JP2007235118A5 - - Google Patents

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US9546416B2 (en) * 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
EP3848957B1 (en) * 2018-09-03 2025-02-12 UACJ Corporation Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS623089A (ja) * 1985-06-27 1987-01-09 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 半導体製造装置
JPH0215616A (ja) * 1988-07-01 1990-01-19 Fujitsu Ltd レーザ再結晶化方法
JP4131752B2 (ja) * 1997-03-14 2008-08-13 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 多結晶半導体膜の製造方法
JP4827305B2 (ja) * 2001-03-16 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4397571B2 (ja) * 2001-09-25 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
JP2003224070A (ja) * 2001-11-26 2003-08-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法

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