JP2007251126A - 半導体バッチ加熱組立体 - Google Patents
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- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
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Abstract
【課題】本発明は、主に半導体ウェーハ処理装置に用いるための加熱装置に関する。
【解決手段】バッチ加熱/ウェーハ処理に用いるための加熱処理装置が提供され、ウェーハボートを受けるためのプロセスチャンバと、少なくとも1つの加熱ゾーン用の電気加熱回路を形成するように構成され、連続オーバーコート層内に封入された基板本体を含む少なくとも1つの加熱素子と、ウェーハボート内のウェーハを加熱するために少なくとも1℃/秒の温度変化率を有する加熱素子上に配置された熱反射面を含む熱リフレクタとを備える。
【選択図】図1
【解決手段】バッチ加熱/ウェーハ処理に用いるための加熱処理装置が提供され、ウェーハボートを受けるためのプロセスチャンバと、少なくとも1つの加熱ゾーン用の電気加熱回路を形成するように構成され、連続オーバーコート層内に封入された基板本体を含む少なくとも1つの加熱素子と、ウェーハボート内のウェーハを加熱するために少なくとも1℃/秒の温度変化率を有する加熱素子上に配置された熱反射面を含む熱リフレクタとを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、主に半導体ウェーハ処理装置に用いるための加熱装置に関する。
シリコンウェーハの高温処理は、最新のマイクロエレクトロニクス装置を製造するのに重要である。シリサイド形成、注入アニール、酸化、拡散駆動及び化学蒸着(CVD)を含むこのようなプロセスは、マルチウェーハバッチ炉又はシングルウェーハ急速加熱装置のいずれにおいても、約300℃から1200℃に及ぶ温度で実施することができる。これらの段階は通常、チャンバ内の温度、圧力、及び気体流を極めて精密に制御することが必要である。従来技術の一実施形態では、処理段階は、ウェーハが高スループットのバッチモードで処理される管状炉内で行われる。
従来技術の通常のバッチ炉では、電気加熱素子が一般に用いられる。金属コイル素子のような電気加熱素子は、通常、温度サイクルを受けると本質的に亀裂及び粒子を発生する作用の影響を受けやすい、例えば焼結アルミナ又は窒化アルミニウム等のセラミック材料で絶縁される。このようなシステムは熱質量が高く、結果として低い加熱及び冷却速度を生じる。更に、従来のコイル素子の不連続面により、電力密度は、加熱されることになる区域全体にわたって急激に変化する。加えて、温度サイクル中の金属加熱素子とセラミック絶縁体との間の熱膨張が異なるので、従来技術のヒータを使用することにより粒子生成又は不具合が生じる可能性がある。処理手順中に電力が印加される間、通常粒子は半導体基板上に浮遊するので、粒子は一般的には処理上の問題は引き起こさない。しかしながら、処理サイクルの最後に電力が低下すると、粒子を浮遊させる力が消滅し、粒子が落下して半導体基板表面上に到達し、汚染を引き起こす。落下動作は、半導体基板に対する重力及び静電引力の結果とすることができる。焼結セラミック材料を含むヒータを用いる従来のバッチ炉での粒子汚染問題の他に、加熱及び冷却速度の点で信頼性上の問題及び固有の限界もある。焼結セラミックは、高温勾配を受けると熱衝撃の影響を受けやすく、破壊される傾向になる。
望ましくないドーパント拡散、或いは半導体基板表面上に到達するヒータからの粒子が汚染を引き起こす問題を軽減するために、一部の従来の半導体バッチ処理チャンバでは高輝度ランプが用いられる。放射ランプは、瞬時に消すことができるので熱質量が極めて小さく冷却が迅速であることにより、急速加熱が可能である。しかしながら、高輝度ランプの使用する場合、これらが局在エネルギー源であることにより問題に遭遇する可能性がある。従来のバッチ炉などの場合、加熱及び冷却過渡時に温度差が生じるだけでなく、処理中にも不均一性が持続する可能性がある。典型的なランプベースRTPシステムの内壁は、従来のバッチ炉等の場合は通常比較的低温であり、均一な平衡プロセス温度までは加熱されない。より大きな直径ウェーハでは、ウェーハ全体にわたり均一な温度を維持するのが困難な場合がある。他のシステムでは、これらのシステムは複数のウェーハのボートに対してウェーハ毎に均一に加熱することはできない。多くのランプは、円形ウェーハに対して均一な熱を提供する際に効果のない線形フィラメントを用いる。処理中に温度の不均一性を動的に検出し、積極的に加熱を調節する必要がある場合がある。結果としてこれは、複雑な温度測定システムを必要とする可能性がある。更に、ランプ及び他の構成部品の経年変化及び劣化に起因する幾つかのランプベースシステムにおいて問題が生じる可能性がある。結果として、再現性能を維持するのが困難なものとなり、部品の頻繁な交換が必要となる可能性がある。
汚染及び均一性の問題の他に、従来技術のバッチシステムにおける適合限界がある。半導体ウェーハ処理用のバッチシステムは、多くの場合円形のウェーハによって駆動される円筒形状を有する。加熱システムの幾何形状は、多くの場合基板の幾何形状に適合させるようにする。従来技術の抵抗ヒータでは、セラミック絶縁体に埋め込まれた金属コイル素子は、連続加熱面を提供しない。ランプのアレイを用いたシステムは、典型的には円筒型加熱表面を提供することはできない。
本発明は、複数のウェーハに対して高速で均一なエネルギー効率並びに汚染の無い加熱及び冷却を提供することができると同時に、バッチ処理装置において望ましい設計の柔軟性を可能にする半導体処理システムに関する。
米国特許第5,343,022号公報
米国公開特許2004−0074899A1号公報
米国公開特許2004−0173161A1号公報
