JP2007218635A - Probe card - Google Patents

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JP2007218635A JP2006037071A JP2006037071A JP2007218635A JP 2007218635 A JP2007218635 A JP 2007218635A JP 2006037071 A JP2006037071 A JP 2006037071A JP 2006037071 A JP2006037071 A JP 2006037071A JP 2007218635 A JP2007218635 A JP 2007218635A
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Hiroatsu Nomura
浩功 野村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe card that facilitates the alignment of a probe needle to an inspected object and can be even in a probing device for a blade type or cantilever type probe card. <P>SOLUTION: A tilting probe pin 24 for alignment is disposed in a probe card substrate 21, an alignment mark 28 is disposed in an inspected chip 26 of a semiconductor wafer 25 to be inspected, and the positional relation between the tips of two tilting probe pins 24 and the alignment mark 28 can be observed through an opening 23. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は,半導体ウェーハやプリント基板などに形成された電子回路などの電気的特性の検査などに用いられるプローブカードに関し、特にプローブカードの位置合わせ技術に関する。   The present invention relates to a probe card used for inspection of electrical characteristics of an electronic circuit or the like formed on a semiconductor wafer or a printed circuit board, and more particularly to a probe card alignment technique.

半導体製造工程及びプリント基板製造工程においては、電気的特性を検査するためにプローブテストを行う。このプローブテストは、通常、半導体製造工程ではウェーハプロセス完了後、また、プリント基板製造工程においては全製造プロセス完了後に行われ、プローブテスト用の電極にプローブ針を接触させることで電気的特性の検査が行われる。   In the semiconductor manufacturing process and the printed circuit board manufacturing process, a probe test is performed to inspect electrical characteristics. This probe test is usually performed after the completion of the wafer process in the semiconductor manufacturing process and after the completion of the entire manufacturing process in the printed circuit board manufacturing process, and the electrical characteristics are inspected by bringing the probe needle into contact with the probe test electrode. Is done.

プローブテストに用いられるプローブカードは、プローブ針の種類によって大きく2種類に分類できる。1つはブレードタイプやカンチレバータイプと呼ばれるプローブ針に対応したものであり、これらは半導体ウェーハやプリント基板などの被検査物に形成されたテスト用電極に対し斜め上方からプローブ針が接触する。そのため、プローブカードには開口部があり、この開口部を通してテスト用電極とプローブ針の位置関係を観察することができる。また、プローブカードのもう1つの種類として垂直ピンタイプがあり、これは被検査物のテスト用電極に対し垂直プローブピンを垂直に接触させるものである。   Probe cards used for probe tests can be roughly classified into two types depending on the type of probe needle. One corresponds to a probe needle called a blade type or a cantilever type, and these probe needles come into contact with test electrodes formed on an object to be inspected such as a semiconductor wafer or a printed board from obliquely above. Therefore, the probe card has an opening, and the positional relationship between the test electrode and the probe needle can be observed through the opening. Another type of probe card is a vertical pin type, in which a vertical probe pin is brought into perpendicular contact with a test electrode of an object to be inspected.

従来におけるブレードタイプのプローブカードの例を図8及び図9に示す。
この図8及び図9において、プローブカードは、中央に観察用の開口部6を有するプローブカード基板1と、このプローブカード基板1の開口部6の上面縁部から開口部6を貫通して斜め下方へ突出するように設けられた複数のブレードタイプのプローブ針3とを備え、プローブ針3の先端を半導体ウェーハ2上に形成された被検査チップ4のプローブテスト用電極5に接触されるようにしている。
An example of a conventional blade type probe card is shown in FIGS.
In FIG. 8 and FIG. 9, the probe card is obliquely penetrated through the opening 6 from the probe card substrate 1 having the observation opening 6 in the center and the upper edge of the opening 6 of the probe card substrate 1. A plurality of blade-type probe needles 3 provided so as to protrude downward, and the tips of the probe needles 3 are brought into contact with the probe test electrodes 5 of the chip 4 to be inspected formed on the semiconductor wafer 2. I have to.

従来におけるカンチレバータイプのプローブカードの例を図10及び図11に示す。
この図10及び図11において、プローブカードは、中央に観察用の開口部6を有するプローブカード基板1と、このプローブカード基板1の開口部6の上面縁部から開口部6を貫通して斜め下方へ突出するように設けられた複数のカンチレバータイプのプローブ針7とを備え、プローブ針7を半導体ウェーハ2上に形成された被検査チップ4のプローブテスト用電極5に接触されるようにしている。
An example of a conventional cantilever type probe card is shown in FIGS.
10 and 11, the probe card is obliquely penetrated from the probe card substrate 1 having the observation opening 6 in the center and the upper edge of the opening 6 of the probe card substrate 1 through the opening 6. A plurality of cantilever type probe needles 7 provided so as to protrude downward, and the probe needles 7 are brought into contact with the probe test electrodes 5 of the chip 4 to be inspected formed on the semiconductor wafer 2. Yes.

