JP2007226177A - 薄膜トランジスタアレイ基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】欠陥を補修し、生産収率を向上させる薄膜トランジスタアレイ基板を提供する。
【解決手段】基板２１０、複数の走査線２１２ａ、２１２ｂ、複数のデータ線２１４、複数の薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂ及び複数の画素電極２１８を備える。基板２１０は、複数の画素領域２１０ａを有し、走査線２１２ａ、２１２ｂ及びデータ線２１４を基板２１０上に配置する。各画素領域２１０ａ内には少なくとも二つの薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂが配置され、薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂは、それぞれ走査線２１２ａ、２１２ｂ及びデータ線２１４のみに対応し、走査線２１２ａ、２１２ｂ及びデータ線２１４のそれぞれは少なくとも一つの薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂに対応する。また、各画素領域２１０ａ内には、画素電極２１８を配置し、同一の画素領域２１０ａ内にある薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂをカバーして電気的に接続する。
【選択図】図２
【解決手段】基板２１０、複数の走査線２１２ａ、２１２ｂ、複数のデータ線２１４、複数の薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂ及び複数の画素電極２１８を備える。基板２１０は、複数の画素領域２１０ａを有し、走査線２１２ａ、２１２ｂ及びデータ線２１４を基板２１０上に配置する。各画素領域２１０ａ内には少なくとも二つの薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂが配置され、薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂは、それぞれ走査線２１２ａ、２１２ｂ及びデータ線２１４のみに対応し、走査線２１２ａ、２１２ｂ及びデータ線２１４のそれぞれは少なくとも一つの薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂに対応する。また、各画素領域２１０ａ内には、画素電極２１８を配置し、同一の画素領域２１０ａ内にある薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂをカバーして電気的に接続する。
【選択図】図２
Description
本発明はアクティブデバイスアレイ基板及び表示装置に関し、特に薄膜トランジスタアレイ基板及び電子インク表示装置に関する。
電子インク表示装置は、１９７０年代から発展し始めた。この電子インク表示装置は、一方の面が白色で、他方の面が黒色である帯電している小球を含み、電界が変化すると、球が上下に回転して異なる色を表示することが特徴であった。そして１９９０年代に開発された二代目の電子インク表示装置は、従来の小球に替え、マイクロカプセルに充填したカラーのオイル（oil）及び帯電した白色粒子が特徴であった。これは外部電界を制御することにより、白色粒子を上下方向に移動させ、白色粒子が上方に移動すると（ビューアの方向に接近する場合）白色を表示し、白色粒子が下方に移動すると（ビューアから離れる場合）油の色を表示することができた（例えば、特許文献１参照）。
現在一般に見られる電子インク表示装置は、フロントプレーンラミネート（Front Plane Laminate：ＦＰＬ）及び薄膜トランジスタアレイ基板を含む。一般にフロントプレーンラミネートは、透明カバー、透明電極層及び電子インク材料層を含む。電子インク材料層は、電子インク及び支持液体を含む。薄膜トランジスタアレイ基板の各画素電極とフロントプレーンラミネートの透明電極層との間の電界を変えると、電子インクは電界方向に基づいて上下方向へ移動し、各画素は様々な光学特性を示した。
ここで注意しなければならないことは、薄膜トランジスタアレイ基板の製造工程において、例えば粒子（particle）汚染や材料の不適当な残留などの各種原因により、断線や短絡が発生することがある点である。この場合、電子インク表示装置は表示時に点欠陥（dot defect）又は線欠陥（line defect）などの問題を発生させ、品質及び生産収率に悪い影響を与えた。そのため電子インク表示装置に発生していた上述のような欠陥を減らすことが望まれていた。
