JP2007199744A - Method of manufacturing liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に高開口率化による輝度向上、低消費電力化、低コスト化に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly to improvement in luminance, reduction in power consumption, and cost reduction by increasing the aperture ratio.
液晶表示装置において、液晶層を駆動する電極は、薄膜トランジスタアレイ基板(以下、TFT基板と称す)とカラーフィルタ基板(以下、CF基板と称す)の2枚の基板によって形成され、相対向している透明基板を用いている。TFT基板はスイッチング素子及びそのスイッチング素子に接続される液晶駆動電極等がアレイ状に形成されている。CF基板はRGBの着色層からなる画素及び各着色層間に配置されるブラックマトリクス(以下、BMと称す)が各スイッチング素子に対応するように形成されている。そしてその間に液晶材料を注入し、この液晶材料の偏光作用によって表示を行っている。この液晶に印加する電界の方向を基板界面にほぼ垂直な方向とし、水平方向に配向していた液晶分子を電界により垂直方向に配向させることで動作する、ツイステッドネマティック表示方式(TN方式)に代表される液晶駆動方式が従来は主に採用されていた。 In a liquid crystal display device, electrodes for driving a liquid crystal layer are formed by two substrates, a thin film transistor array substrate (hereinafter referred to as a TFT substrate) and a color filter substrate (hereinafter referred to as a CF substrate), and are opposed to each other. A transparent substrate is used. The TFT substrate is formed with an array of switching elements and liquid crystal driving electrodes connected to the switching elements. The CF substrate is formed so that pixels composed of RGB colored layers and a black matrix (hereinafter referred to as BM) disposed between the colored layers correspond to the switching elements. In the meantime, a liquid crystal material is injected and display is performed by the polarization action of this liquid crystal material. Representative of the twisted nematic display method (TN method), which operates by setting the direction of the electric field applied to the liquid crystal to a direction substantially perpendicular to the substrate interface and aligning the liquid crystal molecules aligned in the horizontal direction in the vertical direction by the electric field. Conventionally, the liquid crystal driving method used has been mainly adopted.
しかし、この方式は、液晶分子が電界によって、垂直方向に配向する際、基板に対しある角度を持つため、見る方向によって明るさが異なり視野角を広くできないという問題点を有している。 However, this method has a problem that when the liquid crystal molecules are aligned in the vertical direction by an electric field, the brightness varies depending on the viewing direction and the viewing angle cannot be increased because the liquid crystal molecules have a certain angle with respect to the substrate.
その改善策として、液晶に印加する電界の方向を基板界面に略平行な方向にして、水平方向に液晶分子を電界により回転させる方式として、複数本の電極からなる櫛状の電極対を用いた横方向電界方式(In―Plane―Switching方式 以下、IPS方式と称す)の液晶表示装置が用いられるようになっている。 As an improvement measure, a comb-like electrode pair composed of a plurality of electrodes was used as a method of rotating the liquid crystal molecules by the electric field in the horizontal direction with the direction of the electric field applied to the liquid crystal being substantially parallel to the substrate interface. A liquid crystal display device of a horizontal electric field method (In-Plane-Switching method, hereinafter referred to as IPS method) is used.
このIPS方式の液晶表示装置は液晶分子が基板に対して常に平行なため、ツイステッドネマティック表示方式の液晶表示装置に比べ非常に視野角が広く、モニター用途の液晶表示装置として注目されている。 This IPS liquid crystal display device has a wide viewing angle compared to a twisted nematic display liquid crystal display device because liquid crystal molecules are always parallel to the substrate, and has attracted attention as a liquid crystal display device for monitoring applications.
また液晶パネルは、液晶の漏れを防ぐため、シール材とよばれる接着剤をCF基板の周辺に塗布し、TFT基板と貼り合わせている。この相対向する2枚の基板間には液晶材料を注入する一定の隙間を設けている。この相対向する2枚の基板間の間隙(ギャップ)を均一にすることは難しく、場所により若干のバラツキが生じ、輝度及び色度の変化を生じるため表示ムラが発生する。また一般的にIPS方式ではツイステッドネマティック表示方式よりもギャップに対する輝度及び色度の変化が大きいため、ギャップの面内均一性が要求される。 In order to prevent liquid crystal from leaking, the liquid crystal panel is applied with an adhesive called a sealing material around the CF substrate and bonded to the TFT substrate. A fixed gap for injecting liquid crystal material is provided between the two opposing substrates. It is difficult to make the gap (gap) between the two substrates facing each other uniform, resulting in slight variations depending on the location, and changes in luminance and chromaticity, resulting in display unevenness. In general, in the IPS system, changes in luminance and chromaticity with respect to the gap are larger than in the twisted nematic display system, and therefore, in-plane uniformity of the gap is required.
