JP2007230862A - ディプレスト・インデックス光ファイバの製造 - Google Patents

Abstract

【課題】光ファイバの内側クラッディング用のディプレスト・インデックス・クラッディングを作成する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ディプレスト・インデックス・クラッディングを２ステップで作成する方法である。内側クラッディングの最も内側の部分は、スート法を使用して作られ、これによって、ほとんどの光出力を運ぶクラッディングの領域についてスート法の有利性を引き出し、その後、ロッド・イン・チューブ・ステップを使用して内側クラッディング層の残りの部分を形成する。この方法は、両方の方法の有利性と不利益を効果的に密接に結合させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、ディプレスト・インデックス（ｄｅｐｒｅｓｓｅｄ ｉｎｄｅｘ）光ファイバの製造に関する。

ディプレスト・クラッド光ファイバは、１９８０年代はじめに、ドーピングされたコアと、より軽くドーピングされたまたはドーピングされていない環状クラッディングとを有するファイバの代替品として開発された。たとえば、米国特許第４、４３９、００７号を参照されたい。ディプレスト・クラッディングを使用することによって、比較的低いコア・ドーピングを有する光ファイバの製造が可能になる。これらのコアは、低い光損失を生じる。より一般的には、ディプレスト・クラッディングは、現在はよく認識されている「Ｗ」プロファイルを有する高デルタコア設計を作るために、普通のコア・ドーピング・レベルと組み合わせて使用される。ディプレスト（ｄｅｐｒｅｓｓｅｄ）された内側クラッディング（ｉｎｎｅｒ ｃｌａｄｄｉｎｇ）は、ドーピングされていない外側クラッディング（ｏｕｔｅｒ ｃｌａｄｄｉｎｇ）の使用を可能にする。ディプレストされた内部クラッディングがなければ、同一の「Ｗ」プロファイルを実現するのに、ドーピングされた外側クラッディングを使用することが必要になるはずである。

応用例が、シングルモードとマルチモードの両方のディプレスト・クラッド・ファイバについて開発され、ディプレスト・クラッド・ファイバを製造するさまざまなプロセスも、開発された、たとえば、その開示が参照によって本明細書に組み込まれている米国特許第４、６９１、９９０号を参照されたい。

最近、非線形効果の制御が重要である光波システム用のディプレスト・クラッド・ファイバへの新たな関心があった。たとえば、ＤＷＤＭネットワークが動作する１．５〜１．６μｍ波長領域の光周波数の４波ミキシングでは、低勾配低分散ファイバが必要である。この要件を満足するファイバ構造は、１つまたは複数のダウン・ドーピング（ｄｏｗｎ−ｄｏｐｅｄ）されたシリカを含む複数のクラッディングを有するファイバ構造である。

ディプレスト・クラッド・ファイバを作る最も一般的な技法は、ファイバのクラッディングにフッ素またはホウ素をドーピングし、したがって、ゲルマニウムがドーピングされたコアまたは純シリカ・コアより低い屈折率を有するクラッディングを作ることである。たとえば、０．０５〜０．７％の範囲内の負の正規化屈折率差Δｎを有するファイバが、フッ素ドーピングを使用して得られてきた。この手法は、通常、「Ｗ」インデックス・プロファイルを作るのに使用され、分散制御に望ましいことがわかっている。これらのファイバの製造は、気相軸付け（Ｖａｐｏｒ Ａｘｉａｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＶＡＤ）プロセスを含む標準的な製造プロセスのいずれかを使用して達成することができるが、このプロセスは、シェル領域にフッ素を選択的にドーピングするステップによって複雑になっている。フッ素は、多孔性構造に容易に拡散し、ゲルマニウムがドーピングされたコア領域へのフッ素マイグレーションを防ぐことは難しく、したがって、フッ素でカウンタ・ドーピング（ｃｏｕｎｔｅｒ−ｄｏｐｅｄ）されたコアがもたらされる。これによって、クラッドをダウン・ドーピングすることの利益が無になる。コア・カウンタ・ドーピング（ｃｏｒｅ ｃｏｕｎｔｅｒ−ｄｏｐｉｎｇ）の効果を克服する手法は、コア内のゲルマニウムのドーピング・レベルを高めることである。しかし、コア内の高いドーピング・レベルは、増えた散乱損失につながる。

