JP2007219053A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質の低下を最小限に抑えつつ、ＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことが可能な液晶装置の提供。
【解決手段】本発明の液晶装置は、ＯＣＢモードマルチギャップ方式の半透過反射型液晶装置であって、対向基板２０の内面側に液晶層５０の厚さが厚い領域と薄い領域との間の段差傾斜部７０が設けられており、前記段差傾斜部７０と平面的に重なる領域の配向膜２９に、当該配向膜２９の外側の表示領域と異なる方向のラビング処理が施され、液晶層５０の初期転移核を形成する初期転移手段を構成している。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。

特に液晶テレビジョン等に代表される液晶装置の分野においては、近年、動画の画質向上を目的として応答速度の速いＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードの液晶装置が脚光を浴びている。ＯＣＢモードにおいて、初期状態では液晶分子が２枚の基板間でスプレイ状に開いたスプレイ配向となっており、表示動作時には液晶分子が弓なりに曲がった状態（ベンド配向）になっている必要がある。すなわち、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することで高速応答性を実現している。

このようにＯＣＢモードの液晶装置の場合、電源遮断時に液晶はスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって初期のスプレイ配向から表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分になされないと表示不良が生じたり、所望の高速応答性が得られなかったりする。

そこで特許文献１には、半透過型液晶表示装置における透過表示用電極の表面に、電圧印加時に液晶分子がスプレイ配向からベンド配向へ転移するのをアシストするための配向転移手段としての突起を形成する技術が提案されている。この半透過型液晶表示装置では、透過表示領域の液晶分子がベンド配向であるときに、反射表示領域の液晶分子はその長軸を反射表示用電極の表面に垂直に向けたハイブリッド配向になるように制御される。従って、パネル駆動時には、透過表示領域はＯＣＢモード、反射表示領域はＲ−ＯＣＢ（Reflective-Optical Compensated Bend）モードとなる。
特開２００２−２０７２２７号公報

しかしながら、特許文献１に記載された技術では、表示動作時に、透過表示領域に形成された突起の周辺で配向不良が発生するという問題がある。また、その突起の形成領域を遮光層で覆うと開口率が低下することになる。しかも、反射表示領域の液晶配向状態をハイブリッド配向とするため、反射表示領域の配向膜のみを光配向処理などで垂直配向にする必要があり、製造プロセスが増加するという問題もある。

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、表示品質の低下を最小限に抑えつつ、ＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことが可能な液晶装置の提供を目的とする。
また、表示品質に優れた電子機器の提供を目的とする。

本発明の液晶装置は、上記課題を解決するために、液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、１画素内に反射表示領域と透過表示領域とが形成されており、前記第１基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層が前記画素内の少なくとも前記反射表示領域に設けられており、少なくとも前記透過表示領域における動作モードがＯＣＢモードである液晶装置において、前記第１基板の前記液晶層側に、前記液晶層の厚さが厚い領域と薄い領域との間に段差傾斜部が設けられており、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域の配向膜に、当該画素の表示領域における液晶の配向状態と異なる配向状態を呈して当該液晶層の初期転移核を形成する初期転移手段が設けられていることを特徴とする。
初期転移手段を設けて、初期転移電圧の印加により液晶分子配向が互いに異なる境界（ディスクリネーション）を発生させれば、そのディスクリネーションが転移核となって初期転移が周辺に進行する。したがって、初期転移動作を円滑に行うことができる。
一般に液晶層厚調整層の段差傾斜部では、液晶分子が傾斜配向し斜め電界が発生するので、平坦部に比べて配向状態が乱れやすい。すなわち、液晶層厚調整層の段差傾斜部は、表示動作時における表示品質の向上に寄与していない。そこで、その液晶層厚調整層の段差傾斜部に初期転移手段を設けることにより、その初期転移手段の周辺にディスクリネーションが残っても、表示動作時における表示品質の低下を最小限に抑えることができる。そして、段差傾斜部に初期転移手段を設けることにより、他の部分に初期転移手段を設ける場合と比べて、ディスクリネーションを発生させることが容易になる。したがって、初期転移動作を円滑に行うことができる。

本発明の液晶装置としては、液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、１画素内に反射表示領域と透過表示領域とが形成されており、前記第１基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層が前記画素内の少なくとも前記反射表示領域に設けられており、少なくとも前記透過表示領域における動作モードがＯＣＢモードである液晶装置において、前記第１基板の前記液晶層側に、前記液晶層の厚い領域と薄い領域との境界領域を成す段差傾斜部が設けられるとともに、前記第１基板及び第２基板の前記液晶層側の表面には、それぞれ第１配向膜及び第２配向膜が形成されており、前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜の前記段差傾斜部と平面的に重なる領域に、前記液晶層の初期転移核を形成する初期転移手段が設けられていることを特徴とする構成も適用できる。このような構成とすれば、前記配向膜の配向規制力により前記段差傾斜部の平面領域に位置する液晶層に、当該段差傾斜部の外側の表示領域と異なる配向の液晶領域を形成することができ、かかる領域に発生するディスクリネーションを初期転移核として初期転移動作を円滑に行わせることが可能になる。

前記段差傾斜部と平面的に重なる領域における前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜の前記液晶に対する配向規制方向が、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域の外側の表示領域における前記配向規制方向と異なる方向である構成とすることもできる。このような構成とすれば、前記配向規制方向の差異により画素内に複数の液晶領域を形成することができ、これらの液晶領域の境界に発生するディスクリネーションを初期転移核とする初期転移動作を行わせることができる。

前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜における配向規制手段がラビング処理で行われ、そのラビング処理方向が、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域と、該領域の外側の表示領域とで異なる方向である構成とすることもできる。前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜は光配向膜であり、光配向処理による配向規制方向が、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域と、該領域の外側の表示領域とで異なる方向である構成とすることもできる。このように、前記第１配向膜ないし第２配向膜に対する配向処理は、ラビング処理であってもよいし、光配向処理であってもよい。