このギャップを一定にするために通常基板間に多数のスペーサーを面内全域に設ける。このスペーサーは通常CF基板の上に図9の様な構造で形成される。ここで8はスペーサー、9は遮光層となるBM、10はRGBの画素となる着色層、13はCF表面を平坦化するためのオーバーコート膜である。 In order to make this gap constant, a large number of spacers are usually provided between the substrates in the entire area. This spacer is usually formed on the CF substrate with a structure as shown in FIG. Here, 8 is a spacer, 9 is a BM serving as a light shielding layer, 10 is a colored layer serving as an RGB pixel, and 13 is an overcoat film for flattening the CF surface.
従来の液晶表示装置ではCF基板とTFT基板を重ね合わせた際に、このスペーサー8はTFT基板上の図10、図11に示す位置に配置されていた。ここで1はゲート配線、2はソース配線、3はソース電極、4はドレイン電極であり、これらがTFTのスイッチング素子を構成する。さらに5はドレイン電極4と接続された液晶駆動電極、6は液晶駆動電極5と対向する共通電極、7は共通電極6に接続された共通容量配線である。この液晶駆動電極5と共通電極6の間に電界によって、液晶材料が配向する。IPS方式では横方向に電界を加えるため、液晶駆動電極5と共通電極6は櫛状になっている。また前記CF基板上のBM9は画素間の光を遮蔽するため、図10、図11の太線に示された位置(ゲート配線1及びソース配線2に対応する位置)に設けられている。ここで図10、図11は1画素の拡大図であり、この画素がアレイ状に設けられている。
In the conventional liquid crystal display device, when the CF substrate and the TFT substrate are overlapped, the
図10に示す配置を仮定すると、スペーサー8はソース配線3上でTFT基板と接触している。通常、スペーサー8の直径は10〜20μm程度である。またこの画素はアレイ状に設けられているため、この位置でのBM9の線幅eは図10に示すcとdの和であり、スペーサー8と略同じ15μm程度となる。
Assuming the arrangement shown in FIG. 10, the
安定したセルギャップ(基板間ギャップ)を保つためスペーサー8の高さがばらつかないように設置する必要がある。そのため基板を対向配置した際にスペーサー8と着色層10が重ならずに、かつBM9からはみ出さないように配置する必要がある。また色抜けを防止しパネル表示品質を向上させるために、BM9と着色層10と重ねる必要がある。しかし、スペーサー8の幅精度とBM9に対する位置精度、BM9の幅精度及び着色層10の幅精度とBM9に対する位置精度より、片側約10〜15μmのBM9スペースを確保する必要がある。従って、開口率の低下を招き、輝度が低下してしまった。よって液晶表示装置のバックライトの低消費電力化、低コスト化が実現できないという問題点があった。
In order to maintain a stable cell gap (inter-substrate gap), it is necessary to install the
図11に示す配置を仮定すると、スペーサー8はゲート配線1上でTFT基板と接触している。この位置でのBM9の線幅eは図11に示すaとbの和であり、30μm程度となる。
Assuming the arrangement shown in FIG. 11, the
しかしこの場合にもギャップムラが発生しないようスペーサー8を設けるためにはBM幅をさらに太く(35〜45μm程度)する必要があった。従って、開口率の低下を招き、輝度が低下してしまった。よって液晶表示装置のバックライトの低消費電力化、低コスト化が実現できないという問題点があった。
However, also in this case, in order to provide the
さらに図10、図11に示す従来のTFT基板ではゲート配線1、ソース配線2及びBM9の幅を狭くして開口率を向上させようとした場合、スペーサー8の周囲のBMを狭くできないため、開口率向上の妨げになってしまという問題点があった。
Further, in the conventional TFT substrate shown in FIGS. 10 and 11, when the width of the
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、高開口率、高輝度の液晶表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such problems, and an object thereof is to provide a liquid crystal display device having a high aperture ratio and a high luminance.