ディプレスト・インデックス・コアまたはディプレスト・インデックス・クラッディングを有するファイバは、通常の光ファイバ製造技法のいずれかを使用して作成されてきた。これには、ロッド・イン・チューブ（ＲＩＴ）プロセス、インサイド・チューブ・デポジション（ｉｎｓｉｄｅ ｔｕｂｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）プロセス、すなわち、内付け化学気相成長法（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＣＶＤ）と化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）とプラズマ化学気相成長法（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＣＶＤ）、及びアウトサイド・チューブ・デポジション（ｏｕｔｓｉｄｅ ｔｕｂｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）プロセス、すなわち、気相軸付け（Ｖａｐｏｒ Ａｘｉａｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＶＡＤ）および外付け気相成長法（Ｏｕｔｓｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＯＶＤ）とが含まれる。シングル・モード・ディプレスト・クラッド・ファイバについては、必要な大量のクラッディング材料に起因して、ロッド・イン・チューブ手法が好ましい場合がある。これらの光ファイバのプレフォームは、高品質低損失クラッディング・チューブを必要とする。

上で述べた多孔性スート（ｓｏｏｔ）本体のカウンタ・ドーピングの効果は、ロッド・イン・チューブ（ＲＩＴ）プロセスに有利であるようにも見えるはずである。ＲＩＴプロセスでは、コアは、焼固されたロッドであり、クラッディングは、焼固されたチューブである。この場合に、フッ素イオンの移動は最小化される。というのは、すべての移動が、スート本体内で発生するはるかに高速の蒸気／固体浸透ではなく、固体／固体拡散を介するからである。しかし、ガラスのオーバークラッディング・チューブを使用するプレフォーム製造技法は汚染で損害を受ける。微量の汚染物質であっても、ガラスの透過特性に悪影響する。外側クラッディングのオーバークラッディング・チューブは効果的であり、しばしば使用されるが、内側クラッディングに関するオーバークラッディングの使用は、完全には成功していない。
米国特許第４、４３９、００７号明細書 米国特許第４、６９１、９９０号明細書 米国特許第６、９２８、８４１号明細書 米国特許第６、９２３、０２４号明細書

したがって、内側クラッディングに関する従来技術の選択は、内側クラッディング全体が時間のかかるスート堆積を用いて作られるスート法と、内側クラッディングに関するオーバークラッド・チューブの使用が損失を生じるＲＩＴ法との間にある。

本願発明者は、上で述べた問題を少なくとも部分的に克服する方法を開発した。この方法には、フッ素ドーピングされた内側クラッディングを２ステップで作成ことが含まれる。内側クラッディングの最も内側の部分はスート法を使用して作成され、これによって、ほとんどの光出力を運ぶクラッディングの領域についてスート法の利益を引き出し、その後、ロッド・イン・チューブ・ステップを使用して内側クラッディング層の残りの部分を形成する。この方法は、両方の方法の利益と不利益を効果的に密接に結合させる。

本発明は、少なくとも１つのディプレスト・インデックス領域を有する屈折率プロファイルを有する光ファイバの製造を対象とする。好ましい実施形態では、ディプレスト・インデックス領域は、光ファイバの内側クラッディングを含む。ディプレスト領域は、２ステップの組合せを使用して形成される。第１ステップでは、スート形成を使用して、内側クラッディング層の最も内側の部分を作り、その後、第２ステップで、ＲＩＴを使用して、内側クラッディング層を完成する。これを、概略的に図１に示す。

図１を参照すると、正規化屈折率差 対 距離として概略的にプロットされた屈折率プロファイルが、コア１１、内側クラッディング１２、および外側クラッディング１３について示されている。内側クラッディングの、コアに隣接する部分１５は、スート法を使用して形成される。内側クラッディングの部分１６は、ＲＩＴ法を使用して形成される。正規化屈折率差の縦座標の０点は純シリカの屈折率を表す。Δは、半径ｒでの屈折率と純シリカの屈折率との間の差として定義される。
Δ＝（ｎ（ｒ）−ｎ_ＳｉＯ２）／ｎ_ＳｉＯ２
ただし、ｎ（ｒ）は半径方向位置の関数としての屈折率であり、ｎ_ＳｉＯ２は純シリカの屈折率である。コアは正のΔを有し、内側クラッディングは負のΔを有し、外側クラッディング１３は０のΔを有する。通常、外側クラッディング領域１３はシリカ・チューブを使用して形成される。

