光の入射角度を基準角度Ｓｔに固定して基準チルトホログラムを形成するようにした。そして、この基準チルトホログラムに対するタンジェンシャルチルト方向の参照光の入射角度を変化させつつ、入射角度毎に全受光光量を検出し、全受光光量が最大となる入射角度を、タンジェンシャルチルト方向の基準角度Ｓｔとして取得した。

これに対し、本実施例では、上記実施例１における基準チルトホログラム（以下、本実施例では、特に、「Ｒａ−基準チルトホログラム」という）の他に、基準角度Ｓｔを取得するための基準チルトホログラム（以下、「Ｔｎ−基準チルトホログラム」という）をホログラフィックメモリに形成する。

かかるＴｎ−基準チルトホログラムは、Ｒａ−基準チルトホログラムと同様、ユーザデータの記録に支障がない位置、たとえば、ホログラフィックメモリ１０の最内周位置または最外周位置に形成するのが好ましい。

図８に、Ｔｎ−基準チルトホログラムの形成方法を示す。

図８上段を参照して、Ｔｎ−基準チルトホログラムは、ホログラフィックメモリ材料層に対する参照光の入射角度をタンジェンシャルチルト方向に所定角度ずつ傾けながら、所定の信号パターンを角度多重にてホログラフィックメモリ材料層に記録することによって形成される。

図８の例では、角度多重の際、参照光のタンジェンシャルチルト方向の入射角は、基準角度（タンジェンシャルチルト＝０度）から±０．２度の範囲において、０．０１度ずつ変更される（以下、基準角度に対するこの入射角度の差分を「タンジェンシャルチルト角」という）。このとき、ラジアルチルト方向における参照光の入射角度は一定（基準角度）とされる。

各タンジェンシャルチルト角における信号光の変調パターンは、同図の下表に示すようにして設定される。すなわち、タンジェンシャルチルト角＝−０．２度のとき、信号光の変調パターンは、空間光変調器１０８の全ての画素位置がデータ“０”となるパターンとされる。タンジェンシャルチルト角が−０．２度から＋０．０１度される毎に、空間光変調器１０８の画素領域の一方の端から、全領域の１／２０ずつ、データ“１”の画素領域が増加する。そして、タンジェンシャルチルト角＝０度のときには、信号光の変調パターンは、空間光変調器１０８の全ての画素位置にてデータ“１”となるパターンとされる。さらに、タンジェンシャルチルト角が０度から＋０．０１度される毎に、空間光変調器１０８の画素領域の前記一方の端から、全領域の１／２０ずつ、データ“０”の画素領域が増加する。そして、タンジェンシャルチルト角＝＋０．２度のときには、信号光の変調パターンは、空間光変調器１０８の全ての画素位置がデータ“０”となるパターンとされる。なお、図８の下表の「信号光の変調パターン」の欄には、空間光変調器１０８の画素領域を横長に引き伸ばして示してある。

このようにして記録されたＴｎ−基準チルトホログラムに対して、参照光のみを、各タンジェンシャルチルト角にて入射させると、ＣＯＭＳイメージセンサ１１３上に、各タンジェンシャルチルト角に対応する変調パターンの強度分布が現れる。なお、この場合には、ラジアルチルト方向における参照光の入射角度を、Ｔｎ−基準チルトホログラムの記録時に設定された入射角度（基準角度）に合わせておく必要がある。このようにしてＣＭＯＳイメージセンサ１１３にて受光される光の強度分布を、上記図５の場合と同様にして処理することにより、タンジェンシャルチルト方向の基準角度Ｓｔを取得することができる。

なお、ラジアルチルト方向の基準角度Ｓｒは、Ｒａ−基準チルトホログラムを用いながら、上記実施例１と同様の処理を実行することにより取得される。

図９に、基準角度Ｓｔ、Ｓｒの取得／設定処理時の処理フローチャートを示す。なお、この処理は、記録／再生動作に先立って行われる。

処理が開始されると、シャッター１０３およびシャッター１０５がＯＮ（遮断）とされ（Ｓ３０１）、光ヘッド１３がまずＴｎ−基準チルトホログラムの記録位置にアクセスされる（Ｓ３０２）。次に、シャッター１０３がＯＦＦ（通過）とされ、参照光がホログラフィックメモリ１０に照射される（Ｓ３０３）。このとき、チルトアクチュエータ１９によって、ステッピングモータ１７の回転軸が一定範囲内において回動され、ラジアルチルト方向における参照光の入射角度が変化される。そして、各入射角度におけるＣＭＯＳイメージセンサ１１３の全受光光量が逐次取得される（Ｓ３０４）。

