JP2007248424A - 水素センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】触媒層が水素ガスに触れて、その触媒作用で薄膜層の反射率を変化させる水素センサにおいて、雰囲気中の水分等で薄膜層や触媒層が劣化することを防止する。
【解決手段】樹脂などの基板の表面に薄膜層を形成し、この薄膜層の表面にさらに触媒層を形成し、この触媒層が漏洩水素ガスに触れるとその触媒作用で薄膜層を速やかに水素化して、薄膜層の光学的反射率を変化させる水素センサにおいて、保護膜を基板と薄膜層との間、又は触媒層の表面の何れか一方又は双方に形成することにより、基板と保護膜との間の保護膜にて、基板が吸収等した水分や酸素などが保護膜に浸透することを防止して、また触媒層の表面の保護膜にて、触媒層が雰囲気中の水分や酸素などを吸収することを防止して、保護膜及び触媒層の劣化を防止する。
【選択図】図1

Description

本発明は、雰囲気中の水素ガスを検出するための水素センサに関するものである。
二酸化炭素の排出を抑制できるエネルギー源として水素が注目されている。しかし、水素ガスが雰囲気中(例えば水素燃料電池を用いた自動車のための地下駐車場、あるいは水素ガスステーション等の雰囲気中)に漏洩した場合には、爆発するおそれがあるため、水素ガスの漏洩を速やかに検出してその漏洩を止めなければならない。かかる漏洩水素ガスを検出する水素センサとして、酸化スズを用いた半導体センサが用いられているが、この半導体センサは、摂氏400度程度に加熱しなければ水素ガスを検出できないため、加熱に伴う漏洩水素ガスの防爆対策が必要となって、漏洩水素ガスを検出する装置として構造が複雑になりコストアップを招来する。そこで加熱を必要とせず防爆対策が不要な水素センサとして、図4に示すように、樹脂(例えばビニールシート)やガラスなどの基板11の表面11aに薄膜層12を形成し、この薄膜層12の表面12aにさらに触媒層13を形成し、この触媒層13が漏洩水素ガスに触れるとその触媒作用で薄膜層12を速やかに水素化して、薄膜層12の光学的反射率を変化させる水素センサ10が提案されている(特許文献1)。
特開2005−83832号公報
しかし、吸湿性を有する樹脂などの基板11の表面11aに薄膜層12を形成した水素センサ10では、基板11に含まれていた或いは基板11が雰囲気中から吸収した水分や酸素などが、薄膜層12に浸透して薄膜層12を酸化して劣化させることを否めず、薄膜層12にかかる劣化が生じると漏洩水素ガスの迅速な検出に支障をきたしかねない(吸湿性の少ないガラスを基板11に用いた場合でも、吸湿性が皆無とはいえないため、上記薄膜層12の劣化が生じないとはいえない)。また触媒層13が雰囲気中の水分や酸素などを吸収すると、触媒層13が劣化して触媒作用が低下して、更には水分や酸素などが薄膜層12にまで浸透して薄膜層12が劣化して、漏洩水素ガスの迅速な検出に支障をきたしかねない。
そこで本発明は、ガラスや樹脂などの基板の表面に薄膜層を形成し、この薄膜層の表面にさらに触媒層を形成し、この触媒層が漏洩水素ガスに触れるとその触媒作用で薄膜層を速やかに水素化して、薄膜層の光学的反射率を変化させる水素センサにおいて、基板に含まれていた或いは基板が雰囲気中から吸収した水分や酸素などが、薄膜層に浸透することを防止して、また触媒層が雰囲気中の水分や酸素などを吸収することを防止して、触媒層や薄膜層の劣化を防ぐことができる水素センサの提供を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、基板と、この基板上に形成された薄膜層と、この薄膜層の表面に形成され雰囲気中に含まれる水素ガスにて前記薄膜層を水素化して前記薄膜層の光学的反射率を変化させる触媒層とを有する水素センサにおいて、保護膜を前記基板と前記薄膜層との間又は前記触媒層の表面の何れか一方又は双方に形成した。すなわち本発明は、前記基板と前記保護膜との間に保護膜を形成することで、前記基板が吸収した水分や酸素などが前記保護膜に浸透することを防止して、また前記触媒層の表面に保護膜を形成することで、前記触媒層が雰囲気中の水分や酸素などを吸収することを防止して、前記保護膜及び前記触媒層の劣化を防止することができる(請求項1)。
上記水素センサの前記薄膜層をマグネシウム・ニッケル合金薄膜層又はマグネシウム薄膜層とすることで、漏洩水素ガスに触れるとその光学的反射率が変化する薄膜層を形成することができ(請求項2)、また前記触媒層をパラジウム又は白金で形成することで、その触媒作用によって前記薄膜層を水素化することができる(請求項3)。更にその厚さを1nmないし100nmとした前記触媒層が漏洩水素ガスに触れたときには、前記薄膜層が急速に水素化される(請求項4)。
また前記保護膜をシリコン系化合物、フッ素系化合物又は油脂(鉱物油、植物油等)などで形成することによって、雰囲気中の水分や酸素などが前記薄膜層や前記触媒層に浸透することを防ぎつつ、前記触媒層の前記触媒作用を発揮させることができ(請求項5)、更に前記保護膜の厚さを5nmないし200nmとすれば、前記触媒層による前記薄膜層の迅速な水素化をほとんど阻害することがない(請求項6)。
このように本発明は、ガラスや樹脂などの基板の表面に薄膜層を形成し、この薄膜層の表面にさらに触媒層を形成し、この触媒層が漏洩水素ガスに触れるとその触媒作用で薄膜層を速やかに水素化して、薄膜層の光学的反射率を変化させる水素センサにおいて、薄膜層を、保護膜を介して基上に形成することにより、基板に含まれていた或いは基板が雰囲気中から吸収した水分や酸素などが、薄膜層に浸透して薄膜層を劣化させることを防ぐことができ、また触媒層の表面に保護膜を設けることにより、触媒層が雰囲気中の水分や酸素などを吸収することを防止して、触媒層や薄膜層の劣化を防ぐことができる。こうして本発明にかかる水素センサは、薄膜層及び触媒層の劣化を防ぐことができるから、水素ガス検出性能(漏洩水素ガスの迅速な検出)を長期にわたって維持することができる。