一実施形態では、本発明は、複数のウェーハを処理するためのウェーハボート配置用の内部を有するチャンバと、外部に配置されてチャンバの外部に適合し、外側に配置され300℃−800℃の範囲内の少なくとも40℃/分のヒータ温度変化率でチャンバ内に収容された複数のウェーハを加熱するための少なくとも1つの放射ヒータとを備え、該ヒータが少なくとも1つのゾーンを形成する複数の回路内にパターン形成された少なくとも1つの抵抗加熱素子を有し、少なくとも1つのゾーンを独立制御により加熱し、パターン形成された抵抗加熱素子の少なくとも一部が、B、Al、Si、Ga、耐熱性超硬合金、遷移金属、及び希土類金属からなるグループから選択された元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物、又は複合体及び/又はこれらの組合せのうちの少なくとも1つを含む誘電絶縁層でコーティングされ、ウェーハボートを収容するチャンバに面するヒータ側と反対側にあるヒータの外部側に配置された少なくとも1つの熱シールドと、該熱シールドの外側に配置された絶縁エンクロジャとを備えるバッチ処理装置に関する。
一態様では、放射ヒータは、封入材を有するグラファイトコアを含み、該封入材が、グラファイトコアをコーティングする実質的に連続な平面を形成し、B、Al、Si、Ga、耐熱性超硬合金、遷移金属、及び希土類金属からなるグループから選択された元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物、又は複合体及び/又はこれらの組合せ;NaZr2(PO4)3のNZP構造を有する高温安定化リン酸ジルコニウム;元素周期律表の2a族、3a族及び4a族の元素からなるグループから選択された少なくとも1つの元素を含むガラスセラミック組成物;SiO2と、Y、Sc、La、Ce、Gd、Eu、Dy又は同様のものの酸化物を含むプラズマ抵抗材料との混合物から選択された材料の薄いシェルである。
一態様における本発明は、少なくとも1つのゾーンを形成する複数の回路内にパターン形成された少なくとも1つの抵抗加熱素子を有し、少なくとも1つのゾーンを独立制御で加熱するヒータを用いる、バッチ処理装置内で複数のウェーハを加熱する方法に関し、抵抗加熱素子の表面の少なくとも一部分は、300℃−800℃の範囲内の少なくとも40℃/分のヒータ温度変化率で、最高800℃の温度までウェーハ基板を加熱するため、B、Al、Si、Ga、耐熱性超硬合金、遷移金属、及び希土類金属からなるグループから選択された元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物、又は複合体及び/又はこれらの組合せの少なくとも1つを含む誘電体絶縁層でコーティングされる。
本明細書で用いられる類似の用語は、関連する基本機能の変化を生じることなく変えることができるあらゆる定量的表現を修飾するのに適用することができる。従って、「約」及び「実質的に」などの1つ又は複数の用語が修飾する数値は、場合によっては特定された正確な数値に限定されない場合がある。
用語「抵抗ヒータ」は、「ヒータ」又は「加熱素子」と同義的に用いることができ、当該用語は、1つ又は複数の品目が存在することができることを示す単数形又は複数形とすることができる。本明細書で用いられるように、「熱シールド」は「熱リフレクタ」又は「放射バッフル」と同義的に用いられる。
本明細書で用いられる「ウェーハ基板」又は「基板」は、複数形で用いられるが、該用語は1つ又は複数の基板を用いることができ、「ウェーハ」を「基板」と同義的に用いることができることを示すのに用いられる。同様に「加熱プレート」、「加熱素子」、「コーティング層」、「反射素子」又は「リフレクタ」は、複数形で用いることができるが、これらの用語は1つ又は複数の品目を用いることができることを示すのに用いられる。
「バッチ処理チャンバ」は、「バッチ加熱組立体」又は「バッチ炉」と同義的に用いることができ、内部に収容された複数の基板(ウェーハ)を有する真空下の封入チャンバを備え、1つ又はそれ以上のヒータによって300℃−800℃の温度まで封入チャンバが加熱されている組立体を意味する。
本発明は、封入固体物を含む抵抗ヒータが用いられる半導体バッチ処理チャンバに関する。本発明のバッチ加熱システムは、セラミック封入グラファイトヒータの低熱質量及び純度に基づく、複数ウェーハの高速で均一な比較的汚染のない熱処理を可能にする。組立体は、封入チャンバ内に収容されたウェーハのボートを均一に加熱するように配置された1つ又は複数のセラミックヒータを含み、セラミックヒータは熱シールドのような低熱質量の絶縁体によって囲まれる。
バッチ処理チャンバ:
図1は、縦型加熱処理装置用の本発明のバッチ炉の一実施形態を示す。バッチ炉は、プロセスに必要な環境条件(圧力レベル、気体流レベル、その他)を維持する封入チャンバ1を含む。一実施形態では、チャンバ1は、ウェーハ3の汚れを低減する高純度水晶材料で作られる。一実施形態(図示せず)では、プロセスチャンバ1は、内管及び外管を備えた管状又は二重構造タイプの形態である。複数のウェーハ3は、処理中のウェーハの配置のために複数の支持体又は棚部を有するウェーハボート2内に装荷される。一実施形態では、ウェーハボート2は、ベースプレート5を通って延びるシャフト4によって支持される。シャフト4は、ウェーハ3の装荷/非装荷のためにウェーハボートをプロセスチャンバ1の内及び外に移動させることができる。シャフト4は、通常シャフトの軸の周りを回転し、ウェーハ3上のあらゆるプロセスの不均一性を平均化する。気体流を含むプロセス用において、気体吸入口及び排気口は、ベースプレート5内又はプロセスチャンバ壁1内に配置することができる。
図1は、縦型加熱処理装置用の本発明のバッチ炉の一実施形態を示す。バッチ炉は、プロセスに必要な環境条件(圧力レベル、気体流レベル、その他)を維持する封入チャンバ1を含む。一実施形態では、チャンバ1は、ウェーハ3の汚れを低減する高純度水晶材料で作られる。一実施形態(図示せず)では、プロセスチャンバ1は、内管及び外管を備えた管状又は二重構造タイプの形態である。複数のウェーハ3は、処理中のウェーハの配置のために複数の支持体又は棚部を有するウェーハボート2内に装荷される。一実施形態では、ウェーハボート2は、ベースプレート5を通って延びるシャフト4によって支持される。シャフト4は、ウェーハ3の装荷/非装荷のためにウェーハボートをプロセスチャンバ1の内及び外に移動させることができる。シャフト4は、通常シャフトの軸の周りを回転し、ウェーハ3上のあらゆるプロセスの不均一性を平均化する。気体流を含むプロセス用において、気体吸入口及び排気口は、ベースプレート5内又はプロセスチャンバ壁1内に配置することができる。