本発明の目的は、欠陥を補修して生産収率を向上させる薄膜トランジスタアレイ基板を提供することにある。
本発明のもう一つの目的は、薄膜トランジスタアレイ基板により、欠陥の発生を減らし、表示品質が優れた電子インク表示装置を提供することにある。
本発明のもう一つの目的は、薄膜トランジスタアレイ基板により、欠陥の発生を減らし、表示品質が優れた電子インク表示装置を提供することにある。
本発明の薄膜トランジスタアレイ基板は、電子インク表示装置に適用する。本発明の薄膜トランジスタアレイ基板は、主に基板、複数の走査線、複数のデータ線、複数の薄膜トランジスタ及び複数の画素電極を備える。基板は複数の画素領域を有し、走査線及びデータ線を基板上に配置する。各画素領域内には少なくとも二つの薄膜トランジスタを配置し、各薄膜トランジスタは、それぞれ走査線及びデータ線のみに対応し、走査線及びデータ線のそれぞれは少なくとも一つの薄膜トランジスタに対応する。また、各画素領域内に画素電極を配置し、同一の画素領域内にある薄膜トランジスタをカバーして電気的に接続する。
本発明の各画素領域は、二つの走査線に対応する少なくとも二つの薄膜トランジスタを有する。また、薄膜トランジスタアレイ基板は、画素領域内に配置し、同一の画素領域内にある走査線にそれぞれ接続する複数の接続線をさらに含んでもよい。
本発明の各画素領域は、二つのデータ線に対応する少なくとも二つの薄膜トランジスタを有する。また、各画素領域は二つの走査線を有してもよい。また、本発明の薄膜トランジスタアレイ基板は、画素領域内に配置され、同一の画素領域内にあるデータ線にそれぞれ接続される複数の接続線を含んでもよい。
本発明の画素領域は、二つの走査線及び二つのデータ線に対応する四つの薄膜トランジスタを有する。また、本発明の薄膜トランジスタアレイ基板は、画素領域内に配置し、同一画素領域内にある走査線又はデータ線へそれぞれ接続する複数の接続線をさらに含む。
本発明の電子インク表示装置は、上述の薄膜トランジスタアレイ基板、電子インク材料層、透明電極層及び透明カバーを含む。この電子インク材料層は、薄膜トランジスタアレイ基板の画素電極上に配置し、透明カバーは電子インク材料層上に配置する。また、透明電極層は、透明カバーと電子インク材料層との間に配置する。
本発明は、画素領域内に複数の薄膜トランジスタを配置するため、欠陥が発見されると、画素補修技術により補修を行うか、補修を行わずに付加的な薄膜トランジスタにより正常な動作を維持して自動補修を行う。また、電子インク表示装置自体の表示特性により、画素電極が画素領域の全体をカバーするため、本発明は画素電極の下方にある薄膜トランジスタの数又はその他の配線が増えても、その開口率（aperture ratio）には悪い影響を与えない。
本発明の薄膜トランジスタアレイ基板及び電子インク表示装置は、少なくとも以下の特徴及び長所を備える。
（一）画素領域内に複数の薄膜トランジスタ、走査線及びデータ線を配置し、欠陥が発見されると、画素補修技術により補修を行うか、補修を行わずに追加の構成要素を配置して自動補修の効果を得るため生産収率を高めることができる。
（二）同一画素内にある複数の走査線及びデータ線は、接続線により互いに接続されているため信頼性が高い。
（三）画素電極が画素領域の全体をカバーするため、下方にある薄膜トランジスタ又は配線の数や位置が変化しても、画素全体の開口率に影響を与えない上、補修を行うことにより良好な表示品質を得ることができる。
（一）画素領域内に複数の薄膜トランジスタ、走査線及びデータ線を配置し、欠陥が発見されると、画素補修技術により補修を行うか、補修を行わずに追加の構成要素を配置して自動補修の効果を得るため生産収率を高めることができる。
（二）同一画素内にある複数の走査線及びデータ線は、接続線により互いに接続されているため信頼性が高い。
