JP2007226949A - 情報メディア及びそれを利用する情報の記録及び再生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】情報記録媒体から発生する電場によりチャンネルが変わる半導体チップを有する半導体探針と、電場により発生した情報信号を変調するように、半導体探針に高周波変調信号を加えて変調電界を形成させる変調部と、半導体探針から発生する信号を検出する信号検出部と、信号検出部で検出された信号から、変調電界により変調された情報信号を抽出する復調部と、を備える装置である。これにより、変調により電界変化による信号と熱的変化による信号とを分離して有効な情報信号を検出することによって、SNRが向上し、これによって熱的ノイズにかかわらず、情報信号を安定的に再生できる。
【選択図】図2A
Description
図1Aは、電界効果型半導体探針と本発明に係る情報記録メディアとの関係を説明する図面である。
図1Aに概略的に示すように、探針30は、カンチレバーと、カンチレバーの先端にメディアの表面に対面して形成される電界効果トランジスタ型半導体チップとを備える。本発明に係るメディア10は、基板1上に、電場の変化を誘導する分極ドメインにより情報を記録する強誘電性記録層2と、熱放出の変化を誘導するピット3’により情報が記録される物理的記録層3と、前記強誘電性記録層2の下部の電極4とを備え、物理的記録層3は、前記強誘電性記録層2上に形成されて、抵抗性チップに直接的に接触する。ここで、メディア10の材料は、既知の物質が利用されうる。例えば、前記電極4は、Pt、Pd、Ir、RuまたはRuO2、強誘電性記録層2は、PZT、PbTiO3、BiFeO3、LiTaO3、そして、物理的記録層3は、PS−BCB(ポリスチレンベンジルシクロブテン)、PCBM[6,6]−フェニル C61−酪酸メチルエステル)、OC1C10−PPV(ポリ[2−メトキシ−5−(3’,7’−ジメチルオクチルオキシ)]−p−フェニレンビニレン)、P3HT(ポリ−3−へキシルチオフェン)などで形成され、望ましくは、PS−BCBを利用する。
まず、図1Bに示すように、強誘電性記録層2に情報を記録するために、探針30と電極4との間に所定の電圧を印加して、遺伝性物質からなる物理的記録層を通じた電荷の注入が行われ、したがって、強誘電性記録層2に記録情報に対応する分極が垂直方向に発生する。
分極ドメインにより情報を記録する図2に示すような二重の記録層2、3を有するメディア10の表面に、半導体チップ31を有する半導体探針30が所定間隔離隔されて配置される。探針30からの出力は、信号検出部20に連結され、信号検出部20は、復調器50に連結されている。復調器50の二つの乗算器MPL1、MPL2、及び二つの低域通過フィルタLPF1、LPF2を有し、これについては後述する。一方、前記信号検出部20は、一種の信号前処理部であって、探針における熱的抵抗及び電場抵抗の変化による電流変化から二つの情報信号が載せてある複合的信号を抽出する。そして、探針30には、メディア10の強誘電性記録層2の分極により捕獲された電荷による電流変化、すなわち、前記電場信号を変調する変調器40が連結される。前記変調器40は、所定周波数の正弦波を発生させ、半導体チップ31のチャンネル領域に変調電界を形成する。変調電界によって前記電場信号が変調される。一方、メディア10でピット3’が形成される物理的記録層3により発生する探針30の温度の変化により、探針30での抵抗変化(熱的信号)が発生する。
図4は、本発明の一実施形態に係る情報再生装置の概略的な回路図である。
図4に示す実施形態の情報再生装置は、変調信号の検出が二つのブレンチを有するホイートストンブリッジにより形成される。図面において左側ブレンチは、直列で連結される抵抗性半導体チップ31及び第1抵抗器R1により構成され、右側ブレンチは、第2抵抗器R2及び第3抵抗R3により構成される。探針30の先端に形成されている抵抗性半導体チップ31のドレイン電極34は接地され、ソース電極32は、前記第1抵抗R1に連結される。直列の第2抵抗器R2及び第3抵抗器R3のブレンチは、第3抵抗器R3により接地される。ホイートストンブリッジの左側ブレンチと右側ブレンチとには、共にバイアス電圧Vssが印加される。
したがって、低域通過フィルタLPF1を利用して直流成分のみを検出すれば、電界によって変わる抵抗成分rfのみを検出できる。
図5に示すように、抵抗性探針30は、演算増幅器21の出力端に連結され、ドレイン電極34は、演算増幅器21の反転入力端(−)に連結されている。演算増幅器21の反転入力端と非反転入力端とには、第1抵抗器R1及び第2抵抗器R2がそれぞれ接続され、これらに共にバイアス電圧Vssが印加される。これに加えて、非反転入力端(+)に前記第2抵抗器R2と、電圧分配部を構成する第3抵抗器R3とが接続される。前記演算増幅器21の出力端は、復調器50に連結される。復調器50は、前述のように、第1乗算器MPL1、第2乗算器MPL2、第1低域通過フィルタLPF1及び第2低域通過フィルタLPF2を有する。
図7において、第1波形は、電界により変わる抵抗rfの波形であり、第2波形は、熱変化による抵抗成分rtであって、シミュレーション時に使用されたデータ波形である。
20 信号検出部
30 半導体探針
31 半導体チップ
40 変調器
41 変調信号発生部
50 復調器
MPL1、MPL2 乗算器
LPF1、LPF2 低域通過フィルタ
VFO 電場信号出力
VTO 熱的信号出力
Vss バイアス電圧
Vom 出力電圧
Vsub 変調信号
Vsub’、Vsub” 復調信号
Claims (22)
- 基板と、
基板上に形成される分極により情報を記録する強誘電性記録層と、
前記強誘電性記録層上に形成されるものであって、ピットにより情報が記録される物理的記録層と、