しかる後、シャッター１０３がＯＮ（遮断）とされ、ホログラフィックメモリ１０に対する参照光の照射が中止される（Ｓ３０５）。そして、Ｓ３０４にて取得した全受光光量が大小比較され、最も受光光量の大きい入射角度に参照光の入射角度が設定される（Ｓ３０６）。

次に、再び、シャッター１０３がＯＦＦ（通過）とされ、参照光がホログラフィックメモリ１０に照射される（Ｓ３０７）。このとき、ガルバノミラー１１０が一定範囲内において回動され、タンジェンシャルチルト方向における参照光の入射角度が変化される。そして、各入射角度におけるＣＭＯＳイメージセンサ１１３の受光光量Ａ、Ｂ（図５参照）が逐次取得され、その都度、光量Ａ−光量Ｂと、光量Ａ＋光量Ｂが算出される（Ｓ３０８）。

しかる後、シャッター１０３がＯＮ（遮断）とされ、ホログラフィックメモリ１０に対する参照光の照射が中止される（Ｓ３０９）。そして、Ｓ３０８にて算出した算出結果が参照され、このうち、光量Ａ−光量Ｂ＝０、且つ、光量Ａ＋光量Ｂ≧Ｌ２（Ｌ２：閾値）となる入射角度がタンジェンシャルチルト方向における参照光の基準角度に対応する入射角度（基準角度Ｓｔ）として取得される（Ｓ３１０）。

このようにしてタンジェンシャルチルト方向の基準角度Ｓｔが取得されると、次に、タンジェンシャルチルト方向における参照光の入射角度がこの基準角度Ｓｔに設定された後（Ｓ３１１）、光ヘッド１３がＲａ−基準チルトホログラムの位置にアクセスされる（Ｓ３１２）。そして、再び、シャッター１０３がＯＦＦ（通過）とされ、参照光がホログラフィックメモリ１０に照射される（Ｓ３１３）。このとき、チルトアクチュエータ１９によって、スピンドルモータ１７の回転軸が一定範囲内において回動され、ラジアルチルト方向における参照光の入射角度が変化される。そして、各入射角度におけるＣＭＯＳイメージセンサ１１３の受光光量Ａ、Ｂ（図５参照）が逐次取得され、その都度、光量Ａ−光量Ｂと、光量Ａ＋光量Ｂが算出される（Ｓ３１４）。

しかる後、シャッター１０３がＯＮ（遮断）とされ、ホログラフィックメモリ１０に対する参照光の照射が中止される（Ｓ３１５）。そして、Ｓ３１４にて算出した算出結果が参照され、このうち、光量Ａ−光量Ｂ＝０、且つ、光量Ａ＋光量Ｂ≧Ｌ３（Ｌ３：閾値）となる入射角度がラジアルチルト方向における参照光の基準角度に対応する入射角度（基準角度Ｓｒ）として取得される（Ｓ３１６）。

このようにしてラジアルチルト方向の基準角度Ｓｒが取得されると、次に、ラジアルチルト方向における参照光の入射角度がこの基準角度Ｓｒに設定される（Ｓ３１７）。そして、光ヘッド１３が記録対象または再生対象のブロック位置にアクセスされ、その後、上記実施例１と同様の記録／再生処理が実行される。

本実施例によれば、Ｔｎ−基準チルトホログラムを用いて、タンジェンシャルチルト方向における参照光の基準角度Ｓｔを取得するようにしたため、かかる基準角度Ｓｔを上記実施例１に比べより精度よく取得することができる。また、このように基準角度Ｓｔの精度が向上するため、タンジェンシャルチルト方向の参照光の入射角度をこの基準角度Ｓｔに設定しつつ行われるラジアルチルト方向における参照光の基準角度Ｓｒの取得処理もまた、上記実施例１に比して円滑かつ精度の良いものとすることができる。

[実施例３]
上記実施例２では、基準角度Ｓｔ、Ｓｒの取得を、共に、図５に示す手法に従って行うようにした。これに対し、本実施例では、基準角度Ｓｔ、Ｓｒの取得を、共に、参照光をタンジェンシャルチルト方向およびラジアルチルト方向に変化させたときの全受光光量の大きさを参照して行うようにしている。