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、対向配置された第1の基板及び第2の基板と、当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサー(例えば、本発明の実施の形態におけるスペーサー8)と、その基板間に挟持された液晶層とを備える液晶表示装置の製造方法であって、前記第1の基板上に、ゲート配線(例えば、本発明の実施の形態におけるゲート配線1)と、前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線(例えば、本発明の実施の形態におけるソース配線2)と、前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続され、複数本の略平行な電極よりなる液晶駆動電極(例えば、本発明の実施の形態における液晶駆動電極5)と、前記液晶駆動電極と略平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる共通電極(例えば、本発明の実施の形態における共通電極6)とを形成し、前記第2の基板上に、アレイ状に配置された着色層(例えば、本発明の実施の形態における着色層10)を形成し、前記着色層の間に、前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置した際に、前記ゲート配線、前記液晶駆動電極及び前記共通電極が近接した、黒表示時に光漏れが発生する配向異常領域で幅広になるように、遮光層(例えば、本発明の実施の形態におけるBM9)を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置させ、前記遮光層を幅広に形成した領域において、前記スペーサーを前記遮光層及び前記ゲート配線に重畳するように形成する。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることができる。
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate that are arranged to face each other, and a spacer that keeps the distance between the substrates substantially constant (for example, the
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、対向配置された第1の基板及び第2の基板と、当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、その基板間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置の製造方法であって、前記第1の基板上に、ゲート配線と、前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続され、複数本の略平行な電極よりなる液晶駆動電極と、前記液晶駆動電極と略平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる共通電極とを形成し、前記第2の基板上に、アレイ状に配置された着色層を形成し、前記着色層の間に、前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置した際に、前記ソース配線、前記液晶駆動電極及び前記共通電極が近接した、黒表示時に光漏れが発生する配向異常領域で幅広になるように、遮光層を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置させ、前記遮光層を幅広に形成した領域において、前記スペーサーを前記遮光層及び前記ソース配線に重畳するように形成する。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。 The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate arranged opposite to each other, a spacer that keeps a distance between the substrates substantially constant, and a liquid crystal layer sandwiched between the substrates. A liquid crystal display device comprising: a gate wiring on the first substrate; a source wiring intersecting the gate wiring through an insulating film; a switching element connected to the source wiring; A liquid crystal drive electrode connected to the switching element and made up of a plurality of substantially parallel electrodes, and a common electrode made up of a plurality of electrodes arranged substantially parallel and alternately with the liquid crystal drive electrodes, When the colored layers arranged in an array are formed on the second substrate, and the first substrate and the second substrate are arranged opposite to each other between the colored layers, the source wiring and the liquid crystal Drive electrode and common electrode are close In addition, a light shielding layer is formed so as to be wide in an abnormal alignment region where light leakage occurs during black display, the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, and the light shielding layer is formed wide. In the region, the spacer is formed so as to overlap the light shielding layer and the source wiring. Thereby, an aperture ratio can be improved and a brightness | luminance can be improved.
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、対向配置された第1の基板及び第2の基板と、当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、その基板間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置の製造方法であって、前記第1の基板上に、ゲート配線と、前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された液晶駆動電極と、前記液晶駆動電極と対向して設けられた共通電極と、前記ゲート配線と略平行に設けられ、前記共通電極と接続する共通容量配線とを形成し、前記第2の基板上に、アレイ状に配置された着色層を形成し、前記着色層の間に、前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置した際に、前記ソース配線と前記共通容量配線の交差位置近傍の、黒表示時に光漏れが発生する配向異常領域で幅広になるように、遮光層を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置させ、前記遮光層を幅広に形成した領域において、前記スペーサーを前記遮光層、及び前記ソース配線と前記共通容量配線の交差位置に重畳するように形成する。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate arranged opposite to each other, a spacer that keeps a distance between the substrates substantially constant, and a liquid crystal layer sandwiched between the substrates. A liquid crystal display device comprising: a gate wiring on the first substrate; a source wiring intersecting the gate wiring through an insulating film; a switching element connected to the source wiring; Forming a liquid crystal driving electrode connected to the switching element, a common electrode provided opposite to the liquid crystal driving electrode, and a common capacitor wiring provided substantially parallel to the gate wiring and connected to the common electrode When the colored layer arranged in an array is formed on the second substrate, and the first substrate and the second substrate are arranged to face each other between the colored layers, the source Wiring and common capacitance wiring A light shielding layer is formed so as to be wide in an alignment abnormal region near the position where light leakage occurs during black display, the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, and the light shielding layer is widened. In the region formed in
前記スペーサーを前記第2の基板の上に形成することが好ましい。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。 The spacer is preferably formed on the second substrate. Thereby, an aperture ratio can be improved and a brightness | luminance can be improved.
また、前記スペーサーの形状が柱状であってもよい。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。 The spacer may have a columnar shape. Thereby, an aperture ratio can be improved and a brightness | luminance can be improved.
本発明によれば、ブラックマトリクスの幅を狭くすることができ、高開口率の液晶表示装置を提供することができる。 According to the present invention, the width of the black matrix can be reduced, and a high aperture ratio liquid crystal display device can be provided.
発明の実施の形態1.
本発明にかかる液晶表示装置は、従来の液晶表示装置と同様にTFT基板とCF基板が対向して配置されており、この基板間に液晶材料が狭持されている。この液晶表示装置の画素部の構造を図1に示す。図1はTFT基板の1画素の構成を示している。1はゲート配線、2はソース配線、3はソース電極、4はドレイン電極、5は液晶駆動電極、6は共通電極、7は共通容量配線、8はスペーサー、9はBMである。
In the liquid crystal display device according to the present invention, a TFT substrate and a CF substrate are arranged to face each other like a conventional liquid crystal display device, and a liquid crystal material is sandwiched between the substrates. The structure of the pixel portion of this liquid crystal display device is shown in FIG. FIG. 1 shows the configuration of one pixel of the TFT substrate. 1 is a gate wiring, 2 is a source wiring, 3 is a source electrode, 4 is a drain electrode, 5 is a liquid crystal drive electrode, 6 is a common electrode, 7 is a common capacitance wiring, 8 is a spacer, and 9 is a BM.