前記基板と前記強誘電性記録層との間に位置する電極と、を備えることを特徴とする情報記録メディア。 - 前記電極は、Pt、Pd、Ir、Ru、RuO2のうち何れか一つから形成されることを特徴とする請求項1に記載の情報記録メディア。
- 前記強誘電性記録層は、PZT、PbTiO3、BiFeO3、LiTaO3のうち何れか一つから形成されることを特徴とする請求項1に記載の情報記録メディア。
- 物理的記録層は、PS−BCB、PCBM、OC1C10−PPV、P3HTのうち何れか一つから形成されることを特徴とする請求項1に記載の情報記録メディア。
- 分極により情報を記録する強誘電性記録層と、前記強誘電性記録層上に形成されるものであって、ピットにより情報が記録される物理的記録層とを備えるメディアと、
前記メディアの強誘電性記録層から電場の変化により発生する電場信号と、前記物理的記録層のモーフォロジーにより発生する温度の変化による熱的信号とを含む複合信号を発生させる半導体探針と、
前記半導体探針から複合信号を検出する信号検出部と、
前記信号検出部からの複合信号を復調して、前記電場信号と熱的信号とを分離する復調部と、を備えることを特徴とする情報再生装置。 - 前記半導体探針は、p型半導体から形成されたチップと、前記電場によって前記チームの先頭部に前記チャンネルが形成される領域と、前記チャンネルが形成される領域の両側傾斜面にn型半導体でドーピングされたソース及びドレイン領域と、前記チップの末端に設けられて、p型半導体から形成されたカンチレバーとを備え、
前記変調部は、高周波変調信号発生器と、前記カンチレバーに設けられ、前記高周波変調信号発生器から前記高周波変調信号が印加される電極を備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体探針を利用した情報再生装置。 - 前記高周波変調信号は、正弦波信号であることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体探針を利用した情報再生装置。
- 前記高周波変調信号は、前記メディアから発生する電場の周波数より少なくとも5倍以上大きい高周波信号であることを特徴とする請求項7に記載の半導体探針を利用した情報再生装置。
- 前記復調部は、前記信号検出部で検出された信号と復調信号とを乗算する第1乗算器(乗算演算器)と、前記第1乗算器から出力された1次信号から所定の周波数以下の周波数領域信号を抽出する第1低域通過フィルタと、前記1次信号と前記復調信号とを乗算する第2乗算器と、前記第2乗算器からの2次信号から所定の周波数以下の周波数領域信号を抽出する第2低域通過フィルタと、を備え、前記復調信号は、前記変調信号と周波数が概して同じであり、前記信号検出部で検出された信号と位相が概して同じであることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の情報再生装置。
- 前記低域通過フィルタの遮断周波数は、前記変調信号の周波数より少なくとも10倍以上小さいことを特徴とする請求項9に記載の情報再生装置。
- 前記信号検出部は、前記半導体探針に電圧を分配印加して信号を抽出するように電圧分配器回路から構成されたことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の情報再生装置。
- 前記電圧分配器回路は、少なくとも一つ以上の抵抗及び前記半導体探針から構成されたブリッジ回路であることを特徴とする請求項11に記載の情報再生装置。
- 前記復調部は、前記信号検出部で検出された信号と復調信号とを乗算する第1乗算器(乗算演算器)と、前記第1乗算器から出力された1次信号から所定の周波数以下の周波数領域信号を抽出する第1低域通過フィルタと、前記1次信号と前記復調信号とを乗算する第2乗算器と、前記第2乗算器からの2次信号から所定の周波数以下の周波数領域信号を抽出する第2低域通過フィルタと、を備え、前記復調信号は、前記変調信号と周波数が概して同じであり、前記信号検出部で検出された信号と位相が概して同じであることを特徴とする請求項7に記載の情報再生装置。
- 前記ブリッジ回路は、前記半導体探針及び一つの抵抗を備えたハーフブリッジ回路であり、前記抵抗及び前記半導体探針が直列で連結されたノードから信号が検出されることを特徴とする請求項13に記載の半導体探針を利用した情報再生装置。
- 前記ブリッジ回路は、前記半導体探針及び3つの抵抗を備えたホイートストンブリッジ回路であり、差動増幅器をさらに備え、前記差動増幅器の反転あるいは非反転入力端は、前記半導体探針が備えられて、第1抵抗と連結された第1ハーフブリッジ連結ノード、または前記抵抗のみから構成された第2抵抗と第3抵抗との間の第2ハーフブリッジ連結ノードに連結され、前記差動増幅器の出力端から信号を検出することを特徴とする請求項13に記載の情報再生装置。
- 前記第1抵抗の抵抗値は、前記半導体探針の純抵抗成分の抵抗値と概して同じであり、前記第2抵抗と前記第3抵抗との抵抗値が概して同じであることを特徴とする請求項15に記載の半導体探針を利用した情報再生装置。
- 前記復調部は、前記信号検出部で検出された信号と復調信号とを乗算する乗算器と、前記乗算器から出力された信号から所定の周波数より小さな周波数領域の信号を抽出する低域通過フィルタとを備え、前記復調信号は、前記変調信号と周波数が概して同じであり、前記信号検出部から出力された信号と位相が概して同じであることを特徴とする請求項16に記載の情報再生装置。
- 前記電圧分配器回路は、少なくとも一つ以上の抵抗を備え、前記半導体探針で帰還ループを形成した演算増幅器を備えた反転増幅回路であることを特徴とする請求項11に記載の半導体探針を利用した情報再生装置。
- 分極により情報を記録する強誘電性第1記録層と、前記強誘電性記録層上に形成されるものであって、ピットにより情報が記録される物理的第2記録層とを備えるメディアと、前記メディアの第1記録層及び第2記録層から情報を検出する半導体チップを有する半導体探針を利用して媒体に記録された情報を再生する方法において、