本実施例では、基準チルトホログラムの形成時、タンジェンシャルチルト方向およびラジアルチルト方向における参照光の入射角度は変化されず、一つの基準角度に固定される。そして、この基準角度にて参照光を入射させながら、１種類の信号パターン（どのようなパターンでも良い）のみが記録され、これにより、基準チルトホログラムがホログラフィックメモリ１０に形成される。

図１０に、基準角度Ｓｔ、Ｓｒの取得および設定処理時の処理フローチャートを示す。なお、この処理は、記録／再生動作に先立って行われる。

処理が開始されると、シャッター１０３およびシャッター１０５がＯＮ（遮断）とされ（Ｓ４０１）、光ヘッド１３が基準チルトホログラムの記録位置にアクセスされる（Ｓ４０２）。次に、シャッター１０３がＯＦＦ（通過）とされ、参照光がホログラフィックメモリ１０に照射される（Ｓ４０３）。このとき、ガルバノミラー１１０が一定範囲内において回動され、タンジェンシャルチルト方向における参照光の入射角度が変化される。そして、各入射角度におけるＣＭＯＳイメージセンサ１１３の全受光光量が逐次取得される（Ｓ４０４）。

しかる後、シャッター１０３がＯＮ（遮断）とされ、ホログラフィックメモリ１０に対する参照光の照射が中止される（Ｓ４０５）。そして、Ｓ４０４にて取得した全受光光量が大小比較され、最も受光光量の大きい入射角度がタンジェンシャルチルト方向における参照光の基準角度に対応する入射角度（基準角度Ｓｔ）として取得される（Ｓ４０６）。

次に、参照光の入射角度がＳ１０６にて設定された基準角度Ｓｔに設定された後（Ｓ４０７）、再び、シャッター１０３がＯＦＦ（通過）とされ、参照光がホログラフィックメモリ１０に照射される（Ｓ４０８）。このとき、チルトアクチュエータ１９によって、スピンドルモータ１７の回転軸が一定範囲内において回動され、ラジアルチルト方向における参照光の入射角度が変化される。そして、各入射角度におけるＣＭＯＳイメージセンサ１１３の全受光光量が逐次取得される（Ｓ４０９）。

しかる後、シャッター１０３がＯＮ（遮断）とされ、ホログラフィックメモリ１０に対する参照光の照射が中止される（Ｓ４１０）。そして、Ｓ４０９にて取得した全受光光量が大小比較され、最も受光光量の大きい入射角度がラジアルチルト方向における参照光の基準角度に対応する入射角度（基準角度Ｓｒ）として取得される（Ｓ４１１）。しかる後、ラジアルチルト方向における参照光の入射角度がこの基準角度Ｓｒに設定される（Ｓ４１２）。そして、光ヘッド１３が記録対象または再生対象のブロック位置にアクセスされ、その後、上記実施例１と同様の記録／再生処理が実行される。

本実施例によれば、基準チルトホログラムの構成を簡素なものにすることができる。また、基準角度Ｓｔ、Ｓｒの取得／設定処理を簡易化することができる。

以上、本発明に係る実施例について説明したが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、他に種々の変更が可能であることは言うまでもない。

たとえば、信号光と参照光を発するための光源は、半導体レーザ１０１に限定されるものではなく、たとえば、ＳＨＧレーザであっても良い。

また、シャッター１０３、１０５はメカニカルシャッターに限定されるものではなく、液晶シャッターであっても良い。

また、空間光変調器１０８は、液晶とミラーを組み合わせたものに限定されるものではなく、ＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）であっても良い。また、空間光変調器１０８を液晶のみから構成される光透過型の空間光変調器とすることもできる。この場合、この空間光変調器は、図１の光学系において、シャッター１０５の後段に配される。

また、リレーレンズ１１１に代えて、ミラーを２枚以上組み合わせて参照光の入射位置を調整することもできる。

さらに、干渉光を受光する光検出器は、ＣＭＯＳイメージセンサ１１３に限定されるものではなく、たとえばＣＣＤイメージセンサであっても良い。

また、多重方式は、角度多重に限定されるものではなく、その他の多重方式、あるいは種々の多重方式の組み合わせであっても良い。

さらに、ホログラフィックメモリ１０のラジアル方向のステップ送りは、ステッピングモータ１７をステップ送りする構成に限らず、光ヘッド１３の方をホログラフィックメモリ１０のラジアル方向に送る構成を用いることもできる。

