JP2007224339A - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 116
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 56
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 abstract 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】一定幅のシート10が巻回された供給ローラ2から一定距離離れた巻取ローラ6により、前記供給ローラ2から解かれたシート10を、プラズマCVD法による薄膜形成ゾーン3、4、5を通過させて巻取る工程と、上記薄膜形成ゾーン3〜5を通過させることに伴って上記シート10上に上記ゾーン3〜5と同数の薄膜のそれぞれを順次プラズマCVD法により成膜する工程とを含む。
【選択図】図1
Description
2 供給ローラ
3、4、5 薄膜形成ゾーン
6 巻取ローラ
8 出入り口
10 シート
11、12、13、14、15、16 ガス導入管
20 保護膜
21 バリヤ層
22 応力緩和層
23 第2バリヤ層
32 誘導コイル
Claims (9)
- 一定幅のシートが巻回された供給ローラから一定距離離れた巻取ローラにより、前記供給ローラから解かれたシートを、1または2以上のプラズマCVD法による薄膜形成ゾーンを通過させて巻取る工程と、
上記薄膜形成ゾーンを通過することに伴って上記シート上に上記ゾーンと同数の薄膜のそれぞれを順次プラズマCVD法により成膜する工程とを含むことを特徴とする成膜方法。 - 請求項1に記載の成膜方法において、
前記シートの移動速度を変えることにより前記薄膜の厚みを調整することを特徴とする成膜方法。 - 請求項1または2に記載の成膜方法において、
前記薄膜形成ゾーンのシート移動方向に沿った長さを調節することにより前記薄膜の厚みを調整することを特徴とする成膜方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の成膜方法において、
前記2以上の薄膜形成ゾーンを通過させ、前記シートの上に、湿気及び酸素の透過を防止するための窒化シリコンからなるバリヤ層と、酸化シリコン、窒酸化シリコンおよび炭化シリコンのうちの少なくとも一つからなる応力緩和層とを有する保護膜を形成することを特徴とする成膜方法。 - 請求項4に記載の成膜方法において、
前記応力緩和層を、前記保護膜が前記シート上のゴミを覆うことができる厚みに形成することを特徴とする成膜方法。 - 一定幅のシートが巻回される供給ローラと、
該供給ローラから一定距離離れていて該供給ローラから解かれた上記シートを巻取る巻取ローラと、
該供給ローラと該巻取ローラとの間に設けられていて上記供給ローラからの上記シートが通過する1または2以上のプラズマCVD法による薄膜形成ゾーンと、
上記供給ローラ、上記巻取ローラ及び上記1または2以上の薄膜形成ゾーンが内部に設けられたチャンバーと、
上記薄膜形成ゾーンに設けられたガス供給部材とを具備することを特徴とする成膜装置。 - 請求項6に記載の成膜装置において、
前記2以上の薄膜形成ゾーンのそれぞれは、前記シートの出入りに用いる出入り口を有する部屋に仕切られていて、隣合う薄膜形成ゾーンは上記出入り口を共用するように連続していることを特徴とする成膜装置。 - 請求項7に記載の成膜装置において、
前記部屋のそれぞれに、真空引き用のポンプが配置されていることを特徴とする成膜装置。 - 請求項6乃至8のいずれかに記載の成膜装置において、
前記チャンバーが2以上の薄膜形成ゾーンを有し、そのチャンバー内で2種類以上の薄膜が形成されることを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006044743A JP4903453B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006044743A JP4903453B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007224339A true JP2007224339A (ja) | 2007-09-06 |
JP4903453B2 JP4903453B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=38546415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006044743A Active JP4903453B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4903453B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP2013230605A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Mitsubishi Plastics Inc | ガスバリア性フィルム及びその製造方法 |
JP2015086417A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 株式会社 セルバック | 誘導結合プラズマcvd装置 |
CN107710379A (zh) * | 2015-07-03 | 2018-02-16 | 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司 | 用于在等离子体增强工艺中处理卷材基材的装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6228765A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
JP2001003174A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-09 | Tokuyama Corp | 薄膜の形成方法及び誘導結合型プラズマcvd装置 |
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2006
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6228765A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
JP2001003174A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-09 | Tokuyama Corp | 薄膜の形成方法及び誘導結合型プラズマcvd装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013230605A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Mitsubishi Plastics Inc | ガスバリア性フィルム及びその製造方法 |
JP2015086417A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 株式会社 セルバック | 誘導結合プラズマcvd装置 |
CN107710379A (zh) * | 2015-07-03 | 2018-02-16 | 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司 | 用于在等离子体增强工艺中处理卷材基材的装置 |
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A621 | Written request for application examination |
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