前記初期転移手段において、前記第１基板の配向規制方向と前記第２基板の配向規制方向がなす角度が、９０°より大きいことが好ましい。前記第１基板の配向規制方向と前記第２基板の配向規制方向により、ねじれ配向領域を形成することができる。この時スプレイとツイスト領域の境界ではディスクリネーションが形成されるが、ツイスト角度が９０°以上であれば転移を確実に誘起できることが知られている。

前記段差傾斜部と平面的に重なる領域における前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜が、前記液晶に対する複数の配向規制方向を有しており、当該複数の配向規制方向が、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域の外側の表示領域における前記配向規制方向と異なる方向である構成とすることもできる。このような構成とすることで、上記段差傾斜部に対応する液晶層において複数の液晶領域を形成することができ、これらの液晶領域の境界、及びこれらの液晶領域と表示領域に対応する液晶領域との境界において発生するディスクリネーションを初期転移核として初期配向転移を進行させることができ、より円滑にかつ迅速に初期転移動作を行わせることができる。

前記段差傾斜部と平面的に重なる領域の前記液晶層に、ねじれ方向の異なる複数の液晶領域が形成されている構成とすることもできる。このような構成とすることでより効果的に液晶領域境界にディスクリネーションを発生させることができる。また、前記ねじれ方向の異なる複数の液晶領域が、ホモジニアス配向の液晶領域と、スプレイ配向の液晶領域とを含む構成とすることもできる。この構成によれば、電圧印加時にスプレイ配向領域がねじれホモジニアス配向状態の影響を受け、逆ねじれになり、ねじれホモジニアス配向になる。この結果、前記ホモジニアス配向領域と前記スプレイ領域とそれ以外のスプレイ領域（配向手段以外の領域）の境界でディスクリネーションが発生し、ベンド転移が進行する。このため、スプレイ状態のねじれ角であるツイスト角度９０°未満に設定しておくことにより、逆ねじれに配向状態に変化したねじれホモジニアス領域の角度を９０°より大きい角度にすることができる。そのためスプレイ配向の液晶領域における液晶のねじれ角が９０°未満であることが好ましい。

前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜の前記段差傾斜部と平面的に重なる領域におけるプレチルト角が、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域の外側の表示領域におけるプレチルト角よりも大きい構成とすることもできる。このような構成とすることで、前記段差傾斜部に対応する液晶領域と表示領域に対応する液晶領域との境界でディスクリネーションを発生させるのが容易になる。また、段差傾斜部に対応する領域の液晶の配向状態をベンド配向に近づけることができるので、初期配向転移の円滑性を高めることができる。

前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜の前記段差傾斜部と平面的に重なる領域に垂直配向膜が形成されている構成とすることもできる。このような構成とすれば、前記段差傾斜部に対応する液晶層に、ベンド配向の一部と近似するハイブリッド配向の液晶領域を形成することができ、初期配向転移の円滑性を高めることができる。

前記反射表示領域における動作モードがＲ−ＯＣＢモードである構成とすることもできる。このような構成とすれば、反射表示領域にベンド配向に近い液晶分子配列を有するハイブリッド配向の液晶領域が形成されるので、上記初期配向転移を円滑に行うことができる。

本発明の液晶装置では、前記第１基板及び／又は第２基板の外面側に、屈折率異方性が負の光学媒体をハイブリッド配向させてなる光学異方性層を備えていることが好ましい。またこの場合、前記光学媒体は屈折率異方性が正のものであってもよい。
本発明の液晶装置では、前記第１基板及び／又は第２基板の外面側に、光学的に一軸性又は二軸性を示す光学異方性層を備えていることが好ましい。
本発明の液晶装置では、屈折率異方性が正の一軸性光学媒体と、屈折率異方性が負の一軸性光学媒体とを組み合わせてなる光学異方性層を備えていることが好ましい。
本発明の液晶装置では、前記液晶層を挟持する一対の円偏光板を備えていることが好ましく、広帯域の円偏光板であることがより好ましい。

本発明の電子機器は、先に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、表示品質の低下を最小限に抑えつつ、ＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施の形態に限定されるものではない。また以下の説明で参照する各図面においては、各構成要素を見易くするために各部の縮尺等を適宜変更して表示している。さらに本明細書では、液晶装置の各構成部材における液晶層側を内側と呼び、その反対側を外側と呼ぶことにする。また、画像表示の最小単位を「サブ画素」と呼び、各色カラーフィルタを備えた複数のサブ画素の集合を「画素」と呼ぶこととする。また、サブ画素の平面領域において、液晶装置の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域を「反射表示領域」と呼び、液晶装置の背面側（前記表示面と反対側）から入射する光を利用した表示が可能な領域を「透過表示領域」と呼ぶ。さらに、「非選択電圧印加時」及び「選択電圧印加時」とは、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧近傍である時」及び「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧に比べて十分高い時」を意味しているものとする。

（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態である液晶装置１００について、図１から図４を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置１００は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下「ＴＦＴ」という。）素子を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置である。また、図３に示すように、観察者側に配置された対向基板２０と、それに対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と、基板１０，２０間に挟持された液晶層５０と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられ対向基板２０側から入射した光を反射する反射電極１５ｒを有する半透過反射型の液晶装置である。さらに、前記反射電極１５ｒが存在する反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを、反射電極１５ｒが存在しない透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくするための液晶層厚調整層２４とを有する、マルチギャップ方式の液晶装置である。

図１（ａ）は液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う側面断面図である。
図１に示すように、本実施形態の液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入され、画像表示領域１０ａを構成している。シール材５２の外側の周辺回路領域には、データ信号駆動回路１０１及び外部回路実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査信号駆動回路１０４が形成されている。走査信号駆動回路１０４同士は、配線１０５を介して電気的に接続されており、駆動回路１０１，１０４はそれぞれ対応する外部回路実装端子１０２と電気的に接続されている。また、対向基板２０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。