従来における垂直ピンを使用したプローブカードの例を図12及び図13に示す。
この図12及び図13において、プローブカードは、プローブカード基板1と、このプローブカード基板1に下方へ垂直に突設された複数の垂直ピンタイプのプローブ針8を有し、このプローブ針8は半導体ウェーハ2上に形成された被検査チップ4のプローブテスト用電極に対し垂直に接触されるようになっている。
このような垂直ピン対応のプローブカードは,多ピン化のため素子形成面全面にテスト用電極が形成された半導体チップやプリント基板のオープンショート検査などに用いられる。また、このタイプのプローブカードは、テスト用電極の真上でプローブ針自体を垂直に支持するため,プローブカード基板1には観察用の開口部がない。
Examples of conventional probe cards using vertical pins are shown in FIGS.
12 and 13, the probe card has a probe card substrate 1 and a plurality of vertical pin type probe needles 8 projecting vertically downward from the probe card substrate 1. The probe test electrode 4 of the chip to be inspected 4 formed on the semiconductor wafer 2 is brought into contact with the electrode vertically.
Such a probe card corresponding to a vertical pin is used for an open short inspection of a semiconductor chip or a printed circuit board in which a test electrode is formed on the entire surface of an element forming surface for increasing the number of pins. In addition, since this type of probe card supports the probe needle itself vertically above the test electrode, the probe card substrate 1 has no opening for observation.

プローブカードは、一般に、プロービング装置に装着されて被検査物の検査を行う。その際,プローブ針が半導体ウェーハやプリント基板のプローブテスト用電極に正確に接触するように位置合わせを行う必要がある。通常、プローブカードを交換した直後や被検査物が別の品種に切り替わった場合は、マニュアル操作による位置合わせ作業を行い、位置の登録を行う。それ以降はプローブ針及び被検査物の位置合わせマーク等を画像認識装置で識別し自動で位置合わせが行われる。位置合わせにおいて手順を要するのは前記マニュアル操作の部分である。以下、位置合わせのマニュアル操作例を説明する。   In general, the probe card is mounted on a probing apparatus to inspect an object to be inspected. At that time, it is necessary to align the probe needle so that the probe needle accurately contacts the probe test electrode of the semiconductor wafer or printed circuit board. Normally, after replacing the probe card or when the object to be inspected is switched to another product type, the registration operation is performed by performing a manual alignment operation. After that, the probe needle and the alignment mark of the object to be inspected are identified by the image recognition device and the alignment is automatically performed. It is the manual operation that requires a procedure for alignment. An example of manual operation for alignment will be described below.

ブレードタイプやカンチレバータイプにおけるマニュアル位置合わせの一例について図14を参照して説明する。
被検査物である半導体ウェーハ16をステージ17に固定し、プローブカード14をプローブカード固定具15に固定する。プローブカード固定具15はX−Y−Z軸及び角度の調整が可能となっている。プローブ針14a及び半導体ウェーハ16上の測定用電極の位置をカメラ13によって観察し、その画像をモニター(図示しない)で確認しながらX−Y軸及び角度の調整を行う。その後、Z方向の高さ合わせのため測定用電極にプローブ針14aを接触させ、針跡が付く高さを確認し、接触をより確実にするため適量のオーバードライブをかける。図8ではプローブ針がカンチレバータイプの例を示しているが、ブレードタイプのプローブ針でも手順は同じである。また被検査物がプリント基板であっても手順は同じである。
An example of manual alignment in a blade type or a cantilever type will be described with reference to FIG.
The semiconductor wafer 16 that is the object to be inspected is fixed to the stage 17, and the probe card 14 is fixed to the probe card fixture 15. The probe card fixture 15 can be adjusted in the XYZ axis and angle. The positions of the probe needle 14a and the measurement electrode on the semiconductor wafer 16 are observed by the camera 13, and the X-Y axis and angle are adjusted while confirming the image on a monitor (not shown). Thereafter, the probe needle 14a is brought into contact with the measurement electrode for height adjustment in the Z direction, the height at which the needle mark is attached is confirmed, and an appropriate amount of overdrive is applied to make the contact more reliable. FIG. 8 shows an example in which the probe needle is a cantilever type, but the procedure is the same for a blade type probe needle. The procedure is the same even if the object to be inspected is a printed circuit board.

一方、垂直ピンタイプのプローブカードでは、測定用電極とプローブ針の位置を上方からの観察で確認できないため、位置合わせ手順は複雑になる。従来の垂直ピンタイプにおけるプローブ針の位置合わせ手順の一例について図15及び図16を参照して説明する。
まず、図15に示す位置にX−Yステージ14を移動し、被検査物である半導体ウェーハ10をZステージ11に固定し、プローブカード13をX−Yステージ14に固定する。プローブ針13aの位置をカメラ12によって観察し、また半導体ウェーハ10上の被検査チップの測定用電極の位置をカメラ9によって観察し、それぞれの画像をモニター(図示しない)によって確認する。カメラ9及びカメラ12の位置はプロービング装置に記憶されており、これらのカメラによって観察されたプローブ針及び測定用電極の位置情報からX−Y及び角度の位置合わせが行われる。角度の調整はX−Yステージ14またはZステージ11のどちらかに角度調整機構を持たせておくことで可能となる。
次にZ方向の高さ合わせ及びX−Y及び角度の微調整のため図16に示すZステージ11の上方位置にX−Yステージ14を移動し、Zステージ11を測定用電極とプローブ針が接触するまで上昇させる。Zステージ11の上昇量は、半導体ウェーハの厚さ及びプローブ針の長さなどから予め計算し目安としておく。次にX−Yステージ14を図15に示す位置に移動し、測定用電極に付いた針跡をカメラ9によって確認し、必要に応じてX−Y及び角度の微調整を行う。また同時に針跡が付くZステージ11の高さを確認し、接触をより確実にするため適量のオーバードライブをかける。
On the other hand, in the case of a vertical pin type probe card, the position of the measurement electrode and the probe needle cannot be confirmed by observation from above, and the alignment procedure is complicated. An example of a probe needle positioning procedure in a conventional vertical pin type will be described with reference to FIGS. 15 and 16.
First, the XY stage 14 is moved to the position shown in FIG. 15, the semiconductor wafer 10 as the inspection object is fixed to the Z stage 11, and the probe card 13 is fixed to the XY stage 14. The position of the probe needle 13a is observed by the camera 12, the position of the measurement electrode of the chip to be inspected on the semiconductor wafer 10 is observed by the camera 9, and each image is confirmed by a monitor (not shown). The positions of the camera 9 and the camera 12 are stored in the probing apparatus, and XY and angle alignment are performed from the position information of the probe needle and the measurement electrode observed by these cameras. The angle can be adjusted by providing either the XY stage 14 or the Z stage 11 with an angle adjusting mechanism.
Next, to adjust the height in the Z direction and to finely adjust the XY and angle, the XY stage 14 is moved to a position above the Z stage 11 shown in FIG. Raise until contact. The amount of ascent of the Z stage 11 is calculated in advance from the thickness of the semiconductor wafer, the length of the probe needle, and the like as a guide. Next, the XY stage 14 is moved to the position shown in FIG. 15, the needle marks attached to the measurement electrodes are confirmed by the camera 9, and the XY and angle are finely adjusted as necessary. At the same time, the height of the Z stage 11 on which the needle mark is attached is confirmed, and an appropriate amount of overdrive is applied to make the contact more reliable.

