JP2007235146A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板10表面に熱酸化法により第一の領域13aおよび第二の領域13bに第一の酸化膜(不図示)および第二の酸化膜16をそれぞれ形成し、第二の酸化膜16をレジスト層18で覆った状態で第一の酸化膜を除去し、レジスト層18をイソプロピルアルコール等の有機溶媒を主成分とする薬液で除去する。その後、第一の領域13aに第二の酸化膜16と膜厚の異なる第三の酸化膜22を形成する。
【選択図】図2
Description
グリコールエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類;
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;
プロピレングリコールモノメチルアセテート等のエステル;
を用いることができる。
このうち、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、2−ヘプタノン、シクロペンタノン、メチルエチルケトン、グリコールエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、またはプロピレングリコールモノメチルアセテートからなる群から選択される一種以上を含む溶媒とすることが好ましく、特にイソプロピルアルコールが好ましい。このような溶媒を用いることにより、半導体基板表面への化学酸化膜等の被膜の付着やウォーターマーク等のしみの形成を防ぐことができる。また、有機溶媒は、親水性の溶媒とすることが好ましい。
図1および図2は、本発明の第一の実施の形態における、半導体装置の製造方法を示す工程図である。本実施の形態において、本発明は、膜厚の異なるゲート絶縁膜の製造に適用される。
図3および図4は、本発明の第二の実施の形態における、半導体装置の製造方法を示す工程図である。本実施の形態において、本発明は、図2に示した膜厚の異なる第一のゲート絶縁膜26および第二のゲート絶縁膜28上に、高誘電率絶縁膜を形成する例に適用される。
本実施の形態は、素子形成領域に形成されるトランジスタの製造方法に関するものである。以下、図5および図6を参照して説明する。
その際、第一のゲート絶縁膜26の形成領域における酸化膜の膜厚を、
(1)図2(a)に示したIPAによるレジスト層18の除去後、
(2)図2(b)に示したAPMおよびDHFによるシリコン基板10表面の洗浄処理後、
(3)図2(d)に示したRTO後、
のそれぞれについて測定した。膜厚はエリプソメータにより測定した。
12 素子分離領域
13a 第一の領域
13b 第二の領域
14 第一の酸化膜
16 第二の酸化膜
18 レジスト層
20 化学酸化膜
22 第三の酸化膜
26 第一のゲート絶縁膜
28 第二のゲート絶縁膜
30 高誘電率絶縁膜
31 ポリシリコン層
32 レジスト層
38 第三のゲート絶縁膜
40 第四のゲート絶縁膜
50 シリコン基板
52 酸化絶縁膜
54 高誘電率絶縁膜
56 多結晶シリコン層
58 レジスト層
60 ゲート絶縁膜
62 不純物領域
64 サイドウォール
Claims (14)
- 半導体基板上に、所定の形状にパターニングされた膜を形成する工程と、該膜の形成後、半導体材料の露出面を有する半導体基板の表面に対し、有機溶媒を主成分とする薬液によりウェット処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に膜を形成し、前記膜の少なくとも一部を有機溶媒を主成分とする薬液を用いて除去し、前記半導体基板の表面の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜上に所定形状にパターニングされた保護膜を形成する工程と、
前記保護膜をマスクとして前記導電膜を選択的に除去する工程と、
前記絶縁膜を選択的に除去して前記半導体基板表面の一部を露出させる工程と、
有機溶媒を主成分とする薬液により前記半導体基板に対してウェット処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜を除去する工程は、
前記半導体基板表面の一部を露出させる前に、前記保護膜を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3または4に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜を形成する工程は、
シリコン酸化膜よりも比誘電率の高い材料により構成された高誘電率絶縁膜を形成する工程を含み、
前記絶縁膜を除去する工程は、
前記保護膜をマスクとしてドライエッチングにより前記高誘電率絶縁膜の一部を選択的に除去する工程と、
前記保護膜を除去する工程と、
前記導電膜をマスクとして、ウェットエッチングにより前記高誘電率絶縁膜の残りを選択的に除去する工程と、を含み、
前記ウェットエッチングは、フッ化化合物を含み有機溶媒を主成分とする除去液、熱リン酸を含む除去液、または硫酸を含む除去液を用いて行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にシリコン酸化膜よりも比誘電率の高い高誘電率絶縁膜を少なくとも含む絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を、フッ化化合物を含み、有機溶媒を主成分とする薬液を用いたウェットエッチングにより選択的に除去して前記半導体基板表面の一部を露出させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上の第一の領域および第二の領域に第一の絶縁膜および第二の絶縁膜をそれぞれ形成する工程と、
前記第二の絶縁膜を覆う保護膜を形成する工程と、
前記第一の絶縁膜を除去して前記第一の領域において、前記半導体基板表面を露出させる工程と、
有機溶媒を主成分とする薬液により前記保護膜を除去する工程と、
前記第一の領域に前記第二の絶縁膜と膜厚または膜材料の異なる第三の絶縁膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第一の絶縁膜、第二の絶縁膜、および第三の絶縁膜は、それぞれ対応する領域において、前記半導体基板を酸化することにより形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7または8に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第三の絶縁膜および前記第二の絶縁膜上に、シリコン酸化膜よりも比誘電率の高い材料により構成された第一の高誘電率絶縁膜および第二の高誘電率絶縁膜をそれぞれ形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至9いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記有機溶媒は、極性基を有する有機溶媒であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至10いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記有機溶媒は、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、2−ヘプタノン、シクロペンタノン、メチルエチルケトン、グリコールエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、またはプロピレングリコールモノメチルアセテートであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至11いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記有機溶媒は、イソプロピルアルコールであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至12いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記有機溶媒はイソプロピルアルコールであって、前記薬液は、イソプロピルアルコールを90体積%以上含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上の異なる領域に形成された第一および第二のゲート絶縁膜と、
を含み、
前記第一のゲート絶縁膜は、第一の絶縁膜およびその上に形成された第一の高誘電率膜により構成され、
前記第二のゲート絶縁膜は、前記第一の絶縁膜とは膜厚または膜材料が異なる第二の絶縁膜およびその上に形成された第二の高誘電率膜により構成され、
前記第一の高誘電率膜および前記第二の高誘電率膜は、ジルコニウム、ハフニウム、ランタノイド、アルミニウム、インジウム、ガリウムまたはその酸化物を含む材料により構成され、シリコン酸化膜よりも比誘電率が高いことを特徴とする半導体装置。
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