図２は、ＴＦＴを用いた液晶装置の等価回路図である。液晶装置の画像表示領域には、データ線６ａ及び走査線３ａが格子状に配置され、両者の交点付近には、画像表示単位であるサブ画素が配置されている。マトリクス状に配置された複数のサブ画素には、それぞれ画素電極１５が形成されている。その画素電極１５の側方には、当該画素電極１５への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ１３が形成されている。このＴＦＴ１３のソースには、データ線６ａが電気的に接続されている。各データ線６ａには画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎが供給される。またＴＦＴ１３のゲートには、走査線３ａが電気的に接続されている。走査線３ａには、所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、‥、Ｇｍが供給される。またＴＦＴ１３のドレインには、画素電極１５が電気的に接続されている。そして、走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、‥、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ１３を一定期間だけオン状態にすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。

液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎは、画素電極１５と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と容量線３ｂとの間に蓄積容量７が形成され、液晶容量と並列に接続されている。そして、上記のように液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となっている。

図３は本実施形態に係る液晶装置の説明図である。図３（ａ）は、液晶装置１００の１画像表示単位を成すサブ画素の平面構成図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’に沿う液晶装置１００の断面構成図である。
図３（ａ）に示すように、矩形状の画素電極１５の長手方向に沿って上述したデータ線６ａが配置され、画素電極１５の一短辺に沿って上述した走査線３ａが配置されており、走査線３ａの画素電極１５側には、当該走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂが配置されている。データ線６ａと走査線３ａとの交点付近に、ボトムゲート型のＴＦＴ１３が形成されている。ＴＦＴ１３は、そのドレイン電極４４が画素電極１５側に延びた位置でコンタクトホール１４を介して画素電極１５と電気的に接続されている。

図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１１の内側に、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、これら走査線３ａと容量線３ｂとを覆って絶縁薄膜４１が形成されている。絶縁薄膜４１を介して走査線３ａと対向する位置に平面視矩形状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層４５が形成されており、また、半導体層４５上に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂとドレイン電極４４とが形成されている。そして、これら半導体層４５、ソース電極６ｂ、及びドレイン電極４４を覆うようにして層間絶縁膜１２が形成されている。層間絶縁膜１２を貫通してドレイン電極４４に達するコンタクトホール１４が形成されており、層間絶縁膜１２上に形成された透明電極１５ｔ（画素電極１５）の一部が当該コンタクトホール１４内に埋設されて、透明電極１５ｔとＴＦＴ１３とが電気的に接続されている。

層間絶縁膜１２上には、表面に凹凸を有する樹脂層１６が部分的に形成されている。樹脂層１６の表面には、ＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料からなる反射電極（反射層）１５ｒが形成されており、前記樹脂層１６は、反射電極１５ｒの反射光を散乱させる光散乱手段として機能する。反射電極１５に隣接してＩＴＯ等の透明導電性材料からなる透明電極１５ｔが形成されており、これらの反射電極１５ｒ及び透明電極１５ｔが導通接続されて、画素電極１５を形成している。そして、反射電極１５ｒの形成領域が、図示のサブ画素における反射表示領域Ｒに対応し、透明電極１５ｔの形成領域が透過表示領域Ｔに対応している。
反射電極１５ｒ及び透明電極１５ｔを覆って、ポリイミド等からなる配向膜１８が形成されている。この配向膜１８は液晶分子５１を膜面に略水平に配向させる水平配向膜であり、図３（ａ）に示すように、画素電極１５の長手方向（図示Ｘ軸方向）に沿ってラビング処理されている。また、サブ画素の一隅部に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を規制する柱状スペーサ５９が立設されている。

一方、対向基板２０の基板本体２１の内側（液晶層５０側）には、サブ画素毎に異なる色光を透過するカラーフィルタを備えたＣＦ層２２が形成されている。カラーフィルタは、サブ画素内で色度の異なる２種類の色材領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体的には、透過表示領域Ｔの平面領域に対応して第１の色材領域が設けられ、反射表示領域Ｒの平面領域に対応して第２の色材領域が設けられており、第１の色材領域の色度が、第２の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。また、反射表示領域Ｒの一部に非着色領域を設ける構成としてもよい。このような構成とすることで、カラーフィルタを表示光が１回のみ透過する透過表示領域Ｔと、２回透過する反射表示領域Ｒとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。なお、ＣＦ層２２は、ＴＦＴアレイ基板１０側に形成することもできる。

ＣＦ層２２の内側には、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層２４が設けられている。半透過反射型の液晶装置では、反射表示領域Ｒへの入射光は液晶層５０を２回透過して表示光として用いられるが、透過表示領域Ｔへの入射光は液晶層５０を１回しか透過しない。これにより反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層５０のリタデーションが異なると、光透過率に差異を生じて均一な画像表示が得られないことになる。そこで液晶層厚調整層２４を設けることにより、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚（例えば２μｍ程度）が、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚（例えば４μｍ程度）の半分程度に設定されて、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔにおける液晶層５０のリタデーションが略同一に設定されている。このように、液晶層厚調整層２４により実現したマルチギャップ構造により、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔにおいて均一な画像表示を得ることができるようになっている。

反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界領域には、液晶層厚調整層２４に起因する段差傾斜部７０が形成されており、反射表示領域Ｒから透過表示領域Ｔにかけて液晶層５０の層厚が連続的に変化している。この段差傾斜部の傾斜角は１０°〜３０°程度である。一般に液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０では、液晶分子の配向状態が乱れやすく表示品質が低下しやすい。そこで本実施形態の液晶装置は、段差傾斜部７０を反射表示領域Ｒに配置することにより、透過表示を重視した構成になっている。