コア１１および最も内側のクラッディング領域１５は、好ましくはＶＡＤを使用して準備される。図２を参照すると、ＶＡＤ法を使用してスートブール（ｓｏｏｔ ｂｏｕｌｅ）を引っ張る概略配置が示されている。全体的に２１に示されたスートブールは、支持ロッド２２の周囲に形成される。ロッドは、矢印によって示されるように、引張り中に回転される。この回転は、プレフォーム組成内のｘ−ｙ変動を最小にする。ｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸は、プレフォームの左側に図示されている。スートブールは、クラッディング部分２４およびコア部分２５を含む。

コアは、通常、ゲルマニウムをドーピングしたシリカである。本発明を説明するのに使用される実施形態では、内側クラッディング層は、フッ素ドーピングされたシリカを使用して準備されたディプレスト・インデックス・クラッディングである。脱水ステップおよび焼結ステップの後に、これらが組み合わされて、コアと内側クラッディングとの間の屈折率差を有する完成したコア・ロッドが作られる。

周知の通り、コアおよびクラッディングは、多数のタイプのインデックス・プロファイルを作るために、非常にさまざまな組成を用いて作ることができる。複数のクラッディング層を作ることができる。基本的なＶＡＤプロセスに関する更なる詳細は、参照によって本明細書に組み込まれている２００５年８月１６日発行の米国特許第６、９２８、８４１号に見出すことができる。ここで図示する実施形態では、ディプレスト・インデックス・クラッディング層は内側クラッディング層であるが、本発明がディプレスト・インデックス層を作ること全般を対象とすることを理解されたい。しかし、本発明が、ディプレスト・インデックス層が光ファイバの中央コアに非常に近接し、好ましくは中央コアに隣接する場合のプロファイルを有する光ファイバの製造に特に適合されていることも、当業者によって理解されるであろう。

コアスートの堆積はトーチ３３によって作られ、クラッディングスートの堆積はトーチ３４によって作られる。トーチは、既知の形で反応域の温度を制御するために酸素および水素によって供給される炎を用いる酸水素トーチである。２つのトーチは、図示のように、一方が他方に続いて縦一列になって動作し、その結果、コアスートがまず堆積され、コアスートに堆積されるクラッディングスートがそれに続くようになっている。フロー・コントローラおよび２つのトーチ・アセンブリは、反応域へのガラス前駆体ガスの供給ももたらす。コアスートを作るのに使用されるガラス前駆体ガスは、通常、不活性キャリヤ・ガス内にＳｉＣｌ_４およびＧｅＣｌ_４を含む。ディプレスト・クラッディングの内側部分１５の前駆体ガスは、ＳｉＣｌ_４およびＣＦ_４とすることができる。他のフッ素源、たとえばＸｅＦ、ＳｉＦ_４を使用することもできる。

引張り速度は、先端位置で検出される変動に従って、３７に示されたものに似たコア成長速度モニタによって調整されるが、コア成長速度モニタからの信号が、図２に示されたフィードバック・ループ２３によって示されるように、引張り速度を調整するのに使用される。図２の支持ロッド２２の引張りへの言及は、プレフォームの位置がトーチ３３および３４の位置に関して制御可能に移動されるすべての配置を含むことを意味する。支持ロッドまたはトーチのいずれかを移動することができる。これらは、必要な移動が相対的であるという点で等価であり、その結果、一方または他方の移動は、述べられた場合に、相対移動を意味する。

ＶＡＤプロセスの改善された制御は、コアスートおよびクラッディングスートの成長速度を独立に監視することによって得ることができる。これは、それぞれクラッディング成長速度用およびコア成長速度用の独立のモニタ３６および３７を使用することによって実施することができる。いずれかのモニタでの変化のすべてが、コンピュータ３８にフィード・バックされ、コンピュータ３８は、フロー制御ユニット３１に送られる制御アクションを計算する。すぐ上で説明したように、フロー制御ユニットは、コアスートとクラッディングスートの両方の反応域へのガラス前駆体ガスの流れを制御し、トーチ３３および３４への燃料ガスの流れを制御することによって両方の反応の温度を制御する。図示の配置では、コアスート反応およびクラッディングスート反応の制御は、独立であり、前駆体ガス、燃料ガス、またはこの両方の流量を制御することによって実施することができる。これは、参照によって本明細書に組み込まれている２００５年８月２日発行の米国特許第６、９２３、０２４号で、より詳細に説明されている。

スート堆積に続いて、多孔性スート本体が、シリカ粒子を固体の密なガラス・ロッドに焼結するのに十分な温度まで加熱することによって焼固される。焼固は、通常、スート本体を１４００℃から１６００℃までの温度まで加熱することによって実行される。冷却の後に、固体のロッドは、ＲＩＴプロセスの準備ができている。