実際のプロセスが開始できる前に、ウェーハは、ウェーハボート上に装荷する必要がある。同様に、プロセスの最後に、ウェーハをボートから非装荷する必要があり、新規のウェーハを装荷する必要がある。ウェーハの装荷/非装荷は通常、プロセス温度よりもかなり低い温度で実施される。従って、ウェーハがウェーハボート上に装荷されると、装荷/非装荷温度からプロセス温度まで炉を加熱する必要がある。炉内の条件が均一な結果の定常状態に到達するのを待機する必要性があるので、所要の処理時間が長くなる。同様に、プロセスの最後にウェーハを非装荷可能となる前に、炉を冷却する必要がある。炉を加熱し冷却するのに要する時間は、全サイクル時間の大きな部分を占める可能性があり、スループットを高めるために最小限にする必要がある。全時間温度サイクルにおけるウェーハ内へのエネルギー入力は、サーマルバジェットと呼ばれることが多い。必要な長い処理時間は、プロセスレシピのサーマルバジェットによって課された限度に違反する可能性がある。
バッチ加熱組立体の一実施形態では、ウェーハ3は、抵抗加熱素子6a−6cによってプロセス温度まで加熱される。これらの抵抗加熱素子は、低熱質量の絶縁体内に収納されたセラミック封入グラファイトヒータであり、該絶縁体の役割は、環境に対する熱損失を低減し、システム効率を最適化することである。セラミック封入グラファイトヒータ6a−6cは、処理されるべきウェーハ3を含むウェーハボート2を収納する水晶チャンバ1の周りに配置される。
ウェーハ3上でより良好な温度均一性を達成する一実施形態では、複数のヒータを用いて、幾つかの加熱ゾーン6a−6cを生成し、その電力密度は独立して制御することができる。各加熱ゾーンは、1つ又は複数のヒータからなることができる。大きなサイズの加熱ゾーンは、直列又は並列で幾つかのヒータを互いに装着し、単一の温度制御器を用いてこれらのヒータに電力を供給することによって生成することができる。
熱シールド7a−7cは、熱損失を減少させるためにヒータの周りに隣接して配置される。一実施形態では、シールドは、ヒータと直接接触している。別の実施形態では、シールドとヒータとの間に5mmから20mmまでのギャップがある。熱シールドは、これらの熱シールドがセラミックヒータによって放射された熱を反射してチャンバの外側に移送される熱を最小にするので、加熱速度を効果的に増大させ、プロセスのサーマルバジェットを減少させる。図1に示すように、熱シールドは、ヒータの外側に配置される。他の実施形態では、熱シールドは、水晶チャンバの上又は下に位置決めされ、ウェーハボートの上部又は底部を通る熱損失を減少させ、ウェーハのバッチ全体にわたって良好な熱均一性を維持するのに役立つことができる。
一実施形態では、熱シールドは、アルミニウム、ステンレス鋼、モリブデン、タンタル、その他の高反射性金属を含む。第2の実施形態では、熱シールドは、熱分解窒化ホウ素、窒化アルミニウム、その他のようなセラミック材料を含む、熱を反射するあらゆる材料で作られる。一実施形態では、熱シールドの表面は、熱シールドの反射性を増大させるために研磨される。反射性が高くなるほど、より多くの熱がヒータ上に反射され、システムの熱効率がより高くなる。一実施形態では、熱シールドは、0.001インチから0.05インチまでの厚さの薄い金属箔又は層を含む。これらは非常に薄いために、熱シールドは、本質的に非常に低い熱質量を有し、加熱及び冷却が有利である用途に対して熱シールドを理想的なものにする。
一実施形態では、熱シールド7a−7cは、耐プロセス性があり、一般に銅のような汚染されない金属メッキセラミック、金属化ガラス、及び同様のもの等の絶縁体を更に含む。
粒子汚染を低下させるための高速温度変化率抵抗ヒータ:
例えば汚染なし又は殆ど汚染なしである粒子汚染が減少したバッチ加熱組立体の一実施形態では、抵抗ヒータ6a−6cは、電気加熱回路の少なくとも1つのゾーンを定める電流路のパターンで構成された加熱表面と、基板としてパターン形成本体を封入する誘電体絶縁コーティング層とを有する基板本体を含む。
例えば汚染なし又は殆ど汚染なしである粒子汚染が減少したバッチ加熱組立体の一実施形態では、抵抗ヒータ6a−6cは、電気加熱回路の少なくとも1つのゾーンを定める電流路のパターンで構成された加熱表面と、基板としてパターン形成本体を封入する誘電体絶縁コーティング層とを有する基板本体を含む。
一実施形態では、加熱素子6a−6cの基板本体はグラファイトを含む。別の実施形態では、基板本体は、水晶、窒化ホウ素、焼結窒化アルミニウム、焼結窒化ケイ素、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムの焼結体、並びにモリブデン、タングステン、タンタル、レニウム、及びニオビウムのグループから選択された耐熱金属のうちの1つから選択された材料を含む。本発明の加熱素子6a−6cの表面は、実質的に連続であり、電気接続に必要な表面以外のパターン形成熱発生抵抗器を気密シールするため1つ又は複数のオーバーコート層でコーティングされることで、短路及び電位変化の発生を防ぎグラファイトダスト及び粒子のない、実質的に連続した平面を保証する。
一実施形態では、コーティング層は、B、Al、Si、Ga、耐熱性超硬合金、遷移金属、及び希土類金属、或いはこれらの複合体及び/又は組合せからなるグループから選択された元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物の少なくとも1つからなる。