この液晶層厚調整層２４の構成材料として、アクリル樹脂等の電気絶縁性及び感光性を有する材料を採用することが望ましい。感光性材料を採用することにより、フォトリソグラフィを用いたパターニングが可能になり、液晶層厚調整層２４を精度よく形成することができる。なお、液晶層厚調整層２４は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けることもでき、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の双方に設けられていてもよい。

液晶層厚調整層２４が形成された対向基板２０の内側には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極２５が略全面に形成されており、共通電極２５の表面には、ポリイミド等からなる配向膜２９が形成されている。配向膜２９も液晶分子５１を膜面に略水平に配向させる水平配向膜であり、表面にラビング処理を施されている。本実施形態の場合、この対向基板２０側の配向膜２９について、部分的に異なる方向のラビング処理が施されたものとなっている。すなわち、図３（ａ）に斜線模様を付して示した矩形状の領域である段差傾斜部７０の外側の表示領域では、配向膜２９は、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１８のラビング方向（配向規制方向）１８ａと平行な方向（２９ａ）にラビング処理されているが、前記段差傾斜部７０の平面領域では、配向膜２９には配向膜１８のラビング方向１８ａと１００°の角度を成して交差する方向（２９ｂ）にラビング処理が施されている。

そして図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、ＯＣＢモードで動作する液晶層５０が挟持されている。本実施形態では、透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒともに水平配向膜が形成されて、透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒの液晶層５０が、ともにＯＣＢモードで動作するようになっている。

ＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２０の外側には、それぞれ偏光板３６，３７が設けられている。これらの偏光板３６，３７は、特定方向に振動する直線偏光のみを透過させるものである。偏光板３６の透過軸及び偏光板３７の透過軸は、相互に略直交するように配置されるとともに、配向膜１８，２９のラビング方向と略４５°で交差するように配置されている。偏光板３６及び偏光板３７の内側（基板本体側）には、それぞれ位相差板３１及び位相差板３２が配設されている。位相差板３１，３２として、可視光の波長に対して略１／４波長の位相差を持つλ／４板を使用すれば、偏光板３６，３７とともに円偏光板を構成することができる。またλ／２板及びλ／４板を組み合わせて使用すれば、広帯域円偏光板を構成することができる。

さらに、偏光板３６及び／又は偏光板３７の内側には、光学補償フィルムを配置することもできる。光学補償フィルムを配置することにより、液晶装置を正面視ないし斜視した場合の液晶層の位相差を補償することが可能になり、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとして、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させてなる負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）を使用することが可能である。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させてなる正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）を使用することも可能である。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせて使用することも可能である。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体を使用してもよい。さらに、対向基板２０の外側には、光源、リフレクタ、導光板などを有するバックライト（照明手段）６０が設置されている。

図４は、ＯＣＢモードの液晶装置における液晶分子の配向状態の説明図である。ＯＣＢモードでは、図４（ｂ）に示す初期状態には、液晶分子５１がスプレイ状に開いた配向状態（スプレイ配向）になっている。一方、図４（ａ）に示す表示動作時には、液晶分子５１が弓なりに曲がった配向状態（ベンド配向）になっている。そして、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することにより、表示動作の高速応答性を実現し得るようになっている。

上述したように、ＯＣＢモードの液晶装置の場合、電源遮断時の液晶はスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって、図４（ｂ）に示す初期のスプレイ配向から、図４（ａ）に示す表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分になされないと表示不良が生じたり、所望の高速応答性が得られなかったりする。

液晶層５０の初期転移操作としては、走査線を線順次にＯＮしつつ、画素電極１５と共通電極２５との間に８Ｖ程度のパルス電圧を印加する方法を用いることができる。この初期転移電圧の印加によりサブ画素にディスクリネーションを発生させれば、そのディスクリネーションが初期転移核となって初期転移が周辺に進行する。これにより初期転移動作を円滑に行うことができる。

本実施形態では、サブ画素内に初期転移核となるディスクリネーションを発生させるため、図３（ａ）に示す液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０と平面的に重なる位置における配向膜２９に対して、表示領域のラビング方向２９ａと異なるラビング方向２９ｂに沿うラビング処理を施している。すなわち、スプレイ配向の表示領域とは異なる配向状態の液晶層を、段差傾斜部７０と平面的に重なる領域に形成し、初期転移電圧を印加したときに段差傾斜部７０の平面領域のツイスト配向状態の液晶領域を、外側の表示領域における配向状態と異ならせることで液晶領域の境界にディスクリネーションを発生させ、初期転移核を形成するようになっている。そして、ＯＣＢモードで動作する液晶層では、図４に示すスプレイ配向とベンド配向のエネルギー（ギブスエネルギー）状態をみるとツイスト配向のエネルギー状態はスプレイ配向とベンド配向の中間のエネルギー状態であるため、本実施形態のようにサブ画素内に意図的にツイスト配向の液晶領域を形成することは、スプレイ配向からベンド配向への初期配向転移を促進し、円滑にかつ迅速に転移操作を行えるようにすることにきわめて有効である。

また、初期配向転移が円滑に行われるようにするには、配向膜１８，２９のプレチルト角を５°〜９°程度とすることが好ましい。これは、２°〜３°程度の小さいプレチルト角では、段差傾斜部７０に対応する液晶領域のツイスト配向を維持することが難しく、ベンド配向への配向転移を促進する効果の小さい配向状態をとりやすくなるからである。