次にこのTFT基板の製造過程を説明する。まず絶縁性基板上にAl、Cr、Mo、Ti、W等の導電膜をスパッタ装置により成膜する。そして写真製版工程、エッチング工程及びレジスト除去工程によりゲート配線1及び共通容量配線7を形成する。
Next, the manufacturing process of this TFT substrate will be described. First, a conductive film such as Al, Cr, Mo, Ti, or W is formed on an insulating substrate by a sputtering apparatus. Then, the
次にゲート配線1、共通容量配線7が形成された絶縁性基板上にSiNx等の絶縁膜、及びa−Si膜の半導体膜をプラズマCVD装置により成膜する。ここで半導体膜表面にP、As等の不純物をドープして、オーミック層としてn+a−Si層を形成する。そして写真製版工程、エッチング工程及びレジスト除去工程により半導体層を形成する。
Next, an insulating film such as SiN x and a semiconductor film of an a-Si film are formed on the insulating substrate on which the
さらにその上からドレイン電極2、ソース電極3、ソース配線5を形成するため、Al、Cr、Mo、Ti、W等の導電膜をスパッタ装置により形成する。そして写真製版工程、エッチング工程及びレジスト除去工程によりドレイン電極2、ソース電極3及びソース配線2を形成する。
Further, in order to form the
さらにこの後に層間絶縁膜であるSiNx膜を形成し、写真製版工程、レジスト除去工程、エッチング工程によりコンタクトホールを形成する。そしてITO膜等の透明性導電膜を成膜する。写真製版工程、エッチング工程及びレジスト除去工程により、液晶駆動電極4及び共通電極6が櫛状に対向する構造になる。またコンタクトホールを介してドレイン電極4と液晶駆動電極5及び共通電極6と共通容量配線7とが接触する構造となる。以上のような工程でTFTが形成され、このTFTをアレイ状に設けたTFT基板が液晶表示装置に用いられる。
Thereafter, an SiN x film as an interlayer insulating film is formed, and contact holes are formed by a photolithography process, a resist removal process, and an etching process. Then, a transparent conductive film such as an ITO film is formed. The liquid crystal driving electrode 4 and the
また横方向電界方式のTFT基板では液晶駆動電極4及び共通電極6をCr、Al、Mo、Ti、W等の金属膜により形成しても良く、さらには金属Crや酸化Cr膜の多層構造としてもよい。また液晶駆動電極4又は共通電極6をドレイン電極3と同じ工程で形成しても良い。
In the case of a lateral electric field type TFT substrate, the liquid crystal driving electrode 4 and the
さらにこのTFT基板を洗浄し配向膜を塗布する。その後、焼成、ラビング処理を行う。ここでソース配線2と略平行な方向にラビング処理を行った。これによりTFTがOFF状態では、液晶分子がソース配線2と略平行な方向に配向される。
Further, the TFT substrate is washed and an alignment film is applied. Thereafter, firing and rubbing are performed. Here, rubbing treatment was performed in a direction substantially parallel to the
次にCFの製造過程を図8を用いて説明する。まず絶縁性基板上にCr膜をスパッタ装置により成膜する。その後、写真製版工程等により遮光層であるBM9を形成する。ここではCr膜をスパッタ法により成膜したが、金属Crと酸化Crの2層膜でもよく、さらにはNiやAl等の他の膜種でもよい。また成膜法はスパッタ法に限らず蒸着法等の他の成膜法でもよい。さらには樹脂中に遮光剤を分散させた樹脂ブラックマトリクスを用いてもよい。 Next, the CF manufacturing process will be described with reference to FIG. First, a Cr film is formed on an insulating substrate by a sputtering apparatus. Then, BM9 which is a light shielding layer is formed by the photoengraving process etc. Here, the Cr film is formed by sputtering, but it may be a two-layer film of metal Cr and Cr oxide, and may be another film type such as Ni or Al. Further, the film forming method is not limited to the sputtering method, but may be another film forming method such as an evaporation method. Further, a resin black matrix in which a light shielding agent is dispersed in the resin may be used.