一実施形態では、抵抗加熱素子6a−6cのコーティング層は、NaZr2(PO4)3のNZP構造を有する高温安定化リン酸ジルコニウム、並びに同じ結晶構造を有する関連の等構造リン酸塩及びケイリン酸塩を含む。別の実施形態では、保護コーティング層25は、元素周期律表の2a族、3a族及び4a族の元素からなるグループから選択された少なくとも1つの元素を含むガラスセラミック組成物を含む。本明細書で呼ばれる2a族とは、Be、Mg、Ca、Sr及びBaを含むアルカリ土類金属素子を意味する。本明細書で呼ばれる3a族は、Sc、Y又はランタノイド元素を意味する。本明細書で呼ばれる4a族は、Ti、Zr又はHfを意味する。コーティング層25として用いるための好適なガラスセラミック組成物の実施例は、限定ではないが、ランタンアルミノシリケート(LAS)、マグネシウムアルミノシリケート(MAS)、カルシウムアルミノシリケート(CAS)、及びイットリウムアルミノシリケート(YAS)を含む。一実施形態では、保護コーティング層25は、SiO2の混合物と、Y、Sc、La、Ce、Gd、Eu、Dy、又は同様のものの酸化物、或いはこれらの金属の1つのフッ化物、もしくはイットリウム−アルミニウム−ガーネット(YAG)を含むプラズマ抵抗材料とを含む。このような金属の酸化物の組合せ、及び/又はアルミニウム酸化物との金属酸化物の組合せを用いてもよい。別の実施形態では、保護コーティング層25は、1600℃よりも低い融点及び884℃から895℃までの狭い範囲内のガラス遷移温度(TG)に対して、25重量%から55重量%にわたるイットリア含有量を有する、Y2O3−Al2O3−SiO2(YAS)に基づく。複数のコーティング層を有する抵抗ヒータの一実施形態では、外側コーティングは第1のコーティング層と同じ材料又は異なる材料とすることができる。
グラファイトコアを有する抵抗ヒータ6a−6cの一実施形態では、グラファイト本体によって形成された電気パターンは、例えばスパイラル又は蛇行、スパイラルコイル、ジグザグ、迷路パターン、その他の電気加熱回路の少なくとも1つのゾーンの電流路を形成するための種々のサイズ及び形状のものとすることができる。グラファイト本体の厚さは、従来技術の公知の電気計算から、すなわちグラファイトベース10に対して設計されている電気経路の厚さと共に、蛇行電気経路の長さ、幅、及び厚さに基づいて求めることができる。一実施形態では、グラファイトベース10は、少なくとも0.05インチの厚さを有する。第2の実施形態では、少なくとも約0.10インチ。一実施形態では、電気接触は、コーティング層により機械加工され、外部電源に接続するための接触位置でグラファイトを露出する。或いは、電気接触拡張は、最終コーティングプロセス前に最初にグラファイトベースに機械加工されるか、又は全コーティング動作の前に加えることができる。
抵抗ヒータ6a−6cの一実施形態では、コーティング材料は、炭素、ケイ素、又はY2O3等の材料で非ドープされた形態、或いはドープされた形態の熱分解窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化チタンアルミニウム、窒化チタン、炭窒化チタンアルミニウム、炭化チタン、炭化ケイ素、及び窒化ケイ素のうちの1つである。pBN及びAINは両方とも、優れた絶縁及び伝導特性を有し、気相から容易に堆積させることができる。これらはまた、高温安定性を有する。更にこれらは、熱分解グラファイトベース(黒)とは異なる色(白)を有し、従って電気パターンの形成段階において、コーティング層をパターンから容易に視覚的に識別することができる。
様々な方法を用いて、拡張熱プラズマ(ETP)、イオンメッキ、プラズマ化学気相成長法(PECVD)、金属有機化学気相成長法(MOCVD)(有機金属化学気相成長法(OMCVD)とも呼ばれる)、金属有機気相エピタキシー(MOVPE)、スパッタリングのような物理蒸着プロセス、反応性電子ビーム(e−ビーム)蒸着、ペインティング後加熱(比較的厚いコーティング層用)、溶射、及びプラズマ溶射を含む抵抗ヒータの本体/基板上に1つ又は複数の層を堆積することができる。各層が異なる方法で堆積されている状態で、ヒータの基板上に複数のコーティング層用にこれらの方法を組合せることができる。一実施形態では、コーティング層の厚みは0.005インチから0.10インチまでである。第2の実施形態では、コーティング層は約0.01インチから0.05インチまでである。第3の実施形態では、コーティング層の厚みは、約0.02インチよりも小さな厚さである。更に第4の実施形態では、コーティング層は、厚さが約0.1インチから0.03インチまでの範囲の実質的に連続した平面層である。
特許文献1に記載される加熱素子の一実施例では、加熱素子は、加熱素子を形成する基板上に配置されたパターン形成熱分解グラファイト層と、パターン形成プレートを封入する少なくとも1つのコーティング層とを有する基板として熱分解窒化ホウ素(pBN)を含む。特許文献2に記載された加熱素子の別の実施例では、加熱素子は、窒化、炭化、炭窒化又は酸窒化化合物又はこれらの混合物の1つを含む少なくとも1つのコーティング層内に封入された、抵抗ヒータ用の電気流路のパターン状に構成されたグラファイト本体を含む。特許文献3に記載された加熱素子の更に別の実施例では、加熱素子は、グラファイト基板と、窒化、炭化、炭窒化又は酸窒化化合物の少なくとも1つを含む第1のコーティングと、抵抗ヒータ用の電気流路を形成するパターン形成グラファイトの第2のコーティング層と、パターン形成基板上の表面コーティング層とを含み、該表面コーティング層はまた、窒化、炭化、炭窒化又は酸窒化化合物の少なくとも1つを含む。pBNがオーバーコート層に用いられる一実施形態では、層厚さは、熱均一性を促進するように最適化され、pBNに固有の高度の熱伝導率の異方性を有利に利用する。第2の実施形態では、複数のオーバーコート層は、熱均一性を促進するのに用いられる。
バッチ組立体に用いるための放射ヒータは、優れた温度変化率すなわち100℃から300℃の間で>40℃/分を有するように特徴付けられる。100℃から300℃の温度範囲の一実施形態では、ヒータは、>60℃/分の温度変化率、別の実施形態では>80℃/秒の温度変化率を有する。更に別の実施形態では、温度変化率は>100℃/分である。第5の実施形態では、温度変化率は>150℃/分である。極端な条件下で熱衝撃に対する優れた耐性を有する他のヒータ、及び、例えば100℃−300℃の温度範囲で>5℃/秒の加熱速度を有する高速熱反応速度も用いることができる。