段差傾斜部７０と平面的に重なる領域の配向膜２９について選択的に異なる方向の配向処理を施すには、例えば、光配向処理を用いることができる。この場合、光反応性材化合物の塗膜を形成した後、かかる塗膜に対してマスクを介した偏光紫外線照射処理を行うことで、塗膜の一部領域に対して選択的に配向処理を施すことができる。本実施形態の液晶装置１００では、最初にデータ線６ａに沿った方向（Ｘ軸方向）に液晶を配向させるように光照射処理を行い、その後に段差傾斜部７０と平面的に重なる領域に、Ｘ軸方向に対し１００°の角度を成して液晶を配向させる光照射処理を行えばよい。あるいは、上記２回の光照射処理の順序を入れ替えてもよい。

また、ラビング布を用いた通常のラビング処理を応用してもよい。この場合、基板本体２１上に形成した配向膜２９に対して、Ｘ軸方向のラビング処理を行った後、配向膜２９上にポジ型のフォトレジストを塗布し、前記段差傾斜部７０の平面領域に対応する開口を形成するようにフォトレジストの露光、現像処理を行う。そして、前記フォトレジストの開口に対してＸ軸方向に対して１００°の角度を成す方向にラビング処理を施し、フォトレジストを剥離すれば、段差傾斜部７０の平面領域に対応する領域に所定の配向規制力を呈する領域を選択的に形成してなる配向膜２９を得ることができる。

本実施形態では、図３に示したように、液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０の平面領域内に、当該領域の外側の表示領域とは液晶の配向状態が異なる液晶領域を形成しているので、初期転移動作が完了した後の表示動作時にも、段差傾斜部７０の近傍でディスクリネーションが残る場合がある。しかしながら、一般に液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０では液晶分子が傾斜配向するので、平坦部に比べて配向状態が乱れやすい。すなわち、液晶層厚調整層の段差傾斜部は、開口率やコントラスト等の表示品質の向上に寄与していない。そこで、その液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０に初期転移手段を設けることにより、その初期転移手段の周辺にディスクリネーションが残っても、表示動作時における表示品質の低下を最小限に抑えることができる。また表示品質を高めるために、傾斜部のと平面的に重なる領域にブラックマトリックスを配置しても良い。そして、そのような段差傾斜部７０に初期転移手段を設けることにより、他の部分に初期転移手段を設ける場合と比べて、ディスクリネーションを発生させることが容易になるのである。

なお、本実施形態では、画素電極１５の短辺端に沿う位置に走査線３ａを配置し、この走査線３ａの近傍に容量線３ｂを配置しているが、上述したように段差傾斜部７０の平面領域は表示に寄与しないため、段差傾斜部７０と平面的に重なる位置に、金属配線部材である走査線３ａ、容量線３ｂを配置するとよい。このような構成とすることで、段差傾斜部７０はサブ画素における遮光領域となり、かかる領域にディスクリネーションが残ったり、配向乱れが生じたとしても表示には影響しない。また、段差傾斜部７０と平面的に重なる位置に走査線３ａを配置すれば、走査線３ａと画素電極１５との間に形成される斜め電界によってディスクリネーションが発生し、初期配向転移をさらに円滑に進行させることができる効果が得られる。また、実施例１では段差傾斜部に表示領域とは異なる配向処理を行ったが、TFTアレイ基板１０に配向処理を施しても良い。

また、本実施形態において、反射表示領域Ｒにおける動作モードをＲ−ＯＣＢ（Reflective-Optical Compensated Bend）モードとしてもよい。この場合、配向膜２９のうち、反射表示領域Ｒ内に位置する部分を垂直配向膜とし、ＴＦＴアレイ基板１０から対向基板２０にかけて液晶がハイブリッド配向した液晶層を形成すればよい。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態である液晶装置２００について、図５及び図６を参照して説明する。図５（ａ）は本実施形態の液晶装置２００における１つのサブ画素の平面構成図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図である。図６は、液晶装置２００に設けられた初期転移手段を説明するための配向膜の概略平面図である。

本実施形態の液晶装置２００は、先の実施形態の液晶装置１００に対して、初期転移手段を構成する配向膜について異なる２方向にラビング処理を施されている点に特徴を有しており、その基本構成は液晶装置１００と共通である。従って図５及び図６では先の液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付し、以下の説明では共通の構成についての詳細な説明は省略する。

図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置２００では、液晶層厚調整層２４が反射電極１５ｒの形成領域に対応して対向基板２０上に設けられており、さらに液晶層厚調整層２４の透過表示領域Ｔ側に形成された段差傾斜部７０は、透過表示領域Ｔ内（透明電極１５ｔの平面領域内）に配置されている。従って本実施形態の液晶装置２００は、反射表示を重視した構成となっている。ＴＦＴアレイ基板１０及びバックライト６０は、第１実施形態に係る液晶装置１００と同様の構成である。

本実施形態の液晶装置２００においても、上記液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０と平面的に重なる領域の配向膜２９に、図５（ａ）に示すように、部分的に異なる方向のラビング処理が施されたものとなっている。すなわち、図５（ａ）に斜線模様を付して示した矩形状の領域である段差傾斜部７０の外側に位置する表示領域では、配向膜２９は、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１８のラビング方向１８ａと平行な方向（２９ａ）にラビング処理されているが、前記段差傾斜部７０の平面領域において、配向膜２９は、配向膜１８のラビング方向１８ａと１０５°の角度を成して交差する第１の方向（２９ｃ）にラビング処理が施された第１の領域と、前記配向膜１８のラビング方向１８ａと７０°の角度を成して交差する第２の方向（２９ｄ）にラビング処理が施された第２の領域とを備えたものとなっている。具体的には、図６（ｃ）に示すように、前記配向膜１８のラビング方向１８ａと１０５°の角度を成して交差する方向にラビング処理された第１の領域７１と、前記配向膜１８のラビング方向１８ａと７０°の角度を成して交差する方向にラビング処理された第２の領域７２とを備えている。

