JP2007216369A - シリコンナノ結晶材料の製造方法及び該製造方法で製造されたシリコンナノ結晶材料 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板1の表面に形成した酸化シリコン薄膜2に、シリコン基板1の表面に達するナノホール6を任意のサイズ及び二次元配列で形成し、ナノホール6内に、レーザーアブレーション法を用いてシリコン10を供給堆積し、その後、加熱することで、ナノホール6内のシリコン10をシリコン基板1からの固相エピタキシル成長させて単結晶のシリコンナノ結晶細線11を形成し、シリコンナノ結晶細線11から成るシリコンナノ結晶材料12を製造する。
【選択図】図3
Description
(1)単結晶のシリコン基板上に酸化シリコン(SiO2)薄膜に複数のナノホールを形成する工程と、
(2)このナノホール内にレーザアブレーション(PLA:Pulsed Laser Ablation)法を利用してシリコンを供給堆積する工程と、
(3)加熱処理する工程と、から成る。
2 酸化シリコン(SiO2)薄膜
3 積層材
4 マスクの複数の孔
5 マスク
6 酸化シリコン薄膜のナノホール
7 極紫外光
8 ターゲット
9 パルスレーザ
10 ガス状のシリコン
11 シリコンナノ結晶細線
Claims (10)
- シリコン基板の表面に該シリコン基板の表面に達するナノホールを有する薄膜を形成し、該ナノホール内に、シリコンを供給堆積し、その後、加熱することで、前記ナノホール内にシリコンナノ結晶材料を、シリコン基板からの固相エピタキシル成長を用いて製造することを特徴とするシリコンナノ結晶材料の製造方法。
- シリコン基板の表面に形成した酸化シリコン薄膜に、前記シリコン基板の表面に達するナノホールを形成し、該ナノホール内に、シリコンを供給堆積し、その後、加熱することで、前記ナノホール内のシリコンをシリコン基板からの固相エピタキシル成長させてシリコンナノ結晶材料を製造することを特徴とするシリコンナノ結晶材料の製造方法。
- 前記ナノホールは、任意のサイズ及び二次元配列で形成することを特徴とする請求項1又は2記載のシリコンナノ結晶材料の製造方法。
- 前記ナノホール内へのシリコンの供給堆積は、レーザーアブレーション法を用いて任意の堆積量に供給堆積することを特徴とする請求項1、2又は3記載のシリコンナノ結晶材料の製造方法。
- 前記ナノホール内でシリコンを固相エピタキシル成長させてシリコンナノ結晶細線を形成し、該シリコンナノ結晶細線を有するシリコンナノ結晶材料を製造することを特徴とする請求項1、2、3又は4記載のシリコンナノ結晶材料の製造方法。
- 前記シリコンナノ結晶細線は、単結晶であることを特徴とする請求項1、2、3、4又は5記載のシリコンナノ結晶材料の製造方法。
- シリコン基板の表面に該シリコン基板の表面に達するナノホールを有する薄膜を形成し、該ナノホール内に、シリコンを供給堆積し、その後、加熱することで、前記ナノホール内のシリコンがシリコン基板からの固相エピタキシル成長でシリコンナノ結晶として製造されたものであることを特徴とするシリコンナノ結晶材料。
- シリコン基板の表面に形成した酸化シリコン薄膜に、前記シリコン基板の表面に達するナノホールを形成し、該ナノホール内に、シリコンを供給堆積し、その後、加熱することで、前記ナノホール内のシリコンがシリコン基板から固相エピタキシル成長させてシリコンナノ結晶として製造されたものであることを特徴とするシリコンナノ結晶材料。
- 前記ナノホール内でシリコンを固相エピタキシル成長させて形成されたシリコンナノ結晶細線を有することを特徴とする請求項7又は8記載のシリコンナノ結晶材料。
- 前記シリコンナノ結晶細線は、単結晶であることを特徴とする請求項7、8又は9記載のシリコンナノ結晶材料。
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