この上からRの顔料を基板上に塗布する。その後、レジスト塗布、露光及び現像工程により顔料をパターニングし、BM9の間にRの着色層10aを形成する。これをGの着色層10bとBの着色層10cにも繰り返し行い、三原色の着色層10を形成する。ここで光が漏れないように着色層10とBM9とオーバーラップさせる。また本実施例では顔料法を用いたが、これに限らず染色法、電着法または印刷法のいずれでもよい。
From above, R pigment is applied onto the substrate. Thereafter, the pigment is patterned by resist coating, exposure, and development steps, and an R
その上から透明なオーバーコート膜13を塗布し、平坦化する。さらにその上に配向膜11を成膜する。そしてTFT基板の配向膜と同様に焼成、ラビング処理を行う。ここではソース配線2と略平行な方向にラビング処理を行った。よってTFTがOFF状態では、液晶分子がソース配線2と略平行な方向に配向される。またこのオーバーコート膜13は耐熱性、耐薬品性を有し、着色層10を保護する役割も持っている。ここではオーバーコート膜13と配向膜11を別の膜としたが、オーバーコート膜13と配向膜11を同じ膜で形成しても良い。
A transparent overcoat film 13 is applied thereon and planarized. Further, an
そしてTFT基板とCF基板の間に液晶材料を注入する隙間を設けるためのスペーサー8を形成する。このスペーサー8は樹脂層を塗布した後、フォト工程により形成される。ここでスペーサー8は図8に示すようなテーパーの柱状に形成され、その断面は略円形である。そしてその根元(CF基板側の接触面)の直径は15μm程度である。通常この面積が大きい程ギャップの面内均一性は有利になるが、着色層10との重なり、BM9からのはみ出しは基板間ギャップの面内均一性を損なうためBM幅を確保する必要があり、開口率低下を招く。
Then, a
このように形成されたTFT基板とCF基板をシール材により貼り合わせ、液晶材料を注入する。上記のような工程で液晶パネルが形成される。ここでBM9は図1において太線で囲まれた領域に配置されることとなる。 The TFT substrate and the CF substrate thus formed are bonded together with a sealing material, and a liquid crystal material is injected. A liquid crystal panel is formed by the process as described above. Here, the BM 9 is arranged in a region surrounded by a thick line in FIG.
次にこのTFT基板上のゲート配線1、液晶駆動電極5及び共通電極6が近接する領域での液晶分子の様子を図2を用いて説明する。図2は図1において点線で示した領域Aの拡大図である。図1で付した符号と同じ符号は図1と同様であるため説明を省略する。ここで12はTFT基板とCF基板間に狭持された液晶分子であり、点線はゲート配線1のみに電圧を印加した時の電気力線である。
Next, the state of the liquid crystal molecules in the region where the
ここで図2に示すようにゲート配線1と略垂直な方向に配向膜11をラビング処理した。TFTがOFFの状態では液晶駆動電極5に電圧が印加されないため、液晶駆動電極5と共通電極6間の電位差は0に近づく。よって液晶分子12はラビング方向と同一方向に配向され、バックライト光を遮る。したがってノーマリーブラックモードのIPS方式液晶表示装置となる。
Here, as shown in FIG. 2, the
液晶駆動時にはゲート電圧が変動していてゲート配線1の近傍には電位差が生じ、電気力線は点線のようなラビング方向と同方向になる。ゲート配線1近傍の光漏れ領域C以外の領域では、液晶駆動電極5とゲート配線1及び共通電極6とゲート配線1は略平行になっている。よってこの間の電気力線はゲート配線1とほぼ垂直になる。従って、液晶分子12はラビング方向に配向し、バックライト光は遮られる。
When the liquid crystal is driven, the gate voltage fluctuates, a potential difference is generated in the vicinity of the
しかし、図2において点線で囲まれた光漏れ領域Cでは、図2に示すように電気力線の方向はラビング方向と異なる方向になる。従って液晶分子12が傾き、光漏れを発生させる。コントラストを維持するには光漏れ領域Cにおいて遮光するためのBM9が必要となる。この領域は黒表示時に光漏れが発生し、遮光を必要とする配向異常領域となる。
However, in the light leakage region C surrounded by the dotted line in FIG. 2, the direction of the electric lines of force is different from the rubbing direction as shown in FIG. Accordingly, the
本実施の形態ではこの位置にスペーサー8を配置している。この領域以外のゲート配線1上におけるBM9の線幅eは、図1に示すaとbの和になり30μm程度である。従って、CF基板形成時のスペーサー8の幅精度とBM9に対する位置精度、BM9の幅精度及び着色層10の幅精度とBM9に対する位置精度により、スペーサー8がBM9からはみ出したり、着色層10と重なる。従って、セルギャップの面内均一性を損なう。
In the present embodiment, the
ゲート配線1、液晶駆動電極5及び共通電極6が近接する領域では光漏れ領域Cを遮光するため、これ以上のBM9の幅がある。従って、スペーサー8をここに配置することで、BM9からはみ出し及び着色層10との重なりを防止できる。さらにこの配向異常領域以外の配線幅、BM幅を狭くすることができBM面積を縮小できる。これにより高開口率を実現することができ、輝度の向上が望める。さらにはバックライトの省電力化、低コスト化が可能となる。
In the region where the
上記に示すように、本実施の形態1では光漏れのためBM幅を広くする必要のあるゲート配線1、液晶駆動電極5及び共通電極6が近接する領域、すなわち配向異常領域にスペーサーを設け、開口率の向上を図るものである。
As described above, in the first embodiment, a spacer is provided in a region where the
本発明の実施の形態2.
本発明にかかる液晶表示装置を図3、図4を用いて説明する。図1、2に付した符号と同一の符号は図1、図2と同様であるため説明を省略する。
A liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. The same reference numerals as those in FIGS. 1 and 2 are the same as those in FIGS.
図3は本実施の形態2にかかる液晶表示装置の画素部の構成を示している。図4は図3において点線で示された領域Bの拡大図である。本実施の形態2においてもTFT基板及びCF基板の製造方法は実施の形態1と同様である。またラビング方向も同様の方向である。 FIG. 3 shows the configuration of the pixel portion of the liquid crystal display device according to the second embodiment. FIG. 4 is an enlarged view of a region B indicated by a dotted line in FIG. Also in the second embodiment, the manufacturing method of the TFT substrate and the CF substrate is the same as that of the first embodiment. The rubbing direction is the same direction.
図3に示す様に本実施の形態2ではスペーサー8の位置が実施の形態1と異なる。ここではスペーサー8はソース配線2、液晶駆動電極5及び共通容量配線6が近接する領域に配置されている。
As shown in FIG. 3, in the second embodiment, the position of the
この領域での液晶分子の様子を図4を用いて説明する。前述のように配向膜11はゲート配線1と垂直すなわちソース配線2と略平行にラビング処理されている。ここで液晶駆動時にはソース電圧が変動している。従ってソース配線2にのみ電圧が印加されている場合、ソース配線2の近傍の電気力線は図4で示されるようになる。よって実施の形態1と同様に液晶分子12が傾き、光漏れが発生する。さらに液晶駆動電極5とソース配線2間において電気力線はラビング方向と略垂直となる。従って、図4に示すように液晶分子12はラビング方向と垂直に配向される。ここでも光漏れが発生する。この領域は黒表示時に光漏れが発生し、遮光を必要とする配向異常領域となる。
The state of the liquid crystal molecules in this region will be described with reference to FIG. As described above, the
上記の理由により図4の点線で示す光漏れ領域Dには光漏れが発生する。従って、コントラストを維持するためには、この領域に遮光するためのBM9が必要となり、この領域DでのBM幅を広くする必要がある。従って、スペーサー8をここに配置することで、BM9からはみ出し及び着色層10との重なりを防止できる。そしてこの配向異常領域以外の配線幅、BM幅を狭くすることができBM面積を縮小できる。これにより高開口率を実現することができ、輝度の向上が望める。さらにはバックライトの省電力化、低コスト化が可能となる。なおこの際は領域B周辺のBM面積を広くする必要がある。
For the above reason, light leakage occurs in the light leakage region D indicated by the dotted line in FIG. Therefore, in order to maintain the contrast, a BM 9 for shielding light is necessary in this region, and the BM width in this region D needs to be widened. Therefore, by disposing the
上記に示すように、本実施の形態2では画素部のソース配線2、液晶駆動電極5及び共通容量配線6が近接する配向異常領域にスペーサー8を設け、開口率の向上を図るものである。
As described above, in the second embodiment, the
本発明の実施の形態3.
上記実施の形態1、2以外のBM9幅を広げる必要がある配向異常領域にスペーサー8を設けても同様の効果が得られる。例えば、図5に示すゲート配線1とソース配線2が交差位置近傍にスペーサー8を配置してもよい。ここではゲート配線1、ソース配線2、共通電極6及び液晶駆動電極5が近接する。これらの電位差によって生じる電界により液晶分子の配向が乱れ、光漏れが発生する。従ってこの領域は遮光を必要とする配向異常領域となり、BM9幅を太くする必要ある。この領域にスペーサー8を設けることにより、BM面積を縮小でき高開口率化を実現できる。なおこの際は図5に示すようにTFT周辺のBMを広く設ける必要がある。
The same effect can be obtained even if the
さらに上記の配置を有した液晶パネルはIPS方式に限らず従来のTN方式等の液晶表示装置にも用いることができる。これによりBM幅を狭くすることができ、高開口率化が望める。 Furthermore, the liquid crystal panel having the above arrangement can be used not only in the IPS system but also in a conventional TN system liquid crystal display device. As a result, the BM width can be narrowed, and a high aperture ratio can be expected.
本発明の実施の形態4.
また図6に示すようにスペーサー8をソース配線2と共通容量配線6の交差位置近傍に配置してもよい。ここではソース配線2と共通容量配線6が交差するため、両配線の電位差によって生じる電気力線によって液晶配向が乱れ、光漏れが発生する。従ってこの領域以外の領域のBM幅を狭くすることができる。これによりBM面積を縮小でき、高開口率化を実現できる。
Embodiment 4 of the present invention.
