JP2007236156A - スイッチング電源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 ゼロボルトスイッチングを実現し、従来の回路に比べてリップルを減少させることができるスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】 一次巻線Np、二つの二次巻線Ns1,Ns2並びに三次巻線Nrを備えた出力トランスTを設け、直流電源VINと、入力チョークLINと、前記三次巻線と、第一のスイッチ素子Q1との直列回路と、前記スイッチ素子の端子間に接続される前記一次巻線と第一のコンデンサC1との直列回路と、前記一次巻線の端子間に接続される第二のスイッチ素子Q2と第二のコンデンサC2との直列回路と、前記第一の二次巻線と前記第二の二次巻線とでセンタータップ構成とし、前記第一の二次巻線の一端と負の出力端子と接続する第一の整流素子D1と、前記第二の二次巻線の他端と負の出力端子と接続する第二の整流素子D2と、前記第一の二次巻線と第二の二次巻線との接続点と前記2つの整流素子とそれぞれ直列に接続する平滑コンデンサCoとを有することを特徴とするスイッチング電源装置。
【選択図】 図1

Description

本発明は、高効率化、小型化、並びに低コスト化を実現するスイッチング電源装置に関するものである。
従来のスイッチング電源装置として、図8に示すように、一次側を、直流電源VINの両端に入力チョークLINと第一のスイッチ素子Q1とを直列に接続し、このスイッチ素子Q1の端子間にトランスTの一次巻線Npと第一のコンデンサC1とを直列に接続し、トランスTの一次巻線Np端子間に第二のスイッチ素子Q2と第二のコンデンサC2とを直列に接続して構成し、二次側を、二次巻線Nsにセンタータップを設け、この二次巻線Nsの両端に出力チョーク、平滑コンデンサからなる整流回路を接続して構成してある、いわゆるブーストハーフブリッジ(以下「BHB」という。)方式スイッチング電源装置といわれるスイッチング電源装置が公知である(特許文献1参照)。
また、別の従来のスイッチング電源装置として、図9に示すように、一次側を、直流電源VINの両端にトランスTの一次巻線Npと第一のスイッチ素子Q1とを直列に接続し、第一のスイッチ素子Q1の両端に第二のスイッチ素子Q2とコンデンサC1とを直列に接続して構成し、二次側を、第一の整流素子D1と三次巻線Nrと出力チョークLoとを直列に接続し、第一の整流素子D1と並列に二次巻線Nsと第二の整流素子D2の直列回路を接続して構成してあるものが公知である(特許文献2参照)。
特開平11−262263号公報 特開2004−320916公報
しかし、前者のスイッチング電源は、定格負荷付近で漏れインダクタンス電流を利用することにより、ゼロボルトスイッチング(以下「ZVS」という。)が可能であるが、軽負荷域ではこの電流が減少し、ZVSが困難である。一方、軽負荷域でもZVSできる程度の漏れインダクタンス値にするとデッドタイムが長くなり、効率低下を招くという問題が生じる。
また、後者のスイッチング電源装置は一次側を、直流電流の両端にトランスの一次巻線と第一のスイッチ素子とを直列に接続し、第一のスイッチ素子の両端に第二のスイッチ素子とコンデンサとを直列に接続して構成したことにより入力リップルが比較的大きいという問題点がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ゼロボルトスイッチング範囲拡大を実現し、従来の回路に比べて入力リップルを減少させることができるスイッチング電源装置を提供する。
上記課題を解決するため、本発明に係るスイッチング電源装置は、一次巻線、二つの二次巻線並びに三次巻線を備えた出力トランスを設け、直流電源と、入力チョークと、前記三次巻線と、第一のスイッチ素子との直列回路と、前記スイッチ素子の端子間に接続される前記トランスの一次巻線と第一のコンデンサとの直列回路と、前記一次巻線の端子間に接続される第二のスイッチ素子と第二のコンデンサとの直列回路と、前記第一の二次巻線と前記第二の二次巻線とでセンタータップ構成とし、前記第一の二次巻線の一端と負の出力端子と接続する第一の整流素子と、前記第二の二次巻線の他端と負の出力端子と接続する第二の整流素子と、前記第一の二次巻線と第二の二次巻線との接続点と前記2つの整流素子とそれぞれ直列に接続する平滑コンデンサとを有することを特徴とする。