配向膜２９に上記第１の領域７１と第２の領域７２とが形成されていることで、段差傾斜部７０の平面領域内に、異なるツイスト方向を有するツイスト配向の液晶領域が形成されるようになっている。具体的には、図６（ｃ）に点模様を付して示す第１の領域７１では、図６（ａ）に示すように、配向膜２９のラビング方向２９ｃは配向膜１８のラビング方向１８ａに対して１０５°の角度を成しているが、その一方で段差傾斜部７０が図示の矢印７０ｓに向かって下る傾斜面を成しているため、１０５°のツイスト配向ではなく、７５°ツイストのホモジニアス配向を呈する液晶領域が形成される。一方、第２の領域７２では、図６（ｂ）に示すように、７０°ツイストのスプレイ配向を呈する液晶領域が形成される。

そして、第１の領域７１と第２の領域７２とで異なる配向状態の液晶領域が形成されることから、初期転移動作時には、図６（ｃ）に示す両液晶領域の境界部（波線を伏した部位）７０ｘに沿ってディスクリネーションラインが発生し、かかるディスクリネーションラインが初期転移核となって初期配向転移が進行する。また、段差傾斜部７０には２種類のツイスト配向領域が形成されているため、これらと他の液晶領域との境界に発生するディスクリネーションを起点とする初期転移も進行する。そのため、本実施形態の液晶装置２００は、先の第１実施形態の液晶装置１００に比しても円滑に初期転移操作を進行させることができる。

段差傾斜部７０と平面的に重なる領域の配向膜２９について選択的に異なる方向の配向処理を施すには、例えば、光配向処理を用いることができる。この場合、光反応性材化合物の塗膜を形成した後、かかる塗膜に対して第１のマスクを介した偏光紫外線照射処理を行うことで、塗膜の一部領域に対して選択的に配向処理を施し、表示領域について配向膜１８のラビング方向１８ａと平行な方向２９ａに沿う配向処理を施す。
その後、段差傾斜部７０と平面的に重なる領域の前記塗膜について、第２のマスクを用いた偏光紫外線照射処理を行うことで、第１の領域７１について配向膜１８のラビング方向１８ａと１０５°の角度を成す方向の配向処理を施す。
その後、段差傾斜部７０と平面的に重なる領域の前記塗膜について、さらに第３のマスクを介した紫外線照射処理を行うことで、第２の領域７２について配向膜１８のラビング方向１８ａと７０°の角度を成す方向の配向処理を施すことができる。
このように、最初にデータ線６ａに沿った方向（Ｘ軸方向）に液晶を配向させるように光照射処理を行い、その後に段差傾斜部７０と平面的に重なる領域に、Ｘ軸方向に対し１０５°、７０°の角度を成して液晶を配向させる光照射処理を行うことで、配向膜２９に所望の配向規制方向を付与することができる。前記表示領域の光照射処理と段差傾斜部の光照射処理との順序を入れ替えてもよい。

また、ラビング布を用いた通常のラビング処理を応用してもよい。この場合、基板本体２１上に形成した配向膜２９に対して、Ｘ軸方向のラビング処理を行った後、配向膜２９上にポジ型のフォトレジストを塗布し、前記第１の領域７１に対応する開口を形成するようにフォトレジストの露光、現像処理を行う。そして、前記フォトレジストの開口（第１の領域７１）に対してＸ軸方向に対して１０５°の角度を成す方向にラビング処理を施し、フォトレジストを剥離する。その後、配向膜２９上にポジ型のフォトレジストを塗布し、前記第２の領域７２に対応する開口を形成するようにフォトレジストの露光、現像処理を行う。その後、前記フォトレジストの開口（第２の領域７２）に対してＸ軸方向に対して７０°の角度を成す方向にラビング処理を施し、フォトレジストを剥離する。このようにして、段差傾斜部７０の平面領域に対応する領域に、２種類の異なる配向規制力を呈する領域が形成された配向膜２９を得ることができる。

なお、本実施形態においても、先の第１実施形態と同様の変形を加えることができるのは勿論である。すなわち、反射表示領域Ｒに位置するＣＦ層２２の一部を除去ないし薄層化してカラーフィルタの色度を調整する構成や、基板本体１１，２１の外面側に光学補償板を設けた構成を採用することができる。

＜第２実施形態の変形例＞
ここで、上記第２実施形態の液晶装置の変形例について図７を参照して説明する。図７は、本変形例の液晶装置２５０における１つのサブ画素の平面構成図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿う液晶装置の断面構成図である。本例の液晶装置２５０は、第２実施形態の液晶装置２００と同等の基本構成を具備しており、同液晶装置に対して、ＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１８に選択的な配向処理が施されている点、及びサブ画素における走査線３ａ及び容量線３ｂの配置が異なっている点に特徴を有している。

図７（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置２５０のサブ画素において、Ｘ軸方向に長手の矩形状の画素電極１５の略中央部に、Ｙ軸方向に延在する走査線３ａと容量線３ｂとが並んで配置されている。液晶層厚調整層２４の透過表示領域Ｔ側に形成された段差傾斜部７０は透過表示領域Ｔ内に形成されており、さらに、段差傾斜部７０と走査線３ａとが平面視で重なるように配置されている。走査線３ａの反射表示領域Ｒ側に配置された容量線３ｂは反射表示領域Ｒ内に配置されている。

走査線３ａ上にはＴＦＴ１３が形成されており、ＴＦＴ１３と画素電極１５とを電気的に接続するドレイン電極４４がＴＦＴ１３の形成位置から−Ｘ側に延びており、容量線３ｂと平面視で重なる位置のドレイン電極４４上に形成されたコンタクトホール１４を介して画素電極１５とドレイン電極４４（ＴＦＴ１３）とが電気的に接続されている。図７（ｂ）に示す断面構造をみると、ＴＦＴアレイ基板１０において、容量線３ｂ及びドレイン電極４４上に位置する層間絶縁膜１２及び樹脂層１６を貫通してコンタクトホール１４が形成されており、樹脂層１６上に形成された反射電極１５ｒがコンタクトホール１４の底部においてドレイン電極４４と接続され、画素電極１５とＴＦＴ１３とが電気的に接続されている。