また、上記実施例では、チルトアクチュエータ１９にてステッピングモータ１７をラジアルチルト方向に駆動するようにしたが、光学ヘッド１３をラジアルチルト方向に駆動するようにしても良い。

さらに、上記実施例では、図４に示す如くして信号光の変調パターン（データ“０”の画素領域とデータ“１”の画素領域）を変化させるようにしたが、図１１（ａ）〜（ｃ）に示す如くして信号光の変調パターンを変化させるようにしても良い。なお、図中、黒ハッチ部分がデータ“０”の画素領域である。この場合、ＣＭＯＳイメージセンサ１１３の受光領域は各図の右端に示すように分割される。そして、領域Ａの受光光量（光量Ａ）と領域Ｂの受光光量（光量Ｂ）が図５に示す場合と同様にして演算処理され、その演算結果をもとに、上記実施例１ないし３に説明した如くして、基準角度Ｓｔ、Ｓｒが取得される。

なお、基準チルトホログラムは、ホログラフィックメモリの製造業者において、予め、ホログラフィックメモリに記録するようにしてもよく、あるいは、製造業者では記録せずに、ユーザサイドで最初に記録を行う際に、そのユーザのホログラフィックメモリ装置において、ホログラフィックメモリに記録するようにしても良い。

また、上記実施例には、透過型のホログラムメモリを用いるホログラムメモリ装置を示したが、本発明は、反射型のホログラムメモリ装置にも適用可能である。

この他、干渉縞を定着させる処理が必要な場合には、記録動作に次いで、適宜、定着処理が行われる。かかる定着処理は、参照光を定着用の光として用いる方法の他、専用のレーザ光を別に配する方法等、種々の方法を用いることができる。

本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。

実施例１に係るホログラムメモリ装置の光学系を示す図 実施例１に係るホログラムメモリ装置の構成を示す図 実施例１に係る光学ヘッドとホログラフィックメモリの関係を示す図 実施例１に係る基準チルトホログラムの形成方法を示す図 実施例１に係る基準角度Ｓｒの取得方法を説明する図 実施例１に係るホログラムメモリ装置の記録動作を示すフロー図 実施例１に係るホログラムメモリ装置の再生動作を示すフロー図 実施例２に係るＳｔ−基準チルトホログラムの形成方法を示す図 実施例２に係る基準角度Ｓｔ、Ｓｒの取得処理を示すフロー図 実施例３に係る基準角度Ｓｔ、Ｓｒの取得処理を示すフロー図 実施例に係る基準チルトホログラムの変更例を示す図 干渉縞とチルトの関係を説明する図

符号の説明

１０ ホログラフィックメモリ
１３ 光学ヘッド
１６ サーボ回路
１９ チルトアクチュエータ
２０ コントローラ
１０８ 空間光変調器
１１０ ガルバノミラー
１１３ ＣＭＯＳイメージセンサ

Claims (16)