上記垂直ピンタイプの位置合わせに関しては、例えば特許文献1にその方法が開示されている。特許文献1では、プローブ針へのパーティクルの付着や針先の汚れ、酸化などによりプローブ針のカメラでの認識が困難になることを防ぐため、測定用プローブ針の他にアライメント用のプローブ針を設け、アライメント用のプローブ針は測定用プローブ針よりも短くし被検査物に接触しないようにすることでパーティクルの付着を防ぎ、また針先端を平滑にし、さらにステンレス鋼のような耐酸化性の材料とすることでカメラでの認識を容易にする方法が提示されている。   Regarding the alignment of the vertical pin type, for example, Patent Document 1 discloses a method thereof. In Patent Document 1, in order to prevent the recognition of the probe needle with the camera due to particle adhesion to the probe needle, contamination of the needle tip, oxidation, etc., in addition to the measurement probe needle, an alignment probe needle is used. The probe needle for alignment is shorter than the probe needle for measurement so that it does not come into contact with the object to be inspected to prevent adhesion of particles, and the tip of the needle is smoothed. A method for facilitating recognition with a camera by using a material has been proposed.

また、垂直ピンタイプの位置合わせ方法として、特許文献2に示すような別の方法が提案されている。
垂直ピンでは位置合わせのための針跡が付きにくく、針跡が確認できるまで何回も針を測定用電極に接触させる必要がある。これを回避するため過剰なオーバードライブをかけてしまい、半導体ウェーハにおいては測定用電極の直下にある素子を破壊してしまうことがある。それを防ぐため、特許文献2では測定用プローブ針の他に、測定用プローブ針よりも長い位置合わせ用のプローブ針を設け、半導体ウェーハ上に設けた位置合わせ用マークに接触させるようにしている。
特開平8-327658号公報 特許第3334659号
As a vertical pin type alignment method, another method as shown in Patent Document 2 has been proposed.
With the vertical pin, it is difficult to place a needle mark for alignment, and it is necessary to make the needle contact the measurement electrode many times until the needle mark can be confirmed. In order to avoid this, excessive overdrive is applied, and in a semiconductor wafer, an element directly under the measurement electrode may be destroyed. In order to prevent this, in Patent Document 2, a probe needle for alignment longer than the probe needle for measurement is provided in addition to the probe needle for measurement, and is brought into contact with an alignment mark provided on the semiconductor wafer. .
JP-A-8-327658 Japanese Patent No. 3334659

従来の垂直ピンタイプのプローブカードでは、位置合わせを行うにあたり少なくとも2方向からカメラで観察しなければならず、プロービング装置の機能及び構成が複雑となり、位置合わせ作業に要する時間も長くなる傾向があった。また、高さ方向の位置合わせについては、被検査物の厚さやプローブ針の長さ等の情報を事前に調べ、ある程度の目安を持った上で作業することが必須であり、作業を煩雑なものとしていた。さらにブレードタイプやカンチレバータイプのプローブカードに対応したプロービング装置では垂直ピンタイプのプローブカードの位置合わせは不可能であり、両者のプローブカードが混在する検査工程においては、プロービング装置も別々に用意する必要があり検査コストの増大を招いていた。   In the conventional vertical pin type probe card, it is necessary to observe with a camera from at least two directions for alignment, the function and configuration of the probing device tends to be complicated, and the time required for alignment tends to increase. It was. In addition, for positioning in the height direction, it is essential to check information such as the thickness of the object to be inspected and the length of the probe needle in advance, and work with a certain standard, which is complicated. I was supposed to. In addition, it is impossible to align the vertical pin type probe card with a probing device compatible with blade type or cantilever type probe cards, and it is necessary to prepare a probing device separately in the inspection process where both probe cards are mixed. There was an increase in inspection costs.

本発明は、上記のような問題を解決するためになされたもので、被検査物に対するプローブ針の位置合わせが容易であり、ブレードタイプやカンチレバータイプのプローブカード用のプロービング装置でも使用できる、垂直ピンタイプのプローブカードを提供することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and it is easy to align the probe needle with the object to be inspected, and can be used in a probing device for a blade type or cantilever type probe card. An object is to provide a pin type probe card.