Further, as shown in FIG. 6, the
さらに上記の配置を有した液晶パネルはIPS方式に限らず従来のTN方式等の液晶表示装置にも用いることができる。これによりBM面積の縮小による高開口率化が望める。 Furthermore, the liquid crystal panel having the above arrangement can be used not only in the IPS system but also in a conventional TN system liquid crystal display device. As a result, a high aperture ratio can be expected by reducing the BM area.
上記の実施の形態1乃至4は、光漏れが発生しBMの幅を広げる必要がある配向異常領域にスペーサー8を配置するものである。これにより、配向異常領域以外の場所のBM幅を狭くすることができ、BM面積を縮小することができる。よって液晶表示装置の輝度を向上することができ、バックライトの省電力化、低コスト化を実現することができる。
In the first to fourth embodiments described above, the
その他の実施の形態.
また図7に示すように共通容量配線7の上にスペーサー8を配置してもよい。ここではスペーサー8はCF基板上ではBM9の上ではなく、着色層10の上に設けられることになる。共通容量配線7は実施の形態1で示したように金属膜で形成されているため、バックライト光が遮光されている。そのため遮光層であるBM9を必要としない上、表示特性の劣化等無しにスペーサー8を配置することができる。このためスペーサー8をBM9上に配置することなく、BM面積を縮小することができる。この場合には液晶駆動電極5、共通電極6を金属膜等の非透明性導電膜で形成することが望ましい。なお本実施の形態では図7に示すようにゲート配線1近傍の上のBM9の面積を縮小することができる。
Other embodiments.
Further, as shown in FIG. 7, a
さらに上記の配置を有した液晶パネルはIPS方式に限らず従来のTN方式等の液晶表示装置にも用いることができる。同様に高開口率化が望め、液晶表示装置の輝度を向上することができる。 Furthermore, the liquid crystal panel having the above arrangement can be used not only in the IPS system but also in a conventional TN system liquid crystal display device. Similarly, a high aperture ratio can be expected, and the luminance of the liquid crystal display device can be improved.
上述のスペーサー8の形状は柱状に限らず、ドーム状、球状、円柱状などでもよい。さらにこのスペーサー8を、配向異常領域に設ける場合は、その配向異常領域の面積に応じて、スペーサー8の直径を15μm以上にしてもよい。これにより基板間ギャップの面内均一性が向上し、基板面内の輝度及び色度の表示ムラを抑制することができる。またスペーサー8の断面は円形に限らず、三角形、四角形等の多角形でもよい。さらにスペーサー8をTFT基板上に形成させても良い。
The shape of the
本発明にかかるTFTアレイ基板は実施の形態1で示した製造方法で挙げれた膜種、形成方法に限らず、他の膜種、形成方法でも、当該TFT上におけるスペーサーの配置が同様であれば同様の効果が得られる。例えば導電膜はAl、Cr、Mo、Ti、W以外にもNi、Ag、Ta、Cu等の金属及びこれらを主成分とした合金でもよい。さらに絶縁膜はSiNxに限らずSiO2でもよい。また半導体層1はa−Si膜(アモルファスシリコン)に限らずp−Si膜(ポリシリコン)でもよい。オーミック層を形成するためにP、Asをドープしてn+a−Si層を形成したが、Bをドープしてオーミック層としてp+a−Si層を形成してもよい。また成膜方法はスパッタ法、プラズマCVD法に限らず蒸着法、減圧CVD法、常圧CVD法を用いてもよい。これらによっても同様の効果が得られる。
The TFT array substrate according to the present invention is not limited to the film type and the formation method mentioned in the manufacturing method shown in the first embodiment, and other film types and formation methods can be used as long as the spacers are arranged on the TFT. Similar effects can be obtained. For example, in addition to Al, Cr, Mo, Ti, and W, the conductive film may be a metal such as Ni, Ag, Ta, or Cu and an alloy containing these as a main component. Furthermore, the insulating film is not limited to SiN x and may be SiO 2 . The
1 ゲート配線
2 ソース配線
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5 液晶駆動電極
6 共通電極
7 共通容量配線
8 スペーサー
9 BM(ブラックマトリクス)
10 着色層
10a Rの着色層
10b Gの着色層
10c Bの着色層
11 配向膜
12 液晶分子
13 オーバーコート膜
DESCRIPTION OF
6
10 Colored layer
10a R colored
Claims (5)
当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、
その基板間に挟持された液晶層とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記第1の基板上に、ゲート配線と、
前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、
前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続され、複数本の略平行な電極よりなる液晶駆動電極と、
前記液晶駆動電極と略平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる共通電極とを形成し、
前記第2の基板上に、アレイ状に配置された着色層を形成し、
前記着色層の間に、前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置した際に、前記ゲート配線、前記液晶駆動電極及び前記共通電極が近接した、黒表示時に光漏れが発生する配向異常領域で幅広になるように、遮光層を形成し、
前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置させ、前記遮光層を幅広に形成した領域において、前記スペーサーを前記遮光層及び前記ゲート配線に重畳するように形成する液晶表示装置の製造方法。 A first substrate and a second substrate disposed opposite to each other;
A spacer for separating the distance between the substrates substantially constant;
A liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer sandwiched between the substrates,
On the first substrate, gate wiring;
A source wiring intersecting with the gate wiring through an insulating film;
A switching element connected to the source wiring;
A liquid crystal drive electrode connected to the switching element and comprising a plurality of substantially parallel electrodes;
Forming a common electrode composed of a plurality of electrodes arranged substantially parallel and alternately with the liquid crystal driving electrode;
Forming a colored layer arranged in an array on the second substrate;
When the first substrate and the second substrate are disposed opposite to each other between the colored layers, light leakage occurs during black display when the gate wiring, the liquid crystal drive electrode, and the common electrode are close to each other. Form a light-shielding layer so that it is wide in the abnormal orientation region,
Manufacturing of a liquid crystal display device in which the first substrate and the second substrate are arranged to face each other and the spacer is formed so as to overlap the light shielding layer and the gate wiring in a region where the light shielding layer is formed wide. Method.