ヒータは、バッチ加熱装置に用いるのに好適な寸法を有した円筒形状、平面円板、圧盤及び同様のものとすることができる。一実施形態では、各ヒータは、ヒータの最長寸法(例えば、直径、長さ、その他)が2インチから20インチまで、厚さが0.05インチから0.50インチまでである。一実施形態では、ヒータは、長さ2インチ×幅2インチ×厚さ.01mmの寸法を有する円盤とすることができる。円筒型(又は円筒型を形成する部分断面)の第3の実施形態では、円筒型ヒータは、内径2インチから20インチまで、壁0.10インチから0.50インチまで、長さ2インチから40インチまでの寸法を有する。
図2Aは、円筒形状を有するヒータ6a−6cの一実施形態の平面図を示す。図2Bは、図2Aの線A−Aに沿った断面の円筒型ヒータを示し、図2Cは、図2Bに示す丸で囲んだ区域の組立分解図を示す。グラファイト本体又はベース10は、半導体処理用途に好適なあらゆる所望の厚さのものとすることができる。外側コーティング層12は、グラファイトベースボディ10の両面を封入する。別の実施形態では、コーティング層12は、耐食性及び構造的支持のためのグラファイトベースボディ10の上面を単に覆う。パターン13は、外部電源(図示せず)への接続に適合された開口端を有する、スパイラル又は蛇行構成のパターンである。
バッチ加熱組立体の種々の実施形態:
一実施形態では、バッチ加熱システムは、円形ウェーハの幾何形状に適合し、水晶チャンバ周りの連続円筒型加熱表面を形成する。図3は、ヒータ6a−6cの円筒型実施形態の水平断面図である。水晶チャンバをヒータによって完全に囲むことができず、開口が幾つかの半径方向位置で許容される必要がある別の実施形態では、ヒータは、熱シールド(図4参照)によって囲まれた加熱素子の円筒断面を含む。円筒断面は、プロセス又は測定目的のために水晶チャンバへの接近を可能にするように間隔を置いて配置され、該円筒断面は製造の観点から製作が容易である。更に、断面は、幾何形状、気体流、又はあらゆる他の非軸対称外乱によって引き起こされる半径方向の不均一性を伴うプロセスに対応するように設計の柔軟性をもたらす。
一実施形態では、バッチ加熱システムは、円形ウェーハの幾何形状に適合し、水晶チャンバ周りの連続円筒型加熱表面を形成する。図3は、ヒータ6a−6cの円筒型実施形態の水平断面図である。水晶チャンバをヒータによって完全に囲むことができず、開口が幾つかの半径方向位置で許容される必要がある別の実施形態では、ヒータは、熱シールド(図4参照)によって囲まれた加熱素子の円筒断面を含む。円筒断面は、プロセス又は測定目的のために水晶チャンバへの接近を可能にするように間隔を置いて配置され、該円筒断面は製造の観点から製作が容易である。更に、断面は、幾何形状、気体流、又はあらゆる他の非軸対称外乱によって引き起こされる半径方向の不均一性を伴うプロセスに対応するように設計の柔軟性をもたらす。
例えば、フラットパネルディスプレイ処理のために四角形、矩形、又はより一般的な多角形を含む、半導体処理で遭遇するウェーハ幾何形状に対応する実施形態では、ヒータ6a−6cは、図5に示すように多角幾何形状を有する。更に別の実施形態では、加熱システムは、図6に示すように水晶チャンバの周りに配置されたプレート加熱素子からなる。プレート加熱素子は、典型的には製造が容易で、実際にあらゆるウェーハ幾何形状に適合することができる。これらはまた、半径方向の温度制御を追加の柔軟性に提供することができる。
一実施形態では、熱シールドは、図6に示すように単一の連続片を含む。熱シールドは、感圧接着剤、セラミック結合、接着剤、及び同様のものを用いる結合のような幾つかの方法を用いて、或いは銅のようなプロセス耐性があり一般に汚染のないスクリュー、ボルト、クリップ、及び同様のもの等のファスナーによって取り付けることができる。一実施形態では、熱シールドは、プレートヒータの周りに締結された分離片からなる。第2の実施形態では、熱シールドは、取付け及び取り外しを容易にするためにプレートヒータの後部に締結された平板である。更に別の実施形態では、熱シールドは、絶縁スクリュー、ボルト、クリップ、及び同様のもの等の絶縁ファスナーを用いてヒータ6a−6cから間隔を置いて配置され、間にギャップを形成する。
ヒータに対する電気接触は、種々の方法で行うことができる。プレート又は多角型ヒータの一実施形態では、コーティング層を除去してグラファイトを所定の位置で露出し、次いで、ネジ付きナット及び接触を向上させるためにグラファイトワッシャを用いてグラファイト上に伝導性ロッドをボルト締めした。ロッド及びナットは、アルミニウム、ステンレス鋼、モリブデン、タンタル、その他のあらゆる伝導性材料で作ることができる。露出されたグラファイトが許容されず、或いはヒータによって形成された内面の内側突起が望ましくない用途では、セラミックコーティンググラファイトポストを使用することによって、電気的に接続することができる。
一実施形態では、グラファイトポストは、グラファイトスクリューに締結されるか、或いは直接加熱素子のグラファイトベースにネジ止めされる。これらの技法により、例えば、温度がかなり低い熱シールドの外側の加熱表面から更に離れて電気接続を配置することが可能となる。電気接続が低温領域内に配置されると、電気接続は、熱膨張の差の影響を受けにくく、従って柔軟性のある設計が容易になる。
図7に示す、電気接続用に外部ポストを用いるバッチシステムの一実施形態では、断面円筒型ヒータ6は、外側に配置された複数の熱シールド7a−7bを備える。電力は、PBNコーティンググラファイトポスト8及び9を介して、ヒータ内に供給される。これらのポストは、熱シールドを貫通して加熱システムの外側で接触するようにし、この場合、電気的接続はかなり低い温度でなされることになる。このような一実施形態では、ヒータコア温度は700℃で測定されるが、ポスト端部温度はかなり低い500℃で測定される。また、他の方法を用いて、限定ではないが、グラファイトポスト内に螺着された金属ロッド、ポストの外径上のクランプ、ポスト端部に接して平坦にねじ込まれた圧着端子を含む、電力ケーブルにグラファイトポストを接続することができる。
バッチ加熱組立体の特徴:
加熱組立体の一実施形態では、ヒータ6a−6cは、低抵抗の加熱素子としてグラファイトを含み、従って低電圧大電流電源の使用を必要とする。セラミック封入グラファイトヒータの最終抵抗は、製造時に厳密に制御することができる。一実施形態では、ヒータの部品毎のばらつきが通常0.5%よりも小さく、第2の実施形態では0.1%よりも小さい。例えば、内径8インチ’、半径方向のエクステンション130度、及び高さ6.3インチを有する2つの円筒断面ヒータ6a−6cは、同じ伝導体パターンで製造される。第1の部分は、6.655オームの最終抵抗を有し、第2の部分は、第1の部分の最終抵抗の0.24%以内である6.639オームの最終抵抗を有する。従って、一実施形態では、ヒータの幾つかは直列に装着され、1つの独立した加熱ゾーンとして用いられる。直列でヒータを取り付ける利点は、全体の加熱ゾーン抵抗が増大することである。ヒータの適正な量を選択して直列で取り付けることによって、従来の大電流低電圧電源(例えば200V、20A)をヒータへの給電に用いることができる。
加熱組立体の一実施形態では、ヒータ6a−6cは、低抵抗の加熱素子としてグラファイトを含み、従って低電圧大電流電源の使用を必要とする。セラミック封入グラファイトヒータの最終抵抗は、製造時に厳密に制御することができる。一実施形態では、ヒータの部品毎のばらつきが通常0.5%よりも小さく、第2の実施形態では0.1%よりも小さい。例えば、内径8インチ’、半径方向のエクステンション130度、及び高さ6.3インチを有する2つの円筒断面ヒータ6a−6cは、同じ伝導体パターンで製造される。第1の部分は、6.655オームの最終抵抗を有し、第2の部分は、第1の部分の最終抵抗の0.24%以内である6.639オームの最終抵抗を有する。従って、一実施形態では、ヒータの幾つかは直列に装着され、1つの独立した加熱ゾーンとして用いられる。直列でヒータを取り付ける利点は、全体の加熱ゾーン抵抗が増大することである。ヒータの適正な量を選択して直列で取り付けることによって、従来の大電流低電圧電源(例えば200V、20A)をヒータへの給電に用いることができる。
セラミック封入ヒータの優れた耐熱衝撃特性と熱シールド絶縁体の低い熱質量とを組合せることで、本発明によって得られる極めて高い温度変化率が可能となる。pBN封入グラファイトヒータが用いられる一実施形態では、バッチ加熱組立体は、ヒータ上で観察される悪影響がなく、600℃/分を超える温度変化率で加熱される。更に熱シールドの使用及びヒータによってヒータ自体の上に排出された熱を金属化絶縁層によって反射することで高い温度変化率が得られる。熱シールド自体は、その熱質量が低いので本質的に急激に加熱される。
急速熱応答で封入ヒータ6a−6cを用いるバッチ加熱組立体の一実施形態では、ウェーハを急速に加熱し、該ウェーハを1℃/秒の速度で約300℃−1000℃の程度のプロセス温度にすることができる。本発明の一実施形態では、ヒータは、少なくとも10℃/分の速度(「温度変化率」)で室温から1000℃まで加熱される。第2の実施形態では、温度変化率は、少なくとも40℃/分である。第3の実施形態では、温度変化率は、60℃/分−300℃/分である。
一実施形態では、バッチ加熱組立体は更に、従来技術のバッチ加熱組立体の熱質量の1/10よりも小さな総熱質量を有するものとして特徴付けられる。これは、同じ電源に対して、本発明のバッチ加熱組立体が、従来技術のバッチ加熱組立体の10倍よりも速く加熱されることになることを意味する。グラファイトは、他のセラミック材料よりも低密度を有し、極めて耐熱衝撃性があり、セラミック封入ヒータを作るために極めて薄く機械加工することができる。加熱シールドは、通常0.001インチから0.05インチまでの厚さのシートメタルで作ることができ、結果として極めて低質量の構成部品が得られる。
熱質量計算は、以下のように説明することができる。内径400mm(通常300mmウェーハ処理用)の1メートル高さの円筒型加熱システムでは、40mm厚さのアルミニウムで作られた従来のセラミック加熱システムは、25℃で184kJ/Kの総熱質量を有することになる。これに比べ、本発明のバッチ加熱組立体の実施形態は、ヒータの外側上に10mm離間した2つのステンレス鋼熱シールドによって囲まれた極めて薄い(8mm)円筒型セラミック封入グラファイトヒータを含み、ヒータの熱質量は14.5kJ/K、リフレクタの熱質量は約1.3kJ/K各々である。総熱質量は17.1kJ/Kである。この低い熱質量は、セラミック封入グラファイトヒータの低い熱質量と熱シールドの低い熱質量とに由来する。
封入ヒータを用いるバッチ加熱組立体は更に、これに応じてグラファイトパターンを製造することによって電力密度分布を均一に調整することができるので、ヒータの内面上の優れた温度均一性により特徴付けられる。更に、加熱素子上のセラミックコーティングによって形成された連続平面が超高度の熱均一性をもたらす。pBN又はAINコーティングが用いられる一実施形態では、例えば、pBNでは60W/mK、又はAINでは200W/mKのセラミックコーティングの高熱伝導率は、アルミナのような低伝導率材料を用いる従来技術のバッチ炉内よりも、より均一に熱を拡散するのに役立つ。断面円筒形状を有するヒータ(8インチIDを有する)が用いられる一実施形態では、最高温度と最低温度との間の差によって定義された熱均一性は、ヒータの縁部から6インチ離れて配置された中央ゾーン内で5℃になるように測定される。ヒータ表面の優れた熱均一性は、ウェーハが収容され、続いてウェーハが加熱されているチャンバ内の対応する熱均一性を反映する。一実施形態では、ウェーハ収容チャンバの外面上の最高温度と最低温度との差は10℃よりも小さい。
従来技術のバッチ加熱組立体では、加熱素子が互いに近接して配置されず、又は適切に設計された熱絶縁体が用いられない限り、エッジ効果は、加熱素子の縁部に近接した区域内の熱均一性を悪化させ、従って、加熱されるべきウェーハの品質に影響を与える。