上記目的を達成するために本発明は、被検査物の電気的特性などを検査するためのプローブカードであって、基板と、前記基板から垂直に突出する検査用の複数の垂直プローブピンと、前記基板から斜めに突出する位置合わせ用の複数の傾斜プローブピンと、前記基板に設けられ前記各傾斜プローブピンが前記被検査物と接触する箇所を観察するための開口部とを備えることを特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention provides a probe card for inspecting the electrical characteristics of an object to be inspected, and a substrate, a plurality of vertical probe pins for inspection protruding vertically from the substrate, A plurality of inclined probe pins for alignment projecting obliquely from the substrate; and an opening provided on the substrate for observing a place where each inclined probe pin contacts the object to be inspected. .

本発明によれば、検査用の垂直プローブピンの他に位置合わせ用の傾斜プローブピンを備え、傾斜プローブピンと被検査物との接触を開口部を通して観察できるように構成したので、垂直プローブピンタイプのプローブカードが有する多ピンに対応できるという利点を生かしつつ、ブレードタイプまたはカンチレバータイプのような傾斜プローブピンタイプのプローブカードのように位置合わせを容易に行うことができ、検査工程の短手順化が実現できる。   According to the present invention, in addition to the vertical probe pin for inspection, the inclined probe pin for alignment is provided, and the contact between the inclined probe pin and the object to be inspected can be observed through the opening. While taking advantage of the multi-pin that the probe card has, it can be easily aligned like the probe card of the inclined probe pin type such as blade type or cantilever type, and the inspection procedure can be shortened. Can be realized.

以下、本発明にかかるプローブカードの実施の形態について、図1〜図7を参照して説明する。なお、本発明にかかるプローブカードは、以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
(第1の実施の形態)
Hereinafter, embodiments of a probe card according to the present invention will be described with reference to FIGS. The probe card according to the present invention is not limited to the embodiments described below.
(First embodiment)

図1は本発明の第1の実施の形態における垂直プローブタイプのプローブカードと半導体ウェーハの位置関係を側方から見た側面図であり、図2は第1の実施の形態における垂直プローブタイプのプローブカードを上方から見た平面図である。また、図3は第1の実施の形態におけるプローブカードの一部を拡大して示す平面図であり、図4は第1の実施の形態における傾斜プローブピンにオーバードライブをかけた様子を示す説明図である。   FIG. 1 is a side view of a positional relationship between a vertical probe type probe card and a semiconductor wafer according to the first embodiment of the present invention as viewed from the side, and FIG. 2 is a vertical probe type according to the first embodiment. It is the top view which looked at the probe card from the upper part. FIG. 3 is an enlarged plan view showing a part of the probe card in the first embodiment, and FIG. 4 is a diagram showing a state in which the inclined probe pin in the first embodiment is overdriven. FIG.

第1の実施の形態に示す垂直プローブタイプのプローブカードは、図1および図2に示すように、正方形状のプローブカード基板21を有し、このプローブカード基板21にはプローブカード基板21の下面側へ垂直に突出して、被検査物である半導体ウェーハ25に形成された被検査チップ26のテスト電極27に対し上面から垂直に接触する複数の検査用垂直プローブピン22がテスト電極27の離間間隔に合わせてマトリックス状に設けられている。
被検査チップ26の上辺側の左右の角部に位置する2箇所には、図1および図2に示すように、位置合わせマーク28がそれぞれ形成されている。この位置合わせマーク28は、被検査チップ26のテスト電極27とプローブカード基板21の垂直プローブピン22との位置合わせをするためのものである。
また、上記各位置合わせマーク28と対向するプローブカード基板21の2箇所には、図1および図2に示すように、観察用の開口部23がそれぞれ設けられている。さらに、プローブカード基板21には、図1および図2に示すように、開口部23を貫通して斜め下方へ突出するカンチレバータイプの傾斜プローブピン24が位置合わせマークごとに設けられている。すなわち、プローブカード基板21の下面は半導体ウェーハ25の被検査チップ26に臨み、傾斜プローブピン24の基部はプローブカード基板21の上面に設けられ、傾斜プローブピン24の突出部側は開口部23を貫通してプローブカード基板21の下面側へ斜めに突出され、その先端は位置合わせマーク28に接触されるようになっている。
また、位置合わせを行う際に傾斜プローブピン24が位置合わせマーク28に、また垂直プローブピン22が被検査チップ26のテスト電極27に同時に接触できるように傾斜プローブピン24の突出高さH1と垂直プローブピン22の突出高さH2が同じ寸法に設定されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the vertical probe type probe card shown in the first embodiment has a square probe card substrate 21, and the probe card substrate 21 includes a lower surface of the probe card substrate 21. A plurality of inspection vertical probe pins 22 projecting vertically to the side and vertically contacting the test electrode 27 of the chip 26 to be inspected formed on the semiconductor wafer 25 as an object to be inspected from the upper surface are spaced apart from each other. Are provided in a matrix.
As shown in FIGS. 1 and 2, alignment marks 28 are respectively formed at two positions located on the left and right corners on the upper side of the chip 26 to be inspected. The alignment mark 28 is used for alignment between the test electrode 27 of the chip 26 to be inspected and the vertical probe pin 22 of the probe card substrate 21.
Moreover, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, observation openings 23 are provided at two locations on the probe card substrate 21 facing the alignment marks 28, respectively. Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the probe card substrate 21 is provided with a cantilever-type inclined probe pin 24 that passes through the opening 23 and protrudes obliquely downward for each alignment mark. That is, the lower surface of the probe card substrate 21 faces the chip 26 to be inspected of the semiconductor wafer 25, the base portion of the inclined probe pin 24 is provided on the upper surface of the probe card substrate 21, and the protruding portion side of the inclined probe pin 24 has an opening 23. It penetrates and projects obliquely toward the lower surface side of the probe card substrate 21, and its tip is in contact with the alignment mark 28.
Further, when performing alignment, the inclined probe pin 24 is perpendicular to the protrusion height H1 of the inclined probe pin 24 so that the inclined probe pin 24 can contact the alignment mark 28 and the vertical probe pin 22 can simultaneously contact the test electrode 27 of the chip 26 to be inspected. The protruding height H2 of the probe pin 22 is set to the same dimension.