以下、本発明にかかる水素センサを図1にて説明する。なお従来の水素センサ10と同様の機能を有する構成要素には、同一の符号を付しその説明を省略する。図1に示す水素センサ10aは、アクリル樹脂、ポリエチレンシート(ポリエチレンフィルム)などの基板11の表面11aに二酸化珪素(SiO)からなる第1の保護膜14を形成し、その第1の保護膜14の表面14aにマグネシウム・ニッケル合金又はマグネシウムからなる薄膜層12を形成し、薄膜層12の表面12aにパラジウム又は白金からなる触媒層13を形成し、そして更に触媒層13の表面13aに二酸化珪素からなる第2の保護膜15を形成したものである。
このように水素センサ10aでは、基板11の表面11aに第1の保護膜14を介して薄膜層12が形成されており、また触媒層13の表面13aに第2の保護膜15が形成されているから、第1の保護膜14にて基板11が吸収等した水分や酸素などが薄膜層12へと浸透することが防止されて、また第2の保護膜15にて雰囲気中の水分や酸素などが触媒層13に吸収されることが防止されて、薄膜層12や触媒層13の劣化が防止される。
図2は、保護膜の有無による薄膜層12および触媒層13の劣化(経時劣化)を示すグラフである。薄膜層12は、水素に触れて水素化すると、光学的反射率の変化とともに電気抵抗が上昇する。かかる薄膜層12は、酸化(劣化)によっても、電気抵抗が上昇する。したがって、薄膜層12の劣化は、その電気抵抗の上昇から、次のように評価することができる。基板11上に薄膜層12におよび触媒層13を形成した直後に、水素ガスに触れない状態で測定した抵抗値と、水素ガスに触れ一定時間(約10秒)経過後の抵抗値と
を結んだグラフの傾きの値(抵抗値/秒)を求め、その後所定時間経過毎に(抵抗値/秒)の測定を繰り返し、時間の経過とともに(抵抗値/秒)がそれほど減少しなければ、薄膜層12の劣化が少なく、(抵抗値/秒)が減少すれば、薄膜層12の劣化が進んだということができる。図2は、保護膜を有する水素センサでは、薄膜層の劣化が少なく、保護膜を有しない水素センサでは、薄膜層の劣化が進むことを示している。
薄膜層12はスパッタリング法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、メッキ法などによって形成することができ、その組成は例えばMgNix(0≦x<0.6)である。触媒層13は、薄膜層12の表面12aにコーティングなどによって形成することができ、その厚さは1nmないし100nmである。第1の保護膜14は、スパッタリング法、真空蒸着法、メッキ法などによって形成することができ、第2の保護膜15は、第1の保護膜14の形成方法に加え、スプレー法、ディップコート法、スピンコート法やハケ塗りによって形成することができる。なお第1の保護膜14は、その表面14aに薄膜層12を形成するため、表面14aを滑らかに形成する必要があるが、第2の保護膜15の表面は、保護膜14の表面14aほど滑らである必要はない。
ここで第1の保護膜14の厚さは、基板11の吸湿性(水分や酸素などを吸収する度合い)等に応じて適宜設定すればよい。また第2の保護膜15は、5nmないし200nmの厚さとすることが好ましい。上記の厚さを有する第2の保護膜15は、触媒層13が雰囲気中の水分及び酸素などを吸収することを防ぎつつ、触媒層13の触媒作用(触媒層13が雰囲気中の水素ガスに触れて薄膜層12を水素化する触媒作用)を迅速に発揮させることができる。
したがって水素センサ10aは、水素濃度が100ppmないし1%程度以上の雰囲気に触れると、触媒層13がその触媒作用で薄膜層12を水素化して、数秒ないし10秒程度で、薄膜層12の光学的反射率に迅速な変化を生じさせることができるから、水素センサ10aは水素ガスの漏洩を迅速に検出できる。
仮に第2の保護膜15が前記厚さより薄くとも、水素センサ10aは、雰囲気中から触媒層13及び薄膜層12へ浸透する水分及び酸素などを減らすことができるから、触媒層13及び薄膜層12の劣化を少なくして、水素ガス検出性能を比較的長期にわたって維持することができる。一方、第2の保護膜15が前記厚さよりも厚い場合には、触媒層13がその触媒作用で薄膜層12を水素化するための時間が長くなるが、雰囲気中から触媒層13及び薄膜層12へ浸透する水分及び酸素などを十分減らすことができるから、触媒層13及び薄膜層12の劣化を防ぐことができる。このように第2の保護膜15の厚さは、水素センサとして要求される水素ガス検出時間と寿命とのトレードオフの関係を考慮して適宜設定することができる。
(変形例)
本発明にかかる水素センサの変形例を図3にて説明する。水素センサ10aと同様の機能を有する構成要素には、同一の符号を付しその説明を省略する。ここで図3に示す水素センサ10bは、雰囲気中の水分や酸素などをほとんど吸収することがない金属又はガラス等を基板11として使用したものである。かかる水素センサ10bでは、基板11から水分や酸素などが薄膜層12へと浸透することがほとんどないから、第1の保護膜14を有していなくても、第2の保護膜15にて、雰囲気中から触媒層13及び薄膜層12への水分及び酸素などの浸透を防ぐことで、触媒層13及び薄膜層12の劣化を防止して水素ガス検出性能を長期にわたって維持することができる。
なお本発明にかかる水素センサは、上記各実施例のものに限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形することができる。
本発明にかかる水素センサの一実施例における断面構造の例を示す図である。 保護膜の有無による薄膜層の劣化(経時劣化)を示すグラフである。 図1に示す水素センサの変形例における断面構造の例を示す図である。 従来の水素センサの断面構造の例を示す図である。
符号の説明
10、10a、10b 水素センサ
11 基板
11a 基板の表面
12 薄膜層
12a 薄膜層の表面
13 触媒層
13a 触媒層の表面
14 第1の保護膜
14a 第1の保護膜の表面
15 第2の保護膜