当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、
その基板間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記第1の基板上に、ゲート配線と、
前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、
前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続され、複数本の略平行な電極よりなる液晶駆動電極と、
前記液晶駆動電極と略平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる共通電極とを形成し、
前記第2の基板上に、アレイ状に配置された着色層を形成し、
前記着色層の間に、前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置した際に、前記ソース配線、前記液晶駆動電極及び前記共通電極が近接した、黒表示時に光漏れが発生する配向異常領域で幅広になるように、遮光層を形成し、
前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置させ、前記遮光層を幅広に形成した領域において、前記スペーサーを前記遮光層及び前記ソース配線に重畳するように形成する液晶表示装置の製造方法。 A first substrate and a second substrate disposed opposite to each other;
A spacer for separating the distance between the substrates substantially constant;
A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer sandwiched between the substrates,
On the first substrate, gate wiring;
A source wiring intersecting with the gate wiring through an insulating film;
A switching element connected to the source wiring;
A liquid crystal drive electrode connected to the switching element and comprising a plurality of substantially parallel electrodes;
Forming a common electrode composed of a plurality of electrodes arranged substantially parallel and alternately with the liquid crystal driving electrode;
Forming a colored layer arranged in an array on the second substrate;
When the first substrate and the second substrate are disposed opposite to each other between the colored layers, light leakage occurs during black display when the source wiring, the liquid crystal drive electrode, and the common electrode are close to each other. Form a light-shielding layer so that it is wide in the abnormal orientation region,
Manufacture of a liquid crystal display device in which the first substrate and the second substrate are arranged to face each other and the spacer is formed so as to overlap the light shielding layer and the source wiring in a region where the light shielding layer is formed wide. Method.
当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、
その基板間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記第1の基板上に、ゲート配線と、
前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、
前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続された液晶駆動電極と、
前記液晶駆動電極と対向して設けられた共通電極と、
前記ゲート配線と略平行に設けられ、前記共通電極と接続する共通容量配線とを形成し、
前記第2の基板上に、アレイ状に配置された着色層を形成し、
前記着色層の間に、前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置した際に、前記ソース配線と前記共通容量配線の交差位置近傍の、黒表示時に光漏れが発生する配向異常領域で幅広になるように、遮光層を形成し、
前記第1の基板と前記第2の基板とを対向配置させ、前記遮光層を幅広に形成した領域において、前記スペーサーを前記遮光層、及び前記ソース配線と前記共通容量配線の交差位置に重畳するように形成する液晶表示装置の製造方法。 A first substrate and a second substrate disposed opposite to each other;
A spacer for separating the distance between the substrates substantially constant;
A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer sandwiched between the substrates,
On the first substrate, gate wiring;
A source wiring intersecting with the gate wiring through an insulating film;
A switching element connected to the source wiring;
A liquid crystal drive electrode connected to the switching element;
A common electrode provided to face the liquid crystal driving electrode;
Forming a common capacitance line provided substantially parallel to the gate line and connected to the common electrode;
Forming a colored layer arranged in an array on the second substrate;
An alignment abnormality in which light leakage occurs during black display near the intersection of the source wiring and the common capacitance wiring when the first substrate and the second substrate are disposed opposite to each other between the colored layers. Form a light shielding layer so that it is wide in the area,
In the region where the first substrate and the second substrate are arranged to face each other and the light shielding layer is formed wide, the spacer is overlapped with the light shielding layer and the intersection position of the source wiring and the common capacitance wiring. A method of manufacturing a liquid crystal display device formed as described above.
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