前記半導体探針に高周波変調信号を加えて変調電界を形成して、電場の変化により発生する電場信号を変調する変調ステップと、
前記半導体探針から前記情報に対応する電気的複合信号を検出する信号検出ステップと、
前記複合信号から変調された電場信号と、変調されていない熱的信号とを分離して抽出する復調ステップと、を含むことを特徴とする情報再生方法。 - 前記復調ステップは、前記信号検出ステップで複合信号と復調信号とを乗算する第1乗算演算ステップと、前記第1乗算演算ステップから得られた第1次信号から所定の周波数より小さな周波数領域の電場信号を抽出するステップと、前記第1次信号と前記復調信号とを乗算する第2乗算演算ステップと、前記第2乗算演算ステップから得られた第2次信号から所定の周波数より小さな周波数領域の熱的信号を抽出するステップと、を含むことを特徴とする請求項19に記載の情報再生方法。
- 前記信号検出ステップは、前記半導体探針に電圧を分配して前記半導体探針から発生する信号を抽出することを特徴とする請求項19に記載の半導体探針を利用した情報再生方法。
- 前記信号検出ステップは、前記分配された電圧のオフセット電圧を除去して増幅するステップをさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の半導体探針を利用した情報再生方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060016226A KR100718154B1 (ko) | 2006-02-20 | 2006-02-20 | 정보 미디어 및 이를 이용하는 정보의 기록 및 재생 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007226949A true JP2007226949A (ja) | 2007-09-06 |
JP4503622B2 JP4503622B2 (ja) | 2010-07-14 |
Family
ID=37635640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007025575A Expired - Fee Related JP4503622B2 (ja) | 2006-02-20 | 2007-02-05 | 情報メディア及びそれを利用する情報の記録及び再生装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7751302B2 (ja) |
EP (1) | EP1821301A3 (ja) |
JP (1) | JP4503622B2 (ja) |
KR (1) | KR100718154B1 (ja) |
CN (1) | CN101025969B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100668327B1 (ko) * | 2005-02-14 | 2007-01-12 | 삼성전자주식회사 | 프로브 헤드 및 그 제조 방법 |
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KR101339433B1 (ko) | 2012-01-16 | 2013-12-09 | 도시바삼성스토리지테크놀러지코리아 주식회사 | 광원 드라이브 제어 방법 및 이를 적용하는 장치 |
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JP3954457B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2007-08-08 | パイオニア株式会社 | 誘電体記録媒体及び誘電体記録再生装置 |
JP4017104B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2007-12-05 | パイオニア株式会社 | 誘電体記録再生ヘッド及びトラッキング方法 |
-
2006
- 2006-02-20 KR KR1020060016226A patent/KR100718154B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-10-27 EP EP06123122A patent/EP1821301A3/en not_active Withdrawn
- 2006-11-15 CN CN2006101603675A patent/CN101025969B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-05 US US11/633,472 patent/US7751302B2/en active Active
-
2007
- 2007-02-05 JP JP2007025575A patent/JP4503622B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1821301A2 (en) | 2007-08-22 |
EP1821301A3 (en) | 2008-01-23 |
US7751302B2 (en) | 2010-07-06 |
US20070196618A1 (en) | 2007-08-23 |
CN101025969B (zh) | 2011-10-12 |
CN101025969A (zh) | 2007-08-29 |
KR100718154B1 (ko) | 2007-05-14 |
JP4503622B2 (ja) | 2010-07-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100421 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |