JP2007220887A - Universal chuck - Google Patents

Universal chuck Download PDF

Info

Publication number
JP2007220887A
JP2007220887A JP2006039335A JP2006039335A JP2007220887A JP 2007220887 A JP2007220887 A JP 2007220887A JP 2006039335 A JP2006039335 A JP 2006039335A JP 2006039335 A JP2006039335 A JP 2006039335A JP 2007220887 A JP2007220887 A JP 2007220887A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
suction plate
suction
chuck
holes
universal chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006039335A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoji Ogawa
洋司 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP2006039335A priority Critical patent/JP2007220887A/en
Publication of JP2007220887A publication Critical patent/JP2007220887A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a universal chuck that facilitates high-accuracy grinding or polishing of the surface of a workpiece such as a semiconductor wafer. <P>SOLUTION: The suction plate 11 of the universal chuck is, for example, a porous body in which an inorganic material such as ceramics is sintered so as to form it into a disk shape and a large number of through-holes having ventilation are formed between an upper suction face of the suction plate and a lower sucking attraction face of the suction plate. Here, the through-holes are uniformly formed in the suction plate 11. A plurality of non-ventilations 11f are formed by filling the through-holes with a soft material. A disk-like ventilator 11a and annular ventilators 11b, 11c, 11d, and 11e are formed by dividing parts among the through-holes with the non-ventilators 11f. The suction plate 11 constitutes the universal chuck while being connected to an air suction system 16 through a chuck base body. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、サイズの異なる被加工物に対してチャックを交換することなく確実に真空吸着することができるユニバーサルチャックに関する。   The present invention relates to a universal chuck capable of reliably performing vacuum suction on workpieces having different sizes without replacing the chuck.

従来、例えば半導体ウェーハの製造では、その研削、研磨等の加工作業において用いられる真空チャックの吸着板として、その上面および下面の間で通気を有する多数の透孔の形成された多孔質体が使用されている。このような吸着板は、セラミックスまたは金属等の無機質材料の焼結体により形成される。そして、吸着板の下面の吸引面側から空気が吸引され、上面の吸着面側に上記被加工物が吸着固定される。また、ユニバーサルチャックといわれる一個の真空チャックにより、サイズの異なる半導体ウェーハのような被加工物に対して、そのサイズに合致する真空チャックが交換されることなく、上記加工作業がなされる。   Conventionally, for example, in the manufacture of semiconductor wafers, a porous body having a large number of through holes formed between its upper and lower surfaces is used as a vacuum chuck suction plate used in processing operations such as grinding and polishing. Has been. Such an adsorption plate is formed of a sintered body of an inorganic material such as ceramics or metal. Then, air is sucked from the suction surface side of the lower surface of the suction plate, and the workpiece is sucked and fixed to the suction surface side of the upper surface. In addition, the above-described processing operation is performed on a workpiece such as a semiconductor wafer having a different size without replacing the vacuum chuck that matches the size with a single vacuum chuck called a universal chuck.

このようなユニバーサルチャックとしてはこれまで種々の構造のものが提案されている。図5を参照してその機構の具体例(例えば、特許文献1参照)について説明する。ここで、図5(a)はユニバーサルチャックの一部を切欠した斜視図であり、図5(b)は、図5(a)に示したX−X矢視の断面図である。   Various types of universal chucks have been proposed so far. A specific example of the mechanism will be described with reference to FIG. Here, FIG. 5A is a perspective view in which a part of the universal chuck is cut out, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line XX shown in FIG.

図5(a)、(b)に示すように、ユニバーサルチャックは、吸着板101およびチャック基体102を有し、吸着板101がチャック基体102に嵌着されている。そして、これらは真空ポンプ(不図示)を含む吸気系103に連結されている。上記吸着板101は、多孔質セラミックスから成る通気円板101aを中心とし、この円板の外周に軸心を同一、かつ、高さを同一にした同じ多孔質セラミックスから成る複数の通気環状板101b、101c、101d、101eから成る。そして、これらの通気円板および通気環状板の間には、幅が数ミリメートル、高さが上記円板と同一の非通気性隔壁101fが配列されて全体として1枚の円盤を構成する。   As shown in FIGS. 5A and 5B, the universal chuck has a suction plate 101 and a chuck base 102, and the suction plate 101 is fitted to the chuck base 102. These are connected to an intake system 103 including a vacuum pump (not shown). The adsorption plate 101 is centered on a ventilation disk 101a made of porous ceramics, and has a plurality of ventilation annular plates 101b made of the same porous ceramics having the same axial center and the same height on the outer periphery of the disk. , 101c, 101d, 101e. A non-breathable partition wall 101f having a width of several millimeters and the same height as the above-described disk is arranged between the ventilation disk and the ventilation annular plate to constitute one disk as a whole.