封入ヒータを用いるバッチ加熱組立体の別の利点は、半導体ウェーハ上への粒子形成/堆積の軽減にある。典型的なバッチ組立体では、ウェーハ処理は水晶チャンバの内側で起こるが、水晶チャンバを囲む加熱システムの粒子生成及び清浄度が、ウェーハ表面に影響を与える主要な要因である。水晶チャンバを囲む気体及び粒子によって、水晶チャンバの内側のプロセス環境の汚染を防ぐためにとられた多くの予防措置(密封、陽圧差、その他)にもかかわらず、粒子は、依然として水晶チャンバ内にみつかり、プロセスを汚染する可能性がある。従って、汚染なし加熱システムを有することが重要である。本発明の一実施形態では、バッチ加熱組立体は、化学蒸着のようなプロセスを介して堆積された保護層でコーティングされたヒータを用いる。従って、コーティング層は汚染されておらず、十分に密度が高く、耐熱衝撃性がある。例えば、熱分解窒化ホウ素(pBN)は、粒子生成、亀裂又は不具合の兆候なく、3000℃/分を超える加熱速度で循環されている。製造プロセスに起因して、これらの層を用いるヒータは、焼結材料内に亀裂及び粒子を生成する機構の傾向がない。これらは、従って温度サイクルを含む用途に好適である。
バッチ加熱組立体は更に、従来技術のバッチ組立体と比較して、運転の延長/長寿命を有するように特徴付けられる。AIN及び/又はpBN等のコーティングを用いるヒータは、高耐酸化性及び優れた気体気密性を示している。この実施例の加熱構成部品であるグラファイトは、pBNコーティングによって十分に保護されることになる。バッチ装置は、固有の酸化問題、並びにプロセス工具に対する著しく低い気密性要件及びパージ気体の純度に起因して、従来の金属コイルヒータでは評価されていないウェーハプロセスで用いることができる。
本発明は、以下の非限定実施例によって更に例証される。
グラファイトコア及び熱分解窒化ホウ素コーティングを有する、ゼネラルエレクトリック社(「GE」)から入手されるBoralectric(登録商標)ヒータの内径200mm厚さ8mmの円筒断面の形態でセラミック封入ヒータを用いるバッチ組立体の温度変化率能力を例証するために実験を行った。円筒断面は、アルミナスペーサを用いてステンレスシールド熱シールドから10mm離間された。放射バッフル/封入ヒータ組立体は、支持構造体に取り付けられ、次いで、100℃から700℃まで水晶円筒を直接加熱するのに用いられた。ヒータがヒータ温度が700℃で安定化する前に、速やかに700℃まで加熱される必要がある点に留意されたい。
図8は、ヒータの温度変化率が様々な値で制御された様々な事象を示すグラフである。実験では、ヒータの温度は15、30、及び60℃/分の速度で増大した。更に実験では、ヒータの温度変化率は制御されなかったが、全出力がヒータ内に入力された(出力は、Rが低下し、Iが増大するにつれて増大した)。100℃から300℃の温度変化率は、300℃/分であった。300℃から600℃では、温度変化率は、120℃/分であるように測定された。600℃から700℃では、温度変化率は、温度が700℃で一定に保持される前に42℃/分まで増大した。ヒータが700℃で一定温度に達するのに9分はかからなかった。これは、内部ヒータ表面上の電力密度が8.5W/cm2で達成された。比較すると、従来技術のバッチ加熱組立体の焼結セラミック材料によって達成することができる最大加熱速度は、約20℃/分であり、著しく処理時間が増大する。
図9は、放射バッフルとして用いたステンレス鋼リフレクタから10mm離間して配置された、8mm厚さのセラミック封入ヒータを用いるバッチ組立体の別の実施形態の加速寿命試験を示すグラフである。この実験では、直列に装着された2つの半円筒断面が試験された。部分ヒータ(各円筒型の半分は、図7に示す通りである)は、グラファイトコア及び熱分解窒化ホウ素コーティングを有するBoralectric(登録商標)ヒータとしてゼネラルエレクトリック社から入手された。
組立体は、45℃/分の温度変化率で200℃から500℃の間で100回を超えて循環された。結果は、このシステムが優れた熱均一性と共に極めて再現可能であることを示している。6.5℃よりも小さな温度変化は、左のヒータと右のヒータとの間で得られた。これは、本発明のバッチ加熱組立体に用いたグラファイトヒータのヒータ抵抗に対する厳密な制御に起因する。
温度サイクル中にバッチ組立体の性能を評価するこの実験では、2つの半円筒断面を合わせて、組立体として用いるための円筒型ヒータを形成した。適合ステンレス鋼リフレクタは、10mmのギャップを残してアルミナスペーサを用いてヒータ断面の背部に取り付けられた。組立体は支持構造体に取り付けられ、次いで、200℃から600℃までの158温度サイクルの温度変化試験を受けた。これは、通常はウェーハ基板処理システム内の水晶チャンバを加熱するためにバッチ加熱組立体内で受けたのと同じである。各サイクルで、ヒータは、最高600℃まで上昇して600℃で7分間保持され、200℃まで冷却され、200℃で10分間保持された。図10に示すように、組立体は50℃/分を超えて600℃までの温度変化率を示した。
本発明を好ましい実施形態を参照して説明してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく種々の変更が可能であり、本発明の要素を均等物で置き換えることができることは、当業者には理解されるであろう。
1 チャンバ
2 ボート
3 ウェーハ
4 シャフト
5 プレート
6、6a、6b、6c ヒータ
7a、7b、7c シールド
8、9 グラファイトポスト
10 グラファイトベース
12、25 コーティング層
13 パターン
2 ボート
3 ウェーハ
4 シャフト
5 プレート
6、6a、6b、6c ヒータ
7a、7b、7c シールド
8、9 グラファイトポスト
10 グラファイトベース
12、25 コーティング層
13 パターン
Claims (12)
- 複数のウェーハ基板を300℃−800℃のプロセス温度まで加熱するのに用いるためのバッチ処理装置であって、
前記ウェーハ基板を支持するための複数の棚部を含むウェーハボート配置用の内部を有するチャンバと、
前記チャンバの外側に配置され、内部側と外部側とを有し、該内部側が前記チャンバに面し、熱エネルギーを前記チャンバに移送して該チャンバ内に収容される前記ウェーハを加熱する少なくとも1つのヒータと、