（三）画素電極が画素領域の全体をカバーするため、下方にある薄膜トランジスタ又は配線の数や位置が変化しても、画素全体の開口率に影響を与えない上、補修を行うことにより良好な表示品質を得ることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施形態による電子インク表示装置を示す断面図である。電子インク表示装置１００は、主に薄膜トランジスタアレイ基板１１０、透明カバー１２０、電子インク材料層１３０及び透明電極層１４０を含む。透明カバー１２０は、例えばポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate：ＰＥＴ）又はその他のプラスチック材料からなる。透明電極層１４０は、透明カバー１２０の表面上に形成され、その透明電極層１４０は、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（indium zinc oxide：ＩＺＯ）又はその他透明導電材からなる。また、電子インク材料層１３０は、透明電極層１４０と薄膜トランジスタアレイ基板１１０の画素電極１１２との間に配置する。そして各画素電極１１２と透明電極層１４０との間の電界を変化させると、電子インク表示装置１００の各画素に異なる光学特性を与えることができる。
図１は、本発明の一実施形態による電子インク表示装置を示す断面図である。電子インク表示装置１００は、主に薄膜トランジスタアレイ基板１１０、透明カバー１２０、電子インク材料層１３０及び透明電極層１４０を含む。透明カバー１２０は、例えばポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate：ＰＥＴ）又はその他のプラスチック材料からなる。透明電極層１４０は、透明カバー１２０の表面上に形成され、その透明電極層１４０は、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（indium zinc oxide：ＩＺＯ）又はその他透明導電材からなる。また、電子インク材料層１３０は、透明電極層１４０と薄膜トランジスタアレイ基板１１０の画素電極１１２との間に配置する。そして各画素電極１１２と透明電極層１４０との間の電界を変化させると、電子インク表示装置１００の各画素に異なる光学特性を与えることができる。
本発明の実施形態は、画素内の欠陥を改善するため、画素内に二つ以上の薄膜トランジスタを配置して工程収率を向上させる。本発明の特徴を詳細に説明するため、以下では複数の実施形態により薄膜トランジスタアレイ基板上のレイアウト及び画素構造をさらに説明する。
（第１実施形態）
図２及び図３を同時に参照する。図２は、本発明の第１実施形態による電子インク表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板を示すレイアウト図である。図３は、図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。基板２１０上には、複数の走査線２１２ａ、２１２ｂ及び複数のデータ線２１４が配置され、基板２１０は複数の画素領域２１０ａに分割され、各画素領域２１０ａ内には、例えば、第１の走査線２１２ａ、第２の走査線２１２ｂ及びデータ線２１４が穿設される。
図２及び図３を同時に参照する。図２は、本発明の第１実施形態による電子インク表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板を示すレイアウト図である。図３は、図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。基板２１０上には、複数の走査線２１２ａ、２１２ｂ及び複数のデータ線２１４が配置され、基板２１０は複数の画素領域２１０ａに分割され、各画素領域２１０ａ内には、例えば、第１の走査線２１２ａ、第２の走査線２１２ｂ及びデータ線２１４が穿設される。
各画素領域２１０ａ内には、第１の薄膜トランジスタ２１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ２１６ｂが配置され、第１の薄膜トランジスタ２１６ａは、第１の走査線２１２ａ及びデータ線２１４により駆動され、第２の薄膜トランジスタ２１６ｂは、第２の走査線２１２ｂ及びデータ線２１４により駆動される。本実施形態において、第１の薄膜トランジスタ２１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ２１６ｂは、例えばソースとドレインとの間に発生する漏電を低減する好適な電気特性を備えたデュアルゲート薄膜トランジスタである。当然、他の実施形態では、第１の薄膜トランジスタ２１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ２１６ｂをその他タイプの薄膜トランジスタ（例えばシングルゲートを有する薄膜トランジスタ）にすることもできるが、ここでは述べない。
図２及び図３に示すように、各画素領域２１０ａ内には、例えば下方にある第１の薄膜トランジスタ２１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ２１６ｂへ電気的に接続された画素電極２１８が配置される。ここで注意しなければならないことは、画素電極２１８が画素領域２１０ａ（第１の薄膜トランジスタ２１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ２１６ｂを含む）の全体をカバーするため、薄膜トランジスタ及び配線の数は画素の開口率に影響を与えないという点である。本実施形態の画素電極は、例えばインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ）などの透明導電材又は金属からなるものであってもよい。
上述の薄膜トランジスタアレイ基板を作動させるとき、例えば同じ駆動信号を同一画素内にある第１の走査線２１２ａ及び第２の走査線２１２ｂへ入力し、対応する第１の薄膜トランジスタ２１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ２１６ｂをオンしてから、データ線２１４を介して第１の薄膜トランジスタ２１６ａ、第２の薄膜トランジスタ２１６ｂ及びそれらに接続された画素電極２１８へ表示用電圧を入力する。これにより画素電極２１８と透明カバー２２０上の透明電極層２４０との間の電界が変化すると、電子インク材料層２３０内にある顔料が電界方向により移動し、電子インク表示装置の各画素は様々な色を表示することができる。
ここで注意しなければならないことは、各画素領域２１０ａ内には、二つの薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂ及びそれらに対応する二つの走査線２１２ａ、２１２ｂが配置されるため、走査線２１２ａ、２１２ｂ又は薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂに欠陥が発生した場合、例えばレーザ切断（laser cutting）やレーザ溶接（laser welding）などの画素補修技術により補修を行うことができる点である。また、二組の薄膜トランジスタ２１６ａ、２１６ｂ及び走査線２１２ａ、２１２ｂのうちの一組が損壊しても、補修を行わずに画素の正常な表示を維持して、自動補修を行うことができる。
また、より良好な補修効果を得るため、本発明は、各画素領域２１０ａ内に第１の走査線２１２ａと第２の走査線２１２ｂとを接続する接続線２１９を配置してもよい。これにより、第１の走査線２１２ａ又は第２の走査線２１２ｂのうちの一つが断線しても、次の画素の第１の走査線２１２ａ及び第２の走査線２１２ｂは、依然として駆動信号を同時に受信することができる。
（第２実施形態）
上述の実施形態以外に、本発明は同一の画素領域内に、それぞれ異なる薄膜トランジスタに接続された二つ以上のデータ線を配置したものに変えることもできる。図４は、本発明の第２実施形態による薄膜トランジスタアレイ基板を示すレイアウト図である。上述の実施形態と類似の構成要素は、上述の実施形態の説明を参照することができるため、ここでは繰り返して述べない。
上述の実施形態以外に、本発明は同一の画素領域内に、それぞれ異なる薄膜トランジスタに接続された二つ以上のデータ線を配置したものに変えることもできる。図４は、本発明の第２実施形態による薄膜トランジスタアレイ基板を示すレイアウト図である。上述の実施形態と類似の構成要素は、上述の実施形態の説明を参照することができるため、ここでは繰り返して述べない。
本実施形態の各画素領域４１０ａ内には、例えば走査線４１２、第１のデータ線４１４ａ及び第２のデータ線４１４ｂが穿設されている。また各画素領域４１０ａ内には、第１の薄膜トランジスタ４１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ４１６ｂが配置され、第１の薄膜トランジスタ４１６ａは、走査線４１２及び第１のデータ線４１４ａにより駆動され、第２の薄膜トランジスタ４１６ｂは、走査線４１２及び第２のデータ線４１４ｂにより駆動される。同様に、第１の薄膜トランジスタ４１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ４１６ｂは、デュアルゲート薄膜トランジスタ又はその他のタイプの薄膜トランジスタでもよい。
図４に示すように、各画素領域４１０ａ内には、下方にある第１の薄膜トランジスタ４１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ４１６ｂに接続された画素電極４１８が配置される。この画素電極４１８は、画素領域４１０ａの全体をカバーし、例えばインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物などの透明導電材又は金属からなってもよい。薄膜トランジスタアレイ基板を作動させるとき、駆動信号を走査線４１２から入力して第１の薄膜トランジスタ４１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ４１６ｂをオンし、第１のデータ線４１４ａ及び第２のデータ線４１４ｂのそれぞれを介し、第１の薄膜トランジスタ４１６ａ、第２の薄膜トランジスタ４１６ｂ及びそれぞれに接続された画素電極４１８へ表示用電圧を入力する。
本実施形態の薄膜トランジスタアレイ基板は、薄膜トランジスタ４１６ａ、４１６ｂ及びデータ線４１４ａ、４１４ｂ上の欠陥を補修したり自動補修したりする効果を提供する。また、薄膜トランジスタアレイ基板の信頼性を高めるため、各画素領域４１０ａ内にある第１のデータ線４１４ａ及び第２のデータ線４１４ｂは、接続線４１９を介して互いに接続することもできる。
（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態による薄膜トランジスタアレイ基板を示すレイアウト図である。本実施形態は、同一の画素領域内に二つ以上の走査線及び二つ以上のデータ線を配置し、走査線、データ線及び薄膜トランジスタに発生する欠陥を補修する。図５に示すように、各画素領域５１０ａは、第１の薄膜トランジスタ５１６ａ、第２の薄膜トランジスタ５１６ｂ、第１の走査線５１２ａ、第２の走査線５１２ｂ、第１のデータ線５１４ａ及び第２のデータ線５１４ｂを有し、第１の薄膜トランジスタ５１６ａは、第１の走査線５１２ａ及び第１のデータ線５１４ａにより駆動され、第２の薄膜トランジスタ５１６ｂは、第２の走査線５１２ｂ及び第２のデータ線５１４ｂにより駆動される。また、第１の薄膜トランジスタ５１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ５１６ｂは、例えばデュアルゲート薄膜トランジスタ又はその他のタイプの薄膜トランジスタでもよい。
図５は、本発明の第３実施形態による薄膜トランジスタアレイ基板を示すレイアウト図である。本実施形態は、同一の画素領域内に二つ以上の走査線及び二つ以上のデータ線を配置し、走査線、データ線及び薄膜トランジスタに発生する欠陥を補修する。図５に示すように、各画素領域５１０ａは、第１の薄膜トランジスタ５１６ａ、第２の薄膜トランジスタ５１６ｂ、第１の走査線５１２ａ、第２の走査線５１２ｂ、第１のデータ線５１４ａ及び第２のデータ線５１４ｂを有し、第１の薄膜トランジスタ５１６ａは、第１の走査線５１２ａ及び第１のデータ線５１４ａにより駆動され、第２の薄膜トランジスタ５１６ｂは、第２の走査線５１２ｂ及び第２のデータ線５１４ｂにより駆動される。また、第１の薄膜トランジスタ５１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ５１６ｂは、例えばデュアルゲート薄膜トランジスタ又はその他のタイプの薄膜トランジスタでもよい。
図５に示すように、画素電極５１８は、下方にある第１の薄膜トランジスタ５１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ５１６ｂに接続され、画素領域５１０ａの全体をカバーする。この画素電極は、例えばインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物などの透明導電材又は金属からなってもよい。薄膜トランジスタアレイ基板を作動させるとき、同一の駆動信号は、それぞれ第１の走査線５１２ａ及び第２の走査線５１２ｂから入力され、第１の薄膜トランジスタ５１６ａ及び第２の薄膜トランジスタ５１６ｂをオンし、第１のデータ線５１４ａ及び第２のデータ線５１４ｂを介し、それぞれ第１の薄膜トランジスタ５１６ａ、第２の薄膜トランジスタ５１６ｂ及びそれぞれに接続された画素電極５１８へ表示用電圧を入力する。
当然、本実施形態の画素領域５１０ａ内には接続線（図示せず）を同様に配置し、走査線５１２ａ、５１２ｂ又はデータ線５１４ａ、５１４ｂを接続してもよい。本実施形態の薄膜トランジスタアレイ基板は、同時に薄膜トランジスタ５１６ａ、５１６ｂ、走査線５１２ａ、５１２ｂ及びデータ線５１４ａ、５１４ｂの欠陥を補修したり自動補修したりすることができる。
ここで注意しなければならないことは、上述した複数の実施形態は、画素領域内に配置された二組の薄膜トランジスタ、走査線又はデータ線により説明しているが、当業者であれば分かるように、上述した実施形態を参考に、合理的な範囲内で薄膜トランジスタ、走査線、データ線、接続線の数や配置方式を変更して最適な構成にすることもできる。
（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態による薄膜トランジスタアレイ基板を示すレイアウト図である。図６に示すように、画素領域内に四組の薄膜トランジスタを配置し、それぞれ二組の走査線及びデータ線を組み合わせることにより、走査線、データ線及び薄膜トランジスタに対して発生する欠陥を補修してもよい。図６に示すように、各画素領域６１０ａは、第１の薄膜トランジスタ６１６ａ、第２の薄膜トランジスタ６１６ｂ、第３の薄膜トランジスタ６１６ｃ、第４の薄膜トランジスタ６１６ｄ、第１の走査線６１２ａ、第２の走査線６１２ｂ、第１のデータ線６１４ａ及び第２のデータ線６１４ｂを有する。第１の薄膜トランジスタ６１６ａは、第１の走査線６１２ａ及び第１のデータ線６１４ａにより駆動され、第２の薄膜トランジスタ６１６ｂは、第２の走査線６１２ｂ及び第１のデータ線６１４ａにより駆動され、第３の薄膜トランジスタ６１６ｃは、第２の走査線６１２ｂ及び第２のデータ線６１４ｂにより駆動され、第４の薄膜トランジスタ６１６ｄは、第１の走査線６１２ａ及び第２のデータ線６１４ｂにより駆動される。また、これら薄膜トランジスタ６１６ａ、６１６ｂ、６１６ｃ、６１６ｄは、例えばデュアルゲート薄膜トランジスタ又はその他のタイプの薄膜トランジスタである。
図６は、本発明の第４実施形態による薄膜トランジスタアレイ基板を示すレイアウト図である。図６に示すように、画素領域内に四組の薄膜トランジスタを配置し、それぞれ二組の走査線及びデータ線を組み合わせることにより、走査線、データ線及び薄膜トランジスタに対して発生する欠陥を補修してもよい。図６に示すように、各画素領域６１０ａは、第１の薄膜トランジスタ６１６ａ、第２の薄膜トランジスタ６１６ｂ、第３の薄膜トランジスタ６１６ｃ、第４の薄膜トランジスタ６１６ｄ、第１の走査線６１２ａ、第２の走査線６１２ｂ、第１のデータ線６１４ａ及び第２のデータ線６１４ｂを有する。第１の薄膜トランジスタ６１６ａは、第１の走査線６１２ａ及び第１のデータ線６１４ａにより駆動され、第２の薄膜トランジスタ６１６ｂは、第２の走査線６１２ｂ及び第１のデータ線６１４ａにより駆動され、第３の薄膜トランジスタ６１６ｃは、第２の走査線６１２ｂ及び第２のデータ線６１４ｂにより駆動され、第４の薄膜トランジスタ６１６ｄは、第１の走査線６１２ａ及び第２のデータ線６１４ｂにより駆動される。また、これら薄膜トランジスタ６１６ａ、６１６ｂ、６１６ｃ、６１６ｄは、例えばデュアルゲート薄膜トランジスタ又はその他のタイプの薄膜トランジスタである。
図６に示すように、画素電極６１８は、その下方にある薄膜トランジスタ６１６ａ、６１６ｂ、６１６ｃ、６１６ｄに接続され、画素領域６１０ａの全体をカバーする。この画素電極は、例えばインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物などの透明導電材又は金属からなってもよい。薄膜トランジスタアレイ基板を作動させるとき、同一の駆動信号は、それぞれ走査線６１２ａ、６１２ｂから入力され、薄膜トランジスタ６１６ａ、６１６ｂ、６１６ｃ、６１６ｄをオンし、データ線６１４ａ、６１４ｂを介してそれぞれ薄膜トランジスタ６１６ａ、６１６ｂ、６１６ｃ、６１６ｄ及びそれぞれに接続された画素電極６１８へ表示用電圧を入力する。同様に、本実施形態の画素領域６１０ａ内に接続線（表示せず）を配置し、走査線６１２ａ、６１２ｂ又はデータ線６１４ａ、６１４ｂを接続してもよい。
本発明では好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知するものなら誰でも、本発明の主旨と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って本発明の保護の範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
１００ 電子インク表示装置
１１０ 薄膜トランジスタアレイ基板
１１２ 画素電極
１２０ 透明カバー
１３０ 電子インク材料層
１４０ 透明電極層
２１０ 基板
２１０ａ 画素領域
２１２ａ 第１の走査線
２１２ｂ 第２の走査線
２１４ データ線
２１６ａ 第１の薄膜トランジスタ
２１６ｂ 第２の薄膜トランジスタ
２１８ 画素電極
２１９ 接続線
２２０ 透明カバー
２３０ 電子インク材料層