Claims (6)

  1. 基板と、この基板上に形成された薄膜層と、この薄膜層の表面に形成され雰囲気中に含まれる水素ガスにて前記薄膜層を水素化して前記薄膜層の光学的反射率を変化させる触媒層とを有する水素センサにおいて、
    保護膜が前記基板と前記薄膜層との間又は前記触媒層の表面の何れか一方又は双方に形成されたことを特徴とする水素センサ。
  2. 前記薄膜層がマグネシウム・ニッケル合金薄膜層又はマグネシウム薄膜層であることを特徴とする請求項1に記載の水素センサ。
  3. 前記触媒層がパラジウム又は白金で形成されていることを特徴とする請求項2に記載の水素センサ。
  4. 前記触媒層の厚さが1nmないし100nmであることを特徴とする請求項3に記載の水素センサ。
  5. 前記保護膜がシリコン系化合物、フッ素系化合物又は油脂からなることを特徴とする請求項1に記載の水素センサ。
  6. 前記保護膜の厚さが5nmないし200nmであることを特徴とする請求項5に記載の水素センサ。
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KR20087022103A KR20080106239A (ko) 2006-03-20 2007-02-23 수소센서
CA 2645592 CA2645592A1 (en) 2006-03-20 2007-02-23 Hydrogen sensor
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010210243A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Atsumi Tec:Kk 水素センサ
JP2010210242A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Atsumi Tec:Kk 水素センサ