ディプレスト・クラッディング層１２の第２部分１６は、ＲＩＴ法を使用して形成される。このチューブは、前に説明したように、フッ素がドーピングされたシリカ・チューブである。フッ素チューブ内のドーピングのレベルは、少なくとも、最も内側のクラッディング領域１５の屈折率と同程度に負である、ガラス・チューブの屈折率をもたらすように選択される。このチューブ内のドーピング・レベルは、傾斜付きとすることができるが、通常は均一である。

通常のロッド・イン・チューブ手法を図３および図４に示す。これらの図は原寸通りではない。クラッディング・チューブを図３の５６に示す。通常の長さ対直径比は１０〜１５である。コア・ロッド５７は、クラッディング・チューブに挿入されつつあるものとして図示されている。この時点でのこのロッドは通常は既に焼固されている。ロッド５７とチューブ５６の組立の後にこの組合せを溶融して、図４に示された最終的なプレフォーム６８を作り、コア６９は、クラッディングと一体であるが小さい屈折率差を有する。

図１によって表される実施形態では、２つのオーバークラッド・チューブが使用される。第１のオーバークラッド・チューブは、フッ素がドーピングされたシリカを含み、プロファイル内の領域１６を形成する。第２の、ドーピングされていないシリカのオーバークラッド・チューブは、外側クラッディング１３を形成する。これらのチューブに適切な寸法、およびＲＩＴ技法は、当技術分野で既知であり、詳細は、図示のプロファイルを実施するために、当業者に必要ではない。

次に、完成したプレフォームは、通常の方法で光ファイバの線引きに使用される。図５に、光ファイバ線引き装置を示すが、プレフォーム７１およびサセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）７２は、ガラス・プレフォームを柔らかくし、ファイバ線引きを開始するのに使用される窯（図示せず）を表す。線引きされたファイバが７３に示されている。次に、出来たてのファイバ表面が、全体的に７４に示されたコーティング・カップ（ｃｏａｔｉｎｇ ｃｕｐ）に通され、このコーティング・カップは、コーティング・プレポリマ７６を含むチャンバ７５を有する。コーティング・チャンバからの液体コーティングされたファイバは、ダイ８１を通って出る。ダイ８１とプレポリマの流体力学との組合せが、コーティング厚さを制御する。次に、プレポリマがコーティングされたファイバ８４が、プレポリマを硬化するためにＵＶランプ８５に露光され、コーティング・プロセスが完了する。適当な場合に、他の硬化放射を使用することができる。次に、コーティングを硬化されたファイバは、巻取リール８７によって巻き取られる。この巻取リールは、ファイバの線引き速度を制御する。通常は１〜２０ｍ／ｓｅｃの範囲の線引き速度を使用することができる。ファイバおよびコーティングの同心性を維持するために、コーティング・カップ内、特に出口ダイ８１内でファイバをセンタリング（ｃｅｎｔｅｒｉｎｇ）することが重要である。市販装置は、通常、ファイバのアライメントを制御するプーリーを有する。ダイ自体の中の動水力学的圧力が、ファイバのセンタリングを助ける。マイクロ・ステップ・インデクサ（図示せず）によって制御されるステッパ・モータが巻取リールを制御する。

光ファイバのコーティング材料は、通常、ＵＶ光重合開始剤を添加された、ウレタン、アクリレート、またはウレタン−アクリレートである。図５の装置は、単一のコーティング・カップと共に図示されているが、二重コーティング・カップを有する二重コーティング装置が一般に使用される。二重コーティングされたファイバでは、通常、主コーティング材料または内側コーティング材料が、シリコン、ホット・メルト・ワックス（ｈｏｔ ｍｅｌｔ ｗａｘ）、または比較的低い弾性を有する複数のポリマ材料、のうちのいずれかなど、柔らかい低弾性材料である。第２コーティングまたは外側コーティングの通常の材料は、高弾性ポリマであり、通常はウレタンまたはアクリル樹脂である。商業的応用では、両方の材料を低弾性アクリレートおよび高弾性アクリレートとすることができる。コーティング厚さは、通常、直径１５０〜３００μｍの範囲にわたり、約２４０μｍが標準的である。