本発明に係るスイッチング電源装置の出力トランスは、内側に二個の磁脚と外側に少なくとも一個の磁脚を設けたコアを備え、このコアの内側二本の磁脚にそれぞれギャップを付け、前記内側二本の磁脚の周辺に一次巻線と三次巻線を巻回し、一方の該内側の磁脚周辺に第一の二次巻線を巻回し、他方の該内側の磁脚周辺に第二の二次巻線を巻回して構成してあることを特徴とする。
又は、前記出力トランスは、内側に二個の磁脚と外側に少なくとも一個の磁脚を設けたコアを備え、このコアの内側二本の磁脚にそれぞれギャップを付け、前記内側二本の磁脚それぞれに一次巻線と三次巻線を巻回し、一方の該内側の磁脚周辺に第一の二次巻線を巻回し、他方の該内側の磁脚周辺に第二の二次巻線を巻回して構成してあることを特徴とする。
また、前記整流素子がMOSFETその他スイッチング素子であることを特徴とする。
一次巻線、二つの二次巻線並びに三次巻線を備えた出力トランスを設け、直流電源と、入力チョークと、前記三次巻線と、第一のスイッチ素子との直列回路と、前記スイッチ素子の端子間に接続される前記トランスの一次巻線と第一のコンデンサとの直列回路と、前記一次巻線の端子間に接続される第二のスイッチ素子と第二のコンデンサとの直列回路と、前記第一の二次巻線と前記第二の二次巻線とでセンタータップ構成とし、前記第一の二次巻線の一端と負の出力端子と接続する第一の整流素子と、前記第二の二次巻線の他端と負の出力端子と接続する第二の整流素子と、前記第一の二次巻線と第二の二次巻線との接続点と前記2つの整流素子とそれぞれ直列に接続する平滑コンデンサとを有することにより、従来のスイッチング電源装置に比べてリップルを減少させることを可能とした。また、BHB方式のスイッチング電源装置では、高入力電圧域,中負荷域でZVSできる程度の電流を流せる漏れインダクタンス値にすると、デッドタイムが長くなり、効率が低下するという問題があったが、この発明により、漏れインダクタンス値が大きくなくとも高入力電圧域,中負荷域においても、第一のスイッチ素子の寄生容量放電電流が増加して、効率の低下を抑えてZVSをすることができる。
図1は本発明を実施するための最良の形態を示すものである。本実施例に係るスイッチング電源装置は、BHB方式のスイッチング電源装置を採用し、一次側に一次巻線Npと三次巻線Nrを設け、二次側にセンタータップを設けて二次巻線Nsを二つに分割している出力トランスTを有する。なお、出力トランスTの詳細については後述する。また、直流電源VINの両端に入力チョークLINと三次巻線Nrと第一のスイッチ素子Q1とを直列に接続している。第一のスイッチ素子Q1の両端に一次巻線Npと第一のコンデンサC1とを直列に接続してある。一次巻線Npの両端に第二のスイッチ素子Q2と第二のコンデンサC2との直列回路を接続してある。
二次側においては、センタータップにより分割した二次巻線Ns1,Ns2の端部にそれぞれ整流素子D1,D2のカソードを接続し、これら整流素子D1,D2のアノードを出力部の負側に接続してある。また、センタータップは出力部の正側に接続してある。この出力側に平滑コンデンサCoを設けてある。
続いて、出力トランスTの実施例について説明する。先ず、図4に示す出力トランスT11は、内側に二個の磁脚12,13と外側に二個の磁脚11,14を設けたコア1を備えてある。このコア1の内側二本の磁脚12,13にそれぞれギャップを付け、内側二本の磁脚12,13の周辺に一次巻線Npと三次巻線Nrを巻回し、一方の該内側の磁脚12周辺に第一の二次巻線Ns1を巻回し、他方の該内側の磁脚13周辺に第二の二次巻線Ns2を巻回して構成してある。
続いて、別の出力トランスTの実施例について図5の図に従って説明する。図5に示す出力トランスT12は、内側の磁脚22,23は前記実施例同様に二個設けてあり、外側の磁脚21を一個のみ設け、計三個の磁脚21,22,23を設けたコア2を備えてある。巻線Np,Ns1,Ns2,Nrの巻き方については図4図示実施例と同様である。