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5164435B2 (ja) * 2007-06-04 2013-03-21 株式会社アツミテック 水素センサ
CN101418080B (zh) * 2008-11-13 2011-06-22 北京科技大学 一种氢传感器用壳聚糖质子交换膜的制备方法
CN104730114A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种用于氢气传感器的镁合金薄膜及其制备方法
CN105289588A (zh) * 2014-07-28 2016-02-03 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种钯合金催化薄膜材料及其制备方法
KR101704122B1 (ko) 2014-10-08 2017-02-07 현대자동차주식회사 수소 검출 채색 센서
KR101645661B1 (ko) * 2014-12-18 2016-08-05 울산대학교 산학협력단 백금/팔라듐 코어―셀 그래핀 하이브리드 기반 수소센서 및 그 제조방법
US10690606B2 (en) * 2015-09-16 2020-06-23 Koa Corporation Hydrogen sensor
JP6709429B2 (ja) * 2015-12-21 2020-06-17 スタンレー電気株式会社 水素濃度測定装置
KR101772328B1 (ko) * 2016-05-03 2017-08-29 한양대학교 에리카산학협력단 수분 수소 흡착 게터 및 그 제조 방법
CN108717053A (zh) * 2018-06-13 2018-10-30 佛山市澄澜点寸科技有限公司 一种氢气传感器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62170840A (ja) * 1986-01-23 1987-07-27 Agency Of Ind Science & Technol 水素検知光センサ
JPH0197248A (ja) * 1987-09-23 1989-04-14 Sipra Patentwickl & Beteiligung Gmbh 丸編機の選択装置用戻し装置及びその操作方法
JP2002122582A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Sony Corp 還元性物質検知装置およびその製造方法と還元性物質検知方法
JP2004053542A (ja) * 2002-07-24 2004-02-19 National Institute Of Advanced Industrial & Technology マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた水素センサ及び水素濃度測定方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4324761A (en) * 1981-04-01 1982-04-13 General Electric Company Hydrogen detector
JPS59120945A (ja) * 1982-12-28 1984-07-12 Shinkosumosu Denki Kk 水素選択性センサ
US4560444A (en) * 1983-12-29 1985-12-24 Uop Inc. Gas detection with novel electrolyte membrane and solid internal reference
JPH0678987B2 (ja) * 1986-04-30 1994-10-05 ホーチキ株式会社 水素センサ
US4892834A (en) * 1986-08-07 1990-01-09 Eic Laboratories, Inc. Chemical sensor
JPH0197248U (ja) * 1987-12-21 1989-06-28
JPH01121836U (ja) * 1988-02-12 1989-08-18
US5273779A (en) * 1991-12-09 1993-12-28 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating a gas sensor and the product fabricated thereby
US5372785A (en) * 1993-09-01 1994-12-13 International Business Machines Corporation Solid-state multi-stage gas detector
AUPM551994A0 (en) * 1994-05-09 1994-06-02 Unisearch Limited Method and device for optoelectronic chemical sensing
US5670115A (en) * 1995-10-16 1997-09-23 General Motors Corporation Hydrogen sensor
US6006582A (en) * 1998-03-17 1999-12-28 Advanced Technology Materials, Inc. Hydrogen sensor utilizing rare earth metal thin film detection element
US6596236B2 (en) * 1999-01-15 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. Micro-machined thin film sensor arrays for the detection of H2 containing gases, and method of making and using the same
CN1398360A (zh) * 2000-11-27 2003-02-19 皇家菲利浦电子有限公司 光转换装置
US20050272989A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Medtronic Minimed, Inc. Analyte sensors and methods for making and using them
JP4164574B2 (ja) 2003-09-05 2008-10-15 独立行政法人産業技術総合研究所 光学反射率変化を用いる水素センサ、水素検出方法及び検出装置
US7370511B1 (en) * 2004-03-08 2008-05-13 Mst Technology Gmbh Gas sensor with attenuated drift characteristic
US7233034B2 (en) * 2005-08-19 2007-06-19 Midwest Research Institute Hydrogen permeable protective coating for a catalytic surface
JP4158862B2 (ja) * 2005-10-17 2008-10-01 株式会社アツミテック 水素ガス可視化装置
DE102005057214A1 (de) * 2005-11-29 2007-06-14 Justus-Liebig-Universität Giessen Erfindung betreffend Gassensoren

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62170840A (ja) * 1986-01-23 1987-07-27 Agency Of Ind Science & Technol 水素検知光センサ
JPH0197248A (ja) * 1987-09-23 1989-04-14 Sipra Patentwickl & Beteiligung Gmbh 丸編機の選択装置用戻し装置及びその操作方法
JP2002122582A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Sony Corp 還元性物質検知装置およびその製造方法と還元性物質検知方法
JP2004053542A (ja) * 2002-07-24 2004-02-19 National Institute Of Advanced Industrial & Technology マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた水素センサ及び水素濃度測定方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010210243A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Atsumi Tec:Kk 水素センサ
JP2010210242A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Atsumi Tec:Kk 水素センサ

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