本実施形態の液晶装置２５０では、ＴＦＴアレイ基板１０の画素電極１５を覆う配向膜１８について、部分的な配向処理が施されることで、先の実施形態と同様の初期転移手段をサブ画素内に具備した構成を実現している。すなわち、図７（ａ）に斜線模様を付して示した矩形状の領域に対応する段差傾斜部７０の外側に位置する表示領域では、配向膜１８は対向基板２０の配向膜２９のラビング方向２９ａと平行な方向（１８ａ）にラビング処理されている。その一方で、前記段差傾斜部７０の平面領域において、配向膜１８は、配向膜２９のラビング方向２９ａと１０５°の角度を成して交差する第１の方向（１８ｃ）にラビング処理が施された第１の領域と、前記配向膜２９のラビング方向２９ａと７０°の角度を成して交差する第２の方向（１８ｄ）にラビング処理が施された第２の領域とを備えたものとなっている。具体的には、先の第２実施形態で図６（ｃ）に示したのと同様に、前記配向膜２９のラビング方向２９ａと１０５°の角度を成して交差する方向にラビング処理された矩形状の第１の領域（７１）と、前記配向膜２９のラビング方向２９ａと７０°の角度を成して交差する方向にラビング処理された第２の領域（７２）とが、ＴＦＴアレイ基板１０上の配向膜１８に形成されたものとなっている。

以上の構成を備えた本実施形態の液晶装置２５０においても、配向膜１８の第１の領域と第２の領域とに異なる配向状態の液晶領域が形成されることから、初期転移動作時には、図６（ｃ）に示した第１の領域と第２の領域の境界部（波線を伏した部位７０ｘ）に沿ってディスクリネーションラインが発生し、かかるディスクリネーションラインが初期転移核となって初期配向転移が進行する。また、段差傾斜部７０には２種類のツイスト配向領域が形成されているため、これらと他の液晶領域との境界に発生するディスクリネーションを起点とする初期転移も進行する。そのため、本実施形態の液晶装置２５０も、先の第１実施形態の液晶装置１００に比して円滑に初期転移操作を進行させることができる。

また、図７（ａ）に示したように、本実施形態では段差傾斜部７０と平面的に重なる領域に走査線３ａが配置されており、当該領域の配向膜１８にラビング方向の異なる第１の領域と第２の領域とからなる初期転移手段が設けられているので、液晶装置の動作時に走査線３ａに印加される電圧によって前記初期転移手段が設けられた領域（段差傾斜部７０）に高電界が作用することとなる。従って本例の液晶装置２５０によれば、上記第２実施形態に係る液晶装置２００に比しても円滑な初期転移操作を行わせることが可能である。また、液晶層厚が連続的に変化しており、さらに初期転移手段が設けられていることから実質的に表示に寄与しない段差傾斜部７０に対して、走査線３ａが平面的に重なって配置されていることで、当該段差傾斜部７０を遮光することができ、漏れ光によるコントラスト低下を防止することができる。

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態である液晶装置３００について、図８を参照して説明する。図８（ａ）は本実施形態の液晶装置３００における１つのサブ画素の平面構成図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿う断面構成図である。

本実施形態の液晶装置３００は、先の実施形態の液晶装置１００に対して、初期転移手段を構成する配向膜の一部が垂直配向膜とされている点に特徴を有しており、その基本構成は液晶装置１００と共通である。従って図８では先の液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付し、以下の説明では共通の構成についての詳細な説明は省略する。

図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置３００では、対向基板２０の液晶層５０側に区画形成された水平配向膜（配向膜）２９と、液晶分子を膜面に略垂直に配向させる垂直配向膜３９とを備えている。垂直配向膜３９は、液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０と平面的に重なる矩形状の領域に選択的に形成されており、それ以外の領域に水平配向膜２９が形成されている。本実施形態では、垂直配向膜３９の形成領域に水平配向膜２９が形成されていない場合について図示しているが、水平配向膜２９上に部分的に垂直配向膜３９が形成されている構成であってもよい。
なお、段差傾斜部７０は、第１実施形態に係る液晶装置１００と同様に反射表示領域Ｒ内に配置されており、透過表示を重視した液晶装置となっている。また、ＴＦＴアレイ基板１０及びバックライト６０は、第１実施形態に係る液晶装置１００と同様の構成である。

ＴＦＴアレイ基板１０の水平配向膜１８のラビング方向１８ａ、及び対向基板２０の水平配向膜２９のラビング方向２９ａは、図８（ａ）に示すように、いずれも−Ｘ方向で互いに平行であり、図８（ｂ）に示すように液晶分子５１のプレチルト方向は−Ｘ方向である。そのため、動作時のベンド配向状態における弓形の配向形態についても、第１実施形態の液晶装置とは逆向きに反った状態である。

上記構成を具備した本実施形態の液晶装置３００では、段差傾斜部７０上に選択的に形成された垂直配向膜３９と、ＴＦＴアレイ基板１０上の水平配向膜１８との間で、液晶がハイブリッド配向した液晶領域を形成する。そして、図８（ｂ）に示すように、ハイブリッド配向における液晶の配向状態は、ベンド配向に近似しているため、初期転移電圧を印加したときに、ハイブリッド配向の液晶領域（段差傾斜部７０）が初期転移核となってベンド配向への配向転移が円滑に進行する。