続いて、別の出力トランスTの実施例について図6の図に従って説明する。図6に示す出力トランスT13は、内側に二個の磁脚32,33と外側に二個の磁脚31,34を設けたコア3を備えてある。このコア3の内側二本の磁脚32,33にそれぞれギャップを付け、内側二本の磁脚32,33それぞれに一次巻線Npと三次巻線Nrを巻回してある。また、一方の内側の磁脚32周辺に第一の二次巻線Ns1を巻回し、他方の内側の磁脚33周辺に第二の二次巻線Ns2を巻回して構成してある。
続いて、別の出力トランスTの実施例について図7の図に従って説明する。図7に示す出力トランスT14は、内側の磁脚42,43は前記実施例同様に二個設けてあり、外側の磁脚41を一個のみ設け、計三個の磁脚41,42,43を設けたコア4を備えてある。巻線Np,Ns1,Ns2,Nrの巻き方については図6図示実施例と同様である。なお、本発明スイッチング電源装置にかかる出力トランスTの実施例を4つ示したが、作用については何れもほぼ同様である。
以上のように構成してあるスイッチング電源装置は、以下のように動作する。回路動作を、等価回路図である図2とその各部の電圧と電流の波形である図3を用いて説明する。先ず、図3に示す時間T0の際に、第一のスイッチ素子Q1がオンするが、入力電圧は漏れインダクタンスLrに印加されており、一次側電流は漏れインダクタンスLr値による傾斜を持って増加する。一次巻線Np1,Np2の合計は短絡状態であり、二次側への電力供給は行われていない。二次側の第一の整流ダイオードD1、第二の整流ダイオードD2が両方とも導通している転流期間である。
続いて、図3に示すように、時間T1で一次側電流ILrは二次側出力電流の一次換算値に達し、トランス各巻線に電圧が発生する。二次側の第一の整流ダイオードD1、第二の整流ダイオードD2を流れていた電流は、全て第二の整流ダイオードD2に移行し、一次巻線Npより二次側への電力供給が始まる。
時間T2になると、第一のスイッチ素子Q1はオフするが、漏れインダクタンスLrに蓄積されたエネルギにより第一のスイッチ素子Q1の寄生容量CQ1を充電,第二のスイッチ素子Q2の寄生容量CQ2を放電する電流が流れ、二次側への電力供給は持続している。
時間T3になると、第二のスイッチ素子Q2の寄生容量CQ2はゼロボルトまで放電し、第二のスイッチ素子Q2の寄生ダイオードDQ2が導通する。一次巻線Np1,Np2の合計電圧値はゼロボルトになり、二次側の第一の整流ダイオードD1、第二の整流ダイオードD2が両方とも導通している転流期間になる。入力電流は入力チョークLINのインダクタンス値に応じた傾斜で下降する入力チョークLINからのエネルギ放出に転じる。
時間T4で第二のスイッチ素子Q2はオンする。この時、第二のスイッチ素子Q2の寄生ダイオードDQ2が導通状態であるのでZVSとなる。二次側はまだ転流期間である。
時間T5になると、一次側電流は二次側出力電流の一次換算値に達し、二次側の第一の整流ダイオードD1、第二の整流ダイオードD2を流れていた電流は、全て二次側の第一の整流ダイオードD1に移行し、トランス一次側のクランプ、および第二のコンデンサC2に蓄積されたエネルギの放出による二次側への電力供給が始まる。第一の三次巻線Nr1および第二の三次巻線Nr2の影響により、第一の励磁インダクタ電流ILp1および第二の励磁インダクタ電流ILp2の直流重畳が増加し、一次側電流ILrが増加し、第二のスイッチ素子Q2電流が増加する。
時間T6で第二のスイッチ素子Q2はオフするが、漏れインダクタンスLrに蓄積されたエネルギにより第二のスイッチ素子Q2の寄生容量CQ2を充電,第一のスイッチ素子Q1の寄生容量CQ1を放電する電流が流れ、二次側への電力供給は持続している。またこの際、本実施例では第一の三次巻線Nr1および第二の三次巻線Nr2の影響により、第一の励磁インダクタンスLp1電流および第二の励磁インダクタンスLp2電流は全周期に渡り直流重畳分が増加している。この増大した電流により第二のスイッチ素子Q2の内部コンデンサCQ2の充電、第一のスイッチ素子Q1の内部コンデンサCQ1の放電を行うため従来の方式よりもZVS範囲を拡大させる事が可能になる。