本発明の原理を上で説明したように実例説明したが、本発明による光ファイバ屈折率プロファイルの特定の設計を図６に示す。コアは、約０．００３５のΔを有する、Ｇｅがドーピングされたシリカである。ディプレスト・クラッディングの最も内側の部分は、ＳｉＣｌ_４およびＣＦ_４を使用して作成され、図示の深いディプレスト領域をもたらす。ディプレスト・クラッディングのうちでスート堆積によって作られた部分は、光ファイバの中心から約１３μまで延びる。スート堆積された内側クラッディング領域のΔは、約−０．０００３から約−０．０００８まで変化する。ディプレスト・クラッディングの残りの部分は、約１３ミクロンから約２３ミクロンまで延びるが、フッ素ドーピングされたオーバークラッド・チューブを用いて作られる。コア（１１）の直径に対する内側クラッディング（１２）の直径の比は、約５であり、通常は３〜８までの範囲にわたる。

本発明の２ステップ・クラッディング形成プロセスの使用は、非常に幅広く非常に深いディプレスト・インデックス領域の製造を可能にする。図６のディプレスト・インデックス領域は、約１９ミクロン幅であり、大部分が−０．０００８より負のディプレスト・インデックスを有する。ディプレスト・インデックス領域の幅Ｗ_Ｄは、
Ｗ_Ｄ＝（Ｄ_Ｆ−Ｄ_Ｃ）／２
として表すことができ、ここで、Ｄ_Ｆは、Ｆドーピングされた領域の直径（図６では約４６ミクロン）であり、Ｄ_Ｃは、コアの直径（図６では約８ミクロン）である。

最も内側のクラッディングにスートから得られるガラスを使用することの重要な利益は、高い品質、即ち、伝搬する波の光出力エンベロープの外側領域での低損失ガラスをもたらすことであるから、ディプレスト・クラッディングのスートから得られる部分の幅は、かなりのもの、すなわち、少なくとも０．２５Ｗ_Ｄ、好ましくは少なくとも約０．５Ｗ_Ｄであることが好ましい。また、好ましい事例で、スートから得られるガラス・ディプレスト・インデックス・内側クラッディング・ガラスの幅の少なくとも５０％が、−０．０００５より負のΔを有する。チューブから得られるガラスの本質的にすべてが、−０．０００５より負のΔを有することも好ましい。これらの特性を組み合わせると、ディプレスト層の幅Ｗ_Ｄの少なくとも７５％が、−０．０００５より負のΔを有するようになる。

ディプレスト・インデックス領域の一部がＶＡＤスートから得られ、ディプレスト・インデックス領域の一部がＲＩＴオーバークラッド・チューブから得られる、本発明の好ましい実施形態では、プロファイルは、次の特性を有する。
Ｗ_Ｄ［（Ｄ_Ｆ−Ｄ_Ｃ）／２］＞１０ミクロン、好ましくは１４ミクロンを超える。
ディプレスト・内側クラッディング（１２）Δの７５％超が、−０．０００５より負。

外側クラッディング１３は、好ましくはドーピングされないシリカであり、ファイバの外側表面まで延びることができる。代替案では、マイクロベンド損失を制御するためのドーピングされないリングなど、他のプロファイル特徴を組み込むことができる。

完成したプレフォームでは、ディプレスト領域が、スートから得られたガラスとチューブから得られたガラスとの間の物理的界面または不連続性を示すと期待される。したがって、プレフォームは、構造的には、ＶＡＤまたはＯＶＤによってスートから得られたガラスの部分とオーバークラッド・チューブから得られたガラスの部分とを含むディプレスト領域によって特徴を表すことができる。これらの特徴は、本明細書の文脈で特定の意味を獲得しており、したがって、当業者に明瞭かつ明確であるはずの用語である。プレフォームから線引きされた光ファイバは、プレフォームの材料特性のすべてを複製することがわかっているので、この光ファイバを、同一の特性によって定義することができる。

本明細書で使用される用語「アップ・ドーピングされた（ｕｐ−ｄｏｐｅｄ）」および「ダウン・ドーピングされた（ｄｏｗｎ−ｄｏｐｅｄ）」は、当業者に周知の用語でもある。アップ・ドーピングされたガラスまたはガラス領域とは、純シリカより高い屈折率を有するようにドーピングされたガラスまたはガラス領域である。ダウン・ドーピングされたガラスまたはガラス領域とは、純シリカより低い屈折率を有するようにドーピングされたガラスまたはガラス領域である。

詳細な説明の終わりに、本発明の原理から実質的に逸脱せずに、好ましい実施形態に対して多数の変更および修正を行えることが当業者に明白であることに留意されたい。そのような変形形態、修正形態、および同等物のすべてが、添付の特許請求の範囲に示される本発明の範囲に含まれるものとして本明細書に含まれることが意図されている。