２４０ 透明電極層
４１０ａ 画素領域
４１２ 走査線
４１４ａ 第１のデータ線
４１４ｂ 第２のデータ線
４１６ａ 第１の薄膜トランジスタ
４１６ｂ 第２の薄膜トランジスタ
４１８ 画素電極
４１９ 接続線
５１０ａ 画素領域
５１２ａ 第１の走査線
５１２ｂ 第２の走査線
５１４ａ 第１のデータ線
５１４ｂ 第２のデータ線
５１６ａ 第１の薄膜トランジスタ
５１６ｂ 第２の薄膜トランジスタ
５１８ 画素電極
６１０ａ 画素領域
６１２ａ 第１の走査線
６１２ｂ 第２の走査線
６１４ａ 第１のデータ線
６１４ｂ 第２のデータ線
６１６ａ 第１の薄膜トランジスタ
６１６ｂ 第２の薄膜トランジスタ
６１６ｃ 第３の薄膜トランジスタ
６１６ｄ 第４の薄膜トランジスタ
６１８ 画素電極
１１０ 薄膜トランジスタアレイ基板
１１２ 画素電極
１２０ 透明カバー
１３０ 電子インク材料層
１４０ 透明電極層
２１０ 基板
２１０ａ 画素領域
２１２ａ 第１の走査線
２１２ｂ 第２の走査線
２１４ データ線
２１６ａ 第１の薄膜トランジスタ
２１６ｂ 第２の薄膜トランジスタ
２１８ 画素電極
２１９ 接続線
２２０ 透明カバー
２３０ 電子インク材料層
２４０ 透明電極層
４１０ａ 画素領域
４１２ 走査線
４１４ａ 第１のデータ線
４１４ｂ 第２のデータ線
４１６ａ 第１の薄膜トランジスタ
４１６ｂ 第２の薄膜トランジスタ
４１８ 画素電極
４１９ 接続線
５１０ａ 画素領域
５１２ａ 第１の走査線
５１２ｂ 第２の走査線
５１４ａ 第１のデータ線
５１４ｂ 第２のデータ線
５１６ａ 第１の薄膜トランジスタ
５１６ｂ 第２の薄膜トランジスタ
５１８ 画素電極
６１０ａ 画素領域
６１２ａ 第１の走査線
６１２ｂ 第２の走査線
６１４ａ 第１のデータ線
６１４ｂ 第２のデータ線
６１６ａ 第１の薄膜トランジスタ
６１６ｂ 第２の薄膜トランジスタ
６１６ｃ 第３の薄膜トランジスタ
６１６ｄ 第４の薄膜トランジスタ
６１８ 画素電極
Claims (9)
- 電子インク表示装置に用いる薄膜トランジスタアレイ基板であって、
基板、複数の走査線、複数のデータ線、複数の薄膜トランジスタ及び複数の画素電極を備え、
前記基板は、複数の画素領域を有し、
前記走査線及び前記データ線は、前記基板上に配置し、
前記薄膜トランジスタの少なくとも二つは、それぞれ前記画素領域内に配置し、前記薄膜トランジスタは、それぞれ前記走査線及び前記データ線のみに対応し、前記走査線及び前記データ線は、それぞれ少なくとも一つの前記薄膜トランジスタに対応し、
前記画素電極の少なくとも一つは、前記画素領域内に配置し、同一の前記画素領域内にある前記薄膜トランジスタをカバーして電気的に接続することを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記走査線にそれぞれ接続された複数の接続線をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記データ線にそれぞれ接続された複数の接続線をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素領域は、それぞれ二つの前記走査線に対応する二つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記二つの走査線にそれぞれ接続された少なくとも一つの接続線をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素領域は、それぞれ二つの前記データ線に対応する二つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記二つのデータ線にそれぞれ接続された少なくとも一つの接続線をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素領域は、それぞれ二つの前記走査線及び二つの前記データ線に対応する四つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記二つの走査線又は前記二つのデータ線にそれぞれ接続された少なくとも一つの接続線をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
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-
2006
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110104 |