このような第1の実施の形態に示すプローブカードにおいて、これを被検査チップ26に対して位置合わせする場合は、2本の傾斜プローブピン24の先端と位置合わせマーク28との位置関係を開口部23を通して図示省略のカメラにより観察し、その画像をモニター(図示しない)で確認しながらX−Y方向と角度を調整して位置合わせを行う。これにより、それぞれの位置合わせマーク28に対する傾斜プローブピン24の位置合わせが完了したならば、全ての垂直プローブピン22の被検査チップ26に対する位置合わせも同時に完了する。この第1の実施の形態では傾斜プローブピン24の例としてカンチレバータイプを使用した場合について説明したが、これはブレードタイプのプローブピンであっても同じである。
また、第1の実施の形態に示すプローブカードのZ方向の位置合わせについても開口部23を通して図示省略のカメラにより観察することで行う。
In the probe card shown in the first embodiment as described above, when this is aligned with the chip 26 to be inspected, the positional relationship between the tips of the two inclined probe pins 24 and the alignment marks 28 is opened. The image is observed through a camera (not shown) through the unit 23, and alignment is performed by adjusting the XY direction and angle while checking the image on a monitor (not shown). Thereby, when the alignment of the inclined probe pins 24 with respect to the respective alignment marks 28 is completed, the alignment of all the vertical probe pins 22 with respect to the chip 26 to be inspected is also completed at the same time. In the first embodiment, a case where a cantilever type is used as an example of the inclined probe pin 24 has been described, but this is the same even with a blade type probe pin.
In addition, the Z-direction alignment of the probe card shown in the first embodiment is also performed by observing with a camera (not shown) through the opening 23.

プローブ検査は通常、垂直プローブピン22の針先を被検査チップ26のテスト電極27に接触させた後、さらに接触を完全にするためにオーバードライブをかける。すなわち、図4に示すように、傾斜プローブピン24を位置合わせマーク28に接触させた後、矢印30に示す方向にオーバードライブをかけることによって、位置合わせマーク28の表面を矢印31の方向に滑らせる。これを図示省略のカメラにより上方から観察し、傾斜プローブピン24の針先が横方向へ滑る状態、または位置合わせマーク28の表面に付いた針跡32を見ることで針先が接触する高さを知ることができる。この例では、図1に示したように垂直プローブピン22突出高さH2と傾斜プローブピン24の突出高さH1はほぼ等しい。従って、傾斜プローブピン24が位置合わせマーク28に接触する高さと垂直プローブピン22がテスト電極27に接触する高さもほぼ等しくなる。そこで、傾斜プローブピン24が位置合わせマーク28に接触した後、適量のオーバードライブをかけることでZ方向の位置合わせが完了する。   In the probe inspection, the needle tip of the vertical probe pin 22 is usually brought into contact with the test electrode 27 of the chip 26 to be inspected, and then overdrive is applied to further complete the contact. That is, as shown in FIG. 4, after the inclined probe pin 24 is brought into contact with the alignment mark 28, the surface of the alignment mark 28 is slid in the direction of the arrow 31 by applying overdrive in the direction indicated by the arrow 30. Make it. This is observed from above with a camera (not shown), and the needle tip of the inclined probe pin 24 slides in the lateral direction, or the height at which the needle tip contacts by looking at the needle mark 32 on the surface of the alignment mark 28. Can know. In this example, as shown in FIG. 1, the protruding height H2 of the vertical probe pin 22 and the protruding height H1 of the inclined probe pin 24 are substantially equal. Accordingly, the height at which the inclined probe pin 24 contacts the alignment mark 28 and the height at which the vertical probe pin 22 contacts the test electrode 27 are substantially equal. Therefore, after the inclined probe pin 24 contacts the alignment mark 28, the Z-direction alignment is completed by applying an appropriate amount of overdrive.

このような第1の実施の形態によれば、プローブカード基板21に位置合わせ用の傾斜プローブピン24を設け、さらに被検査物である半導体ウェーハ25の被検査チップ26に位置合わせマーク28を設け、2本の傾斜プローブピン24の先端と位置合わせマーク28との位置関係を開口部23を通して観察できるようにしたので、垂直プローブピンタイプのプローブカードが有する多ピンに対応できるという利点を生かしつつ、ブレードタイプまたはカンチレバータイプのような傾斜プローブピンタイプのプローブカードのように位置合わせを容易に行うことができるとともに、検査工程の短手順化を実現でき、検査コストを低減できる。この場合、傾斜プローブピン24を少なくとも2本具備することで、X−Y方向と角度の位置合わせが可能となる。   According to such a first embodiment, the probe card substrate 21 is provided with the inclined probe pins 24 for alignment, and the alignment mark 28 is provided on the chip 26 to be inspected of the semiconductor wafer 25 that is the object to be inspected. Since the positional relationship between the tips of the two inclined probe pins 24 and the alignment mark 28 can be observed through the opening 23, while taking advantage of the advantage of being able to deal with the multiple pins of a vertical probe pin type probe card. In addition, it is possible to easily perform alignment as in the case of an inclined probe pin type probe card such as a blade type or a cantilever type, and it is possible to realize a shortened procedure of the inspection process and to reduce the inspection cost. In this case, by providing at least two inclined probe pins 24, it is possible to align the angle with the XY direction.