1. 所定方向における参照光の入射角度または参照光と信号光の入射角度を規定するための基準情報がホログラム原理によって記録されている、
   ことを特徴とするホログラフィックメモリ媒体。
2. 請求項１において、
   前記基準情報は、前記所定方向に角度を変化させながら、該角度に応じて変化する複数種類の信号パターンを、一つの領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録されている、
   ことを特徴とするホログラフィックメモリ媒体。
3. 請求項２において、
   前記基準情報は、参照光と信号光の光軸を含む面の面内方向における前記参照光と信号光の入射角度を固定しつつ、前記所定方向にこれら参照光と信号光の入射角度を変化させて、前記複数種類の信号パターンを、前記一つの領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録されている、
   ことを特徴とするホログラフィックメモリ媒体。
4. 請求項１において、
   前記基準情報は、前記所定方向の角度を固定して、一種類の信号パターンを、一つの領域に記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録されている、
   ことを特徴とするホログラフィックメモリ媒体。
5. 請求項４において、
   前記基準情報は、参照光と信号光の光軸を含む面の面内方向における前記参照光と信号光の入射角度を固定するとともに、前記所定方向におけるこれら参照光と信号光の入射角度を固定して、前記一種類の信号パターンを、前記一つの領域に記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録されている、
   ことを特徴とするホログラフィックメモリ媒体。
6. 請求項１において、
   第１の方向における照射レーザ光の入射角を規定する第１の基準情報と、前記第１の方向とは異なる第２の方向における照射レーザ光の入射角を規定する第２の基準情報が、互いに異なる位置に、ホログラム原理によって記録されている、
   ことを特徴とするホログラフィックメモリ媒体。
7. 請求項６において、
   前記第１の方向は、参照光と信号光の光軸を含む面の面内方向であり、
   前記第２の方向は、前記面に垂直な面の面内方向である、
   ことを特徴とするホログラフィックメモリ媒体。
8. 請求項６または７において、
   前記第１の基準情報は、前記第１の方向に角度を変化させながら、該角度に応じて変化する複数種類の信号パターンを、第１の領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録され、
   前記第２の基準情報は、前記第２の方向に角度を変化させながら、該角度に応じて変化する複数種類の信号パターンを、第２の領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録されている、
   ことを特徴とするホログラフィックメモリ媒体。
9. 所定方向における参照光の入射角度または参照光と信号光の入射角度を規定するための基準情報がホログラム原理によって記録されているホログラフィックメモリ媒体に情報を記録し、および／もしくは、該ホログラフィックメモリ媒体から情報を再生するホログラフィックメモリ装置であって、
   前記基準情報の記録位置に参照光を照射して前記基準情報によって規定された参照光の入射角度を検出する検出手段と、
   前記ホログラフィックメモリ媒体に対する前記参照光の入射角度または参照光と信号光の入射角度を、前記検出手段によって検出された入射角度に基づいて調整する角度調整手段とを有する、
   ことを特徴とするホログラフィックメモリ装置。
10. 請求項９において、
    さらに、光検出器を備え、
    前記基準情報は、前記所定方向に角度を変化させながら、該角度に応じて変化する複数種類の信号パターンを、一つの領域に多重記録することにより、前記ホログラフィックメモリ媒体に記録されており、
    前記検出手段は、前記基準情報の記録位置に、前記所定方向に入射角度を変更しつつ、参照光を照射したときの光検出器における受光状態と、前記複数種類の信号パターンの対応関係に基づいて、前記基準情報によって規定された参照光の入射角度を検出する、
    ことを特徴とするホログラフィックメモリ装置。
11. 請求項９において、
    さらに、光検出器を備え、
    前記基準情報は、前記所定方向の角度を固定して、一種類の信号パターンを、一つの領域に記録することにより、前記ホログラフィックメモリ媒体に記録されており、
    前記検出手段は、前記基準情報の記録位置に、前記所定方向に入射角度を変更しつつ、参照光を照射したときの光検出器における受光状態を参照し、前記光検出器における受光光量が最大となる入射角度を、前記基準情報によって規定された参照光の入射角度として検出する、
    ことを特徴とするホログラフィックメモリ装置。
12. 所定方向における参照光の入射角度または参照光と信号光の入射角度を規定するための基準情報を、参照光と信号光を記録層内部で干渉させて、ホログラフィックメモリ媒体に記録する記録手段を有する、
    ことを特徴とするホログラフィック記録装置。
13. 請求項１２において、
    前記基準情報は、前記所定方向に角度を変化させながら、該角度に応じて変化する複数種類の信号パターンを、一つの領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録される、
    ことを特徴とするホログラフィック記録装置。
14. 請求項１３において、
    前記基準情報は、参照光と信号光の光軸を含む面の面内方向における前記参照光と信号光の入射角度を固定しつつ、前記所定方向にこれら参照光と信号光の入射角度を変化させて、前記複数種類の信号パターンを、前記一つの領域に多重記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録される、
    ことを特徴とするホログラフィック記録装置。
15. 請求項１２において、
    前記基準情報は、前記所定方向の角度を固定して、一種類の信号パターンを、一つの領域に記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録される、
    ことを特徴とするホログラフィック記録装置。
16. 請求項１５において、
    前記基準情報は、参照光と信号光の光軸を含む面の面内方向における前記参照光と信号光の入射角度を固定するとともに、前記所定方向におけるこれら参照光と信号光の入射角度を固定して、前記一種類の信号パターンを、前記一つの領域に記録することにより、当該ホログラフィックメモリ媒体に記録される、
    ことを特徴とするホログラフィック記録装置。

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