そして、上記チャック基体102には、その上面に凹陥部102a、環状溝102b、102c、102d,102eが設けられ、それぞれに連通する吸気孔104a、104b、104c、104d,104eが設けられている。上記吸気孔104a、104b、104c、104d,104eは、それぞれに吸気系103の吸気パイプ105a、105b、105c、105d,105eに接続され、吸気バルブ106a、106b、106c、106d,106eを介して真空ポンプに連通している。   The chuck base 102 is provided with a recess 102a and annular grooves 102b, 102c, 102d, and 102e on its upper surface, and intake holes 104a, 104b, 104c, 104d, and 104e communicating with the chuck base 102, respectively. The intake holes 104a, 104b, 104c, 104d, 104e are connected to the intake pipes 105a, 105b, 105c, 105d, 105e of the intake system 103, respectively, and are vacuumed through the intake valves 106a, 106b, 106c, 106d, 106e. It communicates with the pump.

このようなユニバーサルチャック構造において、多孔質セラミックスから成る吸着板101の上面すなわち吸着面に半導体ウェーハが載置される。そして、吸着板101を構成する通気円板101a、通気環状板101b、101c、101d、101e内の空気は、その下面すなわち吸引面にあるチャック基体102の凹陥部102a、環状溝102b、102c、102d,102eから、上記吸気孔104a、104b、104c、104d,104eと上記吸気パイプ105a、105b、105c、105d,105eおよび上記吸気バルブ106a、106b、106c、106d,106eを介して真空ポンプにより吸引される。このような吸引においては、上記吸気バルブ106a、106b、106c、106d,106eの開閉が半導体ウェーハのサイズに合わせて適宜に選択される。そして、非通気性隔壁101fが、上記半導体ウェーハのサイズより外側の通気環状板からの吸引を防止する。
特開平09−174364号公報
In such a universal chuck structure, a semiconductor wafer is placed on the upper surface, that is, the suction surface of the suction plate 101 made of porous ceramics. The air in the ventilation disk 101a and the ventilation annular plates 101b, 101c, 101d, and 101e constituting the suction plate 101 is caused by the recess 102a and the annular grooves 102b, 102c, and 102d of the chuck base 102 on the lower surface, that is, the suction surface. , 102e is sucked by a vacuum pump through the intake holes 104a, 104b, 104c, 104d, 104e, the intake pipes 105a, 105b, 105c, 105d, 105e and the intake valves 106a, 106b, 106c, 106d, 106e. The In such suction, the opening / closing of the intake valves 106a, 106b, 106c, 106d, and 106e is appropriately selected according to the size of the semiconductor wafer. The non-breathable partition wall 101f prevents suction from the vented annular plate outside the size of the semiconductor wafer.
JP 09-174364 A

これまでの上記ユニバーサルチャックにおいては、上記通気円板および複数の通気環状板は、これらと異なる材質の接着剤による接着により一体にされて吸着板を構成している。そして、上記接着剤が上記非通気性隔壁として機能する。あるいは、上記吸着板において、通気円板、複数の通気環状板および非通気性隔壁が同じセラミックス母材により一体焼結されるが、通気円板および複数の通気環状板と非通気性隔壁との間においては互いに異なる孔が形成される。ここで、通気円板および複数の通気環状板では、上述したようにそれ等の上面および下面間で通気を有する透孔が形成される。一方、非通気性隔壁では、上記透孔は存在せず、また、非通気性隔壁において対向する側壁を横断する孔は存在しない。このように、通気円板および複数の通気環状板と非通気性隔壁における孔は、その種類および密度が異なるように形成される。   In the universal chuck so far, the ventilation disk and the plurality of ventilation annular plates are integrated by bonding with an adhesive of a material different from these to constitute an adsorption plate. The adhesive functions as the air-impermeable partition. Alternatively, in the adsorption plate, the ventilation disk, the plurality of ventilation annular plates, and the non-permeable partition are integrally sintered by the same ceramic base material. In the meantime, different holes are formed. Here, in the ventilation disk and the plurality of ventilation annular plates, as described above, a through hole having ventilation is formed between the upper surface and the lower surface thereof. On the other hand, in the non-breathable partition wall, the above-mentioned through hole does not exist, and in the non-breathable partition wall, there is no hole crossing the opposite side wall. As described above, the holes in the ventilation disk and the plurality of ventilation annular plates and the non-ventilated partition are formed so as to have different types and densities.

しかしながら、いずれの吸着板においても、吸着部である通気円板および通気環状板と非吸着部である非通気性隔壁との間でそれ等の弾性率が不連続になっていた。このために、吸着板に半導体ウェーハのような被加工物を吸着させるときに、半導体ウェーハが非通気性隔壁を介在し複数の上記吸着部にまたがって載置される場合、研削あるいは研磨等における押圧力が半導体ウェーハ表面にかかると上記弾性率の差から半導体ウェーハ表面が局所的に変形していた。そして、僅かであれこの変形のために、例えば半導体ウェーハ表面の高精度な加工ができないという問題があった。特に、2枚のシリコンウェーハを貼り合わせて形成するSOI(Silicon on Insulator)ウェーハの鏡面研磨加工では極めて高精度な平坦性を必要になることから大きな問題となっていた。   However, in any of the suction plates, the elastic modulus is discontinuous between the ventilation disk and the ventilation annular plate as the adsorption part and the non-breathable partition wall as the non-adsorption part. For this reason, when a work piece such as a semiconductor wafer is adsorbed on an adsorbing plate, when the semiconductor wafer is placed across a plurality of adsorbing portions with an air-permeable partition interposed therebetween, in grinding or polishing, etc. When the pressing force is applied to the surface of the semiconductor wafer, the surface of the semiconductor wafer is locally deformed due to the difference in elastic modulus. And even if it was slight, there was a problem that, for example, the semiconductor wafer surface could not be processed with high precision due to this deformation. In particular, mirror polishing of an SOI (Silicon on Insulator) wafer formed by bonding two silicon wafers has been a serious problem because extremely high precision flatness is required.

本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、例えば半導体ウェーハのような被加工物表面の高精度な研削あるいは研磨が容易になるユニバーサルチャックを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a universal chuck that facilitates high-precision grinding or polishing of a workpiece surface such as a semiconductor wafer.

上記目的を達成するために、本発明にかかるユニバーサルチャックは、被加工物が吸着される多孔質体の吸着板と、該吸着板が保持されるチャック基体と、該チャック基体を介して前記吸着板に連通する吸気手段とを備えたユニバーサルチャックにおいて、前記吸着板は、その上面および下面の間で通気を有する複数の透孔が形成された一体の多孔質体であり、該多孔質体より弾性率の小さい材料が所定領域の前記透孔を前記上面から下面に亘り充填した非通気部によって区分されている、構成になっている。   In order to achieve the above object, a universal chuck according to the present invention includes a porous body adsorption plate on which a workpiece is adsorbed, a chuck base on which the adsorption plate is held, and the adsorption via the chuck base. In the universal chuck including the suction means communicating with the plate, the suction plate is an integral porous body in which a plurality of through holes having ventilation are formed between the upper surface and the lower surface, A material having a small elastic modulus is divided by a non-venting portion in which the through holes in a predetermined region are filled from the upper surface to the lower surface.

上記発明により、吸着板の通気部と非通気部が全く同一材料で構成され、しかもそれ等の間で弾性率が全く同じになる。このために、上記吸着板に被加工物が非通気部を介在し複数の通気部にまたがって載置された場合でも、研削あるいは研磨加工の押圧力は被加工物に一様にかかるようになる。そして、被加工物は高い平坦度でしかも高精度にその表面加工がなされる。   According to the above invention, the ventilation portion and the non-vention portion of the suction plate are made of the same material, and the elastic modulus is exactly the same between them. For this reason, even when the workpiece is placed on the suction plate across a plurality of ventilation portions with a non-venting portion interposed therebetween, the pressing force of grinding or polishing is applied uniformly to the workpiece. Become. The surface of the workpiece is processed with high flatness and high accuracy.

上記発明において、前記多孔質体より弾性率の小さい材料が前記透孔に含浸、圧入あるいは封入されている。そして、好適な一態様では、前記弾性率の小さい材料は、樹脂、ゴムあるいはエラストマーの高分子材料が用いられる。   In the above invention, a material having a smaller elastic modulus than the porous body is impregnated, press-fitted or enclosed in the through-hole. In a preferred embodiment, the material having a low elastic modulus is a polymer material such as resin, rubber or elastomer.

本発明の構成により、半導体ウェーハのような被加工物表面の高精度な研削あるいは研磨を容易にするユニバーサルチャックを提供することができる。   According to the configuration of the present invention, it is possible to provide a universal chuck that facilitates highly accurate grinding or polishing of a workpiece surface such as a semiconductor wafer.

以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。以下の実施形態では被加工物が半導体ウェーハの場合について説明するが、被加工物はこれに限定されるものではない。ここで、図1はユニバーサルチャックに使用される吸着板の平面図であり、図2は吸着板の断面図であり、図3は、図2の拡大領域Pの拡大断面図である。   Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, the case where the workpiece is a semiconductor wafer will be described, but the workpiece is not limited to this. Here, FIG. 1 is a plan view of a suction plate used in the universal chuck, FIG. 2 is a cross-sectional view of the suction plate, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of an enlarged region P in FIG.

図1,2に示すように、吸着板11は、例えばセラミックスのような無機質材料が焼結され円盤状に形成され、その上面および下面の間で通気を有する多数の透孔が形成された多孔質体である。そして、この吸着板11では、円板状の通気部11aおよび円環状の通気部11b、11c、11d、11eが、細幅の円環状の複数の非通気部11fにより区分されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the adsorption plate 11 is a porous material in which an inorganic material such as ceramic is sintered and formed into a disk shape, and a large number of through holes are formed between the upper and lower surfaces. It is a sexual body. And in this adsorption | suction board 11, the disk-shaped ventilation part 11a and the annular | circular shaped ventilation | gas_flowing part 11b, 11c, 11d, and 11e are divided by several narrow annular | circular shaped non-venting part 11f.

図2,3に示すように、吸着板11は一体の多孔質体から成り、吸着板11の上面である吸着面12からその下面である吸引面13に通気している多数の透孔14が穿設されている。ここで、これらの透孔14は上記吸着面12上において所定の面密度に設けられている。そして、上記非通気部11fは、この透孔14が軟質材15により充填されて形成されている。この軟質材15の充填あるいは含浸により透孔14が閉塞され非通気状態にされて、吸着板11の非通気部11fとなる。なお、通気部11a、11b、11c、11d、11eには、上記軟質材15の充填あるいは含浸はなされず吸着板11の吸着部になる。なお、図3において透孔14が切断しているように見られる部分があるが、この部分は図3紙面の手前方向あるいは奥方向に連通している。   As shown in FIGS. 2 and 3, the suction plate 11 is made of an integral porous body, and has a large number of through holes 14 venting from the suction surface 12 that is the upper surface of the suction plate 11 to the suction surface 13 that is the lower surface. It has been drilled. Here, these through holes 14 are provided at a predetermined surface density on the adsorption surface 12. The non-venting portion 11 f is formed by filling the through holes 14 with a soft material 15. By filling or impregnating the soft material 15, the through hole 14 is closed and made non-ventilated, and becomes the non-venting portion 11 f of the suction plate 11. The ventilation portions 11 a, 11 b, 11 c, 11 d, and 11 e are not filled or impregnated with the soft material 15 and become suction portions of the suction plate 11. In addition, although there exists a part seen as the through-hole 14 has cut | disconnected in FIG. 3, this part is connected in the near side or back direction of the paper surface of FIG.

ここで、上記多孔質体としては多孔質セラミックスが好適である。この多孔質セラミックスとしては特に限定されないが、例えば、窒化物セラミックスである窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等;炭化物セラミックスである炭化珪素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等;更には酸化物セラミックスであるアルミナ、ジルコニア、コージュライト、ムライト等を挙げることができる。これらのなかでは、高い熱伝導率を有するとともに、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、フッ硝酸及び水酸化ナトリウム等に対する耐薬品性に優れる炭化珪素が好適である。この炭化珪素を用いた場合には、熱伝導率が高く研削あるいは研磨加工で発生する摩擦熱が放散され易くなる。なお、上記セラミックスに金属珪素を配合した珪素含有セラミックス、珪素や珪酸塩化合物で結合されたセラミックスを用いることができる。   Here, porous ceramics are suitable as the porous body. The porous ceramic is not particularly limited. For example, nitride ceramics such as aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, and titanium nitride; carbide ceramics such as silicon carbide, zirconium carbide, titanium carbide, tantalum carbide, and tungsten carbide. And oxide ceramics such as alumina, zirconia, cordierite, mullite and the like. Among these, silicon carbide having high thermal conductivity and excellent chemical resistance against hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, hydrofluoric acid, sodium hydroxide, and the like is preferable. When this silicon carbide is used, the thermal conductivity is high and the frictional heat generated by grinding or polishing is easily dissipated. Note that silicon-containing ceramics in which metallic silicon is mixed with the above ceramics, or ceramics bonded with silicon or a silicate compound can be used.

そして、これ等の多孔質セラミックスの平均気孔径は20μm〜50μm程度にすればよい。また、その気孔率は特に限定されないが、20〜40%程度であればよい。ここで、気孔率が20%未満であると、被加工物の吸引力が弱くなり、研削あるいは研磨の加工において半導体ウェーハ等の被加工物の移動あるいは脱離が生じることがある。そして、気孔率が40%を超えてくると吸着板11の強度が低下し破壊され易くなる。また、吸着面12の吸着力を均一に保つためには、透孔14の面密度が均一になっていることが望ましい。   And the average pore diameter of these porous ceramics should just be about 20 micrometers-50 micrometers. The porosity is not particularly limited, but may be about 20 to 40%. Here, when the porosity is less than 20%, the suction force of the workpiece is weakened, and the workpiece such as a semiconductor wafer may be moved or detached in the grinding or polishing process. And when a porosity exceeds 40%, the intensity | strength of the adsorption | suction board 11 will fall and it will become easy to destroy. Further, in order to keep the suction force of the suction surface 12 uniform, it is desirable that the surface density of the through holes 14 is uniform.

そして、上記透孔14に充填される軟質材15としては、上記母材のセラミックスより弾性率の小さい材料から適宜に選択することができる。ここで、後述するが、上記軟質材15は、透孔14に封入あるいは圧入し易い高分子材料が好適になる。この高分子材料としては特に限定されないが、例えば、樹脂、ゴム、エラストマーあるいはプラスチック等が挙げられる。   And as the soft material 15 with which the said through-hole 14 is filled, it can select suitably from the material whose elastic modulus is smaller than the ceramics of the said base material. Here, as will be described later, the soft material 15 is preferably a polymer material that is easily sealed or press-fitted into the through-hole 14. Although it does not specifically limit as this polymeric material, For example, resin, rubber | gum, an elastomer, or a plastic is mentioned.

上述したような吸着板11の直径としては、例えば半導体ウェーハを被加工物とすると100mm〜400mm程度でよい。また、吸着板11の厚さは、研削・研磨用のユニバーサルチャックを構成する材料の熱伝導率やヤング率等を考慮して適宜に決定される。例えば、上記吸着板11が炭化珪素から構成されている場合には20〜50mm程度でよい。   The diameter of the suction plate 11 as described above may be about 100 mm to 400 mm, for example, when a semiconductor wafer is a workpiece. Further, the thickness of the suction plate 11 is appropriately determined in consideration of the thermal conductivity, Young's modulus, etc. of the material constituting the universal chuck for grinding and polishing. For example, when the adsorption plate 11 is made of silicon carbide, it may be about 20 to 50 mm.

次に、上記のように構成された吸着板11の製造方法について簡単に説明する。初めに、上記セラミックスのような無機質材料を焼結し透孔14を有する円盤を形成する。ここで、透孔14は円盤の上面から下面に通気している。そこで、例えば、上記円盤の上面に複数の円環状の開口部を有するマスクを被覆し、上面から押圧し下面から吸引する手法を用いて、上記開口部を通して例えば熱可塑性樹脂を上面から下面に亘り透孔14を充填するように圧入あるいは封入する。このようにして、吸着板11の所望のところに所要数の円環状の非通気部11fを形成する。   Next, a method for manufacturing the suction plate 11 configured as described above will be briefly described. First, an inorganic material such as the ceramic is sintered to form a disk having through holes 14. Here, the through-hole 14 ventilates from the upper surface to the lower surface of the disk. Therefore, for example, by using a technique in which a mask having a plurality of annular openings is coated on the upper surface of the disk and pressed from the upper surface and sucked from the lower surface, for example, thermoplastic resin is passed from the upper surface to the lower surface through the openings. It press-fits or encloses so as to fill the through hole 14. In this way, the required number of annular non-venting portions 11f are formed at desired locations on the suction plate 11.

上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリフェニレンスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリフェニールエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリテトラフロロエチレン樹脂等が挙げられる。特に、液晶ポリマーは、耐熱性を有しており好適である。なお、その他に、ポリエステル樹脂系、ポリイミド樹脂系等の熱硬化性樹脂を圧入あるいは封入により透孔14に充填するようにしてもよい。   Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone resin, polysulfone resin, polyphenylene sulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyphenyl ether resin, polyether imide resin, thermoplastic polyimide resin, polytetrafluoroethylene resin, and the like. Is mentioned. In particular, the liquid crystal polymer is suitable because it has heat resistance. In addition, a thermosetting resin such as polyester resin or polyimide resin may be filled in the through holes 14 by press-fitting or sealing.

後は、図2に示すように、従来の技術で説明したのと同様に、上記吸着板11を載置するためのチャック基体(不図示)および吸気手段である吸気系16を配設して本実施形態のユニバーサルチャックが形成される。   After that, as shown in FIG. 2, a chuck base (not shown) for placing the suction plate 11 and an intake system 16 as an intake means are disposed as described in the prior art. The universal chuck of this embodiment is formed.

次に、本実施形態のユニバーサルチャックの効果について図4を参照して説明する。図4は、上記吸着板11を用いたユニバーサルチャックと従来の吸着板101を用いた場合のユニバーサルチャックによる、鏡面研磨後のシリコンウェーハ17表面の斜視図である。ここで、図4(a)が本実施形態の場合であり、図4(b)が従来技術の場合である。図4(a)に示されるように、本実施形態では、鏡面研磨後においてシリコンウェーハ表面は全く平滑に出来上がりその平坦度は10nm以下になる。これに対して、従来の場合では、図4(b)に示されるように、鏡面研磨後においてシリコンウェーハ表面に非通気性隔壁に沿い同心円状の100nm程度の凹凸痕18が転写されるようになる。   Next, the effect of the universal chuck of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a perspective view of the surface of the silicon wafer 17 after mirror polishing by the universal chuck using the suction plate 11 and the universal chuck when the conventional suction plate 101 is used. Here, FIG. 4A shows the case of this embodiment, and FIG. 4B shows the case of the prior art. As shown in FIG. 4A, in the present embodiment, the surface of the silicon wafer is completely smooth after mirror polishing, and the flatness is 10 nm or less. On the other hand, in the conventional case, as shown in FIG. 4 (b), the concavity and convexity traces of about 100 nm are concentrically transferred along the air-impermeable partition after the mirror polishing on the silicon wafer surface. Become.

そして、例えば、上記鏡面研磨した一のシリコンウェーハの表面を熱酸化した後に、同様に鏡面研磨した他のシリコンウェーハ表面と張り合わせることにより、極めて接合強度が高く未接合部分のない貼り合わせSOIウェーハを製造することができるようになる。このような製造において、SOIウェーハ製品の量産製造における歩留まりが大幅に向上し安定する。   And, for example, after thermally oxidizing the surface of one silicon wafer that has been mirror-polished, it is bonded to another silicon wafer surface that has also been mirror-polished, so that the bonded SOI wafer has extremely high bonding strength and no unbonded portion. Can be manufactured. In such production, the yield in mass production of SOI wafer products is greatly improved and stabilized.