また、第1の実施の形態によれば、位置合わせを行う際の傾斜プローブピン24の突出高さH1と垂直プローブピン22の突出高さH2はほぼ等しいため、傾斜プローブピン24が位置合わせマーク28に接触した後、適量のオーバードライブをかけることでZ方向の位置合わせも行うことができる。
(第2の実施の形態)
In addition, according to the first embodiment, since the protruding height H1 of the inclined probe pin 24 and the protruding height H2 of the vertical probe pin 22 at the time of alignment are substantially equal, the inclined probe pin 24 is aligned with the alignment mark. After contacting 28, positioning in the Z direction can be performed by applying an appropriate amount of overdrive.
(Second Embodiment)

図5は本発明の第2の実施の形態における垂直プローブタイプのプローブカードと半導体ウェーハの位置関係を側方から見た側面図であり、図6は第2の実施の形態における垂直プローブタイプのプローブカードを上方から見た平面図である。   FIG. 5 is a side view of the positional relationship between the vertical probe type probe card and the semiconductor wafer in the second embodiment of the present invention as viewed from the side, and FIG. 6 shows the vertical probe type in the second embodiment. It is the top view which looked at the probe card from the upper part.

この図5及び図6において、図1及び図2と同一の構成要素には同一符号を付して説明すると、第2の実施の形態に示す垂直プローブタイプのプローブカードは、図5及び図6に示すように、正方形状のプローブカード基板21を有し、このプローブカード基板21にはプローブカード基板21の下面側へ垂直に突出して、被検査物である半導体ウェーハ25に形成された被検査チップ26のテスト電極27に対し上面から垂直に接触する複数の検査用垂直プローブピン22がテスト電極27の離間間隔に合わせてマトリックス状に設けられている。
また、被検査チップ26上のマトリックス状のテスト電極27のうち、1行目の左右両端に位置する2つのテスト電極27aは位置合わせマークを兼ねており、この各テスト電極27aに対応する垂直プローブピン22は省略され、これに代えて、検査用プローブピンを兼ねたカンチレバータイプの位置合わせ用の傾斜プローブピン29がプローブカード基板21に設けられている。
In FIG. 5 and FIG. 6, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG. 1 and FIG. 2, and the vertical probe type probe card shown in the second embodiment is shown in FIG. As shown in FIG. 2, the probe card substrate 21 has a square shape, and the probe card substrate 21 protrudes perpendicularly to the lower surface side of the probe card substrate 21 and is formed on the semiconductor wafer 25 that is an object to be inspected. A plurality of inspection vertical probe pins 22 that are in perpendicular contact with the test electrodes 27 of the chip 26 from the upper surface are provided in a matrix in accordance with the spacing of the test electrodes 27.
Of the matrix-like test electrodes 27 on the chip 26 to be inspected, the two test electrodes 27a located at the left and right ends of the first row also serve as alignment marks, and vertical probes corresponding to the test electrodes 27a. The pin 22 is omitted, and a cantilever-type tilted probe pin 29 that also serves as an inspection probe pin is provided on the probe card substrate 21 instead.

上記位置合わせマークを兼ねたテスト電極27aと相対向するプローブカード基板21の2箇所には、図5及び図6に示すように、観察用の開口部23がそれぞれ設けられ、さらに、プローブカード基板21には、開口部23を貫通して斜め下方へ突出する前記傾斜プローブピン29が設けられている。すなわち、プローブカード基板21の下面は半導体ウェーハ25の被検査チップ26に臨み、傾斜プローブピン29の基部はプローブカード基板21の上面に設けられ、傾斜プローブピン29の突出部側は開口部23を貫通してプローブカード基板21の下面側へ斜めに突出され、その先端は位置合わせマークを兼ねたテスト電極27aに接触されるようになっている。
また、垂直プローブピン22が被検査チップ26のテスト電極27に同時に接触するように傾斜プローブピン29の突出高さH1と垂直プローブピン22の突出高さH2が同じ寸法に設定されている。
As shown in FIGS. 5 and 6, openings 23 for observation are respectively provided at two locations on the probe card substrate 21 facing the test electrode 27a which also serves as the alignment mark, and the probe card substrate. 21 is provided with the inclined probe pin 29 that penetrates the opening 23 and protrudes obliquely downward. That is, the lower surface of the probe card substrate 21 faces the chip 26 to be inspected of the semiconductor wafer 25, the base portion of the inclined probe pin 29 is provided on the upper surface of the probe card substrate 21, and the protruding portion side of the inclined probe pin 29 has the opening 23. It penetrates and protrudes obliquely to the lower surface side of the probe card substrate 21, and its tip is in contact with a test electrode 27 a that also serves as an alignment mark.
In addition, the protruding height H1 of the inclined probe pin 29 and the protruding height H2 of the vertical probe pin 22 are set to the same dimension so that the vertical probe pin 22 contacts the test electrode 27 of the chip 26 to be inspected simultaneously.