前記ヒータの外部側に配置された少なくとも1つの熱シールド層と、
前記熱シールド層の外側に配置された少なくとも1つの金属化絶縁層と、
を含み、
前記ヒータが、少なくとも1つのゾーンを形成する複数の回路内にパターン形成された少なくとも1つの抵抗加熱素子を有し、前記少なくとも1つのゾーンを独立制御により加熱し、パターン形成された抵抗加熱素子の少なくとも一部が、B、Al、Si、Ga、耐熱性超硬合金、遷移金属、及び希土類金属からなるグループから選択された元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物、又は複合体及び/又はこれらの組合せ;NaZr2(PO4)3のNZP構造を有する高温安定化リン酸ジルコニウム;2a族、3a族及び4a族の元素からなるグループから選択された少なくとも1つの元素を含むガラスセラミック組成物;BaO−Al2O3−B2O3−SiO2ガラス;及びSiO2と、Y、Sc、La、Ce、Gd、Eu、又はDyの酸化物との混合物;のうちの少なくとも1つを含む少なくとも1つの層でコーティングされ、
前記コーティング層は、拡張熱プラズマ(ETP)、化学蒸着(CVD)、プラズマ化学気相成長法、イオンプラズマ蒸着、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも1つによって、パターン形成抵抗加熱素子上に堆積され、
前記チャンバは、少なくとも40℃/分の温度変化率でプロセス温度まで加熱されることを特徴とするバッチ処理装置。 - 前記ヒータが、300℃−800℃の温度範囲内の少なくとも60℃/分の温度変化率を有することを特徴とする請求項1のバッチ処理装置。
- 前記ヒータが、300℃−800℃の温度範囲内の少なくとも100℃/分の温度変化率を有することを特徴とする請求項1から請求項2のいずれかに記載のバッチ処理装置。
- 前記パターン形成抵抗加熱素子がグラファイトを含み、熱分解窒化ホウ素及び窒化アルミニウムの1つを含む誘電体絶縁層でコーティングされることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のバッチ処理装置。
- 前記熱シールドが、ガラス、セラミック、アルミニウム、ニッケル、鉄、タングステン、タンタル、モリブデン、及びこれらの合金からなるグループから選択された少なくとも1つの材料を含む熱反射面を備えることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載のバッチ処理装置。
- 前記ヒータと前記熱シールドとの間に非接触ギャップが存在することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のバッチ処理装置。
- 前記ヒータが、円筒型、矩形、四角形、及び多角形のうちの1つから選択された断面形状を有する前記チャンバの形状に適合する形状であることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載のバッチ処理装置。
- 前記ヒータが、プレート、円筒型、円筒断面、半円筒断面、多角断面、球断面、円盤、及び圧盤のうちの1つであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載のバッチ処理装置。
- 少なくとも1つの抵抗加熱素子を有する前記ヒータが、複数の加熱ゾーンを定める複数の回路内でパターン形成され、各ゾーンが独立制御されることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載のバッチ処理装置。
- 相互接続されて少なくとも1つの加熱ゾーンを形成する複数のヒータを含むことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載のバッチ処理装置。
- 直列又は並列に相互接続されて複数の加熱ゾーンを定める複数のヒータを含むことを特徴とする請求項1から請求項11のいずれかに記載のバッチ処理装置。
- 複数のウェーハ基板を300℃−800℃のプロセス温度まで加熱するのに用いるバッチ処理装置であって、
前記ウェーハ基板を支持するための複数の棚部を含むウェーハボート配置用の内部を有するチャンバと、
前記チャンバの外側に配置され、内部側と外部側とを各々が有し、該内部側が前記チャンバに面し、熱エネルギーを前記チャンバに移送して該チャンバ内に収容される前記ウェーハを加熱する複数のヒータと、
前記ヒータの外部側に配置された複数の熱シールド層と、
前記熱シールド層の外側に配置された少なくとも複数の金属化絶縁層と、
を含み、
前記各ヒータが、少なくとも1つのゾーンを形成する複数の回路内にパターン形成された少なくとも1つの抵抗加熱素子を有し、前記少なくとも1つのゾーンを独立制御により加熱し、パターン形成された抵抗加熱素子の少なくとも一部が、B、Al、Si、Ga、耐熱性超硬合金、遷移金属、及び希土類金属からなるグループから選択された元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物、又は複合体及び/又はこれらの組合せ;NaZr2(PO4)3のNZP構造を有する高温安定化リン酸ジルコニウム;2a族、3a族及び4a族の元素からなるグループから選択された少なくとも1つの元素を含むガラスセラミック組成物;BaO−Al2O3−B2O3−SiO2ガラス;及びSiO2と、Y、Sc、La、Ce、Gd、Eu、又はDyの酸化物との混合物;のうちの少なくとも1つを含む少なくとも1つの層でコーティングされ、
前記コーティング層は、拡張熱プラズマ(ETP)、化学蒸着(CVD)、プラズマ化学気相成長法、イオンプラズマ蒸着、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも1つによって、パターン形成抵抗加熱素子上に堆積され、
前記チャンバは、少なくとも40℃/分の温度変化率でプロセス温度まで加熱され、
前記ヒータが、直列又は並列で相互接続されることを特徴とするバッチ処理装置。
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