段差傾斜部７０と平面的に重なる領域に垂直配向膜３９を形成するには、例えば、水平配向膜２９を平面ベタ状に共通電極２５上に形成した後、感光性の配向膜材料を水平配向膜２９上に塗布し、この感光性配向膜を露光、現像処理することでパターニングし、段差傾斜部７０と平面的に重なる位置にのみ垂直配向膜３９を形成する方法が採用できる。あるいは、水平配向膜２９と垂直配向膜３９の双方に感光性の配向膜材料を用い、それぞれ露光、現像処理することで水平配向膜２９と垂直配向膜３９とを区画形成してもよい。さらにまた、平面ベタ状に形成した垂直配向膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてもよい。

なお、本実施形態においても、先の第１実施形態と同様の変形を加えることができるのは勿論である。すなわち、反射表示領域Ｒに位置するＣＦ層２２の一部を除去ないし薄層化してカラーフィルタの色度を調整する構成や、基板本体１１，２１の外面側に光学補償板を設けた構成、あるいは、段差傾斜部７０と平面的に重なる領域に走査線３ａや容量線３ｂを配置した構成等を採用することができる。また、段差傾斜部に表示領域とは異なる配向処理を行ったが、TFTアレイ基板１０に配向処理を施しても良い。

（電子機器）
図９は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図９に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。本発明の液晶装置は、表示品質の低下を最小限に抑えつつ、ＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れる表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。

上記各実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストの表示が可能になっている。

なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記各実施の形態では、画素スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いた場合について説明したが、ＴＦＴ素子に代えてＴＦＤ素子（二端子型非線形素子）を用いてもよいのは勿論である。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成図。 同、回路構成図。 同、サブ画素の平面構成図及び液晶装置の断面構成図。 ＯＣＢモードの液晶の配向状態を示す説明図。 第２実施形態に係る液晶装置のサブ画素及び断面構成を示す図。 段差傾斜部の配向膜を拡大して示す説明図。 第２実施形態の変形例におけるサブ画素及び断面構成を示す図。 第３実施形態に係る液晶装置のサブ画素及び断面構成を示す図。 電子機器の一例を示す斜視構成図。

符号の説明

１００，２００，２５０，３００ 液晶装置、Ｒ 反射表示領域、Ｔ 透過表示領域、３ａ 走査線（配線部材）、３ｂ 容量線（配線部材）、１０ ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０ 対向基板（第２基板）、１５ 画素電極、１５ｒ 反射電極（反射層）、１５ｔ 透明電極、１８ 配向膜、１８ａ、１８ｃ、１８ｄ ラビング方向、２４ 液晶層厚調整層、２５ 対向電極、２９ 配向膜、２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ ラビング方向、３９ 垂直配向膜、７０ 段差傾斜部、７１ 第１の領域、７２ 第２の領域

Claims (14)

1. 液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、１画素内に反射表示領域と透過表示領域とが形成されており、前記第１基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層が前記画素内の少なくとも前記反射表示領域に設けられており、少なくとも前記透過表示領域における動作モードがＯＣＢモードである液晶装置において、
   前記第１基板の前記液晶層側に、前記液晶層の厚さが厚い領域と薄い領域との間に段差傾斜部が設けられており、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域の配向膜に、当該画素の表示領域における液晶の配向状態と異なる配向状態を呈して当該液晶層の初期転移核を形成する初期転移手段が設けられていることを特徴とする液晶装置。
2. 液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、１画素内に反射表示領域と透過表示領域とが形成されており、前記第１基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層が前記画素内の少なくとも前記反射表示領域に設けられており、少なくとも前記透過表示領域における動作モードがＯＣＢモードである液晶装置において、
   前記第１基板の前記液晶層側に、前記液晶層の厚い領域と薄い領域との境界領域を成す段差傾斜部が設けられるとともに、前記第１基板及び第２基板の前記液晶層側の表面には、それぞれ第１配向膜及び第２配向膜が形成されており、前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜の前記段差傾斜部と平面的に重なる領域に、前記液晶層の初期転移核を形成する初期転移手段が設けられていることを特徴とする液晶装置。
3. 前記段差傾斜部と平面的に重なる領域における前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜の前記液晶に対する配向規制方向が、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域の外側の表示領域における前記配向規制方向と異なる方向であることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
4. 前記第１配向膜及と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜における配向規制手段がラビング処理で行われ、そのラビング処理方向が、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域と、該領域の外側の表示領域とで異なる方向であることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
5. 前記第１配向膜及と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜は光配向膜であり、光配向処理による配向規制方向が、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域と、該領域の外側の表示領域とで異なる方向であることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
6. 前記初期転移手段において、前記液晶層は前記第１基板の配向規制方向から前記第２基板の配向規制方向へツイストしており、該ツイスト角が９０°より大きいことを特徴をする請求項３から５のいずれかの１項に記載の液晶装置。
7. 前記段差傾斜部と平面的に重なる領域における前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜が、前記液晶に対する複数の配向規制方向を有しており、当該複数の配向規制方向が、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域の外側の表示領域における前記配向規制方向と異なる方向であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶装置。
8. 前記段差傾斜部と平面的に重なる領域の前記液晶層に、ねじれ方向の異なる複数の液晶領域が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
9. 前記ねじれ方向の異なる複数の液晶領域が、ホモジニアス配向の液晶領域と、スプレイ配向の液晶領域とを含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶装置。
10. 前記スプレイ配向の液晶領域における液晶のねじれ角であるツイスト角度が９０°未満であることを特徴とする請求項９に記載の液晶装置。
11. 前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜の前記段差傾斜部と平面的に重なる領域におけるプレチルト角が、前記段差傾斜部と平面的に重なる領域の外側の表示領域におけるプレチルト角よりも大きいことを特徴とする請求項２から１０のいずれか１項に記載の液晶装置。
12. 前記第１配向膜と前記第２配向膜の少なくとも一方の配向膜の前記段差傾斜部と平面的に重なる領域に垂直配向膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
13. 前記反射表示領域における動作モードがＲ−ＯＣＢモードであることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の液晶装置。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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