このような第2の実施の形態に示すプローブカードにおいて、これを被検査チップ26に対して位置合わせする場合は、2本の傾斜プローブピン29の先端とテスト電極27aとの位置関係を開口部23を通して図示省略のカメラにより観察し、その画像をモニター(図示しない)で確認しながらX−Y方向と角度を調整して位置合わせを行う。これにより、それぞれのテスト電極27aに対する傾斜プローブピン29の位置合わせが完了したなれば、全ての垂直プローブピン22の被検査チップ26に対する位置合わせも同時に完了する。この第2の実施の形態では傾斜プローブピン29の例としてカンチレバータイプを使用した場合について説明したが、これはブレードタイプのプローブピンであっても同じである。
また、第2の実施の形態に示すプローブカードのZ方向の位置合わせについても開口部23を通して図示省略のカメラにより観察することで行う。
In the probe card shown in the second embodiment, when this is aligned with the chip 26 to be inspected, the positional relationship between the tip of the two inclined probe pins 29 and the test electrode 27a is defined as an opening. The image is observed through a camera (not shown) through 23, and the position is adjusted by adjusting the angle in the XY directions while checking the image on a monitor (not shown). As a result, if the alignment of the inclined probe pins 29 with respect to the respective test electrodes 27a is completed, the alignment of all the vertical probe pins 22 with respect to the chip 26 to be inspected is simultaneously completed. In the second embodiment, a case where a cantilever type is used as an example of the inclined probe pin 29 has been described, but this is the same even with a blade type probe pin.
Further, the alignment of the probe card in the Z direction shown in the second embodiment is also performed by observing with a camera (not shown) through the opening 23.

このような第2の実施の形態によれば、プローブカード基板21に検査用プローブピンを兼ねた位置合わせ用の2つの傾斜プローブピン29を設け、被検査チップ26上には位置合わせマークを兼ねた2つのテスト電極27aを設け、2本の傾斜プローブピン29の先端とテスト電極27aとの位置関係を開口部23を通して観察できるようにしたので、垂直プローブピンタイプのプローブカードが有する多ピンに対応できるという利点を生かしつつ、ブレードタイプまたはカンチレバータイプのような傾斜プローブピンタイプのプローブカードのように位置合わせを容易に行うことができるとともに、検査工程の短手順化を実現でき、検査コストの低減が可能になるほか、プローブカードを低コスト化できる。   According to such a second embodiment, the probe card substrate 21 is provided with two inclined probe pins 29 for alignment that also serve as inspection probe pins, and also serves as an alignment mark on the chip 26 to be inspected. Since two test electrodes 27a are provided so that the positional relationship between the tip of the two inclined probe pins 29 and the test electrode 27a can be observed through the opening 23, the multi-pins of the vertical probe pin type probe card can be used. While making use of the advantage of being able to handle, it can be easily aligned like a probe card of the inclined probe pin type such as blade type or cantilever type, and the inspection process can be shortened, and the inspection cost can be reduced. In addition to the reduction, the cost of the probe card can be reduced.

また、第2の実施の形態によれば、位置合わせを行う際の傾斜プローブピン29の突出高さH1と垂直プローブピン22の突出高さH2はほぼ等しいため、傾斜プローブピン29がテスト電極27aに接触した後、適量のオーバードライブをかけることでZ方向の位置合わせも行うことができる。
また、第2の実施の形態によれば、傾斜プローブピン29はテスト電極27aに接触された状態で位置合わせされるため、テスト電極27aと接触されれば検査用の垂直プローブピンの代用となりピン数の増加を招くことなく経済的に有利となる。
(第3の実施の形態)
Further, according to the second embodiment, since the protruding height H1 of the inclined probe pin 29 and the protruding height H2 of the vertical probe pin 22 at the time of alignment are substantially equal, the inclined probe pin 29 is connected to the test electrode 27a. After the contact, the Z-direction alignment can be performed by applying an appropriate amount of overdrive.
In addition, according to the second embodiment, since the tilted probe pin 29 is aligned while being in contact with the test electrode 27a, if it is in contact with the test electrode 27a, it becomes a substitute for the vertical probe pin for inspection. It is economically advantageous without increasing the number.
(Third embodiment)

図7は本発明の第3の実施の形態における垂直プローブタイプのプローブカードと半導体ウェーハの位置関係を側方から見た側面図である。
この図7において、図1及び図2と同一の構成要素には同一符号を付してその説明を省略し、図1及び図2と異なる部分を重点に説明する。
この第3の実施の形態において、第1の実施の形態と異なる点は、図7から明らかなように、傾斜プローブピン24の突出高さH1を垂直プローブピン22突出高さH2より大きくし、両者の間に差dを持たせたところにある。
FIG. 7 is a side view of the positional relationship between a vertical probe type probe card and a semiconductor wafer according to the third embodiment of the present invention, viewed from the side.
In FIG. 7, the same components as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and portions different from those in FIGS. 1 and 2 will be mainly described.
In the third embodiment, the difference from the first embodiment is that the protruding height H1 of the inclined probe pin 24 is made larger than the protruding height H2 of the vertical probe pin 22 as is apparent from FIG. There is a difference d between the two.

このような第3の実施の形態によれば、傾斜プローブピン24を垂直プローブピン22がテスト電極27に接触されるよりも先に位置合わせマーク28に接触させ得るため、垂直プローブピン22と傾斜プローブピン24の突出高さの差dを予め測定しておけば、前記第1の実施の形態と同様の方法でZ方向の高さ合わせを実施した後、その差dだけ余計にオーバードライブをかければよく、Z方向の位置合わせを容易に行うことができる。また、この第3の実施の形態においても、第1の実施の形態と同様な作用効果が得られる。   According to the third embodiment, since the inclined probe pin 24 can be brought into contact with the alignment mark 28 before the vertical probe pin 22 is brought into contact with the test electrode 27, the inclined probe pin 24 and the vertical probe pin 22 are inclined. If the protrusion height difference d of the probe pin 24 is measured in advance, after the height adjustment in the Z direction is performed in the same manner as in the first embodiment, the overdrive is further increased by the difference d. It suffices if necessary, and alignment in the Z direction can be easily performed. Also in the third embodiment, the same operational effects as in the first embodiment can be obtained.