時間T7になると、第一のスイッチ素子Q1の寄生容量CQ1はゼロボルトまで放電し、第一のスイッチ素子Q1の寄生ダイオードDQ1が導通する。一次巻線Np1,Np2の合計電圧値はゼロボルトになり二次側の第一の整流ダイオードD1及び第二の整流ダイオードD2が両方とも導通している転流期間になる。次サイクルで第一のスイッチ素子Q1がオンする時は、第一のスイッチ素子Q1の寄生ダイオードDQ1が導通状態であるのでZVSとなる。入力電流は入力チョークLINのインダクタンス値に応じた傾斜で増加する入力チョークLINへのエネルギ蓄積に転じる。このように入力電流は入力チョークLINの充放電電流となるため、入力リプルが減少する。
本実施形態に係るスイッチング電源装置は、以上のような作用により従来のスイッチング電源装置に比べて入力リプルを減少させることを可能とした。また、BHB方式のスイッチング電源装置では、高入力電圧域,中負荷域でZVSできる程度の電流を流せる漏れインダクタンス値にすると、デッドタイムが長くなり、効率が低下するという問題があったが、この発明により、高入力電圧域,中負荷域においても、効率の低下を抑えてZVSをすることができる。
なお、本実施例において、二次側の整流素子としてダイオードD1,D2を用いたが、MOSFETなどのスイッチング素子を用いた同期整流方式を採用することも可能である。
本発明によれば、従来のBHB方式のスイッチング電源装置に比べて、高入力電圧域,中負荷域においても、効率の低下を抑えてZVSをすることができ、産業上利用可能である。また、フォワードアクティブ方式においても同様の効果を得られるうえ、出力チョークをトランスと一体化できるので回路の小型化が望める。
本発明に係るスイッチング電源装置の第一の実施形態の回路構成図である。 本発明に係るスイッチング電源装置の等価回路図である。 本発明に係るスイッチング電源装置の動作波形図である。 本発明スイッチング電源装置に係るトランスの一実施例を示す構成図である。 図4とは別のトランスの実施例を示す構成図である。 前記実施例とは別のトランスの実施例を示す構成図である。 同じく前記実施例とは別のトランスの実施例を示す構成図である。 従来の実施形態の回路構成図である。 従来のスイッチング電源装置の回路構成図である。
符号の説明
T トランス
Q スイッチ素子
L チョーク
C コンデンサ
D ダイオード
Np 一次巻線
Ns 二次巻線
Nr 三次巻線

Claims (4)

  1. 一次巻線、二つの二次巻線並びに三次巻線を備えた出力トランスを設け、直流電源と、入力チョークと、前記三次巻線と、第一のスイッチ素子との直列回路と、前記スイッチ素子の端子間に接続される前記トランスの一次巻線と第一のコンデンサとの直列回路と、前記一次巻線の端子間に接続される第二のスイッチ素子と第二のコンデンサとの直列回路と、前記第一の二次巻線と前記第二の二次巻線とでセンタータップ構成とし、前記第一の二次巻線の一端と負の出力端子と接続する第一の整流素子と、前記第二の二次巻線の他端と負の出力端子と接続する第二の整流素子と、前記第一の二次巻線と第二の二次巻線との接続点と前記2つの整流素子とそれぞれ直列に接続する平滑コンデンサとを有することを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 前記出力トランスは、内側に二個の磁脚と外側に少なくとも一個の磁脚を設けたコアを備え、このコアの内側二本の磁脚にそれぞれギャップを付け、前記内側二本の磁脚の周辺に一次巻線と三次巻線を巻回し、一方の該内側の磁脚周辺に第一の二次巻線を巻回し、他方の該内側の磁脚周辺に第二の二次巻線を巻回して構成してあることを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源装置。
  3. 前記出力トランスは、内側に二個の磁脚と外側に少なくとも一個の磁脚を設けたコアを備え、このコアの内側二本の磁脚にそれぞれギャップを付け、前記内側二本の磁脚それぞれに一次巻線と三次巻線を巻回し、一方の該内側の磁脚周辺に第一の二次巻線を巻回し、他方の該内側の磁脚周辺に第二の二次巻線を巻回して構成してあることを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源装置。
  4. 前記整流素子がMOSFETその他スイッチング素子であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のスイッチング電源装置。
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