本発明の２ステップ・プロセスによって形成されるディプレスト・インデックスを有する光ファイバ・プロファイルを示す概略図である。 内側クラッディングを作る２ステップ手法のステップ１に有用なＶＡＤプロセスを示す図である。 内側クラッディング形成の第２ステップに適切なＲＩＴ法を示す図である。 内側クラッディング形成の第２ステップに適切なＲＩＴ法を示す図である。 光ファイバ線引き装置を示す概略図である。 本発明に従って作られる光ファイバの屈折率プロファイルを示す、デルタ対距離のプロットである。

Claims (11)

1. （ａ）第１ＶＡＤトーチ内で、
   （ｉ）１つまたは複数のガラス前駆体ガス流および燃料ガス流を一緒に流して、第１スートガス混合物を形成する工程と、
   （ｉｉ）前記第１スートガス混合物を点火して第１スート炎を形成し、第１ガラススートを作成する工程とを含み、さらに、
   （ｂ）第２ＶＡＤトーチ内で、
   （ｉ）１つまたは複数のガラス前駆体ガス流および燃料ガス流を一緒に流して、フッ素化合物を含む第２スートガス混合物を形成する工程と、
   （ｉｉ）前記第２スートガス混合物を点火して第２スート炎を形成し、第２ガラススートを作成する工程と、
   （ｃ）支持ロッドを縦一列の前記第１および第２ＶＡＤトーチに向ける工程とを含み、前記第１ＶＡＤトーチが前記第２ＶＡＤトーチに先行し、その結果、前記第１ＶＡＤトーチは前記第１ガラススートを堆積して第１スートを形成し、前記第２ＶＡＤトーチは前記第１ガラススート上に前記第２ガラススートを堆積するものであり、さらに、
   （ｄ）前記トーチに対して開始点から終了点まで前記支持ロッドを移動して、スートの２層を作成する工程と、
   （ｅ）スートの前記２層を加熱して前記スートをガラス・ロッドに焼固する工程と、
   （ｆ）フッ素ドーピングされたガラスを含む前記ガラス・ロッドをガラス・チューブに挿入する工程と、
   （ｇ）前記ガラス・チューブを加熱して前記ガラス・チューブを前記ガラス・ロッドの回りでつぶす工程とを含むことを特徴とする方法。
2. 前記第１ガラススートがゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 軟化温度までプレフォームを加熱する工程と、
   プレフォームからガラス・ファイバを線引きする工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. ダウン・ドーピングされた内側クラッディング層によって囲まれたアップ・ドーピングされたコアを含む光ファイバであって、前記ダウン・ドーピングされた内側クラッディング層は、
   ＶＡＤまたはＯＶＤによってスートから得られたガラスを含む、前記コアに隣接する第１のダウン・ドーピングされたクラッディング領域と、
   オーバークラッド・チューブから得られたガラスを含む、前記第１クラッディング領域を囲む第２のダウン・ドーピングされたクラッディング領域とを含むことを特徴とする光ファイバ。
5. 前記ダウン・ドーピングされたクラッディング領域にはフッ素がドーピングされていることを特徴とする請求項４に記載の光ファイバ。
6. 前記内側クラッディング層は、
   Ｗ_Ｄ＝（Ｄ_Ｆ−Ｄ_Ｃ）／２
   （Ｄ_Ｆは前記ダウン・ドーピングされた領域の直径、Ｄ_Ｃは前記コアの直径、そしてＷ_Ｄは１２ミクロンより大きい）によって定義される幅Ｗ_Ｄを有することを特徴とする請求項４に記載の光ファイバ。
7. 前記第１ダウン・ドーピングされたクラッディング領域の幅は少なくとも０．２５Ｗ_Ｄであることを特徴とする請求項４に記載の光ファイバ。
8. 前記第１ダウン・ドーピングされたクラッディング領域の少なくとも５０％は−０．０００５より負のデルタを有することを特徴とする請求項４に記載の光ファイバ。
9. 前記第２ダウン・ドーピングされたクラッディング領域は−０．０００８より負のデルタを有することを特徴とする請求項４に記載の光ファイバ。
10. 前記ディプレスト・クラッディング領域の幅Ｗ_Ｄの少なくとも７５％は−０．０００５より負のデルタを有することを特徴とする請求項４に記載の光ファイバ。
11. １３８３ｎｍで０．３１ｄＢ／ｋｍ未満の水ピークを有することを特徴とする請求項４に記載の光ファイバ。

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