本発明の第1の実施の形態における垂直プローブタイプのプローブカードと半導体ウェーハの位置関係を側方から見た側面図である。It is the side view which looked at the positional relationship of the vertical probe type probe card and semiconductor wafer in the 1st Embodiment of this invention from the side. 第1の実施の形態における垂直プローブタイプのプローブカードを上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the probe card of the perpendicular probe type in a 1st embodiment from the upper part. 第1の実施の形態におけるプローブカードの一部を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows a part of probe card in 1st Embodiment. 第1の実施の形態における傾斜プローブピンにオーバードライブをかけた様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the overdrive was applied to the inclination probe pin in 1st Embodiment. 本発明の第2の実施の形態における垂直プローブタイプのプローブカードと半導体ウェーハの位置関係を側方から見た側面図である。It is the side view which looked at the positional relationship of the vertical probe type probe card and semiconductor wafer in the 2nd Embodiment of this invention from the side. 第2の実施の形態における垂直プローブタイプのプローブカードを上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the probe card of the perpendicular probe type in a 2nd embodiment from the upper part. 本発明の第3の実施の形態における垂直プローブタイプのプローブカードと半導体ウェーハの位置関係を側方から見た側面図である。It is the side view which looked at the positional relationship of the vertical probe type probe card and semiconductor wafer in the 3rd Embodiment of this invention from the side. 従来におけるブレードタイプのプローブピンを用いたプローブカードを示す側面図である。It is a side view which shows the probe card using the conventional blade type probe pin. 従来におけるブレードタイプのプローブピンを用いたプローブカードを示す平面図である。It is a top view which shows the probe card using the conventional blade type probe pin. 従来におけるカンチレバータイプのプローブピンを用いたプローブカードを示す側面図である。It is a side view which shows the probe card using the conventional cantilever type probe pin. 従来におけるカンチレバータイプのプローブピンを用いたプローブカードを示す平面図である。It is a top view which shows the probe card using the conventional cantilever type probe pin. 従来における垂直タイプのプローブピンを用いたプローブカードを示す側面図である。It is a side view which shows the probe card using the conventional vertical type probe pin. 従来における垂直タイプのプローブピンを用いたプローブカードを示す平面図である。It is a top view which shows the probe card using the conventional vertical type probe pin. 従来におけるプローブピンのプローブカードにおける位置合わせ方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the position alignment method in the probe card of the conventional probe pin. 従来における垂直タイプのプローブカードにおける位置合わせ方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the positioning method in the conventional vertical type probe card. 従来における垂直タイプのプローブカードにおける位置合わせ方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the positioning method in the conventional vertical type probe card.

符号の説明Explanation of symbols

20……プローブカード基板、22……垂直プローブピン、23……開口部、24……傾斜プローブピン、25……半導体ウェーハ、26……被検査チップ、27,27a……テスト電極、28……位置合わせマーク、29……傾斜プローブピン。
20... Probe card substrate, 22... Vertical probe pin, 23... Opening, 24... Inclined probe pin, 25... Semiconductor wafer, 26 ... Chip to be inspected, 27, 27a. ... Alignment mark, 29 ... Inclined probe pin.

Claims (5)

被検査物の電気的特性などを検査するためのプローブカードであって、
基板と、
前記基板から垂直に突出する検査用の複数の垂直プローブピンと、
前記基板から斜めに突出する位置合わせ用の複数の傾斜プローブピンと、
前記基板に設けられ前記各傾斜プローブピンが前記被検査物と接触する箇所を観察するための開口部と、
を備えることを特徴とするプローブカード。
A probe card for inspecting the electrical characteristics of an object to be inspected,
A substrate,
A plurality of vertical probe pins for inspection protruding vertically from the substrate;
A plurality of inclined probe pins for alignment projecting obliquely from the substrate;
An opening for observing a place where the inclined probe pin is provided on the substrate and contacts the object to be inspected;
A probe card comprising:
前記基板の厚さ方向の一方の面は前記被検査物に臨み、前記傾斜プローブピンの基部は前記基板の厚さ方向の他方の面に設けられ、前記傾斜プローブピンの突出部側は前記開口部を通して前記基板の厚さ方向の一方の面から突出していることを特徴とする請求項1記載のプローブカード。   One surface in the thickness direction of the substrate faces the object to be inspected, the base portion of the inclined probe pin is provided on the other surface in the thickness direction of the substrate, and the protruding portion side of the inclined probe pin is the opening. The probe card according to claim 1, wherein the probe card protrudes from one surface in the thickness direction of the substrate through a portion. 前記基板から垂直方向に離れる突出高さは、前記垂直プローブピンよりも前記傾斜プローブピンが大きな寸法で形成され、または、同じ寸法で形成されていることを特徴とする請求項1または2記載のプローブカード。   The protruding height away from the substrate in the vertical direction is such that the inclined probe pin is formed with a larger dimension than the vertical probe pin, or is formed with the same dimension. Probe card. 前記被検査物は位置合わせマークを備え、前記傾斜プローブピンは前記位置合わせマークに接触するように配置されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のプローブカード。   The probe card according to any one of claims 1 to 3, wherein the inspection object includes an alignment mark, and the inclined probe pin is disposed so as to contact the alignment mark. 前記傾斜プローブピンは前記被検査物の検査用電極に接触するよう配置されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のプローブカード。
The probe card according to any one of claims 1 to 3, wherein the inclined probe pin is disposed so as to contact an inspection electrode of the inspection object.
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