上記実施形態では、被加工物を上記吸着板11の吸着面に載置して、例えば鏡面研磨等の被加工物の加工をすることにより、上述したように極めて平坦度の高い高精度の表面加工が可能になる。これは、吸着板11の通気部と非通気部が全く同一材料で構成され、それ等の間で弾性率が全く同じになるからである。   In the above-described embodiment, the workpiece is placed on the suction surface of the suction plate 11, and the workpiece is processed by, for example, mirror polishing. Processing becomes possible. This is because the ventilation part and the non-ventilation part of the adsorption plate 11 are made of the same material, and the elastic modulus is exactly the same between them.

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, embodiment mentioned above does not limit this invention. Those skilled in the art can make various modifications and changes in specific embodiments without departing from the technical idea and technical scope of the present invention.

例えば、上記吸着板の表面形状は円形でなくても、被加工物の形状に合わせた種々の形状でよい。その表面形状は矩形状、ポリゴン形状、楕円形状、閉曲面形状になってもよい。また、吸着板の母材としてはセラミックス材料の他に金属材料あるいはプラスチック材料を用いてもよい。また、上記ユニバーサルチャックにコンプレッサ、吸水手段等が付加されても構わない。
For example, the surface shape of the suction plate may not be circular but may be various shapes according to the shape of the workpiece. The surface shape may be a rectangular shape, a polygonal shape, an elliptical shape, or a closed curved surface shape. In addition to the ceramic material, a metal material or a plastic material may be used as the base material of the suction plate. Moreover, a compressor, a water absorption means, etc. may be added to the universal chuck.

本発明の実施形態にかかるユニバーサルチャックの吸着板を示す平面図である。It is a top view which shows the suction plate of the universal chuck concerning embodiment of this invention. 本発明の実施形態にかかるユニバーサルチャックの吸着板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the suction plate of the universal chuck concerning embodiment of this invention. 本発明の実施形態にかかるユニバーサルチャックの吸着板を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view showing the adsorption plate of the universal chuck concerning the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態にかかるユニバーサルチャックの効果を示すシリコンウェーハ表面の斜視図である。It is a perspective view of the silicon wafer surface which shows the effect of the universal chuck concerning the embodiment of the present invention. 従来の技術にかかるユニバーサルチャックを示す模式図であって、(a)はその一部を切欠した斜視図であり、(b)はそのX−X矢視の断面図である。It is a schematic diagram which shows the universal chuck concerning a prior art, Comprising: (a) is the perspective view which notched the part, (b) is the sectional view of the XX arrow.

符号の説明Explanation of symbols

11 吸着板
11a、11b,11c、11d、11e 通気部
11f 非通気部
12 吸着面
13 吸引面
14 透孔
15 軟質材
17 シリコンウェーハ
18 凹凸痕
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Adsorption plate 11a, 11b, 11c, 11d, 11e Ventilation part 11f Non-ventilation part 12 Adsorption surface 13 Suction surface 14 Through-hole 15 Soft material 17 Silicon wafer 18 Concavity and convexity

Claims (3)

被加工物が吸着される多孔質体の吸着板と、該吸着板が保持されるチャック基体と、該チャック基体を介して前記吸着板に連通する吸気手段とを備えたユニバーサルチャックにおいて、
前記吸着板は、その上面および下面の間で通気を有する複数の透孔が形成された一体の多孔質体であり、該多孔質体より弾性率の小さい材料が所定領域の前記透孔を前記上面から下面に亘り充填した非通気部によって区分されていることを特徴とするユニバーサルチャック。
In a universal chuck comprising a porous body adsorption plate to which a workpiece is adsorbed, a chuck base on which the suction plate is held, and an intake means communicating with the suction plate through the chuck base.
The adsorbing plate is an integral porous body in which a plurality of through holes having ventilation are formed between an upper surface and a lower surface, and a material having a smaller elastic modulus than the porous body has the through holes in a predetermined region. A universal chuck characterized in that it is divided by a non-venting portion filled from the upper surface to the lower surface.
前記多孔質体より弾性率の小さい材料が前記透孔に含浸、圧入あるいは封入されていることを特徴とする請求項1に記載のユニバーサルチャック。   The universal chuck according to claim 1, wherein a material having a smaller elastic modulus than the porous body is impregnated, press-fitted, or sealed in the through-hole. 前記多孔質体より弾性率の小さい材料は、樹脂、ゴムあるいはエラストマーの高分子材料であることを特徴とする請求項1又は2に記載のユニバーサルチャック。

The universal chuck according to claim 1 or 2, wherein the material having a smaller elastic modulus than the porous body is a polymer material of resin, rubber, or elastomer.

JP2006039335A 2006-02-16 2006-02-16 Universal chuck Pending JP2007220887A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006039335A JP2007220887A (en) 2006-02-16 2006-02-16 Universal chuck

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006039335A JP2007220887A (en) 2006-02-16 2006-02-16 Universal chuck

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007220887A true JP2007220887A (en) 2007-08-30

Family

ID=38497838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006039335A Pending JP2007220887A (en) 2006-02-16 2006-02-16 Universal chuck

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007220887A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITUD20110079A1 (en) * 2011-06-06 2012-12-07 Applied Materials Italia Srl SUPPORT AND TRANSPORT UNIT FOR A PRINTING SUBSTRATE FOR A PRINT TRACK DEPOSITION PLANT, AND ITS DEPOSITION PROCEDURE
JP2015115526A (en) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社ディスコ Molding method of chuck table
WO2019181652A1 (en) * 2018-03-23 2019-09-26 株式会社ナノテム Porous pad, vacuum chuck device, and plane forming method for porous pad
KR102079740B1 (en) * 2019-07-02 2020-02-20 이병호 Vacuum adsorption jig for manufacturing quartz products for semiconductors
JP2020035886A (en) * 2018-08-30 2020-03-05 日本特殊陶業株式会社 Holding device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITUD20110079A1 (en) * 2011-06-06 2012-12-07 Applied Materials Italia Srl SUPPORT AND TRANSPORT UNIT FOR A PRINTING SUBSTRATE FOR A PRINT TRACK DEPOSITION PLANT, AND ITS DEPOSITION PROCEDURE
JP2015115526A (en) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社ディスコ Molding method of chuck table
WO2019181652A1 (en) * 2018-03-23 2019-09-26 株式会社ナノテム Porous pad, vacuum chuck device, and plane forming method for porous pad
JPWO2019181652A1 (en) * 2018-03-23 2021-02-18 株式会社ナノテム Porous pad, vacuum chuck device and method for forming a plane of the porous pad
JP2020035886A (en) * 2018-08-30 2020-03-05 日本特殊陶業株式会社 Holding device
JP7283872B2 (en) 2018-08-30 2023-05-30 日本特殊陶業株式会社 holding device
KR102079740B1 (en) * 2019-07-02 2020-02-20 이병호 Vacuum adsorption jig for manufacturing quartz products for semiconductors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007220887A (en) Universal chuck
JP5652832B2 (en) Chuck device and chuck method
JP2007258443A (en) Heat treatment apparatus, and substrate sucking method
JP6108803B2 (en) Substrate holding member
JPH1022184A (en) Substrate bonding device
JP4141877B2 (en) Vacuum chuck
JP6154173B2 (en) Vacuum suction device and suction plate
JP2006278971A (en) Method for manufacturing laminated wafer and wafer holding tool used for it
JP2009202330A (en) Punching device
JP4703590B2 (en) Vacuum adsorption apparatus and adsorption method using the same
JP4516089B2 (en) Wafer transfer blade
JP6506101B2 (en) Vacuum chuck member and method of manufacturing vacuum chuck member
JP5388700B2 (en) Vacuum suction member and method of manufacturing vacuum suction member
JP4266136B2 (en) Vacuum chuck
JP3993296B2 (en) Adsorption fixing device
JP2008060232A (en) Vacuum chuck
JP2008260071A (en) Vacuum sucking disk
JPH10128633A (en) Vacuum sucker
JP2007180102A (en) Suction body and manufacturing method thereof
JP4476595B2 (en) Vacuum suction jig
JP2005074551A (en) Vacuum suction device
JP2000021959A (en) Vacuum chuck disk
JP4475895B2 (en) Vacuum suction jig
JP2015103682A (en) Universal chuck device
JP2015008240A (en) Suction member

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20070711